專利名稱：薄膜晶體管及其制造方法和圖像顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管及其制造方法以及圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的驚人的發(fā)展，現(xiàn)在，在筆記本型電腦、移動信息終端等中頻繁地進行信息收發(fā)。眾所周知，不遠的將來，能夠不分場所地進行信息交換的普適社會就會到來。在那樣的社會中，期望有更輕量、更薄的信息終端?，F(xiàn)在，半導體材料的主流為硅類(Si類)，但從柔性化、輕量化、低成本化、高性能化等角度出發(fā)，使用氧化物半導體的晶體管(氧化物晶體管)的研究在廣泛地開展中。通常，使用氧化物半導體時多使用濺射法等真空成膜。但是，近年來，也有報告提出用涂布法形成氧化物半導體，大面積化、適合使用印刷法、利用塑料基板等之類應用的可能性在擴大。此外，其應用領(lǐng)域?qū)?，不僅有望用于上述薄型、輕量的柔性顯示器，也有望在RFID(Radio Frequency Identification)標簽、傳感器等中應用。這樣,面向普適社會,對涂布型氧化物晶體管的研究就變得必不可少。出于這種理由，現(xiàn)在，用涂布法進行的氧化物半導體的研究備受注目。此處，作為由溶液形成半導體層的方法，可以是旋涂法、浸涂法、噴墨法等方法。其中，在配置多個用旋涂法、浸涂法制成的晶體管而成的晶體管陣列中，由于電流容易從晶體管元件之間或晶體管和像素電極之間的半導體層中流過，因此存在關(guān)閉狀態(tài)下的電流(漏電流)值大、開關(guān)比降低的問題。因此，例如在專利文獻`I中，通過用噴墨法在所需地方形成半導體層而實現(xiàn)晶體管元件分離。此外，在專利文獻2中，通過向源極、漏極之間的溝道部中注入半導體溶液而實現(xiàn)晶體管元件分離。專利文獻專利文獻1:日本特開2005-210086號公報專利文獻2:日本特開2004-80026號公報

發(fā)明內(nèi)容
然而，在專利文獻2的方法中，要向溝道部注入半導體溶液，就必須形成隔壁，因此，必須在通常的晶體管制造方法之外另外進行隔壁材料的成膜及圖案形成工序。本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，提供一種通過實現(xiàn)晶體管元件分離來制造高性能、高穩(wěn)定的薄膜晶體管的方法。為了解決前述課題，在本發(fā)明中，作為技術(shù)方案I的發(fā)明，提供一種薄膜晶體管，其特征在于，具有:基板、層積在前述基板上的柵極、層積在前述基板上及前述柵極上的柵絕緣層、設(shè)置在前述柵絕緣層上的凹部、形成在前述柵絕緣層的凹部內(nèi)的半導體層和與前述半導體層在彼此分開的位置上連接的源極及漏極。
此外，技術(shù)方案2的發(fā)明的特征在于，具有層積在前述半導體層的至少中央部上的保護膜。還有，技術(shù)方案3的發(fā)明的特征在于，前述凹部僅形成在可與柵極在厚度方向上相對的位置上。再有，技術(shù)方案4的發(fā)明的特征在于，前述半導體層由以金屬氧化物為主要成分的材料構(gòu)成。另外，技術(shù)方案5的發(fā)明的特征在于，前述半導體層由以有機物為主要成分的材料構(gòu)成。并且，技術(shù)方案6的發(fā)明提供一種圖像顯示裝置，其特征在于，具有:技術(shù)方案I 5中任一項所述的薄膜晶體管、形成在前述薄膜晶體管的前述源極及前述漏極上的層間絕緣膜、形成在前述層間絕緣膜上且與前述漏極電連接的像素電極和包含形成在前述像素電極上的公共電極的顯示媒體。此外，技術(shù)方案7的發(fā)明的特征在于，前述顯示媒體為電泳型反射顯示裝置、透過型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半透過型液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置中的任一種。還有，技術(shù)方案8的發(fā)明為技術(shù)方案I 5中任一項所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，具有:在基板上形成柵極的工序、在前述基板上及前述柵極上形成柵絕緣層的工序、在與前述柵極對置的前述柵絕緣層位置上形成凹部的工序、在前述凹部內(nèi)用涂布法形成半導體層的工序、在前述半導體層的至少中央部上形成保護膜的工序和形成源極及漏極、使它們在前述半導體層的彼此分開的位置上進行連接的的工序。再有，技術(shù)方案9的發(fā)明的特征在于，前述涂布法為凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉(zhuǎn)膠版印刷、絲網(wǎng)印刷、噴墨、熱轉(zhuǎn)印、滴涂(dispenser)、旋涂、模涂(die coating)、微凹版涂布、浸涂的任一種。此外，技術(shù)方案10的發(fā)明的特征在于，前述凹部通過干蝕法形成。根據(jù)本發(fā)明，可以通過在柵絕緣層上直接形成凹部而用涂布法在所需的地方上進行半導體層的成膜及晶體管元件分離。此外，可以穩(wěn)定地驅(qū)動晶體管元件，由于不需要隔壁的形成工序，還可以使制造工序簡易化。


圖1是在位于本發(fā)明實施方式的柵極的正上方的柵絕緣層上形成的凹部的部分截面圖。圖2是顯示本發(fā)明實施方式的薄膜晶體管的約I像素份的部分截面圖。圖3是使用本發(fā)明實施方式的薄膜晶體管的圖像顯示裝置的示意平面圖。圖4是本發(fā)明實施方式的薄膜晶體管的一部分的排列圖。圖5是顯示比較例的薄膜晶體管的約I像素份的部分截面圖。圖6是使用比較例的薄膜晶體管的圖像顯示裝置的示意平面圖。
具體實施方式
下面參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。但對本發(fā)明實施方式的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)無特殊限制。如圖1及圖2所示，本實施方式的薄膜晶體管包括:基板1、層積在前述基板上的柵極2及電容器電極3、層積在前述基板I上、前述柵極2及前述電容器電極3上的柵絕緣層4、設(shè)置在前述柵絕緣層4上的凹部11、形成在前述柵絕緣層4的凹部11內(nèi)的半導體層
5、與前述半導體層5在彼此分開的位置上連接的源極7及漏極8。凹部11形成在柵極2的正上方。此外，多個薄膜晶體管形成在基板I上。前述凹部11的形狀只要使得形成在凹部11內(nèi)的半導體層5能與源極7、漏極8連接即可，但優(yōu)選所形成的凹部11至少在柵極2的正上方(與柵極2在厚度方向上相對的位置)不會從柵極2的正上方突出。如圖4所示，優(yōu)選多個凹部11形成在柵極2上，且彼此不連接、分開地形成。作為凹部11的形狀，例如有具有與柵極2的長邊平行的長邊的長方形、橢圓等，但不局限于此，只要是能用作為后述的凹部11的形成方法的干蝕法形成的形狀，各種形狀均可。作為本實施方式的基板，具體地，可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乙烯硫醚(polyethylene sulfide)、聚醚砜、聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、環(huán)烯烴聚合物、聚醚砜、三乙酰纖維素、聚氟乙烯膜、乙烯-四氟乙烯共聚樹脂、耐候性聚對苯二甲酸乙二醇酯、耐候性聚丙烯、玻璃纖維增強丙烯酸樹脂膜、玻璃纖維增強聚碳酸酯、透明性聚酰亞胺、氟系樹脂、環(huán)狀聚烯烴系樹脂、玻璃及石英等。但是，本發(fā)明的基板I不局限于這些。它們可以單獨使用，也可以作為兩種以上層積而成的復合基板I使用。本實施方式的基板I為有機物膜時，為了提高薄膜晶體管的元件的耐久性，可形成透明的阻氣層(圖中未示出)。作為阻氣層，可以是氧化鋁(A1203)、氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳化硅(SiC)及類金剛石碳(DLC)等。但是，本發(fā)明的基板I不局限于此。此外，這些阻氣層可以兩層以上層積后使用。阻氣層可以僅形成在使用有機物膜的基板I的單面上，也可以形成在雙面上。阻氣層可以使用真空蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法、激光燒蝕法、等離子體CVD(Chemical Vapor Deposition)法、熱絲CVD法及溶膠凝膠法等,但本發(fā)明不局限于這些方法。在本實施方式的柵極2、電容器電極3、源極78及漏極89中，可良好地使用氧化銦(Ιη203)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)、氧化銦鎘(Cdln204)、氧化鎘錫(Cd2SnO2 )、氧化鋅錫(Zn2SnO4)、氧化銦鋅(In-Zn-O)等氧化物材料。此外，這些氧化物材料中摻雜有雜質(zhì)會提高導電率，因而優(yōu)選。例如，氧化銦中摻雜有錫、鑰、鈦的材料、氧化錫中摻雜有銻、氟的材料、氧化鋅中摻雜有銦、鋁、鎵的材料等。其中，尤其是氧化銦中摻雜有錫的氧化銦錫(俗稱ΙΤ0)因電阻率低而可特別良好地使用。此外，Au、Ag、Cu、Cr、Al、Mg等金屬材料也可良好地使用。此外，也可以使用導電性氧化物材料和低電阻金屬材料多層層積而成的材料。此時，為了防止金屬材料的氧化、經(jīng)時劣化，導電性氧化物薄膜/金屬薄膜/導電性氧化物薄膜依次層積而成的三層結(jié)構(gòu)可尤其良好地使用。此外，PEDOT (聚亞乙基二氧噻吩)等有機導電性材料也可良好地使用。柵極2、源極7及漏極8可以是完全同樣的材料，此外，也可以是完全不同的材料。但是，為了減少工序數(shù)，更優(yōu)選源極78和漏極89為同樣的材料。這些電極2、3、8、9可通過真空蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法、激光燒蝕法、等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition)、光CVD法、熱絲CVD法或絲網(wǎng)印刷、凸版印刷、噴墨法等形成，但不局限于這些方法。用作本實施方式的薄膜晶體管中使用的柵絕緣層4的材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鋁酸鉿、氧化鋯、氧化鈦等無機材料或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等聚丙烯酸酯、PVA (聚乙烯醇)、PS (聚苯乙烯)、透明性聚酰亞胺、聚酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯基苯酚、聚乙烯醇等，但不局限于此。為了抑制柵漏電流，絕緣材料的電阻率優(yōu)選在IO11Qcm以上，尤其優(yōu)選在IO14Qcm以上。柵絕緣層4可以使用真空蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法、激光燒蝕法、等離子體CVD、光CVD法、熱絲CVD法、旋涂、浸涂、絲網(wǎng)印刷等方法形成。在這些柵絕緣層4中，在膜的生長方向上組成有傾斜的也可良好地使用。如圖1 圖4所示，形成在本實施方式的薄膜晶體管的柵絕緣層4上的凹部11位于柵極2的正上方且凹部間彼此間隔設(shè)置，使用以往的干蝕技術(shù)直接形成在柵絕緣層4上。作為本實施方式的薄膜晶體管中使用的半導體層5，可以使用以有機物或金屬氧化物為主要成分的有機半導體材料或氧化物半導體材料，通過將這些材料溶解或分散到溶劑中而成的油墨用涂布法涂布到凹部11上形成有機半導體層或氧化物半導體層。作為有機半導體材料，可以使用聚噻吩、聚烯丙胺、芴并聯(lián)噻吩(fluorene-bithiophene)共聚物以及它們的衍生物之類的高分子類有機半導體材料以及并五苯、并四苯、銅酞菁及它們的衍生物之類的低分子類有機半導體材料。然而，考慮到低成本化、柔性化、大面積化，則最好使用能適用涂布法的有機半導體材料。此外，也可以使用碳納米管或富勒烯等碳化合物、半導體納米粒分散液等作為半導體材料。作為用于溶解/分散有機半導體材料的溶劑，可以是四氫呋喃、二氧六環(huán)等環(huán)醚類溶劑、丙酮、甲乙基酮等酮類溶劑、乙醇、IPA等醇類溶劑、氯仿、1，2 —二氯乙烷等鹵化烷烴類溶劑、甲苯、二甲苯、二氯苯、三氯苯等芳香族類溶劑、N—甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、二硫化碳，還可以是水等，這些溶劑既可以單獨使用，也可以混合使用。作為形成有機半導體層5的涂布法，可以使用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉(zhuǎn)膠版印刷、絲網(wǎng)印刷、噴墨、熱轉(zhuǎn)印、滴涂、旋涂、模涂、微凹版涂布、浸涂等公知的方法。作為氧化物半導體材料，為含有鋅(Zn)、銦(In)、錫(Sn)、鎢(W)、鎂(Mg)及鎵(Ga)中的一種以上元素的氧化物，可以是氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、氧化銦鋅(In-Zn-O)、氧化錫(SnO2)、氧化鎢(WO)及氧化鋅鎵銦(In-Ga-Zn-O)等材料，但本發(fā)明不局限于這些材料。這些材料的結(jié)構(gòu)可以是單晶、多晶、微晶、晶體與無定形的混晶、有納米晶體散在的無定形、無定形中的任一種。作為用于溶解/分散氧化物半導體材料的溶劑，可以是四氫呋喃、二氧六環(huán)等環(huán)醚類溶劑、丙酮、甲乙基酮等酮類溶劑、乙醇、IPA等醇類溶劑、氯仿、1，2 —二氯乙烷等鹵化烷烴類溶劑、甲苯、二甲苯、二氯苯、三氯苯等芳香族類溶劑、N—甲基吡咯烷酮、環(huán)丁砜、二硫化碳，還可以是水等，這些溶劑既可以單獨使用，也可以混合使用。作為形成氧化物半導體層5的涂布法，可以使用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉(zhuǎn)膠版印刷、絲網(wǎng)印刷、噴墨、熱轉(zhuǎn)印、滴涂、旋涂、模涂、微凹版涂布、浸涂等公知的方法。作為本實施方式的保護膜6所使用的材料，可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鋁酸鉿、氧化鋯、氧化鈦等無機材料或PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)等聚丙烯酸酯、PVA (聚乙烯醇)、PS (聚苯乙烯)、透明性聚酰亞胺、聚酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯基苯酚、聚乙烯醇等，但不局限于此。為了不對薄膜晶體管產(chǎn)生電影響，保護膜6的電阻率優(yōu)選在IO11Qcm以上，尤其優(yōu)選在IO14Qcm以上。保護膜6可以使用真空蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法、激光燒蝕法、等離子體CVD、光CVD法、熱絲CVD法、旋涂、浸涂、絲網(wǎng)印刷等方法形成。在這些保護膜6中，在膜的生長方向上組成有傾斜的也可良好地使用。(圖像顯示裝置)接著，參照圖3對使用圖2所示的薄膜晶體管的圖像顯示裝置進行說明。如圖3所示，圖像顯示裝置具有上述薄膜晶體管、形成在前述薄膜晶體管的前述源極7及前述漏極8上的層間絕緣膜9、形成在前述層間絕緣膜9上且電連接在前述漏極8上的像素電極10和包含形成在前述像素電極10上的公共電極的顯示媒體。作為本實施方式的層間絕緣膜9，例如可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鋁酸鉿、氧化鋯及氧化鈦等無機材料或PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)等聚丙烯酸酯、PVA (聚乙烯醇)、PS (聚苯乙烯)、透明性聚酰亞胺、聚酯、環(huán)氧樹脂及聚乙烯基苯酚等有機材料，但在本發(fā)明中不局限于此。層間絕緣膜9既可以與柵絕緣層4為同樣的材料，也可以是不同的材料。這些層間絕緣膜9既可以單層使用，也可以使用多層層積而成的層積體。層間絕緣膜9可以使用真空蒸鍍法、離子電鍍法、濺射法、激光燒蝕法、等離子體CVD、光CVD法、熱絲CVD法、旋涂法、浸涂法、絲網(wǎng)印刷法等方法形成，但在本發(fā)明中不局限于此。本實施方式的像素電極10必須與薄膜晶體管的漏極8電連接。具體而言，可以是用絲網(wǎng)印刷法等圖案印刷層間絕緣膜9、不在漏極8的部分上設(shè)置層間絕緣膜9的方法或在整個面上涂布層間絕緣膜9，然后用激光束等在層間絕緣膜9上打孔的方法等，但本發(fā)明不局限于此。作為與本發(fā)明的薄膜晶體管組合的顯示媒體(顯示裝置)，可以是電泳型反射顯示裝置、透過型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半透過型液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置等。(實施例1)本發(fā)明者制作了通過在柵絕緣層4上直接形成凹部11 (實施例)、用涂布法以膜的方式形成半導體活性層(半導體層5)而成的圖像顯示裝置(圖3)和通過在柵絕緣層上另外形成隔壁(比較例)、用涂布法以膜的方式形成半導體活性層而成的圖像顯示裝置(圖6)，對兩者特性的關(guān)系進行了研究。此外，本發(fā)明者使用氮氧化硅(SiON)作為柵絕緣層4的材料、使用In-Zn-O系氧化物作為半導體層5的材料、使用聚酰亞胺作為隔壁材料，制成了圖像顯示裝置。在基板I上用直流磁控濺射法形成IOOnm的ITO膜，涂布感光性光阻劑后，曝光，通過顯影液進行顯影，用鹽酸進行蝕刻，用剝離液剝離感光型光阻劑，進行ITO的圖案形成，形成柵極2及電容器電極3 (下面稱作光刻法)。接著，用射頻磁控濺射法以膜的方式形成了與基板1相接的由SiON構(gòu)成的柵絕緣層4(膜厚400nm)。成膜后，涂布感光性光阻劑，之后進行曝光，用顯影液進行顯影，通過反應離子刻蝕(下面稱作RIE)在柵極2的正上方分開地、在柵絕緣層4上直接形成了凹部11 (蝕刻量40nm)。接著，用噴墨法將In-Zn-O系氧化物溶液直接注入到凹部11 (膜厚40nm)中。注入后，在400°C通過熱板實施了 30分鐘退火處理。再用射頻磁控濺射法形成了由SiON構(gòu)成的保護膜6 (膜厚80nm)。由于半導體層5與源極7以及半導體層5與漏極8必須電接觸，因此，在涂布感光性光阻劑后，曝光，用顯影液進行顯影，用RIE形成了保護膜6，并使保護膜6僅殘留在半導體層5中央。用直流磁控濺射法形成IOOnm的ITO膜，并形成了源極7和漏極8。進一步用旋涂法形成由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的層間絕緣層9 (3μπι)，用光刻法形成作為漏極8與像素電極10的接觸處的開口部，用直流磁控濺射法形成厚IOOnm的ITO膜，圖案形成為所希望的形狀，制成薄膜晶體管作為像素電極10。在制成的薄膜晶體管上貼附電泳式電子紙前面板作為顯示媒體12，制成圖像顯示裝置。(比較例)如圖5及圖6所示，在基板1上用直流磁控濺射法形成1OOnm的ITO膜，用光刻法制成柵極2及電容器電極3。接著，用射頻磁控濺射法形成與基板1連接的由SiON構(gòu)成的柵絕緣層4(膜厚200nm)。接著，形成隔壁13。在整個面上旋涂正型感光性聚酰亞胺(東麗公司生產(chǎn)的Photonics DL-1000)。為了使隔壁13的高度為40nm，涂布40nnm厚的感光性聚酰亞胺。接著，將涂布在整個面上的感光性聚酰亞胺用光刻法曝光，顯影，形成了配置在柵絕緣層4上的隔壁13。隔壁13的圖案在230°C下用烘箱燒成30分鐘。接著，用噴墨法將In-Zn-O系氧化物溶液直接注入凹部11 (膜厚40nm)中。注入后，用熱板在400°C實施退火處理。再用射頻磁控濺射法形成由SiON構(gòu)成的保護膜6 (膜厚80nm)。由于半導體層5與源極7以及半導體層5與漏極8必須電接觸，因此，在涂布感光性光阻劑后進行曝光，用顯影液進行顯影，用RIE形成了保護膜6，并使保護膜6僅殘留在半導體層5中央。用直流磁控濺射法形成1OOnm的ITO膜，形成了源極7和漏極8。再用旋涂法形成由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的層間絕緣膜9 (3 μ m)，用光刻法形成作為漏極8與像素電極10的接觸處的開口部，用直流磁控濺射法形成膜厚1OOnm的ΙΤ0，圖案形成為所希望的形狀，制成薄膜晶體管作為像素電極10。在制成的薄膜晶體管上貼附電泳式電子紙前面板作為顯示媒體12，制成圖像顯示裝置。驅(qū)動圖像顯示裝置，結(jié)果，未設(shè)置隔壁13的圖像顯示裝置也能顯示與設(shè)置有隔壁13的圖像顯示裝置同等良好的圖像。通過在柵絕緣層4上直接設(shè)置凹部11，與以往的圖像顯示裝置相比，可以省略隔壁13的制作工序，而且能用涂布法在所希望的地方形成半導體溶液，進行晶體管元件分離。結(jié)果，能使顯示穩(wěn)定的特性的薄膜晶體管的制造工序簡易化。符號說明1 基板2 柵極3 電容器電極4 柵絕緣層
5半導體層6保護膜7源極8漏極9層間絕緣膜10像素電極11凹部12顯示媒體13 隔壁
權(quán)利要求
1.薄膜晶體管，其特征在于，具有基板、 層積在所述基板上的柵極、 層積在所述基板上及所述柵極上的柵絕緣層、 設(shè)置在所述柵絕緣層上的凹部、 形成在所述柵絕緣層的凹部內(nèi)的半導體層和 在彼此分開的位置上與所述半導體層連接的源極及漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，設(shè)置有層積在所述半導體層的至少中央部上的保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凹部僅形成在可與柵極在厚度方向上相對的位置上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層由以金屬氧化物為主要成分的材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導體層由以有機物為主要成分的材料構(gòu)成。
6.圖像顯示裝置，其特征在于，具有權(quán)利要求1 5中任一項所述的薄膜晶體管、 形成在所述薄膜晶體管的所述源極及所述漏極上的層間絕緣膜、 形成在所述層間絕緣膜上且與所述漏極電連接的像素電極和 包含形成在所述像素電極上的公共電極的顯示媒體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述顯示媒體為電泳型反射顯示裝置、透過型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、半透過型液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置中的任一種。
8.薄膜晶體管的制造方法，其是權(quán)利要求1 5中任一項所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成柵極的工序、 在所述基板上及所述柵極上形成柵絕緣層的工序、 在與所述柵極對置的所述柵絕緣層位置上形成凹部的工序、 在所述凹部內(nèi)用涂布法形成半導體層的工序、 在所述半導體層的至少中央部上形成保護膜的工序和 形成源極及漏極、使它們在所述半導體層的彼此分開的位置上進行連接的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述涂布法為凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反轉(zhuǎn)膠版印刷、絲網(wǎng)印刷、噴墨、熱轉(zhuǎn)印、滴涂、旋涂、模涂、微凹版涂布、浸涂中的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述凹部通過干蝕法形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過晶體管元件分離來制造高性能、高穩(wěn)定的薄膜晶體管的方法。即，本發(fā)明提供這樣一種薄膜晶體管，其特征在于，具有基板、層積在前述基板上的柵極、層積在前述基板上及前述柵極上的柵絕緣層、設(shè)置在前述柵絕緣層上的凹部、形成在前述柵絕緣層的凹部內(nèi)的半導體層和在彼此分開的位置上與前述半導體層連接的源極及漏極。
文檔編號H01L51/05GK103119699SQ201180045898
公開日2013年5月22日 申請日期2011年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月22日
發(fā)明者村田廣大 申請人:凸版印刷株式會社