專利名稱：具有半導(dǎo)體芯片、承載襯底和膜的光電子半導(dǎo)體器件和用于制造所述光電子半導(dǎo)體器件 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有半導(dǎo)體芯片、承載襯底和膜的半導(dǎo)體器件。此外，本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于制造這種半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的光電子器件通常為了電接觸和機(jī)械穩(wěn)定而設(shè)置在承載襯底上。在此，存在將這種器件單獨(dú)安裝在例如印刷電路板或電路板上的可能性。為了器件的電接觸，例如使用從器件的接觸面引向承載襯底的接觸帶的金線。然而，借助于例如是金線的接合線的接觸具有下述缺點(diǎn):這種器件構(gòu)成為是具有很大高度的。將CPHF工藝(CPHF:Compact Planar High Flux，緊湊型平面高通量)用作替代的電接觸技術(shù)。這種接觸具有帶狀導(dǎo)線，所述帶狀導(dǎo)線設(shè)置在電絕緣的材料上，其中將帶狀導(dǎo)線從器件的接觸面引向承載襯底的接觸帶。在此，帶狀導(dǎo)線例如能夠借助于電鍍工藝、濺射工藝、陰影掩模和/或剝離工藝來(lái)施加到電絕緣的材料上，使得實(shí)現(xiàn)電接觸。然而，在CPHF接觸工藝中，能夠在器件的接觸面的和承載襯底的帶狀導(dǎo)線的區(qū)域中不利地造成污染。此外，在上文中描述的用于光電子器件的電接觸的可能性還具有下述缺點(diǎn):器件僅能夠與設(shè)為用于相應(yīng)的接觸技術(shù)的承載襯底組合。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明基于下述目的，提出一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的特征在于平的設(shè)計(jì)、在污染方面減少的危險(xiǎn)及同時(shí)在于各個(gè)器件組件的靈活的電布線。此外，本發(fā)明基于下述目的，提出一種用于這種器件的靈活的制造方法。此外，所述目的通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的器件和具有權(quán)利要求12的特征的用于制造所述器件的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。器件和其制造方法的有利的改進(jìn)形式是從屬權(quán)利要求的主題。在一個(gè)改進(jìn)形式中，光電子半導(dǎo)體器件設(shè)有半導(dǎo)體芯片、承載襯底和膜，其中半導(dǎo)體芯片具有設(shè)為用于產(chǎn)生輻射的有源層。承載襯底在上側(cè)上具有能導(dǎo)電的第一接觸帶和能導(dǎo)電的第二接觸帶。半導(dǎo)體芯片設(shè)置在承載襯底的上側(cè)上。膜至少局部地設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的背離承載襯底的輻射出射側(cè)上和承載襯底的上側(cè)上。膜至少局部地在背離承載襯底的上側(cè)上具有至少一個(gè)能導(dǎo)電的第一帶狀導(dǎo)線。膜具有至少一個(gè)第一穿口和第二穿口，所述至少一個(gè)第一穿口和第二穿口設(shè)置成，使得半導(dǎo)體芯片能夠經(jīng)由膜的第一帶狀導(dǎo)線與承載襯底的第一接觸帶電接觸。光電子器件尤其是下述器件，所述器件實(shí)現(xiàn)將電能轉(zhuǎn)化成輻射發(fā)射或反之亦然。例如，光電子器件是發(fā)射輻射的器件。因此，半導(dǎo)體芯片的當(dāng)前的電接觸經(jīng)由第一帶狀導(dǎo)線來(lái)進(jìn)行，所述第一帶狀導(dǎo)線設(shè)置在膜的背離芯片的側(cè)上。由此，常規(guī)使用的接合線不是必需的，由此器件的高度與接合線無(wú)關(guān)從而能夠構(gòu)成為是高度下降的。因此，有利地實(shí)現(xiàn)平的器件。通過(guò)至少局部地包圍半導(dǎo)體芯片的膜，能夠有利地保護(hù)半導(dǎo)體芯片不受機(jī)械的環(huán)境影響。由此，能夠有利地減少污染芯片的接觸面或承載襯底的接觸帶的危險(xiǎn)。此外，通過(guò)將承載襯底與設(shè)置在承載襯底上的接觸帶組合和將膜與設(shè)置在膜上的帶狀導(dǎo)線和穿口組合實(shí)現(xiàn)芯片與其它半導(dǎo)體組件或承載襯底的靈活的布線。例如能夠?qū)㈦娮杵?、傳感器、硅芯片?qū)動(dòng)器或ESD 二極管用作其它半導(dǎo)體組件。膜上的帶狀導(dǎo)線能夠根據(jù)所提出的應(yīng)用來(lái)構(gòu)成。由此，能夠根據(jù)期望的和所提出的用途有利地構(gòu)成膜和膜上的電引導(dǎo)部，使得實(shí)現(xiàn)器件組件的靈活組合。在一個(gè)改進(jìn)形式中，膜對(duì)于由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射而言是至少部分透明的或可穿透的。優(yōu)選地，膜對(duì)于至90%的、尤其優(yōu)選至99%的由半導(dǎo)體器件發(fā)射的輻射而言是可穿透的。替選地，膜對(duì)于由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射而言可為不可穿透的。在該情況下，在膜的設(shè)置區(qū)域中，在表面上對(duì)由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射進(jìn)行遮蔽。在一個(gè)改進(jìn)形式中，半導(dǎo)體芯片、尤其是有源層包含III/V族半導(dǎo)體材料，例如為出自材料體系 InxGayAlnyP' InxGayAl1^yN ^ InxGayAl1^yAs 的材料，其中:0 彡 x，y 彡 I 并且x+y彡I。II1-V族半導(dǎo)體材料尤其適合于產(chǎn)生在紫外(InxGayAlnyN)的光譜范圍中、經(jīng)過(guò)可見(尤其針對(duì)藍(lán)色的至綠色的輻射而言的InxGayAl1^N,或者尤其針對(duì)黃色的至紅色的輻射而言的InxGayAlnyP)的光譜范圍直到紅外(InxGayAlnyAs)的光譜范圍的輻射。半導(dǎo)體芯片優(yōu)選地是LED。優(yōu)選地，半導(dǎo)體芯片是薄膜LED。在本申請(qǐng)的范圍中將LED看作薄膜LED，在其制造期間將生長(zhǎng)襯底剝離，其中芯片的半導(dǎo)體層序列例如外延地生長(zhǎng)在所述生長(zhǎng)襯底上。 芯片的有源層優(yōu)選地具有pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子講結(jié)構(gòu)(SQW, single quantumwell)或多量子講結(jié)構(gòu)(MQW,multi quantum well)以用于產(chǎn)生福射。術(shù)語(yǔ)量子講結(jié)構(gòu)在此沒有對(duì)關(guān)于量子化的維數(shù)的意義進(jìn)行說(shuō)明。因此，量子阱結(jié)構(gòu)還包括量子阱、量子線和量子點(diǎn)以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。半導(dǎo)體芯片例如構(gòu)造有雙側(cè)的電接觸部。在該情況下，半導(dǎo)體芯片在面向承載襯底的側(cè)上具有第一接觸面并且在背離承載襯底的側(cè)上具有第二接觸面。在此，這當(dāng)在膜上僅設(shè)置第一帶狀導(dǎo)線時(shí)對(duì)于芯片的電接觸是足夠的。芯片的第二接觸部從芯片下側(cè)經(jīng)由承載襯底的接觸帶實(shí)現(xiàn)，半導(dǎo)體芯片能夠以其下側(cè)直接地固定并且電接觸到所述接觸帶上。承載襯底的接觸帶例如借助于間隔、電絕緣層或構(gòu)成為是電絕緣的膜相互電絕緣。替選地，半導(dǎo)體芯片能夠具有單側(cè)的電接觸部。在該情況下，芯片的兩個(gè)接觸面都設(shè)置在背離承載襯底的側(cè)上。因此，在承載襯底和芯片之間不進(jìn)行直接的電連接。在此，始終在芯片的輻射出射側(cè)上進(jìn)行電接觸。在膜上設(shè)置有至少兩個(gè)例如借助于間隔相互電絕緣的帶狀導(dǎo)線。芯片的接觸面分別借助于帶狀導(dǎo)線與承載襯底的接觸帶導(dǎo)電地連接。在一個(gè)改進(jìn)形式中，將膜借助于粘接層固定在半導(dǎo)體芯片和承載襯底上。粘接層優(yōu)選地設(shè)置在膜下側(cè)上，也就是直接地設(shè)置在芯片/承載襯底和膜之間。優(yōu)選地，粘接層盡可能薄地構(gòu)成，以便避免可能地污染芯片的接觸面和承載襯底的接觸帶。在一個(gè)改進(jìn)形式中，粘接層具有5 iim和IOiim之間的范圍中的厚度，其中包括邊界值。
膜的穿口完全地穿過(guò)膜。因此，在膜的穿口的區(qū)域中構(gòu)成孔。為了電接觸半導(dǎo)體芯片，在穿口的區(qū)域中分別引入能導(dǎo)電的接觸材料。在一個(gè)改進(jìn)形式中，膜中的穿口具有至少IOOiim的直徑。通過(guò)膜中的相對(duì)大的穿口，有利地保護(hù)半導(dǎo)體芯片上的接觸面和承載襯底上的接觸帶免受可能的污染。在一個(gè)改進(jìn)形式中，穿口至少局部地穿孔于第一帶狀導(dǎo)線。優(yōu)選地，兩個(gè)穿口構(gòu)成在第一帶狀導(dǎo)線中。因此，第一帶狀導(dǎo)線本身還具有構(gòu)成在膜的穿口的區(qū)域中的穿口。借助第一帶狀導(dǎo)線的材料環(huán)形地包圍膜的穿口。將接觸材料分別引入到膜的穿口中和第一帶狀導(dǎo)線的穿口中，使得確保從半導(dǎo)體芯片的接觸面到承載襯底的接觸帶的可靠的電接觸。在此，膜的第一穿口和帶狀導(dǎo)線的第一穿口優(yōu)選地設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的接觸面的區(qū)域中。膜的第二穿口和第一帶狀導(dǎo)線的第二穿口優(yōu)選地設(shè)置在承載襯底的第一接觸帶的區(qū)域中。在此，第一帶狀導(dǎo)線從膜的第一穿口引向膜的第二穿口。如果芯片構(gòu)成為單側(cè)的半導(dǎo)體芯片，那么在半導(dǎo)體芯片的第二接觸面上進(jìn)行相應(yīng)的電接觸。在一個(gè)改進(jìn)形式中，膜是多層膜，所述多層膜具有多個(gè)電絕緣的膜層和設(shè)置在所述膜層之間的、其它能導(dǎo)電的帶狀導(dǎo)線。因此，膜由多層的優(yōu)選透明的膜層組成，其中在膜中構(gòu)成以集成的方式結(jié)構(gòu)化的、優(yōu)選金屬的帶狀導(dǎo)線以用于實(shí)現(xiàn)多層的布線平面。在此，各個(gè)帶狀導(dǎo)線層能夠隨后相互接通，由此實(shí)現(xiàn)多用途的布線。在一個(gè)改進(jìn)形式中，穿口的直徑從膜的上側(cè)起在豎直方向上沿朝向承載襯底的方向減小。因此，在多層膜中，面向半導(dǎo)體芯片的層與其它距半導(dǎo)體芯片更遠(yuǎn)的層相比具有更小的穿口直徑。因此能夠確保，借助于接觸材料導(dǎo)電地連接多層膜的所有層。在一個(gè)改進(jìn)形式中，承載襯底具有凹部，在所述凹部中設(shè)置有芯片。由此，有利地，能夠保護(hù)芯片免受機(jī)械的環(huán)境影響。在一個(gè)改進(jìn)形式中，凹部的高度至少相當(dāng)于半導(dǎo)體芯片的高度。半導(dǎo)體芯片橫向地由承載襯底完全地包圍。由此，能夠確保相對(duì)于機(jī)械的環(huán)境影響進(jìn)行盡可能好的保護(hù)。此夕卜，膜因此能夠平坦地設(shè)置到承載襯底的上側(cè)和半導(dǎo)體芯片的輻射出射側(cè)上。在一個(gè)改進(jìn)形式中，膜在半導(dǎo)體芯片的輻射出射面的區(qū)域中具有另一穿口。因此，芯片的輻射出射面不含膜材料。在此，輻射出射面不必與半導(dǎo)體芯片的輻射出射側(cè)一致。例如，輻射出射面僅覆蓋輻射出射側(cè)的子區(qū)域。輻射出射面尤其是半導(dǎo)體芯片的從中射出來(lái)自芯片的盡可能最大的輻射發(fā)射的面。在一個(gè)改進(jìn)形式中，在輻射出射面上的另一穿口中施加轉(zhuǎn)換材料。轉(zhuǎn)換材料例如具有澆注材料，在澆注材料中嵌入至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件。在此，轉(zhuǎn)換元件優(yōu)選地均勻分布在澆注材料中。在此，轉(zhuǎn)換元件適合于至少部分地將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射轉(zhuǎn)換成另一波長(zhǎng)的輻射，使得器件發(fā)射由已轉(zhuǎn)換的輻射和由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射組成的混合輻射。因此，例如實(shí)現(xiàn)借助于轉(zhuǎn)換而發(fā)射白色、綠色或紅色輻射的器件。承載襯底例如是碳纖維襯底、纖維玻璃襯底、陶瓷襯底、環(huán)氧樹脂襯底或電路板，例如為 PCB (Printed Circuit Board 印刷電路板)。膜優(yōu)選地包含環(huán)氧樹脂、硅樹脂或聚碳酸酯。例如將高反射率的膜，例如鋁蒸鍍的膜、填充TiO2的膜或聚酰亞胺膜用作非透明膜。
尤其將例如包含銅、銀、鋁和/或金的金屬或金屬合金用作帶狀導(dǎo)線的和接觸帶的材料。接觸材料例如是能導(dǎo)電的材料的接觸滴，例如是由Sn制成的焊膏或能導(dǎo)電的粘接劑。在此，接觸材料借助于定量分配工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或噴射工藝引入到膜的穿口中。膜中的穿口例如借助于沖壓工藝或激光工藝來(lái)引入。例如借助于定量分配工藝或附層工藝將轉(zhuǎn)換材料引入膜的另一穿口中。在用于制造具有半導(dǎo)體芯片、承載襯底和膜的光電子器件的方法中，使用以下的方法步驟:-提供承載襯底，所述承載襯底在上側(cè)上具有能導(dǎo)電的第一接觸帶和能導(dǎo)電的第二接觸帶，-將半導(dǎo)體芯片設(shè)置在承載襯底的上側(cè)上，-將膜至少局部地層壓在半導(dǎo)體芯片的背離承載襯底的輻射出射側(cè)上和承載襯底的上側(cè)上，其中膜至少局部地在背離承載襯底的上側(cè)上具有至少一個(gè)能導(dǎo)電的第一帶狀導(dǎo)
線、第一穿口和第二穿口，并且-半導(dǎo)體芯片借助于穿口經(jīng)由膜的第一帶狀導(dǎo)線至少與承載襯底的第一接觸帶電接觸。所述方法的有利的改進(jìn)形式與器件的有利的改進(jìn)形式相似地得出，并且反之亦然。由于芯片經(jīng)由膜的電接觸，尤其實(shí)現(xiàn)芯片例如與例如是ESD 二極管、電阻器、傳感器和/或硅芯片驅(qū)動(dòng)器的其它半導(dǎo)體組件的靈活布線，所述其它半導(dǎo)體組件設(shè)置在承載襯底上。在此，半導(dǎo)體芯片的電接觸能夠構(gòu)成為是雙側(cè)的。在該情況下，半導(dǎo)體芯片借助于下側(cè)的接觸面直接地固定在承載體的第二接觸帶上并且與所述接觸帶導(dǎo)電地連接。芯片的上側(cè)的接觸面借助于穿口經(jīng)由膜的第一帶狀導(dǎo)線引向承載襯底的第一接觸帶。在此，在穿口中分別設(shè)置有能導(dǎo)電的接觸材料，所述接觸材料將芯片的上側(cè)的接觸面與膜的第一帶狀導(dǎo)線導(dǎo)電地連接。將另一接觸材料設(shè)置在第二穿口中，所述另一接觸材料將第一帶狀導(dǎo)線與承載襯底的第一接觸帶導(dǎo)電地連接。接觸材料與第一帶狀導(dǎo)線導(dǎo)電地連接。如果半導(dǎo)體芯片構(gòu)成為是可單側(cè)接觸的半導(dǎo)體芯片，那么芯片的接觸面設(shè)置在上側(cè)并且在上側(cè)電接觸。在一個(gè)改進(jìn)形式中，借助于沖壓或激光在膜中構(gòu)成穿口。優(yōu)選地，首先例如借助于定量分配工藝將帶狀導(dǎo)線施加到膜的表面上，其中隨后構(gòu)成穿過(guò)膜且部分地穿過(guò)第一帶狀導(dǎo)線的穿口。在一個(gè)改進(jìn)形式中，借助于接觸滴來(lái)構(gòu)成電接觸部，分別將接觸滴引入到膜的每個(gè)穿口中。例如，借助于定量分配工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或噴射工藝將接觸滴引入到穿口中。在一個(gè)改進(jìn)形式中，在同一個(gè)方法中制造多個(gè)光電子器件。在此，將多個(gè)半導(dǎo)體芯片設(shè)置在共同的承載襯底上。隨后將膜層壓成一件。隨后能夠分割器件。在施加半導(dǎo)體芯片之前能夠在共同的承載襯底上施加反射層，所述反射層構(gòu)成為用于將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射沿朝輻射出射側(cè)的方向反射。根據(jù)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，膜的背離承載襯底的上側(cè)上的帶狀導(dǎo)線由不同于接觸滴的材料制成。因此，接觸材料不同于帶狀導(dǎo)線的材料。接觸帶的和帶狀導(dǎo)線的材料同樣能夠是相互不同的。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，帶狀導(dǎo)線中的穿口不含帶狀導(dǎo)線的材料。特別地，因此在穿口的壁上沒有設(shè)置帶狀導(dǎo)線的或接觸帶的材料。根據(jù)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，在俯視圖中觀察，在半導(dǎo)體芯片上方存在穿口中的一個(gè)并且沿橫向方向在半導(dǎo)體芯片的旁邊存在穿口中的一個(gè)。半導(dǎo)體芯片尤其借助于接觸滴中的一個(gè)和半導(dǎo)體芯片上方的穿口與帶狀導(dǎo)線接觸。借助于在半導(dǎo)體芯片旁邊的穿口和接觸滴中的一個(gè)，尤其將帶狀導(dǎo)線和接觸帶相互連接。


器件和其制造方法的其它特征、優(yōu)點(diǎn)、改進(jìn)形式和有利方案從在下文中結(jié)合圖1至6闡明的實(shí)施例中得出。附圖示出:圖1示出根據(jù)本發(fā)明的器件的一個(gè)實(shí)施例的示意橫截面圖，圖2A、2B、3分別示出用于根據(jù)本發(fā)明的器件的膜的一個(gè)實(shí)施例的示意橫截面圖，圖4A至41分別示出制造方法中的根據(jù)本發(fā)明的器件的一個(gè)實(shí)施例的示意圖，圖5A至分別示出制造方法中的根據(jù)本發(fā)明的器件的另一實(shí)施例的示意圖，并且圖6A至6E分別示出制造方法中的根據(jù)本發(fā)明的器件的另一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式相同的或起相同作用的組成部分分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。示出的組成部分以及組成部分相互間的大小關(guān)系不能夠視作是按照比例的。在圖1中示出光電子半導(dǎo)體器件100的橫截面，所述光電子半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片1、承載襯底2和膜3。承載襯底2具有凹部22，在所述凹部中設(shè)置半導(dǎo)體芯片I。優(yōu)選地，凹部22的尺寸匹配于半導(dǎo)體芯片I的尺寸。例如，凹部22的基面構(gòu)造成使得半導(dǎo)體芯片I完全地設(shè)置在凹部22中。凹部22的高度優(yōu)選等于或大于半導(dǎo)體芯片I的高度。在圖1的實(shí)施例中，凹部22的高度相應(yīng)于半導(dǎo)體芯片I的高度。因此，半導(dǎo)體芯片I沒有在豎直方向上超出承載襯底2。由此，有利地，通過(guò)承載襯底2實(shí)現(xiàn)保護(hù)半導(dǎo)體芯片I免受機(jī)械損壞。承載襯底2在上側(cè)20上具有能導(dǎo)電的第一接觸帶和能導(dǎo)電的第二接觸帶以用于電接觸半導(dǎo)體芯片I (沒有示出)。例如，能導(dǎo)電的第一接觸帶設(shè)置在凹部22中并且能導(dǎo)電的第二接觸帶設(shè)置在凹部22之外。替選地，能夠?qū)⒊休d襯底2的兩個(gè)接觸帶都設(shè)置在凹部22之外。在承載襯底2上設(shè)置接觸帶尤其與半導(dǎo)體芯片I的所設(shè)有的電接觸部相關(guān)，尤其與半導(dǎo)體芯片I具有單側(cè)的還是雙側(cè)的電接觸相關(guān)。承載襯底2例如是碳纖維襯底、環(huán)氧樹脂襯底、陶瓷襯底、電路板(PCB:printedcircuit board印刷電路板)或玻璃纖維襯底。半導(dǎo)體芯片I優(yōu)選為發(fā)光二極管(LED)。優(yōu)選地，半導(dǎo)體芯片是薄膜芯片。半導(dǎo)體芯片I尤其適合于基于設(shè)置在芯片中的有源層來(lái)在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生輻射。在運(yùn)行時(shí)在半導(dǎo)體芯片I中產(chǎn)生的輻射在輻射出射側(cè)經(jīng)由輻射出射面耦合輸出。在此，優(yōu)選地，在芯片中產(chǎn)生的輻射的絕大部分穿過(guò)輻射出射面在半導(dǎo)體芯片I的輻射出射側(cè)10耦合輸出。半導(dǎo)體芯片I以與輻射出射側(cè)10相對(duì)置的側(cè)固定在承載體2上。例如，半導(dǎo)體芯片I借助于粘接層或焊料層與承載襯底I機(jī)械連接。如果半導(dǎo)體芯片I具有雙側(cè)的接觸部，也就是借助于輻射出射側(cè)10上的接觸面和與輻射出射側(cè)10相對(duì)置的側(cè)上的第二接觸面進(jìn)行接觸，半導(dǎo)體芯片I借助于能導(dǎo)電的層與承載襯底2機(jī)械連接且電連接。例如，對(duì)此，承載襯底2在凹部22中具有能導(dǎo)電的第一接觸帶，半導(dǎo)體芯片I設(shè)置在所述第一接觸帶上并且與所述第一接觸帶導(dǎo)電地連接。替選地，半導(dǎo)體芯片I能夠具有單側(cè)的電接觸部。在該情況下，半導(dǎo)體芯片I的第一接觸面和第二接觸面設(shè)置在芯片的同一側(cè)上，例如設(shè)置在背離承載襯底2的側(cè)上。在該情況下，所述半導(dǎo)體芯片不以半導(dǎo)體芯片I的背離輻射出射側(cè)10的側(cè)與承載襯底2電連接、而是僅與承載襯底2機(jī)械連接。在半導(dǎo)體芯片I的輻射出射側(cè)10上和在承載襯底2的上側(cè)20上設(shè)置膜3。膜3構(gòu)成為是電絕緣的。例如，膜具有環(huán)氧樹脂、硅樹脂或PC (聚碳酸酯)。替選地，膜能夠是玻璃板。膜3優(yōu)選具有對(duì)于由半導(dǎo)體芯片I發(fā)射的輻射而言透明的特性。優(yōu)選地，膜在該光譜范圍中對(duì)于至80%、優(yōu)選至90%、尤其優(yōu)選至99%的輻射是可穿透的。替選地，膜3能夠具有輻射可穿透的特性。例如，膜3是高反射率的膜，例如是鋁蒸鍍的膜、TiO2填充的膜或聚酰亞胺膜。所述膜優(yōu)選地除引入膜中的穿口 32a之外完全地設(shè)置在輻射出射側(cè)10上和承載襯底2的上側(cè)20上。因此，膜3有利地對(duì)半導(dǎo)體芯片I提供附加的保護(hù)以免受機(jī)械的環(huán)境影響。在膜的背離承載襯底2的上側(cè)30上局部地施加至少一個(gè)能導(dǎo)電的第一帶狀導(dǎo)線31a。帶狀電導(dǎo)線31a用于半導(dǎo)體芯片I的電接觸。施加在上側(cè)30上的帶狀導(dǎo)線的數(shù)量與半導(dǎo)體芯片I的電接觸部相關(guān)，也就是與半導(dǎo)體芯片I具有單側(cè)的還是雙側(cè)的接觸相關(guān)。承載體2的接觸帶和膜3的帶狀導(dǎo)線優(yōu)選地具有銅、鋁或金。膜3具有至少一個(gè)第一穿口 32a和第二穿口 32b。在此，膜的穿口能夠理解成膜的凹部，所述凹部完全地穿孔于膜。因此，在穿口的區(qū)域中沒有設(shè)置膜材料。膜3中的穿口設(shè)置成，使得半導(dǎo)體芯片I能夠被電接觸。特別地，穿口設(shè)置成，使得半導(dǎo)體芯片能夠經(jīng)由膜3的第一帶狀導(dǎo)線31a與承載襯底的第一接觸帶導(dǎo)電地連接。例如，第一穿口 32a設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的第一接觸面的區(qū)域中。在第一穿口 32a中設(shè)置有能導(dǎo)電的材料，例如為接觸滴5。接觸滴5在此完全地填充膜的穿口。特別地，接觸滴5的高度大于膜3的穿口的高度。膜3的第一穿口 32a局部地穿孔于第一帶狀導(dǎo)線31a。因此，第一穿口 32a穿過(guò)膜并且穿過(guò)第一帶狀導(dǎo)線引向芯片I的第一接觸面。在此，第一帶狀導(dǎo)線31a在上側(cè)環(huán)形地包圍穿口 32a。接觸滴5局部地設(shè)置在帶狀導(dǎo)線31a上，尤其是設(shè)置在穿口的邊緣區(qū)域中。根據(jù)第一穿口構(gòu)成第二穿口，其中第二穿口局部地設(shè)置在承載襯底2的接觸帶之上。在第二穿口中同樣也設(shè)置有接觸滴，所述接觸滴實(shí)現(xiàn)膜的第一帶狀導(dǎo)線與承載襯底的第一接觸帶的電接觸。第二穿口以及第二接觸滴為了概覽性沒有在圖1中示出。如果半導(dǎo)體芯片I構(gòu)造成單側(cè)的半導(dǎo)體芯片，其中兩個(gè)接觸面都設(shè)置在輻射發(fā)射側(cè)10上，那么半導(dǎo)體芯片的第二接觸面相應(yīng)地與承載襯底的第二接觸帶借助于兩個(gè)穿口和設(shè)置在這兩個(gè)穿口中的接觸滴以及借助于膜3上的第二帶狀導(dǎo)線導(dǎo)電地連接。接觸滴5例如是Sn焊膏或能導(dǎo)電的粘接劑。例如，將一個(gè)或多個(gè)接觸滴5借助于定量分配工藝、絲網(wǎng)印刷工藝或噴射工藝而引入穿口中。膜3中的第一穿口和第二穿口例如借助于激光工藝或沖壓工藝來(lái)構(gòu)成。膜3借助于粘接層固定在半導(dǎo)體芯片I和承載襯底2上。在此，粘接層具有5μπι和ΙΟμπι之間的范圍中的厚度，其中包括邊界值。由于粘接層是薄的，優(yōu)選地能夠在膜下側(cè)上減小在穿口的區(qū)域中污染芯片I的接觸面和承載襯底2的接觸帶的危險(xiǎn)。借助于具有大于100 μ m直徑的穿口能夠確保進(jìn)一步減小污染危險(xiǎn)。通過(guò)將膜與設(shè)置在膜上的帶狀導(dǎo)線和穿口組合以及膜與具有上面設(shè)置有接觸帶的承載襯底組合，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體芯片與例如其它的半導(dǎo)體組件的靈活布線，其它的半導(dǎo)體組件例如為ESD 二極管、電阻器、傳感器或硅芯片驅(qū)動(dòng)器。此外，由于該電接觸部確保平的半導(dǎo)體器件。在此，帶狀導(dǎo)線能夠根據(jù)相應(yīng)的和所提出的要求例如借助于定量分配工藝施加在膜上，使得能夠靈活地使用膜。在圖2A和2B中示出將接觸滴5引入到電絕緣的膜3的穿口中。在此，電絕緣的膜例如是能導(dǎo)電的膏，所述膏借助于噴墨工藝引入到膜3的穿口 32a中。具有引入的接觸滴5的這種膜例如能夠用于圖1的實(shí)施例的器件。圖2A和2B的膜3是由多個(gè)電絕緣的膜層33和設(shè)置在所述膜層間的其它能導(dǎo)電的帶狀導(dǎo)線31c組成的多層膜。能導(dǎo)電的層例如是銅層。在此，接觸滴5將設(shè)置在膜層33之間的銅層31c與膜3的上側(cè)30上的第一帶狀導(dǎo)線31a電連接。在此，穿口 32a延伸穿過(guò)第一帶狀導(dǎo)線31a和最上面的膜層33。在此，穿口的直徑從膜3的上側(cè)30在豎直方向上沿朝承載襯底2的方向減小。特別地，第一帶狀導(dǎo)線31a的穿口的橫向伸展大于最下面的膜層33的穿口。因此，能夠確保，膜的所有層都借助于接觸滴連接。例如，直徑在層與層之間階梯狀地減小。在圖3中示出具有穿口 32a、32b中的所引入的接觸滴5的膜3的另一實(shí)施例。這樣構(gòu)成的膜例如能夠用在根據(jù)圖1的實(shí)施例的器件中。圖3的膜與圖2B的膜相比通過(guò)更多的膜層33和能導(dǎo)電的帶狀導(dǎo)線31c組成。此夕卜，還不同的是，多層膜3具有兩個(gè)穿口 32a、32b，分別將接觸滴5引入到所述兩個(gè)穿口中。在此，各個(gè)膜層33、31c、31a中的穿口 32a、32b的直徑從膜的上側(cè)30朝下側(cè)減小。此外，圖3的實(shí)施例與圖2B的實(shí)施例一致。在圖4A至41中示出制造過(guò)程中的根據(jù)本發(fā)明的器件，其中各個(gè)圖示出各個(gè)方法步驟。在此，示出器件的立體圖。圖4A示出承載體2，所述承載體在上側(cè)上具有第一接觸帶21a和第二接觸帶21b。在中央構(gòu)成凹部22，所述凹部的尺寸根據(jù)待使用的半導(dǎo)體芯片I構(gòu)成。承載襯底2構(gòu)成為是電絕緣的。承載襯底2的接觸帶設(shè)置在凹部22之外。將半導(dǎo)體芯片I引入到凹部22中，使得承載襯底2橫向地完全包圍半導(dǎo)體芯片I。特別地，凹部22的高度優(yōu)選大致等于半導(dǎo)體芯片I的高度。半導(dǎo)體芯片I在本實(shí)施例中是能在單側(cè)接觸的芯片，所述芯片在背離承載件2的輻射出射側(cè)上具有第一接觸面和第二接觸面。如同在圖4B中所示出，在將半導(dǎo)體芯片I設(shè)置在承載襯底2的凹部22中之后，將膜3施加到承載襯底2的上側(cè)和半導(dǎo)體芯片I上。膜3在上側(cè)30上具有第一帶狀導(dǎo)線31a和第二帶狀導(dǎo)線31b。第一帶狀導(dǎo)線31a分別具有同樣引導(dǎo)穿過(guò)膜3的兩個(gè)穿口。在此，第一帶狀導(dǎo)線31a的材料環(huán)形地包圍穿口。穿口尤其設(shè)置在第一帶狀導(dǎo)線31a的兩個(gè)相對(duì)置的端部上。第二帶狀導(dǎo)線31b具有相應(yīng)的引導(dǎo)穿過(guò)膜3的穿口。第二帶狀導(dǎo)線31b分別設(shè)置在膜3的從而器件的角邊上。第二帶狀導(dǎo)線31b例如用于半導(dǎo)體芯片I與其它的半導(dǎo)體組件的布線。由于將第二帶狀導(dǎo)線31b設(shè)置在邊角上，半導(dǎo)體芯片I可以與其它的組件進(jìn)行靈活的布線。在半導(dǎo)體芯片I的輻射出射面的區(qū)域中，在膜3中構(gòu)成另一穿口。在此，另一穿口的尺寸構(gòu)成為，使得芯片I的輻射出射面完全不含膜材料。在此，膜3的第一帶狀導(dǎo)線31a能夠伸入到另一穿口中。第一帶狀導(dǎo)線31a尤其設(shè)置在另一穿口的相對(duì)置的角上。在圖4C中示出圖4B中借助于圓圈示出的部分的放大圖。第一帶狀導(dǎo)線31a伸入到另一穿口 32c中，其中第一穿口 32a在此設(shè)置在另一穿口 32c中。第一穿口 32a和另一穿口 32c在此借助于膜材料和施加在膜材料上的第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)31a在空間上相互隔開。在圖4D中，將具有施加在膜上的帶狀傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)和穿口的膜3施加在承載襯底的上側(cè)和半導(dǎo)體芯片I上。在此，另一穿口設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的輻射出射面上方。第一穿口32a設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的第一接觸面之上，其中第二穿口 32b設(shè)置在承載襯底的接觸帶之上。第一穿口 32a和第二穿口 32b與第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)31a連接。在圖4E中詳細(xì)示出圖4D的器件的第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，特別是在圖4D中借助于圓圈示出的部分。第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)31a在此在膜上從半導(dǎo)體芯片I的第一接觸面引向承載襯底2的第一接觸帶。在第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)31a中設(shè)置第一穿口 32a和第二穿口 32b，其中穿口的邊緣被第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)31a包圍。半導(dǎo)體芯片I的第一接觸面和承載襯底2的第一接觸帶能夠借助于穿口 32a、32b經(jīng)由第一帶狀導(dǎo)線31a電連接。第二帶狀導(dǎo)線31b能夠用于半導(dǎo)體芯片I與其它電器件或組件的電布線。在圖4F中，隨后將接觸滴5分別引入到各個(gè)穿口中。接觸滴5在此分別超過(guò)穿口的高度，使得接觸滴5從穿口伸出，以至于所述接觸滴至少部分地直接機(jī)械接觸且電接觸到膜的帶狀導(dǎo)線上。接觸滴5優(yōu)選地分別完全地填充穿口，使得例如能夠經(jīng)由在那引入的接觸滴實(shí)現(xiàn)從半導(dǎo)體芯片的接觸面到膜的第一帶狀電導(dǎo)線的電接觸。輻射出射面之上的另一穿口在此保持為不含接觸滴材料。在圖4G中放大地示出圖4F中借助于圓圈示出的部分。在第一帶狀導(dǎo)線31a的穿口中分別引入接觸滴5，其中接觸滴5在豎直方向上設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的接觸面上方。因此，接觸滴在所述區(qū)域中穿過(guò)穿口伸至接觸面，使得能夠確保導(dǎo)電連接。在圖4H中，最后，在設(shè)置在半導(dǎo)體芯片I的輻射出射面之上的另一穿口中施加轉(zhuǎn)換材料4。轉(zhuǎn)換材料例如能夠借助于分配工藝或附層工藝來(lái)施加。優(yōu)選地在轉(zhuǎn)換材料中設(shè)置轉(zhuǎn)換元件，所述轉(zhuǎn)換元件將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射至少部分地轉(zhuǎn)換成另一波長(zhǎng)的輻射。因此，例如能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)射白光的器件。在圖41中放大地示出圖4H中借助于圓圈示出的器件的部分。轉(zhuǎn)換材料4在此設(shè)置成，使得從轉(zhuǎn)換材料4空出接觸滴5。因此，轉(zhuǎn)換材料4在接觸滴5的區(qū)域中具有凹部。在此，轉(zhuǎn)換材料完全地設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的輻射出射面的下游，使得能夠?qū)崿F(xiàn)器件的均勻的輻射發(fā)射。在圖5A至中示出用于在同一方法中制造多個(gè)光電子器件的方法步驟。因此，如在圖5A中示出，提供可為無(wú)盡的承載襯底2。在承載襯底2上周期性地設(shè)置多個(gè)第一接觸帶21a和第二接觸帶21b。接觸帶優(yōu)選地是金屬帶，所述金屬帶借助于電鍍工藝來(lái)施加。隨后，如在圖5B中示出，能夠?qū)⒉煌叽缁蝾愋偷腖EDl施加到所述無(wú)盡的承載襯底2上，其中LEDl以下側(cè)直接地施加在承載體的第二接觸帶21b上并且與所述承載體機(jī)械連接且電連接。在將LED施加到承載襯底2上之前，可選地，能夠?qū)⒎瓷鋵邮┘拥匠休d襯底2的上側(cè)上。所述反射層用于將在運(yùn)行時(shí)發(fā)射的輻射沿朝輻射出射側(cè)的方向反射。隨后，將膜3層壓到承載襯底2的和LEDl的上側(cè)上，其中膜3同樣是無(wú)盡的，使得承載襯底2能夠完全由膜3覆蓋。膜在上側(cè)上具有能導(dǎo)電的帶狀導(dǎo)線31a、31b，所述帶狀導(dǎo)線適合于LED的電接觸。優(yōu)選地，帶狀導(dǎo)線是金屬帶或金屬合金。在此，能夠在將膜層壓在承載襯底和LED上之前將帶狀導(dǎo)線施加到膜上。替選地，能夠在將膜層壓在承載襯底和LED上之后構(gòu)成帶狀傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。例如，借助于濺射工藝連同隨后進(jìn)行結(jié)構(gòu)化來(lái)施加帶狀導(dǎo)線。在此，圖5的實(shí)施例的帶狀導(dǎo)線和膜如同在圖1至4中所描述的那樣構(gòu)成，其中膜設(shè)有用于多個(gè)半導(dǎo)體芯片的帶狀傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。隨后，能夠在半導(dǎo)體芯片的輻射出射面上施加轉(zhuǎn)換材料(沒有示出)。如圖5C中示出，在無(wú)盡的帶中制造多個(gè)器件。在此，帶具有設(shè)置有LED的多個(gè)列和行。因此，LED以矩陣的形式設(shè)置在承載襯底上。替選地，如ro中示出，帶構(gòu)成為各個(gè)條帶，在所述條帶上橫向并排地施加多個(gè)LED。根據(jù)期望的應(yīng)用，能夠隨后相應(yīng)地分割器件。根據(jù)所提出的用途，制成的器件能夠在此具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片或僅一個(gè)半導(dǎo)體芯片。如圖5中制成的器件基本上具有圖1至4的實(shí)施例的器件的特征。在圖6A至6E中示出用于制造多個(gè)其它器件的方法步驟。在圖6A中示出可在單側(cè)接觸的LED芯片1，所述LED芯片尤其具有在輻射出射側(cè)上的接觸面和在與輻射出射側(cè)相對(duì)置的側(cè)上的接觸面。如圖6B中示出，提供承載體，所述承載體具有第一接觸帶21a和第二接觸帶21b。在此，承載體的接觸帶構(gòu)成為，使得接觸帶中的一個(gè)適合于從半導(dǎo)體芯片的下側(cè)機(jī)械接觸且電接觸半導(dǎo)體芯片。承載體的各個(gè)接觸帶尤其設(shè)置成借助于間隔相互電絕緣。如圖6C中示出，將各一個(gè)LED芯片I施加在承載襯底的第二接觸帶21b上并且從下側(cè)與所述承載襯底電連接且機(jī)械連接。隨后，將膜3層壓到多個(gè)LED和承載襯底上，其中膜3具有多個(gè)穿口 32a、32b和多個(gè)帶狀導(dǎo)線31a、31b。特別地，為每個(gè)LED芯片I分別設(shè)置第一帶狀導(dǎo)線31a和第二帶狀導(dǎo)線31b。每個(gè)帶狀導(dǎo)線又分別具有兩個(gè)穿口 32a、32b以用于LED芯片I的電接觸。如圖6E中示出，隨后能夠?qū)⑥D(zhuǎn)換層、例如將磷光體層施加到膜的上側(cè)上，所述轉(zhuǎn)換層適合于將由LED芯片I發(fā)射的輻射至少部分地轉(zhuǎn)換成另一波長(zhǎng)的輻射。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)射白光的器件。如圖5和6中描述的制造方法尤其適合于制造用于批量生產(chǎn)的根據(jù)本發(fā)明的器件。此外，圖6的實(shí)施例基本上與圖5的實(shí)施例一致。本發(fā)明不局限于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述，相反地，本發(fā)明包括每個(gè)新特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合本身沒有明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├姓f(shuō)明時(shí)也如此。本申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)10 2010 049 961.7的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容在此通過(guò)參引并入本文。
權(quán)利要求
1.光電子半導(dǎo)體器件(100)，具有半導(dǎo)體芯片(I)、承載襯底(2)和膜(3)，其中 -所述半導(dǎo)體芯片(I)具有設(shè)為用于產(chǎn)生輻射的有源層， -所述承載襯底(2)在上側(cè)(20)上具有能導(dǎo)電的第一接觸帶(21a)和能導(dǎo)電的第二接觸帶(21b)， -所述半導(dǎo)體芯片(I)設(shè)置在所述承載襯底(2)的所述上側(cè)(20)上， -所述膜(3)至少局部地設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片(I)的背離所述承載襯底(2)的輻射出射側(cè)(10)上和所述承載襯底(2)的所述上側(cè)(20)上， -所述膜(3)至少局部地在背離所述承載襯底(2)的上側(cè)(30)上具有至少一個(gè)能導(dǎo)電的第一帶狀導(dǎo)線(31a)，以及 -所述膜(3)具有至少一個(gè)第一穿口(32a)和一個(gè)第二穿口(32b),所述至少一個(gè)第一穿口和一個(gè)第二穿口設(shè)置成，使得所述半導(dǎo)體芯片(I)能夠經(jīng)由所述膜(3)的所述第一帶狀導(dǎo)線(31a)與所述承載襯底(2)的所述第一接觸帶(21a)電接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述膜(3 )借助于粘接層固定在所述半導(dǎo)體芯片(I)和所述承載襯底(2 )上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述粘接層具有5 ii m和10 ii m之間的范圍中的厚度，其中包含邊界值。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述膜(3)中的所述穿口(32a，32b)具有至少IOOiim的直徑。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述穿口( 32a, 32b )至少局部地穿孔于所述第一帶狀導(dǎo)線(31a)并且所述穿口完全地穿透所述第一帶狀導(dǎo)線(31a)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述膜(3)是多層膜，所述多層膜具有多個(gè)電絕緣的膜層(33)和設(shè)置在所述膜層之間的、能導(dǎo)電的另外的帶狀導(dǎo)線(31c)。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述穿口( 32a，32b )的直徑從所述膜(3 )的所述上側(cè)(30 )在豎直方向上沿朝所述承載襯底的方向減小。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述承載襯底(2)具有凹部(22)，在所述凹部中設(shè)置有所述半導(dǎo)體芯片(I)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5、6和8所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述凹部(22)的高度至少對(duì)應(yīng)于所述半導(dǎo)體芯片(I)的高度。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述膜(3)在所述半導(dǎo)體芯片(I)的輻射出射面(11)的區(qū)域中具有另一穿口(32c)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中 在所述另一穿口(32c)中施加轉(zhuǎn)換材料(4)。
12.用于制造光電子器件(100)的方法，所述光電子器件包括半導(dǎo)體芯片(I)、承載襯底(2 )和膜(3 )，所述方法具有以下步驟: -提供所述承載襯底(2 )，所述承載襯底在上側(cè)(20 )上具有能導(dǎo)電的第一接觸帶(21a)和能導(dǎo)電的第二接觸帶(21b)，-將所述半導(dǎo)體芯片(2 )設(shè)置在所述承載襯底(2 )的所述上側(cè)(20 )上， -將所述膜(3)至少局部地層壓在所述半導(dǎo)體芯片(1)的背離所述承載襯底(2)的輻射出射側(cè)(10)上和所述承載襯底(2)的所述上側(cè)(20)上，其中所述膜(3)至少局部地在背離所述承載襯底(2)的所述上側(cè)(20)上具有至少一個(gè)能導(dǎo)電的第一帶狀導(dǎo)線(31a)、第一穿口(32a)和第二穿口(32b)，并且 -所述半導(dǎo)體芯片(1)借助于所述穿口(32a，32b)經(jīng)由所述膜(3)的所述第一帶狀導(dǎo)線(31a)至少與所述承載襯底(2)的所述第一接觸帶(21a)電接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中 借助于沖壓或激光構(gòu)成所述膜(3 )中的所述穿口( 32a，32b，32c )。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中 借助于接觸滴(5)構(gòu)成電接觸部，將所述接觸滴分別引入到所述膜的每個(gè)穿口中。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14之一所述的方法，其中 在同一方法中制造多個(gè)光電子器件(100)，其中 -在所述承載襯底(2)上設(shè)置多個(gè)半導(dǎo)體芯片(1 )， -將所述膜(3)層壓成一件，并且 -分割所述器件(100)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件(100)，所述半導(dǎo)體器件具有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片(1)、承載襯底(2)和膜(3)。承載襯底(2)在上側(cè)(20)上具有能導(dǎo)電的接觸帶(21a，21b)。膜(3)設(shè)置在芯片(1)的背離承載襯底(2)的輻射出射側(cè)(10)上和承載襯底(2)的上側(cè)(20)上并且具有能導(dǎo)電的第一帶狀導(dǎo)線(31a)。此外，膜(3)具有穿口(32a，32b)，所述穿口設(shè)置成，使得半導(dǎo)體芯片(1)能夠經(jīng)由膜(3)的第一帶狀導(dǎo)線(31a)與承載襯底(2)的第一接觸帶(21a)電接觸。此外，提出一種用于制造這種器件的方法。
文檔編號(hào)H01L33/62GK103190010SQ201180052691
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月28日
發(fā)明者馬格納斯·阿爾斯泰特, 約翰·拉姆琴 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司