專利名稱：晶片級發(fā)光二極管封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝件及其制造方法，更具體地講，涉及一種晶片級發(fā)光二極管封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是包括N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體并通過空穴和電子的復(fù)合發(fā)光的半導(dǎo)體裝置。這樣的LED已經(jīng)用在諸如顯示裝置、交通燈和背光單元的廣泛的適用范圍中。另外，考慮到比目前的電燈泡或熒光燈低的功耗和更長的壽命的潛在優(yōu)點(diǎn)，LED的適用范圍已經(jīng)通過代替目前的白熾燈和熒光燈擴(kuò)大到普通照明。LED可以用在LED模塊中。LED模塊是通過制造晶片級的LED芯片的工藝、封裝工藝和模塊化(modulation)工藝制造的。具體地說，半導(dǎo)體層生長在諸如藍(lán)寶石基底的基底上，經(jīng)過晶片級圖案化工藝來制造具有電極焊盤的LED芯片，然后分成單個(gè)芯片(芯片制造工藝)。然后，在將單個(gè)芯片安裝在引線框架或印刷電路板上后，通過鍵合弓I線將電極焊盤電連接到引線端子，由成型構(gòu)件覆蓋LED芯片，從而提供LED封裝件(封裝工藝)。然后，將LED封裝件安裝在諸如金屬核心印刷電路板(MC-PCB)的電路板上，從而提供諸如光源模塊的LED模塊(模塊化工藝)。在封裝工藝中，殼和/或成型構(gòu)件可以設(shè)置到LED芯片以保護(hù)LED芯片免受外部環(huán)境的影響。另外，在成型構(gòu)件中可以包含磷光體以轉(zhuǎn)換由LED芯片發(fā)射的光，使得LED封裝件可以發(fā)射白光，從而提供白色LED封裝件?？梢詫⑦@樣的白色LED封裝件安裝在諸如MC-PCB的電路板上，可以將二次透鏡設(shè)置到LED封裝件以調(diào)節(jié)從LED封裝件發(fā)射的光的方向特性，從而提供期望的白色LED模塊。然而，可能難于實(shí)現(xiàn)包括引線框架或印刷電路板的傳統(tǒng)LED封裝件的小型化和令人滿意的散熱。此外，由于由引線框架或印刷電路板對光的吸收、因引線端子的電阻熱等，可能使LED的發(fā)光效率惡化。另外，可以分開進(jìn)行芯片制造工藝、封裝工藝和模塊化工藝，這樣增加了用于制造LED模塊的時(shí)間和成本。同時(shí)，交流電(AC)LED已經(jīng)生產(chǎn)并投入市場。AC LED包括直接連接到AC電源以允許連續(xù)發(fā)光的LED。在Sakai等發(fā)表的第7，417，259號美國專利中公開了可以通過直接連接到高電壓AC電源來使用的AC LED的一個(gè)示例。根據(jù)第7，417，259號美國專利，LED元件以二維圖案排列在絕緣基底(例如，藍(lán)寶石基底)上，并串聯(lián)連接以形成LED陣列。LED陣列彼此串聯(lián)連接，從而提供可以在高電壓下運(yùn)行的發(fā)光裝置。另外，這樣的LED陣列可以在藍(lán)寶石基底上彼此反向并聯(lián)地連接，從而提供可以利用AC電源運(yùn)行以連續(xù)地發(fā)光的單芯片發(fā)光裝置。由于AC-LED包括在生長基底上(例如，在藍(lán)寶石基底上)的發(fā)光單元，所以AC-LED限制發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)并且可能限制光提取效率的改進(jìn)。因此，已經(jīng)對發(fā)光二極管(例如，基于基底分離工藝并包括彼此串聯(lián)連接的發(fā)光單元的AC-LED)進(jìn)行了調(diào)查研究。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種可在不使用傳統(tǒng)的引線框架或印刷電路板的情況下直接形成在電路板的模塊中的晶片級LED封裝件及其制造方法。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種具有高效率并展現(xiàn)出改善的散熱的晶片級LED封裝件及其制造方法。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種可減少LED模塊的制造時(shí)間和制造成本的LED封裝件的制造方法。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種具有高效率并展現(xiàn)出改善的散熱的LED模塊及其制造方法。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種包括多個(gè)發(fā)光單元并可在不使用傳統(tǒng)的引線框架或印刷電路板的情況下直接形成在電路板的模塊中的晶片級發(fā)光二極管封裝件及其制造方法。本發(fā)明的其他方面將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并部分地根據(jù)描述將是明顯的，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)施而明了。技術(shù)方案本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了 一種LED封裝件，所述LED封裝件包括:半導(dǎo)體堆疊件，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；多個(gè)接觸孔，布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層中，接觸孔暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一凸塊，布置在半導(dǎo)體堆疊件的第一側(cè)上，第一凸塊通過多個(gè)接觸孔被電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第二凸塊，布置在半導(dǎo)體堆疊件的第一側(cè)上，第二凸塊被電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及保護(hù)絕緣層，覆蓋半導(dǎo)體堆疊件的側(cè)壁。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種發(fā)光二極管模塊，所述發(fā)光二極管模塊包括根據(jù)上述示例性實(shí)施例的LED封裝件。所述LED模塊可以包括:電路板；LED封裝件，安裝在電路板上；以及透鏡，調(diào)節(jié)從LED封裝件發(fā)射的光的方向角。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種制造LED封裝件的方法。所述方法包括:在第一基底上形成包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體堆疊件；使半導(dǎo)體堆疊件圖案化以形成芯片分離區(qū)域；使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層圖案化以形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的多個(gè)接觸孔；形成覆蓋半導(dǎo)體堆疊件的在芯片分離區(qū)域中的側(cè)壁的保護(hù)絕緣層；以及在半導(dǎo)體堆疊件上形成第一凸塊和第二凸塊。第一凸塊通過多個(gè)接觸孔電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，第二凸塊電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種發(fā)光二極管封裝件。LED封裝件包括:多個(gè)發(fā)光單元，每個(gè)發(fā)光單元包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；多個(gè)接觸孔，布置在每個(gè)發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層中，接觸孔暴露每個(gè)發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；保護(hù)絕緣層，覆蓋每個(gè)發(fā)光單元的側(cè)壁；連接件，位于布置在發(fā)光單元的第一側(cè)上，并使兩個(gè)鄰近的發(fā)光單元彼此電連接；第一凸塊，布置在發(fā)光單元的第一側(cè)上，并通過發(fā)光單元的第一發(fā)光單元的多個(gè)接觸孔電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及第二凸塊，布置在發(fā)光單元的第一側(cè)上，并電連接到發(fā)光單元的第二發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種發(fā)光二極管模塊，所述發(fā)光二極管模塊包括以上描述的LED封裝件。所述模塊包括:電路板；LED封裝件，布置在電路板上；以及透鏡，調(diào)節(jié)從LED封裝件發(fā)射的光的方向角。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種制造包括多個(gè)發(fā)光單元的LED封裝件的方法。所述方法包括:在第一基底上形成包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體堆疊件；使半導(dǎo)體堆疊件圖案化以形成芯片分離區(qū)域和發(fā)光單元分離區(qū)域；使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層圖案化以形成多個(gè)發(fā)光單元，每個(gè)發(fā)光單元具有暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的多個(gè)接觸孔；形成覆蓋半導(dǎo)體堆疊件的在芯片分離區(qū)域和發(fā)光單元分離區(qū)域中的側(cè)壁的保護(hù)絕緣層；形成將鄰近的發(fā)光單元彼此串聯(lián)連接的連接件；以及在多個(gè)發(fā)光單元上形成第一凸塊和第二凸塊。這里，第一凸塊通過發(fā)光單元的第一發(fā)光單元的多個(gè)接觸孔電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，第二凸塊電連接到發(fā)光單元的第二發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性的和說明性的，并且意圖對所保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理，其中，包括附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，使附圖并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分。圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的示意性剖視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的示意性剖視圖。圖3是包括根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的發(fā)光二極管模塊的剖視圖。圖4至圖12示出了制造根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的方法，其中
(a)是平面圖，(b)是沿圖5至圖10中的A-A線截取的剖視圖。圖13是示出制造根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的方法的首1J視圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的示意性剖視圖。圖15是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的示意性剖視圖。圖16是包括根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的發(fā)光二極管模塊的剖視圖。圖17至圖26示出了制造根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的方法，其中(a)是平面圖，(b)是沿圖18至圖23中的A-A線截取的剖視圖。圖27是示出制造根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中參照附圖更加充分地描述了本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施并且不應(yīng)被理解為限制于這里所闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開完全并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清晰起見，可夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。在附圖中同樣的標(biāo)號表不同樣的兀件。將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱為“在”另一元件“上”時(shí)，它可以直接在另一元件上或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”時(shí)，則沒有中間元件存在。圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的LED封裝件100的示意性剖視圖。參照圖1，LED封裝件100可以包括半導(dǎo)體堆疊件30、第一接觸層35、第二接觸層31、第一絕緣層33、第二絕緣層37、第一電極焊盤39a、第二電極焊盤39b、第一凸塊45a和第二凸塊45b。LED封裝件100還可以包括絕緣層43、啞凸塊45c和波長轉(zhuǎn)換器51。半導(dǎo)體堆疊件30包括第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25、有源層27和第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層29。有源層27設(shè)置在上半導(dǎo)體層25和下半導(dǎo)體層29之間。有源層27、上半導(dǎo)體層25和下半導(dǎo)體層29可以由諸如(Al、Ga、In)N半導(dǎo)體的II1-N基化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。上半導(dǎo)體層25和下半導(dǎo)體層29中的每個(gè)可以是單層或多層。例如，除了接觸層和覆層之外，上半導(dǎo)體層25和/或下半導(dǎo)體層29可以包括超晶格層。有源層27可具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電型可以是η型，第二導(dǎo)電型可以是P型?？蛇x擇的，第一導(dǎo)電型可以是P型，第二導(dǎo)電型可以是η型。由于上半導(dǎo)體層25可由具有相對低的比電阻的η型半導(dǎo)體層形成，所以上半導(dǎo)體層25可具有相對厚的厚度。因此，可以在上半導(dǎo)體層25的上表面上形成粗糙的表面R，其中粗糙的表面R增大了在有源層27中產(chǎn)生的光的提取效率。半導(dǎo)體堆疊件30具有穿過第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層29和有源層27以暴露第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層的多個(gè)接觸孔30a (參見圖5中的(b))，第一接觸層35接觸暴露在多個(gè)接觸孔中的第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25。第二接觸層31接觸第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層29。第二接觸層31包括反射金屬層來反射在有源層27中產(chǎn)生的光。另外，第二接觸層31可以形成與第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層29的歐姆接觸。第一絕緣層33覆蓋第二接觸層31。另外，第一絕緣層33覆蓋半導(dǎo)體堆疊件30的暴露在多個(gè)接觸孔30a中的側(cè)壁。此外，第一絕緣層33可以覆蓋半導(dǎo)體堆疊件30的側(cè)表面。第一絕緣層33使第一接觸層35與第二接觸層31絕緣，同時(shí)使暴露在多個(gè)接觸孔30a中的第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層29和有源層27與第一接觸層35絕緣。第一絕緣層33可以由單層或多層(例如，氧化硅膜或氮化硅膜)組成?？蛇x擇地，第一絕緣層33可以由通過交替地堆疊具有不同折射率的諸如Si02/Ti02或Si02/Nb205的絕緣層形成的分布式布拉格反射器組成。第一接觸層35位于第一絕緣層33下方并且在多個(gè)接觸孔30a中穿過第一絕緣層33來接觸第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25。第一接觸層35包括接觸第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25的接觸部分35a和將接觸部分35a彼此連接的連接部分35b。因此，通過連接部分35b將接觸部分35a彼此電連接。第一接觸層35形成在第一絕緣層33的一些區(qū)域下方并且可由反射金屬層組成。第二絕緣層37在第一接觸層35下方覆蓋第一接觸層35。此外，第二絕緣層37在覆蓋第一絕緣層33的同時(shí)覆蓋半導(dǎo)體堆疊件30的側(cè)表面。第二絕緣層37可以由單層或多層組成。另外，第二絕緣層37可以是分布式布拉格反射器。第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b位于第二絕緣層37下方。第一電極焊盤39a可穿過第二絕緣層37連接到第一接觸層35。此外,第二電極焊盤39b可穿過第二絕緣層37和第一絕緣層33連接到第二接觸層31。第一凸塊45a和第二凸塊45b位于第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b下方以被分別連接到第一電極焊盤39a和第二電極焊盤3%。第一凸塊45a和第二凸塊45b可以通過涂覆形成。第一凸塊45a和第二凸塊45b是電連接到諸如MC-PCB的電路板的端子并且具有共面末端。此外，第一電極焊盤39a可以形成在與第二電極焊盤39b的水平面相同的水平面處，從而第一凸塊45a和第二凸塊45b也可形成在同一平面上。因此，第一凸塊45a和第二凸塊45b可具有相同的高度。同時(shí)，啞凸塊45c可以位于第一凸塊45a和第二凸塊45b之間。啞凸塊45c可以與第一凸塊45a和第二凸塊45b —起形成以提供用于排出來自半導(dǎo)體堆疊件30的熱的熱通道。絕緣層43可覆蓋第一凸塊45a和第二凸塊45b的側(cè)表面。絕緣層43還可以覆蓋啞凸塊45c的側(cè)表面。此外，絕緣層43填充第一凸塊45a、第二凸塊45b和啞凸塊45c之間的空間以防止?jié)駳鈴耐獠窟M(jìn)入半導(dǎo)體堆疊件30。絕緣層43還覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的側(cè)表面以避免第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b免受諸如濕氣的外部環(huán)境因素的影響。盡管絕緣層43可被構(gòu)造成覆蓋第一凸塊45a和第二凸塊45b的全部側(cè)表面，但是本發(fā)明不限制于此?？蛇x擇地，絕緣層43可以覆蓋除接近第一凸塊和第二凸塊的末端的側(cè)表面的一些區(qū)域以外的第一凸塊45a和第二凸塊45b的側(cè)表面。 在本示例性實(shí)施例中，絕緣層43被示出為覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的側(cè)表面，但是本發(fā)明不限于此?？蛇x擇地，另一絕緣層可用于覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b，絕緣層43可形成在所述另一絕緣層下方。在這種情況下，第一凸塊45a和第二凸塊45b可以穿過所述另一絕緣層連接到第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b。波長轉(zhuǎn)換器51可以位于第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25的與剩下的半導(dǎo)體堆疊件30相反的上方。波長轉(zhuǎn)換器51可以接觸第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25的上表面。波長轉(zhuǎn)換器51在沒有限制的情況下可以是具有均一厚度的磷光體片?？蛇x擇地，波長轉(zhuǎn)換器51可以是摻雜有用于波長轉(zhuǎn)換的雜質(zhì)的基底，例如，藍(lán)寶石基底或硅基底。在本示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體堆疊件30的側(cè)表面由保護(hù)絕緣層覆蓋。保護(hù)絕緣層可以包括例如，第一絕緣層33和/或第二絕緣層37。此外，第一接觸層35可由第二絕緣層37覆蓋以被保護(hù)免受外部環(huán)境的影響，第二接觸層31可由第一絕緣層33和第二絕緣層37覆蓋以被保護(hù)免受外部環(huán)境的影響。第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b也被例如絕緣層43保護(hù)。因此，能夠防止由于濕氣使半導(dǎo)體堆疊件30惡化。波長轉(zhuǎn)換器51可附著到晶片級的第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25，然后在芯片分離工藝過程中與保護(hù)絕緣層一起被分開。因此，波長轉(zhuǎn)換器51的側(cè)表面可以與保護(hù)絕緣層在一條線上。即，可以使波長轉(zhuǎn)換器51的側(cè)表面與保護(hù)絕緣層的側(cè)表面沿著直線齊平。另外，波長轉(zhuǎn)換器51的側(cè)表面可以與絕緣層43的側(cè)表面在一條線上。因此，可以使波長轉(zhuǎn)換器51的側(cè)表面、保護(hù)絕緣層的側(cè)表面和絕緣層43的側(cè)表面全部沿著直線齊平。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件200的示意性剖視圖。參照圖2，LED封裝件200與根據(jù)以上示例性實(shí)施例的LED封裝件100相似。但是，在本示例性實(shí)施例中，第一凸塊65a和第二凸塊65b形成在基底61中。具體地說，基底61包括分別在其內(nèi)形成有第一凸塊65a和第二凸塊65b的通孔?；?1是絕緣基底，例如，藍(lán)寶石基底或硅基底，但不限于此。具有第一凸塊65a和第二凸塊65b的基底61可以附著到第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b。在這種情況下，為了防止第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b被暴露到外部，絕緣層49可以覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的側(cè)表面和底表面。另外，絕緣層49可以具有暴露第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的開口，然后其它金屬層67a、67b形成在開口中。其它金屬層67a、67b可由接合金屬構(gòu)成。圖3是包括根據(jù)第一示例性實(shí)施例的LED封裝件100的發(fā)光二極管模塊的剖視圖。參照圖3，LED模塊包括電路板71 (例如，MC-PCB)、LED封裝件100和透鏡81。電路板71 (例如，MC-PCB)具有用于將LED封裝件100安裝在其上的連接焊盤73a、73b。LED封裝件100的第一凸塊45a和第二凸塊45b (參見圖1)分別連接到連接焊盤73a、73b。多個(gè)LED封裝件100可以安裝在電路板71上，透鏡81可以設(shè)置在LED封裝件100上以調(diào)節(jié)從LED封裝件100發(fā)射的光的方向角。根據(jù)第二示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管封裝件200可以代替LED封裝件100安裝在電路板上。圖4至圖12示出了制造根據(jù)第一示例性實(shí)施例的LED封裝件100的方法。在圖5至圖10中，(a)是平面圖，(b)是沿(a)的A_A線截取的剖視圖。參照圖4，在生長基底21上形成包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25、有源層27和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的半導(dǎo)體堆疊件30。生長基底21可以是藍(lán)寶石基底，但不限于此?？蛇x擇地，生長基底21可以是其他類型的異質(zhì)基底(heterogeneous substrate),例如,娃基底。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29中的每個(gè)可以由單層或多層組成。另外，有源層27可具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)?；衔锇雽?dǎo)體層可由II1-N基化合物半導(dǎo)體在生長基底21上通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)形成?？稍谛纬苫衔锇雽?dǎo)體層之前形成緩沖層(未示出)。形成緩沖層以減輕生長基底21和化合物半導(dǎo)體層之間的晶格失配，緩沖層可以由諸如氮化鎵或氮化鋁的GaN基材料層形成。參照圖5的(a)和(b)，半導(dǎo)體堆疊件30被圖案化以形成芯片(堆疊件)分離區(qū)域30b同時(shí)使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29和有源層27圖案化以形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的多個(gè)接觸孔30a。可通過光刻工藝和蝕刻工藝使半導(dǎo)體堆疊件30圖案化。芯片分離區(qū)域30b是用于將LED封裝結(jié)構(gòu)分成單個(gè)LED封裝件的區(qū)域，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的側(cè)表面、有源層27的側(cè)表面和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29的側(cè)表面在芯片分離區(qū)域30b上暴露。有利地，芯片分離區(qū)域30b可被構(gòu)造成暴露基底21，而沒有被限制于此。多個(gè)接觸孔30a可以是圓形，但不限于此。接觸孔30a可具有多種形狀。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29和有源層27暴露于多個(gè)接觸孔30a的側(cè)壁。如所示，接觸孔30a可具有傾斜的側(cè)壁。參照圖6的(a)和(b)，第二接觸層31形成在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29上。第二接觸層31形成在除對應(yīng)于多個(gè)接觸孔30a的區(qū)域以外的半導(dǎo)體堆疊件30上。第二接觸層31可以包括透明導(dǎo)電氧化物膜(例如，氧化銦錫(ITO))或反射金屬層(例如，銀(Ag)或鋁(Al))。第二接觸層31可由單層或多層組成。第二接觸層31還可以被構(gòu)造成形成與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層29歐姆接觸?？稍谛纬啥鄠€(gè)接觸孔30a之前或之后形成第二接觸層31。參照圖7的(a)和(b)，形成第一絕緣層33以覆蓋第二接觸層31。第一絕緣層33可覆蓋半導(dǎo)體堆疊件30的暴露于芯片分離區(qū)域30b的側(cè)表面，同時(shí)覆蓋多個(gè)接觸孔30a的側(cè)壁。這里，第一絕緣層33可具有在多個(gè)接觸孔30a中暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的開口 33a。第一絕緣層33可由單層或多層(例如，氧化硅膜或氮化硅膜)組成。可選擇地，第一絕緣層33可由通過交替地堆疊具有不同折射率的絕緣層形成的分布式布拉格反射器組成。例如，第一絕緣層33可通過交替地堆疊Si02/Ti02或Si02/Nb205形成。另外，可形成第一絕緣層33以提供通過調(diào)節(jié)各個(gè)絕緣層的厚度對藍(lán)光、綠光和紅光的寬波長范圍具有高反射性的分布式布拉格反射器。參照圖8的(a)和(b)，在第一絕緣層33上形成第一接觸層35。第一接觸層35包括接觸暴露在接觸孔30a中的第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層25的接觸部分35a和將接觸部分35a彼此連接的連接部分35b。第一接觸層35可由反射金屬層組成，但不限于此。第一接觸層35形成在半導(dǎo)體堆疊件30的一些區(qū)域上，使得第一絕緣層33暴露在半導(dǎo)體堆疊件30的沒有形成第一接觸層35的其他區(qū)域上。參照圖9的(a)和(b)，在第一接觸層35上形成第二絕緣層37。第二絕緣層37可由單層或多層(氧化硅膜或氮化硅膜)組成。另外，第二絕緣層37可由通過交替地堆疊具有不同折射率的絕緣層形成的分布式布拉格反射器組成。第二絕緣層37可覆蓋第一接觸層35同時(shí)覆蓋第一絕緣層33。第二絕緣層37還可覆蓋半導(dǎo)體堆疊件30的在芯片分離區(qū)域30b中的側(cè)表面。第二絕緣層37具有暴露第一接觸層35的開口 37a。另外，第二絕緣層37和第一絕緣層33形成有暴露第二接觸層31的開口 37b。參照圖10的(a)和(b)，在第二絕緣層37上形成第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b。第一電極焊盤39a穿過開口 37a連接到第一接觸層35,第二電極焊盤39b穿過開口 37b連接到第二接觸層31。第一電極焊盤39a與第二電極焊盤39b分開，從頂部透視圖看第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b中的每個(gè)可具有相對大的面積，例如，不少于LED封裝件的面積的1/3的面積。參照圖11，在第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b上形成絕緣層43。絕緣層43覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b，并具有暴露電極焊盤39a和39b的上表面的凹槽。另外，絕緣層43可具有暴露在第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b之間的第二絕緣層37的凹槽。然后，在絕緣層43的凹槽中形成第一凸塊45a和第二凸塊45b，可在第一凸塊和第二凸塊之間形成啞凸塊45c。可通過使用金屬材料鍍覆(例如，電鍍)形成凸塊。如果必要的話，還可形成用于鍍覆的種子層。在形成第一凸塊45a和第二凸塊45b后，可去除絕緣層43。例如，絕緣層43可由諸如光致抗蝕劑的聚合物形成，并且可在形成凸塊后被去除?？蛇x擇地，可留下絕緣層43以保護(hù)第一凸塊45a和第二凸塊45b的側(cè)表面。在本示例性實(shí)施例中，絕緣層43示出為直接形成在第一焊盤電極39a和第二焊盤電極39b上。在另一示例性實(shí)施例中，可形成另一絕緣層以覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤3%。另一絕緣層可被構(gòu)造成具有暴露第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的開口。然后，可執(zhí)行形成絕緣層43和凸塊的工藝。參照圖12，去除生長基底21，將波長轉(zhuǎn)換器51附著到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25。可通過光學(xué)技術(shù)(例如，激光剝離(LLO))、機(jī)械拋光或化學(xué)蝕刻去除生長基底21。然后，對第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25的暴露的表面進(jìn)行各向異性蝕刻(例如，光電化學(xué)(PEC)蝕刻)以在暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上形成粗糙的表面。同時(shí)，可將諸如包含磷光體的磷光體片的波長轉(zhuǎn)換器附著到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25。可選擇地，生長基底21可包含用于轉(zhuǎn)換在有源層27中產(chǎn)生的光的波長的雜質(zhì)。在這種情況下，可將生長基底21用作波長轉(zhuǎn)換器51。然后，沿著芯片分離區(qū)域30b將LED封裝結(jié)構(gòu)分成單個(gè)的封裝件，從而提供完成的LED封裝件100。此時(shí)，第二絕緣層37與波長轉(zhuǎn)換器51 —起被切割，使得可將第二絕緣層37和波長轉(zhuǎn)換器51的切割平面形成在一條線上。圖13是示出制造根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的LED封裝件200的方法的剖視圖。參照圖13，在制造根據(jù)本示例性實(shí)施例的LED封裝件200的方法中，工藝與上述制造LED封裝件100的方法的工藝相同，直至形成第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b (圖10 的(a)和(b)) ο在形成第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b之后，形成絕緣層49以覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b。絕緣層49可覆蓋第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的側(cè)表面以保護(hù)第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b。絕緣層49具有暴露第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的開口。然后在開口中形成其他金屬層67a、67b。其他金屬層67a、67b可由接合金屬構(gòu)成?；?1接合到第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b?；?1可具有可以形成有第一凸塊65a和第二凸塊65b的通孔。另外，可將第一凸塊和第二凸塊形成為在其末端具有焊盤69a、69b。具有第一凸塊65a、第二凸塊65b、焊盤69a和焊盤69b的基底61可單獨(dú)制備，并接合到具有第一電極焊盤39a和第二電極焊盤39b的晶片。然后，如參照圖12所述，去除生長基底21并且可將波長轉(zhuǎn)換器51附著到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25，隨后將LED封裝結(jié)構(gòu)分成單個(gè)的LED封裝件。因此，提供如圖2中所述的完成的LED封裝件200。圖14是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的LED封裝件300的剖視圖。參照圖14，LED封裝件300可包括被分成多個(gè)發(fā)光單元(這里僅示出了兩個(gè)發(fā)光單元S1、S2)的半導(dǎo)體堆疊件130、第一接觸層135、第二接觸層131、第一絕緣層133、第二絕緣層137、第一電極焊盤139a、第二電極焊盤139b、將鄰近的發(fā)光單元彼此串聯(lián)連接的連接件139c、第一凸塊145a和第二凸塊145b。另外，LED封裝件300可包括第三絕緣層141、絕緣層143、啞凸塊145c、波長轉(zhuǎn)換器151和其他金屬層140a、140b。半導(dǎo)體堆疊件130包括第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層125、有源層127和第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層129。本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體堆疊件130與在圖1中描述的半導(dǎo)體堆疊件30相似，這里將省略對其詳細(xì)的描述。發(fā)光單元S1、S2中的每個(gè)具有延伸穿過第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層129和有源層127以暴露第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層的多個(gè)接觸孔130a(參見圖18的(b))，第一接觸層135接觸暴露在多個(gè)接觸孔中的第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層125。發(fā)光單元S1、S2通過單元分離區(qū)域130b (參見圖18的(b))彼此分離。第二接觸層131接觸每個(gè)發(fā)光單元S1、S2的第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層129。第二接觸層131包括反射金屬層來反射在有源層127中產(chǎn)生的光。另外，第二接觸層131可形成與第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層129的歐姆接觸。第一絕緣層133覆蓋第二接觸層131。另外，第一絕緣層133覆蓋半導(dǎo)體堆疊件130的暴露在多個(gè)接觸孔130a中的側(cè)壁。此外，第一絕緣層133可覆蓋每個(gè)發(fā)光單元S1、S2的側(cè)表面。第一絕緣層133使第一接觸層135與第二接觸層131絕緣，同時(shí)使暴露在多個(gè)接觸孔130a中的第二導(dǎo)電型下半導(dǎo)體層129和有源層127與第一接觸層135絕緣。第一絕緣層133可由單層或多層(例如，氧化硅膜或氮化硅膜)組成。此外，第一絕緣層133可由通過交替地堆疊具有不同折射率的絕緣層(例如，Si02/Ti02或Si02/Nb205)形成的分布式布拉格反射器組成。第一接觸層135位于第一絕緣層133下方，并穿過每個(gè)發(fā)光單元S1、S2中的多個(gè)接觸孔130a中的第一絕緣層133來接觸第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層125。第一接觸層135包括接觸第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層125的接觸部分135a和將接觸部分135a彼此連接的連接部分135b。因此，由連接部分135b將接觸部分135a彼此電連接。位于各個(gè)發(fā)光單元S1、S2下方的第一接觸層135彼此分離并形成在第一絕緣層133的一些區(qū)域的下方。第一接觸層135可由反射金屬層組成。第二絕緣層137在第一接觸層135下方覆蓋第一接觸層135。此外，第二絕緣層137可覆蓋第一絕緣層133同時(shí)覆蓋每個(gè)發(fā)光單元S1、S2的側(cè)表面。第二絕緣層137可由單層或多層組成。可選擇地，第二絕緣層137可由分布式布拉格反射器組成。第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b位于第二絕緣層137下方。第一電極焊盤139a可穿過第二絕緣層137連接到第一發(fā)光單元SI的第一接觸層135。另外,第二電極焊盤13%可穿過第二絕緣層137和第一絕緣層133連接到第二發(fā)光單元S2的第二接觸層131。連接件139c位于第二絕緣層137下方并穿過第二絕緣層137使兩個(gè)鄰近的發(fā)光單元S1、S2彼此電連接。連接件139c可以使一個(gè)發(fā)光單元SI的第二接觸層131連接到與其鄰近的另一發(fā)光單元S2的第一接觸層135，使得兩個(gè)發(fā)光單元S1、S2彼此串聯(lián)連接。在本示例性實(shí)施例中，示出了兩個(gè)發(fā)光單元S1、S2。但是,應(yīng)該理解的是,兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光單元可以通過多個(gè)連接件139c彼此串聯(lián)連接。這里，第一電極焊盤139a、139b可以串聯(lián)連接到位于這樣串聯(lián)陣列的相反端。同時(shí)，第三絕緣層141可在第一電極焊盤139a、第二電極焊盤139b和連接件139c下方覆蓋第一電極焊盤139a、第二電極焊盤13%和連接件139c。第三絕緣層141可具有暴露第一電極焊盤139a和第二電極焊盤13%的開口。第三絕緣層141可由氧化硅膜或氮化硅膜形成。第一凸塊145a和第二凸塊145b分別位于第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b下方。第一凸塊145a和第二凸塊145b可通過鍍覆形成。第一凸塊145a和第二凸塊145b是電連接到電路板(例如，MC-PCB)的端子，并具有彼此共面的末端。另外，第一電極焊盤139a可以形成在與第二電極焊盤13%的水平面相同的水平面上，使得第一凸塊145a和第二凸塊145b還可以形成在同一平面上。因此，第一凸塊145a和第二凸塊145b可具有相同的高度。其他金屬層140a、140b可以設(shè)置在第一凸塊145a和第一電極焊盤139a之間以及第二凸塊145b和第二電極焊盤139b之間。這里，設(shè)置其他金屬層140a、140b以使第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b形成為比連接件139c高，并且其他金屬層140a、140b可以位于第三絕緣層141的開口內(nèi)部。第一電極焊盤139a、第二電極焊盤13%和其他金屬層140a、140b可組成最終電極焊盤。同時(shí),啞凸塊145c可位于第一凸塊145a和第二凸塊145b之間。啞凸塊145c可與第一凸塊145a和第二凸塊145b —起形成以提供用于排出來自發(fā)光單元S1、S2的熱通道。啞凸塊145c通過第三絕緣層141與連接件139c分離。絕緣層143可覆蓋第一凸塊145a和第二凸塊145b的側(cè)表面。絕緣層143還可覆蓋啞凸塊145c的側(cè)表面。另外，絕緣層143填充第一凸塊145a、第二凸塊145b與第三凸塊145c之間的空間以防止?jié)駳鈴耐獠窟M(jìn)入半導(dǎo)體封裝件130。盡管絕緣層143可被構(gòu)造成覆蓋第一凸塊145a和第二凸塊145b的整個(gè)側(cè)表面，但是本發(fā)明不限于此?？蛇x擇地，絕緣層143可覆蓋第一凸塊145a和第二凸塊145b的除接近第一凸塊和第二凸塊的末端的側(cè)表面的一些區(qū)域以外的側(cè)表面。波長轉(zhuǎn)換器151可位于發(fā)光單元S1、S2上。波長轉(zhuǎn)換器151可接觸第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層125的上表面。波長轉(zhuǎn)換器151還覆蓋單元分離區(qū)域130b和芯片分離區(qū)域。波長轉(zhuǎn)換器151可以是具有均一厚度的磷光體片，而不限制于此。可選擇地，波長轉(zhuǎn)換器151可以是摻雜有用于波長轉(zhuǎn)換的雜質(zhì)的基底，例如，藍(lán)寶石基底或硅基底。在本實(shí)施例中，發(fā)光單元S1、S2的側(cè)表面可由保護(hù)絕緣層覆蓋。保護(hù)絕緣層可包括例如，第一絕緣層133和/或第二絕緣層137。另外，第一接觸層135可由第二絕緣層137覆蓋以被保護(hù)免受外部環(huán)境的影響，第二接觸層131可由第一絕緣層133和第二絕緣層137覆蓋以被保護(hù)免受外部環(huán)境的影響。另外，第一電極焊盤139a和第二電極焊盤13%還被例如第三絕緣層141保護(hù)。因此，可以防止由于濕氣而使發(fā)光單元S1、S2惡化。波長轉(zhuǎn)換器151可附著到晶片級的第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層125，然后在芯片分離工藝(或者封裝件分離工藝)過程中與保護(hù)絕緣層一起被分開。因此，波長轉(zhuǎn)換器151的側(cè)表面可以與保護(hù)絕緣層在一條線上。另外，波長轉(zhuǎn)換器151的側(cè)表面可以與絕緣層143的側(cè)表面在一條線上。圖15是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件400的示意性剖視圖。參照圖15，LED封裝件400與根據(jù)以上示例性實(shí)施例的LED封裝件300相似。但是在本示例性實(shí)施例中，第一凸塊165a和第二凸塊165b形成在基底161中。具體地說，基底161包括分別具有形成在其內(nèi)的第一凸塊165a和第二凸塊165b的通孔?；?61是絕緣基底，例如，藍(lán)寶石基底或硅基底，但不限制于此。具有第一凸塊165a和第二凸塊165b的基底161可附著于第三絕緣層141，第一凸塊165a和第二凸塊165b可分別連接到第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b。這里，第一凸塊165a和第二凸塊165b可分別接合到其他金屬層140a、140b。圖16是在電路板上包括根據(jù)第三示例性實(shí)施例的LED封裝件300的發(fā)光二極管模塊的剖視圖。參照圖16，LED模塊包括例如，MC-PCB的電路板171、LED封裝件300和透鏡181。電路板171(例如，MC-PCB)具有用于將LED封裝件300安裝在其上的連接焊盤173a、173b。LED封裝件300的第一凸塊145a和第二凸塊145b (參見圖14)分別連接到連接焊盤173a、173b。多個(gè)LED封裝件300可安裝在電路板171上，透鏡181可設(shè)置在LED封裝件300上以調(diào)節(jié)從LED封裝件300發(fā)射的光的方向角。在其它示例性實(shí)施例中，發(fā)光二極管封裝件400可代替LED封裝件300安裝在電路板上。圖17至圖25示出了制造根據(jù)第三示例性實(shí)施例的LED封裝件300的方法。在圖18至圖23中，(a)是平面圖，(b)是沿(a)的A-A線截取的剖視圖。參照圖17，在生長基底121上形成包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125、有源層127和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層129的半導(dǎo)體堆疊件130。生長基底121和半導(dǎo)體堆疊件130與參照圖4描述的基底21和半導(dǎo)體堆疊件30相似，因此這里將省略對其詳細(xì)的描述。參照圖18的(a)和(b)，使半導(dǎo)體堆疊件130圖案化以形成芯片(封裝件)分離區(qū)域130c和單元分離區(qū)域130b，同時(shí)使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層129和有源層127圖案化以形成發(fā)光單元S1、S2，每個(gè)發(fā)光單元S1、S2具有暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的多個(gè)接觸孔130a?？赏ㄟ^光刻工藝和蝕刻工藝使半導(dǎo)體堆疊件130圖案化。芯片分離區(qū)域130c是用于將LED封裝結(jié)構(gòu)分成單個(gè)的LED封裝件的區(qū)域，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的側(cè)表面、有源層127的側(cè)表面和第二導(dǎo)電層型半導(dǎo)體層129的側(cè)表面暴露在芯片分離區(qū)域130c處。有利地，芯片分離區(qū)域130c和單元分離區(qū)域130b可被構(gòu)造成暴露基底121，而不限于此。多個(gè)接觸孔130a可具有圓形，但不限制于此。接觸孔130可具有各種形狀。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層129和有源層127暴露到多個(gè)接觸孔130a的側(cè)壁。接觸孔130a可具有傾斜的側(cè)壁。參照圖19的(a)和(b)，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層129上形成第二接觸層131。在每個(gè)發(fā)光單元S1、S2的除了對應(yīng)于多個(gè)接觸孔130a的區(qū)域以外的半導(dǎo)體堆疊件130上形成第二接觸層131。第二接觸層131可包括諸如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電氧化膜或諸如銀(Ag)或鋁(Al)的反射金屬層。第二接觸層131可由單層或多層組成。第二接觸層131還可被構(gòu)造成與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層129形成歐姆接觸?？稍谛纬啥鄠€(gè)接觸孔130a前或后形成第二接觸層131。參照圖20的(a)和(b)，形成第一絕緣層133以覆蓋第二接觸層131。第一絕緣層133可覆蓋每個(gè)發(fā)光單元S1、S2的側(cè)表面同時(shí)覆蓋多個(gè)接觸孔130a的側(cè)壁。這里，第一絕緣層133可具有在多個(gè)接觸孔130a中暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的開口 133a?？捎芍T如氧化硅膜或氮化硅膜的單層或多層組成第一絕緣層133。此外，可由通過交替地堆疊具有不同折射率的絕緣層形成的分布式布拉格反射器組成第一絕緣層133。例如，可通過交替地堆疊Si02/Ti02或Si02/Nb205來形成第一絕緣層133。另外,可形成第一絕緣層133以提供通過調(diào)節(jié)各個(gè)絕緣層的厚度對藍(lán)光、綠光和紅光的寬波長范圍具有高反射性的分布式布拉格反射器。參照圖21的(a)和(b)，在第一絕緣層133上形成第一接觸層135。在每個(gè)發(fā)光單元S1、S2上形成第一接觸層135，第一接觸層135包括暴露在接觸孔130a中的接觸第一導(dǎo)電型上半導(dǎo)體層125的接觸部分135a和將接觸部分135a彼此連接的連接部分135b。第一接觸層135可以由反射金屬層組成，但不限于此。在每個(gè)發(fā)射單元S1、S2的一些區(qū)域上形成第一接觸層135，使得在半導(dǎo)體堆疊件130的沒有形成第一接觸層135的其他區(qū)域處暴露第一絕緣層133。參照圖22的(a)和(b)，在第一接觸層135上形成第二絕緣層137。可由諸如氧化硅膜或氮化硅膜的單層或多層組成第二絕緣層137。可選擇地，可由通過交替地堆疊具有不同折射率的絕緣層形成的分布式布拉格反射器組成第二絕緣層137。第二絕緣層137可覆蓋第一接觸層135同時(shí)覆蓋第一絕緣層133。第二絕緣層137還可覆蓋每個(gè)發(fā)光單元S1、S2的側(cè)表面。另外，可在芯片分離區(qū)域130c和單元分離區(qū)域130b中填充第二絕緣層137。第二絕緣層137具有暴露每個(gè)發(fā)光單元S1、S2的第一接觸層135的開口 137a。另夕卜，第二絕緣層137和第一絕緣層133形成有暴露第二接觸層131的開口 137b。參照圖23的(a)和(b)，在第二絕緣層137上形成連接件139c、第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b。將第一電極焊盤139a通過開口 137a連接到第一發(fā)光單元SI的第一接觸層135，將第二電極焊盤139b通過開口 137b連接到第二發(fā)光單元S2的第二接觸層131。另外，連接器139c通過開口 137a、137b將鄰近發(fā)光單元S1、S2的第一接觸層135和第二接觸層131彼此串聯(lián)連接。參照圖24，在第一電極焊盤139a、第二電極焊盤139b和連接件139c上形成第三絕緣層141。第三絕緣層141覆蓋第一電極焊盤139a、第二電極焊盤139b和連接件139c，并具有暴露電極焊盤139a、139b的上表面的凹槽。同時(shí)，第三絕緣層141可具有形成在其凹槽中的其他金屬層140a、140b。其他金屬層140a、140b使電極焊盤139a、139b的高度增力口，使得最終的電極焊盤可具有比連接件139c更高的高度。在形成第三絕緣層141前可形成其他金屬層140a、140b。其他金屬層140a、140b的上表面可與第三絕緣層141的上表面基本共面。
參照圖25，在第三絕緣層141上形成圖案化的絕緣層143。圖案化的絕緣層143具有暴露第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b的上側(cè)例如，其他金屬層140a、140b的凹槽。另外，圖案化的絕緣層143可具有暴露第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b之間的絕緣層141的凹槽。然后，在絕緣層143的凹槽中形成第一凸塊145a和第二凸塊145b，可在第一凸塊和第二凸塊之間形成啞凸塊145c。可通過例如電鍍的鍍覆形成凸塊。根據(jù)需要，還可形成用于鍍覆的種子層。在形成第一凸塊145a和第二凸塊145b后，可以去除絕緣層143。例如，絕緣層143可由諸如光致抗蝕劑的聚合物形成，并且可以在形成凸塊后被去除?？蛇x擇地，可保留絕緣層143以保護(hù)第一凸塊145a和第二凸塊145b的側(cè)表面。參照圖26，去除生長基底121，然后將波長轉(zhuǎn)換器151附著到發(fā)光單元S1、S2?？赏ㄟ^諸如激光剝離(LLO)的光學(xué)技術(shù)、機(jī)械拋光或化學(xué)蝕刻來去除生長基底121。然后，使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125的暴露的表面經(jīng)受諸如PEC蝕刻的各向異性蝕亥|J，以在暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125上形成粗糙表面。同時(shí)，可將諸如包含磷光體的磷光體片的波長轉(zhuǎn)換器151附著到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層125?？蛇x擇地，生長基底121可包含用于轉(zhuǎn)換在有源層127中產(chǎn)生的光的波長的雜質(zhì)。在這種情況下，可將生長基底121用作波長轉(zhuǎn)換器151。然后，沿著芯片分離區(qū)域130c將LED封裝結(jié)構(gòu)分成單個(gè)的封裝件，從而提供完成的LED封裝件300。此時(shí)，將第二絕緣層137與波長轉(zhuǎn)換器151 —起切割，使得第二絕緣層137和波長轉(zhuǎn)換器151的切割平面可形成在一條直線上。圖27是解釋制造根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的LED封裝件400的方法的剖視圖。參照圖27，在制造根據(jù)本實(shí)施例的LED封裝件400的方法中，工藝與上述(圖24)制造LED封裝件300的方法的工藝相同，直至形成第三絕緣層141和其他金屬層140a、140b ο在本示例性實(shí)施例中，將基底161接合到第三絕緣層141。基底161可具有在其中可以形成第一凸塊165a和第二凸塊165b的通孔。另外，第一凸塊165a和第二凸塊165b可在其末端處形成有焊盤(未示出)。此外，基底161可具有部分形成在其下表面上并由金屬材料165c填充的凹槽。金屬材料165c改善基底散熱?？蛇x擇地，可單獨(dú)制備具有第一凸塊165a和第二凸塊165b的基底161，并且將具有第一凸塊165a和第二凸塊165b的基底161接合到具有第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b的晶片。可分別將第一凸塊165a和第二凸塊165b電連接到第一電極焊盤139a和第二電極焊盤139b。然后，如參照圖26所述，去除生長基底121，并且可將波長轉(zhuǎn)換器151附著到發(fā)光單元S1、S2，隨后將LED封裝結(jié)構(gòu)分成單個(gè)的LED封裝件。因此，提供在圖15中描述的完成的LED封裝件400。同樣地，本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了可在沒有使用傳統(tǒng)的引線框架或印刷電路板的情況下直接形成在用于模塊的電路板上的晶片級LED封裝件。因此，LED封裝件可具有高效率并可展現(xiàn)出經(jīng)改善的散熱，同時(shí)減少用于制造所述LED封裝件的時(shí)間和成本。此夕卜，具有安裝在其上的LED封裝件的LED模塊可具有高效率并可展現(xiàn)出經(jīng)改善的散熱。另外，LED封裝件可包括彼此串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元和彼此反向并聯(lián)連接的陣列。另外，多個(gè)發(fā)光單元可連接成橋式整流器，并可用于形成橋式整流器。因此，包括LED封裝件的LED模塊可在沒有單獨(dú)的AC/DC轉(zhuǎn)換器的情況下操作。盡管已經(jīng)結(jié)合附圖參照一些示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對本發(fā)明做出各種修改和改變。另外，應(yīng)該理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下某個(gè)實(shí)施例的一些特征還可應(yīng)用到其他實(shí)施例。因此，應(yīng)該理解的是，僅通過圖示將實(shí)施例提供給本領(lǐng)域技術(shù)人員，給出實(shí)施例以將本發(fā)明的完全公開提供給本領(lǐng)域技術(shù)人員，并將對本發(fā)明的徹底理解提供給本領(lǐng)域技術(shù)人員。從而，意圖的是，本發(fā)明覆蓋所述修改和變化，只要所述修改和變化落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括: 半導(dǎo)體堆疊件，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 多個(gè)接觸孔，布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層中，接觸孔暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 第一凸塊，布置在半導(dǎo)體堆疊件的第一側(cè)上，第一凸塊通過多個(gè)接觸孔被電連接到第ー導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 第二凸塊，布置在半導(dǎo)體堆疊件的第一側(cè)上，第二凸塊被電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及 保護(hù)絕緣層，覆蓋半導(dǎo)體堆疊件的側(cè)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括布置在半導(dǎo)體堆疊件的第二側(cè)上的波長轉(zhuǎn)換 器，第二側(cè)與半導(dǎo)體堆疊件的第一側(cè)相対。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，波長轉(zhuǎn)換器包括磷光體片或摻雜有雜質(zhì)的單晶基底。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，波長轉(zhuǎn)換器包括與保護(hù)絕緣層的側(cè)表面齊平的側(cè)表面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，保護(hù)絕緣層包括分布式布拉格反射器。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包括粗糙的表面。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括布置在第一凸塊和第二凸塊的側(cè)表面上的絕緣層。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括布置在第一凸塊和第二凸塊之間的啞凸塊。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括包含第一通孔和第二通孔的基底，第一凸塊和第二凸塊分別布置在第一通孔和第二通孔中。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，基底包括藍(lán)寶石或硅。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括: 第一接觸層，包括接觸多個(gè)接觸孔中的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一接觸部分和將第一接觸部分彼此連接的連接部分；以及 第二接觸層，接觸第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層， 其中，保護(hù)絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層布置在第一接觸層和第ニ接觸層之間并覆蓋第二接觸層，第二絕緣層布置在半導(dǎo)體堆疊件和第一接觸層之間井覆蓋第一接觸層， 其中，第一凸塊電連接到第一接觸層，第二凸塊電連接到第二接觸層。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括: 第一電極焊盤，穿過布置在第二絕緣層中的第一接觸孔接觸第一接觸層；以及 第二電極焊盤，穿過布置在第二絕緣層和第一絕緣層中的第二接觸孔接觸第二接觸層， 其中，第一凸塊和第二凸塊分別接觸第一電極焊盤和第二電極焊盤。
13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一絕緣層和第二絕緣層中的至少ー個(gè)包括分布式布拉格反射器。
14.ー種發(fā)光二極管模塊，所述發(fā)光二極管模塊包括: 電路板； 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，布置在電路板上；以及 透鏡，調(diào)節(jié)從發(fā)光二極管封裝件發(fā)射的光的方向角。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管模塊，其中，電路板包括金屬核心印刷電路板，多個(gè)發(fā)光二極管封裝件布置在金屬核心印刷電路板上。
16.ー種制造發(fā)光二極管封裝件的方法，所述方法包括: 在第一基底上形成半導(dǎo)體堆疊件，半 導(dǎo)體堆疊件包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 使半導(dǎo)體堆疊件圖案化以形成芯片分離區(qū)域； 使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層圖案化，以形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的多個(gè)接觸孔； 形成覆蓋半導(dǎo)體堆疊件的芯片分離區(qū)域中的側(cè)壁的保護(hù)絕緣層；以及 在半導(dǎo)體堆疊件上形成第一凸塊和第二凸塊， 其中，第一凸塊通過多個(gè)接觸孔電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，第二凸塊電連接到第ニ導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一基底包括用于轉(zhuǎn)換在有源層中產(chǎn)生的光的波長的雜質(zhì)。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括: 去除第一基底以暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及 將磷光體片附著到暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成保護(hù)絕緣層包括形成第一絕緣層和第二絕緣層。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，所述方法還包括: 在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上形成第二接觸層； 形成第一絕緣層以覆蓋第二接觸層和多個(gè)接觸孔的側(cè)壁，第一絕緣層包括在多個(gè)接觸孔中暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的開ロ； 在第一絕緣層上形成第一接觸層，第一接觸層包括: 接觸部分，接觸暴露在多個(gè)接觸孔中的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及 連接部分，使接觸部分彼此連接； 形成第二絕緣層以覆蓋第一接觸層； 使第一絕緣層和第二絕緣層圖案化以形成暴露第一接觸層的開ロ； 形成暴露第二接觸層的開ロ ；以及 在第二絕緣層上形成第一電極焊盤和第二電極焊盤，使第一電極焊盤和第二電極焊盤穿過開ロ分別連接到第一接觸層和第二接觸層， 其中，第一凸塊和第二凸塊分別電連接到第一電極焊盤和第二電極焊盤。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成第一凸塊和第二凸塊包括形成具有暴露第ー電極焊盤和第二電極焊盤的區(qū)域的開ロ的絕緣層圖案，并且使用金屬材料來鍍覆第一電極焊盤和第二電極焊盤的暴露區(qū)域。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，所述方法還包括: 在第一凸塊和第二凸塊之間形成啞凸塊。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，所述方法還包括在形成第一凸塊和第二凸塊之前將第ニ基底接合在第一電極焊盤和第二電極焊盤上，其中，形成第一凸塊和第二凸塊包括在第ニ基底中形成多個(gè)通孔，用金屬材料來填充通孔，將金屬材料接合到第一電極焊盤和第二電極焊盤。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，所述方法還包括:在接合第二基底之前，形成覆蓋第一電極焊盤和第二電極焊盤的絕 緣層，并使絕緣層圖案化以暴露第一電極焊盤和第二電極焊盤。
25.ー種發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括: 多個(gè)發(fā)光単元，每個(gè)發(fā)光単元包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 多個(gè)接觸孔，布置在每個(gè)發(fā)光単元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層中，接觸孔暴露每個(gè)發(fā)光単元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 保護(hù)絕緣層，覆蓋每個(gè)發(fā)光單元的側(cè)壁； 連接件，位于布置在發(fā)光單元的第一側(cè)上并使兩個(gè)鄰近的發(fā)光單元彼此電連接； 第一凸塊，布置在發(fā)光單元的第一側(cè)上并通過發(fā)光単元的第一發(fā)光單元的多個(gè)接觸孔電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及 第二凸塊，布置在發(fā)光單元的第一側(cè)上并電連接到發(fā)光單元的第二發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
26.如權(quán)利要求25所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括布置在多個(gè)發(fā)光単元的第二側(cè)上的波長轉(zhuǎn)換器，第二側(cè)與多個(gè)發(fā)光単元的第一側(cè)相対。
27.如權(quán)利要求26所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，波長轉(zhuǎn)換器包括磷光體片或摻雜有雜質(zhì)的單晶基底。
28.如權(quán)利要求26所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，波長轉(zhuǎn)換器具有與保護(hù)絕緣層的側(cè)表面齊平的側(cè)表面。
29.如權(quán)利要求25所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，保護(hù)絕緣層包括分布式布拉格反射器。
30.如權(quán)利要求25所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，每個(gè)發(fā)光単元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層包括粗糙的表面。
31.如權(quán)利要求25所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括布置在第一凸塊和第二凸塊的側(cè)表面上的絕緣層。
32.如權(quán)利要求31所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括布置在第一凸塊和第二凸塊之間的啞凸塊。
33.如權(quán)利要求25所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括包含第一通孔和第二通孔的基底，第一凸塊和第二凸塊分別布置在第一通孔和第二通孔中。
34.如權(quán)利要求33所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，基底包括布置在基底的下表面中并由金屬材料填充的凹槽。
35.如權(quán)利要求25所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括: 第一接觸層，包括接觸每個(gè)發(fā)光単元的在多個(gè)接觸孔中的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一接觸部分和使第一接觸部分彼此連接的連接部分；以及 第二接觸層，接觸每個(gè)發(fā)光単元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其中，保護(hù)絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層布置在第一接觸層和第二接觸層之間并覆蓋第二接觸層，第二絕緣層布置在半導(dǎo)體堆疊件和第一接觸層之間并覆蓋第一接觸層， 其中，連接件直接布置在第二絕緣層下方，連接件使第一接觸層和第二接觸層彼此連接，第一凸塊接觸第一發(fā)光單元的第一接觸層，第二凸塊接觸第二發(fā)光單元的第二接觸層。
36.如權(quán)利要求35 所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括: 第一電極焊盤，穿過布置在第二絕緣層中的第一接觸孔接觸第一發(fā)光單元的第一接觸層；以及 第二電極焊盤，穿過布置在第二絕緣層和第一絕緣層中的第二接觸孔接觸第二發(fā)光單元的第二接觸層， 其中，第一凸塊和第二凸塊分別接觸第一電極焊盤和第二電極焊盤。
37.如權(quán)利要求36所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，連接件布置在與第一電極焊盤和第二電極焊盤相同的水平面處。
38.如權(quán)利要求36所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件還包括布置在啞凸塊和連接件之間的第三絕緣層。
39.如權(quán)利要求35所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一絕緣層和第二絕緣層中的至少ー個(gè)包括分布式布拉格反射器。
40.ー種發(fā)光二極管模塊，所述發(fā)光二極管模塊包括: 電路板； 如權(quán)利要求25所述的發(fā)光二極管封裝件，布置在電路板上；以及 透鏡，調(diào)節(jié)從發(fā)光二極管封裝件發(fā)射的光的方向角。
41.如權(quán)利要求40所述的發(fā)光二極管模塊，其中，電路板包括金屬核心印刷電路板，多個(gè)發(fā)光二極管封裝件安裝在金屬核心印刷電路板上。
42.ー種制造發(fā)光二極管封裝件的方法，所述方法包括: 在第一基底上形成半導(dǎo)體堆疊件，半導(dǎo)體堆疊件包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 使半導(dǎo)體堆疊件圖案化以形成芯片分離區(qū)域和發(fā)光單元分離區(qū)域； 使第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層圖案化以形成多個(gè)發(fā)光単元，每個(gè)發(fā)光単元包括暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的多個(gè)接觸孔； 形成覆蓋半導(dǎo)體堆疊件的在芯片分離區(qū)域和發(fā)光單元分離區(qū)域中的側(cè)壁的保護(hù)絕緣層； 形成將鄰近的發(fā)光單元彼此串聯(lián)連接的連接件；以及 在多個(gè)發(fā)光単元上形成第一凸塊和第二凸塊， 其中，第一凸塊通過發(fā)光単元的第一發(fā)光單元的多個(gè)接觸孔電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，第二凸塊電連接到發(fā)光單元的第二發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其中，第一基底包括用于轉(zhuǎn)換在有源層中產(chǎn)生的光的波長的雜質(zhì)。
44.如權(quán)利要求42所述的方法，所述方法還包括: 去除第一基底以暴露發(fā)光單元；以及 將磷光體片附著到暴露的發(fā)光單元。
45.如權(quán)利要求42所述的方法，其中，形成保護(hù)絕緣層包括形成第一絕緣層和第二絕緣層。
46.如權(quán)利要求45所 述的方法，所述方法還包括: 在每個(gè)發(fā)光単元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上形成第二接觸層； 形成第一絕緣層以覆蓋每個(gè)發(fā)光単元的第二接觸層和多個(gè)接觸孔的側(cè)壁，第一絕緣層包括在多個(gè)接觸孔中暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的開ロ； 在每個(gè)發(fā)光単元的第一絕緣層上形成第一接觸層，第一接觸層包括: 接觸部分，接觸暴露在多個(gè)接觸孔中的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及 連接部分，使接觸部分彼此連接； 形成第二絕緣層以覆蓋每個(gè)發(fā)光単元的第一接觸層； 使每個(gè)發(fā)光単元的第一絕緣層和第二絕緣層圖案化以形成暴露第一接觸層的開ロ； 形成暴露第二接觸層的開ロ ；以及 在第二絕緣層上形成第一電極焊盤和第二電極焊盤，第一電極焊盤和第二電極焊盤分別穿過所述開ロ連接到第一發(fā)光單元的第一接觸層和第二發(fā)光單元的第二接觸層， 其中，連接件形成在第二絕緣層上并穿過所述開ロ接觸每個(gè)鄰近的發(fā)光單元的第一接觸層和第二接觸層，第一凸塊和第二凸塊分別電連接到第一電極焊盤和第二電極焊盤。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中，形成第一凸塊和第二凸塊包括形成具有暴露第ー電極焊盤和第二電極焊盤的區(qū)域的開ロ的絕緣層圖案，并且用金屬材料來鍍覆第一電極焊盤和第二電極焊盤的暴露區(qū) 域。
48.如權(quán)利要求47所述的方法，所述方法還包括: 在第一凸塊和第二凸塊之間形成啞凸塊。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，所述方法還包括:在形成啞凸塊之前，形成第三絕緣層以覆蓋第一電極焊盤、第二電極焊盤和連接件，并且使第三絕緣層圖案化以暴露第一電極焊盤和第二電極焊盤。
50.如權(quán)利要求46所述的方法，其中，形成第一凸塊和第二凸塊包括在絕緣基底中形成多個(gè)通孔，用金屬材料填充通孔，并且將金屬材料接合到第一電極焊盤和第二電極焊盤。
51.如權(quán)利要求50所述的方法，所述方法還包括:在形成啞凸塊之前，形成第三絕緣層以覆蓋第一電極焊盤、第二電極焊盤和連接件，并使第三絕緣層圖案化以暴露第一電極焊盤和第二電極焊盤。
全文摘要
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種晶片級發(fā)光二極管(LED)封裝件及其制造方法。所述LED封裝件包括半導(dǎo)體堆疊件，包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；多個(gè)接觸孔，布置在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和有源層中，接觸孔暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第一凸塊，布置在半導(dǎo)體堆疊件的第一側(cè)上，第一凸塊通過多個(gè)接觸孔電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；第二凸塊，布置在半導(dǎo)體堆疊件的第一側(cè)上，第二凸塊電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及保護(hù)絕緣層，覆蓋半導(dǎo)體堆疊件的側(cè)壁。
文檔編號H01L33/62GK103119735SQ201180046150
公開日2013年5月22日 申請日期2011年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月24日
發(fā)明者徐源哲, 葛大成 申請人:首爾半導(dǎo)體株式會社