專利名稱：用于控制光刻膠線寬粗糙度的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上關(guān)于用于控制光刻膠線寬粗糙度的設(shè)備與方法，更具體地說，本發(fā)明關(guān)于用于半導(dǎo)體處理技術(shù)中控制光刻膠線寬粗糙度的方法與設(shè)備。
背景技術(shù)：
集成電路已發(fā)展至復(fù)雜的器件，所述復(fù)雜的器件可在單一芯片上包括數(shù)百萬個(gè)部件(例如晶體管、電容器和電阻器)。芯片設(shè)計(jì)的發(fā)展持續(xù)需要更快的電路和更大的電路密度。對(duì)于更大電路密度的需求使得對(duì)集成電路部件的尺寸的減小成為必要。隨著集成電路部件的尺寸被減小(例如減小至次微米尺寸)，需要更多元件被放置在半導(dǎo)體集成電路上的給定區(qū)域中。因此，為了精確且準(zhǔn)確地將甚至更小的特征結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至基板上且不造成損傷，光刻工藝已變得愈來愈具有挑戰(zhàn)性。為了將精確且準(zhǔn)確的特征結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至基板上，期望的高分辨率光刻工藝需要具有適合的光源，所述光源可提供期望波長范圍的輻射以供曝光之用。此外，光刻工藝需要以最小的光刻膠線寬粗糙度(LWR)將特征結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。畢竟，需要無缺陷的光掩模以將期望的特征結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。近來，遠(yuǎn)紫外光(EUV)輻射源已被用于提供短的曝光波長，以便在基板上提供進(jìn)一步減小的最小可印刷尺寸。然而，在這么小的尺寸下，光刻膠層的邊緣的粗糙度已變得愈來愈難以控制。圖1描繪基板100的示例性俯視剖面視圖，所述基板100具有圖案化的光刻膠層104，所述光刻膠層104配置在待蝕刻的目標(biāo)材料102上。在圖案化的光刻膠層104之間界定開口 106，從而易于曝光下伏的蝕刻用的目標(biāo)材料102從而將特征結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至目標(biāo)材料102上。然而，光刻曝光工藝的不準(zhǔn)確控制或低分辨率可能造成不良的光刻膠層104的臨界尺寸，從而導(dǎo)致讓人無法接受的線寬粗糙度(LWR)108。光刻膠層104的大線寬粗糙度(LWR)108可能導(dǎo)致不準(zhǔn)確的特征結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到目標(biāo)材料102，由此最終導(dǎo)致器件故障及產(chǎn)量損失。因此，需要一種方法及設(shè)備以控制并盡量最小化線寬粗糙度(LWR)，以便獲得具有期望臨界尺寸的圖案化光刻膠層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供用于控制及改型光刻膠層的線寬粗糙度(LWR)的方法和設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，一種用于控制配置于基板上的光刻膠層的線寬粗糙度的設(shè)備包括:腔室主體，所述腔室主體具有界定內(nèi)部處理區(qū)域的頂壁、側(cè)壁和底壁；微波功率發(fā)生器，所述微波功率發(fā)生器通過波導(dǎo)件耦接至所述腔室主體；以及一個(gè)或多個(gè)線圈或磁體，所述線圈或磁體配置在所述腔室主體的外周邊周圍且鄰接所述波導(dǎo)件；以及氣體源，所述氣體源通過氣體遞送通路耦接至所述波導(dǎo)件。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種用于控制配置于基板上的光刻膠層的線寬粗糙度的方法包括以下步驟:在處理腔室中產(chǎn)生電場，所述處理腔室具有基板，所述基板配置于所述處理腔室中，其中所述基板具有圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層配置在所述基板上；將氣體混合物供應(yīng)至配置在所述基板上的圖案化的光刻膠層；在所述處理腔室中產(chǎn)生磁場以與所述電場相互作用，以在所述氣體混合物中形成等離子體；以及以形成在所述處理腔室中的等離子體來修整所述圖案化的光刻膠層的邊緣輪廓。在還有一個(gè)實(shí)施例中，一種用于控制配置于基板上的光刻膠層的線寬粗糙度的方法包括以下步驟:將氣體混合物供應(yīng)至處理腔室中，所述處理腔室具有基板，所述基板配置于所述處理腔室中，其中所述基板具有圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層配置在所述基板上；施加微波功率至所述處理腔室，以在所述處理腔室中產(chǎn)生電場；施加DC或AC功率至一個(gè)或多個(gè)線圈或磁體以產(chǎn)生磁場，所述線圈或磁體配置在所述處理腔室的外周邊周圍；通過磁場與電場的相互作用，在氣體混合物中形成等離子體；以及使用形成在所述處理腔室中的等離子體來修整所述圖案化的光刻膠層的邊緣輪廓。


通過參考附圖中所說明的本發(fā)明的實(shí)施例，可以達(dá)到上述所記載的本發(fā)明的特征且可詳細(xì)理解所述特征的方式對(duì)如上所簡要概括的本發(fā)明作更具體的描述。圖1描繪本領(lǐng)域中傳統(tǒng)上配置在基板上的圖案化的光刻膠層的示例性結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2描繪根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所用的電子回旋共振(ECR)等離子體反應(yīng)器的示意性剖面視圖；圖3描繪根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電子軌道圖；圖4描繪根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例在基板上執(zhí)行ECR等離子體工藝的工藝流程圖；圖5描繪根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的鄰近光刻膠層行進(jìn)的電子軌道俯視圖；以及圖6描繪根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的配置于基板上的光刻膠層的線寬粗糙度的分布。為了便于理解，盡可能地使用相同標(biāo)號(hào)來標(biāo)明各附圖中所共有的相同元件。預(yù)期一個(gè)實(shí)施例的元件與特征可有利地結(jié)合于其它實(shí)施例中而無需進(jìn)一步敘述。然而應(yīng)注意，附圖僅說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，且因此不應(yīng)將所述附圖視為限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其它等效實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例包括用于控制配置在基板上的光刻膠層的線寬粗糙度(LffR)的方法和設(shè)備。在曝光/顯影工藝之后通過在光刻膠層上執(zhí)行電子回旋共振(ECR)等離子體工藝，可控制光刻膠層的線寬粗糙度(LWR)。執(zhí)行電子回旋共振(ECR)等離子體工藝以提供納米等級(jí)的化學(xué)與電子研磨(grinding)工藝，以使光刻膠層圖案的邊緣平滑，從而為光刻膠層的平滑圖案邊緣提供最小的圖案邊緣粗糙度以用于后續(xù)的蝕刻工藝。圖2描繪根據(jù)本發(fā)明的電子回旋共振(ECR)等離子體反應(yīng)器200的一個(gè)實(shí)施例的示意性剖面圖，所述反應(yīng)器200適合用于執(zhí)行電子回旋共振(ECR)等離子體工藝。一種這樣的適合用于執(zhí)行本發(fā)明的蝕刻反應(yīng)器可購自美國加州Santa Clara的應(yīng)用材料公司。預(yù)期在此也可應(yīng)用其它適合的等離子體處理腔室，所述腔室包括購自其它制造商的腔室。等離子體反應(yīng)器200包括處理腔室252，所述處理腔室252具有腔室主體210。所述處理腔室252是高真空容器，且具有耦接至所述容器的真空泵228。處理腔室252的腔室主體210包括頂壁222、側(cè)壁224和底壁226，所述壁在所述腔室主體中界定內(nèi)部處理區(qū)域212。側(cè)壁224的溫度通過使用含液體的導(dǎo)管(圖中未示出)來控制，所述導(dǎo)管位于側(cè)壁224中及/或側(cè)壁224周圍。底壁226連接至電接地端230。處理腔室252包括支撐底座214。所述支撐底座214延伸通過所述處理腔室252的底壁226進(jìn)入處理區(qū)域212。支撐底座214可接收基板250以使所述基板250配置于所述支撐底座214上以供處理。支撐底座214通過匹配網(wǎng)絡(luò)216耦接至射頻(RF)偏壓功率源218而至電接地端232。偏壓功率源218大體上能夠產(chǎn)生RF信號(hào)，所述RF信號(hào)具有約50kHz至約60MHz的可調(diào)頻率及約O至5000瓦的偏壓功率。偏壓功率源218可視情況為DC或脈沖式DC源。微波功率發(fā)生器202通過波導(dǎo)件220將功率耦合至處理腔室252的處理區(qū)域212。可在微波功率發(fā)生器202與波導(dǎo)件220之間配置介電窗204。在一個(gè)實(shí)施例中，介電窗204可由石英玻璃、陶瓷材料或類似物所制造。一個(gè)或多個(gè)線圈段或磁體208 (圖中顯示為208A與208B)配置在處理腔室252的外周邊周圍。提供給(一個(gè)或多個(gè))線圈段或磁體208的功率由DC功率源或低頻AC功率源(圖中未示出)控制。線圈段或磁體208大體上以對(duì)稱圖案間隔開，并且以交替磁極的方式排列(即，交替的北極“N”與南極“S”)。配置在處理腔室252周邊周圍的線圈段或磁體208將傾向?qū)⑺a(chǎn)生的等離子體“推”向內(nèi)部處理區(qū)域212中的圓形區(qū)域的中間。線圈段或磁體208產(chǎn)生位于垂直于電場方向上的磁場,其中微波被導(dǎo)入所述處理腔室252。線圈段或磁體208可包含永磁體、電磁體或其它類似裝置，這些裝置能夠產(chǎn)生磁場并且塑形內(nèi)部處理區(qū)域212中所產(chǎn)生的場。氣體源206可耦接至波導(dǎo)件220以將處理氣體遞送到處理腔室252中。磁場使電子沿磁場線248盤旋行進(jìn)(orbit)，同時(shí)微波功率在電子盤旋行進(jìn)時(shí)賦予電子能量。磁場與電場之間的相互作用使由氣體源206供應(yīng)的氣體解離并且形成電子回旋共振(ECR)等離子體。ECR等離子體可包括磁場、自由電荷(諸如電子與離子)、自由基或中性原子，所述等離子體可旋轉(zhuǎn)(spin)并且朝基板表面250移動(dòng)。與來自氣體混合物的解離的離子或電荷結(jié)合的旋轉(zhuǎn)電子可以環(huán)繞模式(circular mode)沿磁場線248朝基板表面加速，以便研磨基板表面上形成的結(jié)構(gòu)。首先參考圖3，圖3描繪磁場中的電子軌道302。因磁場可能使電子在內(nèi)部處理區(qū)域212中沿磁力線304旋轉(zhuǎn)及盤旋(whirl)，所述電子可以環(huán)繞運(yùn)動(dòng)302朝基板表面移動(dòng)。往回參考圖2，可沿處理腔室252的軸線縱向移動(dòng)線圈段或磁體208，以調(diào)整內(nèi)部處理區(qū)域212中產(chǎn)生的磁場的最大點(diǎn)的軸向位置。也可使用其它能夠產(chǎn)生充分磁場強(qiáng)度以促進(jìn)形成ECR等離子體的磁場源。基板處理期間，腔室252內(nèi)部內(nèi)的氣體壓力可被控制在預(yù)定范圍中。在一個(gè)實(shí)施例中，腔室252的內(nèi)部處理區(qū)域212內(nèi)的氣體壓力維持在約0.1至999毫托?？蓪⒒?50維持在介于約10攝氏度至約500攝氏度之間的溫度?？刂破?40包括中央處理單元(CPU)244、存儲(chǔ)器242以及支持電路246，所述控制器240耦接至反應(yīng)器202的各部件以便于控制本發(fā)明的工藝。存儲(chǔ)器242可為任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，諸如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、軟盤、硬盤或任何其它形式的在反應(yīng)器202或CPU244本地端或遠(yuǎn)程的數(shù)字存儲(chǔ)器。支持電路246耦接至CPU244以用傳統(tǒng)方式支持CPU244。這些電路包括高速緩沖存儲(chǔ)器、功率源、時(shí)鐘電路、輸入/輸出電路及次系統(tǒng)與類似物。當(dāng)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器242中的軟件例程或一系列程序指令由CPU244執(zhí)行時(shí)會(huì)使反應(yīng)器200執(zhí)行本發(fā)明的等離子體工藝。圖2僅顯示可用于實(shí)行本發(fā)明的各類等離子體反應(yīng)器的一個(gè)示例性配置。例如，可使用不同的耦合機(jī)制將不同種類的微波功率、磁功率和偏壓功率耦合到等離子體腔室中。在一些應(yīng)用中，可在與基板所處的腔室不同的腔室(例如遠(yuǎn)程等離子體源)中產(chǎn)生不同種類的等離子體，而接著使用本領(lǐng)域中已知的技術(shù)使所述等離子體被引導(dǎo)進(jìn)入所述腔室。圖4示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的執(zhí)行光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。工藝400可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器242中作為指令，所述指令由控制器240執(zhí)行以使在ECR等離子體處理腔室中執(zhí)行工藝400，所述ECR等離子體處理腔室諸如圖2中所繪的ECR等離子體反應(yīng)器200或者其它適合的反應(yīng)器。工藝400在方塊402以提供基板(諸如描繪于圖2中的基板250)至處理腔室252以供處理而開始?；?50可具有待蝕刻的目標(biāo)材料512，所述目標(biāo)材料512配置于所述基板250上，如圖5中所示。在一個(gè)實(shí)施例中，使用光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400的待蝕刻目標(biāo)材料512可以是介電層、金屬層、陶瓷材料或其它適合的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，待蝕刻的目標(biāo)材料512可以是形成為半導(dǎo)體制造中所用的柵極結(jié)構(gòu)或接觸結(jié)構(gòu)或?qū)娱g介電結(jié)構(gòu)(ILD)的介電材料。適合的介電材料的示例包括Si02、Si0N、SiN、SiC、Si0C、Si0CN、a_C或類似物。在另一個(gè)實(shí)施例中，待蝕刻的目標(biāo)材料512可以是形成為金屬間介電結(jié)構(gòu)(IMD)或其它適合結(jié)構(gòu)的金屬材料。適合的金屬層的示例包括Cu、Al、W、N1、Cr或類似物。在方塊404，可以在基板250上執(zhí)行光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400以研磨、改型及修整光刻膠層514的邊緣516，如圖5中所示。通過在ECR處理腔室中在配置于基板250上的光刻膠層514上實(shí)施ECR等離子體工藝而執(zhí)行光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400。如前文所討論地，在ECR等離子體工藝中激發(fā)的電子以環(huán)繞運(yùn)動(dòng)方式移動(dòng)并加速。如圖5中所描繪地，電子的環(huán)繞運(yùn)動(dòng)504可以平滑地研磨、碰撞及拋光掉(polish away)光刻膠層514的不均勻邊緣516?？蛇B續(xù)地執(zhí)行所述工藝，直到達(dá)到光刻膠層514的期望程度的粗糙度(例如，筆直度，如虛線510所示)為止。通過良好地控制電子動(dòng)量，光刻膠層514的不均勻表面以及來自邊緣516的突出可以逐漸地被平坦化，從而有效地將光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制在期望的最小范圍內(nèi)。電子動(dòng)量、離子密度、離子質(zhì)量或電荷濃度可由磁場與電場間的相互作用所產(chǎn)生的功率以及所供應(yīng)的氣體控制。在一個(gè)實(shí)施例中，通過調(diào)節(jié)供應(yīng)以產(chǎn)生微波場與磁場的功率，可獲得不同的電子動(dòng)量或遷移率。在方塊406，在ECR等離子體工藝期間，可調(diào)節(jié)、研磨、改型、控制光刻膠層514的線寬粗糙度(LWR)。處理期間，可控制數(shù)個(gè)工藝參數(shù)以將光刻膠層514的線寬粗糙度維持在期望范圍。在一個(gè)實(shí)施例中，可將約50瓦至約2000瓦間的微波功率供應(yīng)至處理腔室。在處理腔室中產(chǎn)生的磁場可以被控制在約500G至約1000G之間?？墒褂媒橛诩s100瓦至約2000瓦之間的DC及/或AC功率以在處理腔室中產(chǎn)生磁場?？梢詫⑻幚砬皇业膲毫刂圃诩s0.5毫托至約500毫托之間。可將處理氣體供應(yīng)至處理腔室中，以協(xié)助改型、修整及控制光刻膠層514的邊緣粗糙度。因?yàn)闉楣饪棠z層514所選擇的材料經(jīng)常是有機(jī)材料，所以可選擇含氧氣體作為被供應(yīng)至處理腔室中的處理氣體而有助于研磨及改型光刻膠層514的粗糙度和輪廓。適合的含氧氣體的示例包括02、N20、N02、03、H20、C0、C02及類似物。也可同時(shí)或單獨(dú)供應(yīng)其它種類的處理氣體進(jìn)入處理腔室，以有助于改型光刻膠層514的粗糙度。適合的處理氣體的示例包括N2、NH3> Cl2或惰性氣體(諸如Ar或He)?？梢约sIOsccm至約500sccm之間(例如,約IOOsccm至約200sccm之間)的流速將處理氣體供應(yīng)至處理腔室中?？稍诩s30秒至約200秒之間執(zhí)行所述工藝。在一個(gè)特別的實(shí)施例中，供應(yīng)O2氣體進(jìn)入處理腔室作為處理氣體，以與光刻膠層514反應(yīng)，以便修整及改型配置在基板250上的光刻膠層514的線寬粗糙度(LWR)。如前文所討論地，在一個(gè)實(shí)施例中，通過調(diào)節(jié)供應(yīng)以產(chǎn)生微波場與磁場的功率，可獲得不同的電子動(dòng)量或遷移率，從而提供不同的碰撞能量以改型或修整光刻膠層的邊緣粗糙度。在期望有更高電子運(yùn)動(dòng)動(dòng)量的實(shí)施例中，可供應(yīng)更高的功率以產(chǎn)生微波場與磁場，從而提供更高的碰撞能量以修整和改型光刻膠層的粗糙度。相比之下，在期望有更低電子運(yùn)動(dòng)動(dòng)量的實(shí)施例中，可供應(yīng)更低的功率以產(chǎn)生微波場與磁場，從而提供更低的碰撞能量以正如所需地溫和地平滑化及拋光光刻膠層的粗糙度而不蝕刻下伏層?？沙掷m(xù)地執(zhí)行光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400，直到達(dá)到期望的光刻膠層514的最小粗糙度為止。在一個(gè)實(shí)施例中，光刻膠層514的線寬粗糙度513可以被控制在低于約3.0nm的范圍中，諸如介于約1.0nm與約1.5nm之間?？稍诘竭_(dá)終點(diǎn)發(fā)信號(hào)指示達(dá)到所期望的光刻膠層514的粗糙度之后，終止光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400?；蛘?，可通過預(yù)設(shè)時(shí)間模式終止光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400。在一個(gè)實(shí)施例中，可在約100秒至約500秒之間執(zhí)行光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400。圖6描繪了已在上面執(zhí)行光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400的光刻膠層514的剖面視圖的一個(gè)示例性實(shí)施例。在光刻膠線寬粗糙度(LWR)控制工藝400之后，獲得平滑的邊緣表面。光刻膠層514的粗糙度以一種方式被平滑化及被修整，所述方式將光刻膠層514的邊緣粗糙度最小化并且使光刻膠層514的邊緣形態(tài)平滑。在光刻膠層514中形成的平滑邊緣表面在圖案化的光刻膠層514中界定銳利且界定良好的開口 604，以曝光下伏的目標(biāo)材料512以供蝕刻，從而蝕刻精確且筆直的開口寬度606以待形成為掩模層。在一個(gè)實(shí)施例中，開口 604的寬度606可被控制在約15nm至約35nm之間。在一個(gè)實(shí)施例中，可通過一蝕刻工藝蝕刻下伏的目標(biāo)材料512，所述蝕刻工藝在與用于執(zhí)行線寬粗糙度(LWR)控制工藝相同的腔室(諸如，描繪于圖2中的腔室200)中執(zhí)行。在另一實(shí)施例中，可通過一蝕刻工藝蝕刻下伏的目標(biāo)材料512，所述蝕刻工藝在集成在群集系統(tǒng)中的任何其它不同的適合的蝕刻腔室中執(zhí)行，其中線寬粗糙度(LWR)處理腔室可并至所述群集系統(tǒng)中。在還有一個(gè)實(shí)施例中，可通過一蝕刻工藝蝕刻下伏的目標(biāo)材料512，所述蝕刻工藝在任何其它不同的適合的蝕刻腔室中執(zhí)行，所述蝕刻腔室包括獨(dú)立(stand-alone)的腔室，所述獨(dú)立的腔室與線寬粗糙度(LWR)處理腔室分開或與可將線寬粗糙度(LWR)處理腔室并入的群集系統(tǒng)分開。在一個(gè)實(shí)施例中，用于執(zhí)行線寬粗糙度(LWR)工藝的氣體混合物配置成不同于用于蝕刻下伏目標(biāo)材料512的氣體混合物。在一個(gè)實(shí)施例中，用于執(zhí)行線寬粗糙度(LWR)工藝的氣體混合物包括含氧層(諸如02)，而用于蝕刻下伏目標(biāo)材料512的氣體混合物包括含鹵素氣體(諸如氟碳?xì)怏w、含氯氣體、含溴氣體、含氟氣體、及類似物)。由此，本發(fā)明提供用于控制與改型光刻膠層的線寬粗糙度(LWR)的方法與設(shè)備。所述方法與設(shè)備可以有利地在EUV曝光工藝之后控制、改型和修整配置在基板上的光刻膠層的輪廓、線寬粗糙度和尺寸，從而提供準(zhǔn)確的對(duì)光刻膠層中開口的臨界尺寸的控制，因此后續(xù)的蝕刻工藝可擁有針對(duì)下伏層(所述下伏層通過開口而受到蝕刻)的準(zhǔn)確的轉(zhuǎn)移臨界尺寸。雖然前文所述的內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例，但可不背離本發(fā)明基本范圍而設(shè)計(jì)本發(fā)明的其它與進(jìn)一步的實(shí)施例，本發(fā)明的范圍由下文中的權(quán)利要求書所決定。
權(quán)利要求
1.一種用于控制配置于基板上的光刻膠層的線寬粗糙度的設(shè)備，包括: 腔室主體，所述腔室主體具有界定內(nèi)部處理區(qū)域的頂壁、側(cè)壁和底壁； 微波功率發(fā)生器，所述微波功率發(fā)生器通過波導(dǎo)件耦接至所述腔室主體；以及一個(gè)或多個(gè)線圈或磁體，所述線圈或磁體配置在所述腔室主體的外周邊周圍且鄰接所述波導(dǎo)件；以及 氣體源，所述氣體源通過氣體遞送通路耦接至所述波導(dǎo)件。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進(jìn)一步包含: 基板支撐組件，所述基板支撐組件配置在所述腔室主體中延伸通過所述腔室主體的所述底壁。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進(jìn)一步包含: RF偏壓功率，所述RF偏壓功率耦接至所述基板支撐組件。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進(jìn)一步包含: 介電窗，所述介電窗配置在所述微波功率發(fā)生器與所述波導(dǎo)件之間。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述線圈或磁體是永磁體或電磁體。
6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其其特征在于，所述處理腔室耦接接地端。
7.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，耦接至所述基板支撐組件的所述RF偏壓功率耦接接地端。
8.一種用于控制配置于基板上的光刻膠層的線寬粗糙度的方法，包括以下步驟: 在處理腔室中產(chǎn)生電場，所述處理腔室具有基板，所述基板配置于所述處理腔室中，其中所述基板具有圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層配置在所述基板上； 將氣體混合物供應(yīng)至配置在所述基板上的所述圖案化的光刻膠層； 在所述處理腔室中產(chǎn)生磁場以與所述電場相互作用，從而在所述氣體混合物中形成等離子體；以及 以形成在所述處理腔室中的所述等離子體修整所述圖案化的光刻膠層的邊緣輪廓。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生所述電場進(jìn)一步包含以下步驟: 施加微波功率至所述處理腔室以產(chǎn)生所述電場。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生所述磁場進(jìn)一步包含以下步驟: 施加DC或AC功率至一個(gè)或多個(gè)線圈或磁體以產(chǎn)生所述磁場，所述線圈或磁體配置在所述處理腔室的所述外周邊周圍。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述線圈或磁體是永磁體或電磁體。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，供應(yīng)所述氣體混合物進(jìn)一步包含以下步驟: 將含氧氣體供應(yīng)至所述處理腔室中。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述含氧氣體是02。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，修整所述圖案化的光刻膠層的所述邊緣輪廓進(jìn)一步包含以下步驟: 調(diào)節(jié)在所述處理腔室中所產(chǎn)生的所述磁場與所述電場之間的所述相互作用。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，調(diào)節(jié)所述相互作用進(jìn)一步包含以下步驟: 控制所述光刻膠層的所述邊緣輪廓，使所述邊緣輪廓具有低于約3.0nm的線寬粗糙度。
全文摘要
本發(fā)明提供用于控制及改型光刻膠層的線寬粗糙度(LWR)的方法和設(shè)備。在一個(gè)實(shí)施例中，一種用于控制配置于基板上的光刻膠層的線寬粗糙度的設(shè)備包括腔室主體，所述腔室主體具有界定內(nèi)部處理區(qū)域的頂壁、側(cè)壁和底壁；微波功率發(fā)生器，所述微波功率發(fā)生器通過波導(dǎo)件耦接至所述腔室主體；以及一個(gè)或多個(gè)線圈或磁體，所述線圈或磁體配置在所述腔室主體的外周邊周圍且鄰接所述波導(dǎo)件；以及氣體源，所述氣體源通過氣體遞送通路耦接至所述波導(dǎo)件。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK103180932SQ201180051503
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月27日
發(fā)明者B·吳, A·庫瑪 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司