專利名稱：發(fā)光二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管芯片。
本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102010036269. 7的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容由此通過(guò)引用合并于此。
背景技術(shù)：
所謂的薄膜發(fā)光二極管芯片是公知的，其中半導(dǎo)體層序列的最初生長(zhǎng)襯底已脫離，相反該半導(dǎo)體序列在與最初生長(zhǎng)襯底相對(duì)的一側(cè)處借助焊接層與載體襯底連接。發(fā)光二極管芯片的射線射出面在這種情況下被設(shè)置在該半導(dǎo)體層序列的與載體襯底相對(duì)的表面上，也就是在最初生長(zhǎng)襯底的一側(cè)。在這種發(fā)光二極管芯片中，有利的是半導(dǎo)體層序列的朝向載體襯底的一側(cè)配備有反射鏡層，以便將發(fā)射到載體方向上的射線偏轉(zhuǎn)到射線射出面的方向上并由此提高射線發(fā)射率。
對(duì)于可見(jiàn)光譜范圍，銀尤其適合作為反射鏡層的材料。銀的特征在于在可見(jiàn)光譜范圍中的高反射并且適合于制造與半導(dǎo)體材料的良好電接觸。但另一方面銀容易被腐蝕并且可能出現(xiàn)銀向相鄰層的遷移。
為了保護(hù)由銀制成的反射鏡層免遭腐蝕，一般在銀層上施加保護(hù)層。作為保護(hù)層， 鉬層是特別合適的。但是已經(jīng)證明，反射鏡層與半導(dǎo)體層序列之間的交界面的反射可能由于在反射鏡層的與半導(dǎo)體層序列相對(duì)的交界面上施加由鉬制成的保護(hù)層而受到影響。由此降低了光輸出耦合并且由此減小了發(fā)光二極管芯片的效率。這種效果可能是由于鉬在對(duì)于層的施加是常見(jiàn)的處理溫度時(shí)滲入銀層中并且甚至可以一直達(dá)到反射鏡層與半導(dǎo)體層之間的相對(duì)的交界面。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所基于的任務(wù)是說(shuō)明一種具有背面的反射鏡層的發(fā)光二極管芯片，借助保護(hù)層保護(hù)該反射鏡層免遭腐蝕，但同時(shí)銀層與半導(dǎo)體層序列之間的交界面的反射僅受到輕微影響。
該任務(wù)通過(guò)根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1的發(fā)光二極管芯片解決。本發(fā)明的有利設(shè)計(jì)和擴(kuò)展是從屬權(quán)利要求的主題。
根據(jù)一種實(shí)施方式，發(fā)光二極管芯片包含半導(dǎo)體層序列，該半導(dǎo)體層序列具有適合于產(chǎn)生電磁射線的有源層。該發(fā)光二極管芯片在正面具有射線射出面，從有源層發(fā)射的電磁射線通過(guò)該射線射出面從半導(dǎo)體層序列射出。在此以及在下面，發(fā)光二極管芯片的正面被理解為發(fā)光二極管芯片的設(shè)置了射線射出面的一側(cè)。
在與射線射出面相對(duì)的背面處，發(fā)光二極管芯片至少局部地具有包含銀的反射鏡層。
在反射鏡層上設(shè)置用于減`小反射鏡層的腐蝕的保護(hù)層。該保護(hù)層有利地包含Pt 或由Pt制成。
保護(hù)層有利地具有這種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)僅在子區(qū)域中覆蓋反射鏡層。因此保護(hù)層被結(jié)構(gòu)化為，使得保護(hù)層尤其是不全面地覆蓋反射鏡層。因此反射鏡層具有未被保護(hù)層覆蓋的子區(qū)域。
通過(guò)反射鏡層不全面地被保護(hù)層覆蓋，減小了保護(hù)層的成份向反射鏡層的擴(kuò)散。 尤其是通過(guò)保護(hù)層僅在子區(qū)域中覆蓋反射鏡層，與全面地施加保護(hù)層相比，減小了 Pt向反射鏡層中的擴(kuò)散和/或一直到反射鏡層與半導(dǎo)體層序列之間的交界面的擴(kuò)散。通過(guò)這種方式，有利地提高了半導(dǎo)體層序列與反射鏡層之間的交界面的反射，由此改善發(fā)光二極管芯片的光輸出耦合并由此提高效率。
本發(fā)明利用以下認(rèn)識(shí)由Pt制成的保護(hù)層令人吃驚地甚至在該保護(hù)層未完全地、 而是僅在子區(qū)域中覆蓋反射鏡層時(shí)仍然可以作為用于包含銀的反射鏡層的保護(hù)層工作。
對(duì)于該效果存在多種可能的解釋。一方面可以考慮保護(hù)層的材料從覆蓋反射鏡層的子區(qū)域滲入反射鏡層中，并且在反射鏡層中優(yōu)選沿著銀晶界擴(kuò)散。這可能有利于反射鏡層材料的穩(wěn)定，因?yàn)楦g效果一般在金屬晶界處發(fā)生。此外可以考慮保護(hù)層材料根據(jù)其在電化序中的位置而改變所出現(xiàn)的電勢(shì)，使得腐蝕效果被抑制。此外還可能的是，至少部分地滲入反射鏡層中的保護(hù)層材料的另一種特性，例如作為催化劑的效應(yīng)或氫的存儲(chǔ)，具有對(duì)反射鏡層的穩(wěn)定性的積極影響。通過(guò)上面提到的可能效果，即使在所施加的保護(hù)層未完全覆蓋反射鏡層的表面時(shí)仍然產(chǎn)生針對(duì)反射鏡層的保護(hù)效應(yīng)。
在一種有利的設(shè)計(jì)中，反射鏡層的被保護(hù)層覆蓋的面積分量在10%(含10%)與70% (含70%)之間。特別優(yōu)選的，保護(hù)層覆蓋的面積分量在反射鏡層的30% (含30%)與50% (含 50%)之間。通過(guò)這種方式，在用于保護(hù)反射鏡層免遭腐蝕的保護(hù)層的保護(hù)效應(yīng)與由于保護(hù)層材料至少部分滲入反射鏡層引起的在半導(dǎo)體材料和反射鏡層之間交界面處的反射的減小之間實(shí)現(xiàn)了良好的折衷。尤其是已經(jīng)證明，與沒(méi)有由Pt制成的保護(hù)層的反射鏡層相比， 保護(hù)層在反射鏡層上的面積分量達(dá)到10%至70%以及優(yōu)選30%至50%在僅輕微減小反射鏡層的反射的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)基本上對(duì)腐蝕穩(wěn)定的反射鏡層。
保護(hù)層優(yōu)選具有介于Inm和200nm之間、特別優(yōu)選地介于IOnm和40nm之間的厚度。
保護(hù)層可以被構(gòu)成為，使得該保護(hù)層具有多個(gè)彼此有間距的子區(qū)域。這些子區(qū)域規(guī)則地或不規(guī)則地分布在反射鏡層的背離半導(dǎo)體層序列的交界面上。有利的是，保護(hù)層的相鄰子區(qū)域之間的距離一方面不是太大，從而保護(hù)層具有針對(duì)反射鏡層的足夠的保護(hù)效應(yīng)。另一方面，所述距離也不應(yīng)當(dāng)太小，因?yàn)榉駝t就如在完全覆蓋反射鏡層的情況下那樣會(huì)由于保護(hù)層材料滲入反射鏡層中而出現(xiàn)反射的顯著的減小。特別有利的是，相鄰子區(qū)域的距離平均介于2 μ m (含2 μ m)和20 μ m (含20 μ m)之間。在此，該距離應(yīng)當(dāng)理解為相鄰子區(qū)域的邊緣之間的最短距離。
在替換的有利設(shè)計(jì)中，保護(hù)層具有多個(gè)開(kāi)口，其中配備有開(kāi)口的保護(hù)層構(gòu)成在反射鏡層的表面上的一個(gè)或多個(gè)連貫的形成物。例如可能的是，保護(hù)層首先被全面地施加在反射鏡層上并且隨后在保護(hù)層中產(chǎn)生多個(gè)開(kāi)口。保護(hù)層的結(jié)構(gòu)化尤其是可以借助光刻法進(jìn)行。這些開(kāi)口優(yōu)選平均具有介于2 μ m和20μπι之間的橫向伸展。
在有利的設(shè)計(jì)中 ，保護(hù)層包括具有多行和多列的柵格結(jié)構(gòu)。尤其是，柵格結(jié)構(gòu)可以是矩形柵格結(jié)構(gòu)。在這種情況下，保護(hù)層構(gòu)成在反射鏡層的交界面上的條紋圖案，其中所述條紋優(yōu)選在兩個(gè)相互垂直的方向上分布在反射鏡層的交界面上。
柵格結(jié)構(gòu)的行和列的寬度優(yōu)選分別介于2 μ m和20 μ m之間。此外有利的是，行的距離和列的距離分別介于2 μ m和20 μ m之間。在這種情況下，通過(guò)柵格結(jié)構(gòu)構(gòu)成在保護(hù)層中的開(kāi)口，所述開(kāi)口的橫向伸展分別介于2μηι和20 μ m之間。
在另一個(gè)有利設(shè)計(jì)中，保護(hù)層具有圍繞反射鏡層的邊緣的邊緣橋(Randsteg)。因此在該邊緣區(qū)域中，保護(hù)層優(yōu)選未被開(kāi)口中斷。這是有利的，因?yàn)榉瓷溏R層尤其是在其側(cè)邊緣處有被腐蝕的危險(xiǎn)。
反射鏡層的與保護(hù)層相對(duì)的交界面優(yōu)選與半導(dǎo)體層序列鄰接。因此在半導(dǎo)體層序列與反射鏡層之間尤其是沒(méi)有設(shè)置諸如附著中間層的中間層，該附著中間層可能導(dǎo)致在反射鏡層與半導(dǎo)體層序列之間的交界面處的反射的減小。確切地說(shuō)已經(jīng)證明，利用保護(hù)層可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于反射鏡層來(lái)說(shuō)期望的特性一在半導(dǎo)體材料上的良好附著、到半導(dǎo)體材料的良好電連接和免遭腐蝕和銀遷移的保護(hù)，所述保護(hù)層被結(jié)構(gòu)化地施加在反射鏡層的與半導(dǎo)體層序列相對(duì)的一側(cè)上。反射鏡層尤其是可以與半導(dǎo)體層序列的P型半導(dǎo)體區(qū)域鄰接。
發(fā)光二極管芯片優(yōu)選在從反射鏡層來(lái)看與半導(dǎo)體層序列相對(duì)的一側(cè)上與載體襯底連接。載體襯底尤其是與半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底不同的襯底，其例如借助焊接層與半導(dǎo)體層序列連接。
用于半導(dǎo)體層序列的外延生長(zhǎng)的生長(zhǎng)襯底優(yōu)選與發(fā)光二極管芯片脫離。發(fā)光二極管芯片因此優(yōu)選不具有生長(zhǎng)襯底。通過(guò)將生長(zhǎng)襯底與發(fā)光二極管芯片脫離并且在載體襯底的方向上發(fā)射的射線借助反射鏡層朝著射線輸出耦合面反射，實(shí)現(xiàn)具有高效率的發(fā)光二極管芯片。



下面借助實(shí)施例結(jié)合圖1至圖4詳細(xì)闡述本發(fā)明。
圖1A沿著在圖1B中所示俯視圖的線AB示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的橫截面的示意圖，圖1B示出在圖1A中所示的發(fā)光二極管芯片的實(shí)施例的配備有結(jié)構(gòu)化保護(hù)層的反射鏡層的俯視圖，圖2示出在根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片中配備有保護(hù)層的反射鏡層的俯視圖的示意圖，圖3示出在根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片中配備有保護(hù)層的反射鏡層的俯視圖的示意圖，圖4示出根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的橫截面的示意圖。
相同或作用相同的部件在附圖中分別配備有相同的附圖標(biāo)記。所示出的部件以及這些部件相互之間的大小比例不被視為符合比例尺的。
具體實(shí)施方式
在圖1B以從下方的俯視圖和在圖1A中以沿著圖1B所示的線AB的橫截面示出的發(fā)光二極管芯片I包含半導(dǎo)體層序列2，該半導(dǎo)體層序列2具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域3和第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域5。優(yōu)選的，第一半導(dǎo)體區(qū)域3是P型半導(dǎo)體區(qū)域，第二半導(dǎo)體區(qū)域5是η型半導(dǎo)體區(qū)域。在第一半導(dǎo)體區(qū)域3和第二半導(dǎo)體區(qū)域5之間設(shè)置有源區(qū)域4。
發(fā)光二極管芯片I的有源區(qū)域4例如可以構(gòu)成為ρη節(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。術(shù)語(yǔ)“量子阱結(jié)構(gòu)”在此包括其中載流子通過(guò)封閉(限制)經(jīng)歷載流子的能量狀態(tài)的量化的任何結(jié)構(gòu)。尤其是，術(shù)語(yǔ)“量子阱結(jié)構(gòu)”不包含關(guān)于量化維度的說(shuō)明。 因此該術(shù)語(yǔ)尤其是包括量子池、量子線和量子點(diǎn)以及這些結(jié)構(gòu)的任何組合。
半導(dǎo)體層序列2尤其是可以基于氮化合物半導(dǎo)體?！盎诘衔锇雽?dǎo)體”在本文中意思是，半導(dǎo)體層序列2或者其至少一個(gè)層包括III氮化合物半導(dǎo)體材料，優(yōu)選 InxAlyGa1^N,其中O彡χ彡1,0彡y彡I和x + y彡I。在此,該材料不一定需要具有按照上述公式的數(shù)學(xué)上精確的組成。確切地說(shuō)，該材料具有一種或多種雜質(zhì)并且具有附加成分，這些附加成分基本上不會(huì)改變InxAlyGa1^N材料的特征性物理特性。但是為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，上述公式僅包含晶格的主要成分(In，Al，Ga，N)，即使這些主要成分可以部分地被少量的其它物質(zhì)所代替。
發(fā)光二極管芯片I發(fā)射穿過(guò)射線射出面11的電磁射線10，所述射線射出面設(shè)置在發(fā)光二極管芯片I的正面。為了改善射線輸出耦合，射線射出面11配備有粗糙表面或輸出率禹合結(jié)構(gòu)(未不出)。
為了改善發(fā)光二極管芯片I的效率，發(fā)光二極管芯片I在與射線射出面11相對(duì)的背面局部地具有反射鏡層6。通過(guò)反射鏡層6，有利地從有源層4向發(fā)光二極管芯片I的背面發(fā)射的射線朝著射線射出面11偏轉(zhuǎn)。
反射鏡層6有利地包含銀或由銀組成。由銀制成的反射鏡層有利地具有在可見(jiàn)光譜范圍中的高反射。此外，銀的特征在于高的導(dǎo)電性。反射鏡層6尤其是可以與第一半導(dǎo)體區(qū)域3、尤其是P型半導(dǎo)體區(qū)域鄰接，并且通過(guò)這種方式構(gòu)成發(fā)光二極管芯片I的半導(dǎo)體層序列2的電接頭之一。
在由銀制成的反射鏡層6中，可能出現(xiàn)該反射鏡層比較容易被腐蝕的問(wèn)題，這尤其是在發(fā)光二極管芯片I的長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行之后可能導(dǎo)致射線發(fā)射率的減小。為了保護(hù)反射鏡層6免遭腐蝕，在反射鏡層6的背離半導(dǎo)體層序列2的交界面16上設(shè)置保護(hù)層7。保護(hù)層 7優(yōu)選包含Pt或者由Pt組成。包含鉬的保護(hù)層7的特征在于，該保護(hù)層是化學(xué)惰性的，由此保護(hù)反射鏡層6免遭腐蝕。
保護(hù)層7被結(jié)構(gòu)化為，使得該保護(hù)層僅在子區(qū)域8中覆蓋反射鏡層6。反射鏡層6 因此尤其是不完全被保護(hù)層7覆蓋。如在圖1B的對(duì)反射鏡層6的俯視圖中所看到的，保護(hù)層例如被結(jié)構(gòu)化為，使得保護(hù)層具有多個(gè)彼此有間距的子區(qū)域8。在所示實(shí)施例中，保護(hù)層 7通過(guò)多個(gè)圓形子區(qū)域8形成。但是替換的，保護(hù)層7的子區(qū)域8也可以采取其它規(guī)則的或不規(guī)則的形狀。同樣，子區(qū)域8在反射鏡層6的表面上的布置也可以是規(guī)則的或不規(guī)則的。
有利地已經(jīng)證明，保護(hù)層7即使當(dāng)其僅部分地覆蓋反射鏡層6時(shí)也保護(hù)反射鏡層6 免遭腐蝕。該效果尤其是可以由于保護(hù)層7的材料部分地?cái)U(kuò)散到反射鏡層6中，其中該材料尤其是沿著反射鏡層6的銀晶界擴(kuò)散并且通過(guò)這種方式防止典型地從晶界開(kāi)始的腐蝕。
保護(hù)層7的材料部分地?cái)U(kuò)散到反射鏡層6中可能對(duì)反射鏡層6在與半導(dǎo)體層序列 2的交界面16處的反射率造成負(fù)面影響，尤其是當(dāng)保護(hù)層7的材料一直達(dá)到交界面16時(shí)。 已經(jīng)證明，可以通過(guò)以下方式緩解在半導(dǎo)體層序列2與反射鏡層6之間的交界面16處的反射減小，即保護(hù)層7僅被施加在反射鏡層6的子區(qū)域上。通過(guò)保護(hù)層7僅被施加在反射鏡層6的子區(qū)域上，可以在為反射鏡層6提供免遭腐蝕的足夠保護(hù)(一方面)與半導(dǎo)體層序列 2和反射鏡層6之間的交界面16的高反射率(另一方面)之間找到良好的折衷。
尤其是已經(jīng)證明，當(dāng)保護(hù)層7覆蓋的反射鏡層6的面積分量在反射鏡層6的10% (含)與70% (含)之間時(shí)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)比較高的反射和對(duì)反射鏡層6免遭腐蝕的良好保護(hù)。 特別有利的是，保護(hù)層7覆蓋的反射鏡層6的面積分量在反射鏡層6的30%(含)與50%(含) 之間。
保護(hù)層的厚度有利地在1nm(含)和200nm (含)之間，特別優(yōu)選的在10nm (含)和 40nm (含)之間。
保護(hù)層7的彼此有間距的子區(qū)域8的距離優(yōu)選平均在2 μ m (含)和20 μ m (含)之間。
在圖2中示出在發(fā)光二極管芯片I的另一實(shí)施例中配備有保護(hù)層7的反射鏡層6 的俯視圖。該實(shí)施例與圖1中所示的實(shí)施例的區(qū)別在于，保護(hù)層7具有圍繞反射鏡層6的邊緣的邊緣橋9。此外在反射鏡層6的表面上，與在第一實(shí)施例中一樣設(shè)置了多個(gè)彼此有間距的子區(qū)域8。圍繞反射鏡層6的邊緣的邊緣橋9具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)這種方式反射鏡層6 在其邊緣區(qū)域中通過(guò)被保護(hù)層7覆蓋而得到良好保護(hù)，在所述邊緣區(qū)域中腐蝕的危險(xiǎn)是特別高的。在反射鏡層6的邊緣區(qū)域中提高了腐蝕的危險(xiǎn)，因?yàn)槔鐫駳饪赡軓陌l(fā)光二極管芯片I的邊緣一直推進(jìn)到這些區(qū)域中。
在圖3中以俯視圖示出配備有保護(hù)層7的反射鏡層6的另一實(shí)施例。在該實(shí)施例中，保護(hù)層7具有由多個(gè)行13和列14組成的柵格結(jié)構(gòu)12，這些行和列分別由條紋形的保護(hù)層區(qū)域形成。該柵格結(jié)構(gòu)12尤其可以是具有規(guī)則設(shè)置的行13和列14的矩形柵格結(jié)構(gòu)。
行13和列14優(yōu)選分別具有介于2 μ m和20 μ m之間的寬度。此外，相鄰的行和/ 或列之間的距離也分別介于2 μ m和20 μ m之間。在此，行或列之間的距離應(yīng)當(dāng)理解為保護(hù)層7的構(gòu)成行或列的條紋的邊緣之間的距離。柵格結(jié)構(gòu)12在反射鏡層6的表面上產(chǎn)生多個(gè)優(yōu)選相同大小的開(kāi)口 15。這些開(kāi)口 15優(yōu)選平均具有介于2μm和20μm之間的橫向伸展。優(yōu)選的，柵格結(jié)構(gòu)12與在前面描述的實(shí)施例中一樣也構(gòu)成圍繞反射鏡層6的邊緣的邊緣橋9，從而反射鏡層6在其邊緣區(qū)域中特別是受到防腐蝕的保護(hù)。
上面描述的配備有結(jié)構(gòu)化保護(hù)層7的反射鏡層6的實(shí)施方式可以集成到在與射線射出面11相對(duì)的背面處具有反射鏡層6的發(fā)光二極管芯片1的不同設(shè)計(jì)中。
在圖4中示出所謂的薄膜發(fā)光二極管芯片1的實(shí)施例的橫截面，該薄膜發(fā)光二極管芯片1具有配備有結(jié)構(gòu)化保護(hù)層7的反射鏡層6。與圖1A所示的實(shí)施例一樣，薄膜發(fā)光二極管芯片I具有包括P型半導(dǎo)體區(qū)域3、n型半導(dǎo)體區(qū)域5和設(shè)置在它們之間的有源區(qū)域 4的半導(dǎo)體層序列2。發(fā)光二極管芯片1在與射線射出面11相對(duì)的背面處例如通過(guò)焊接層 18與載體襯底19連接。發(fā)光二極管芯片1不具有生長(zhǎng)襯底。尤其是，用于半導(dǎo)體層序列2 的外延生長(zhǎng)的生長(zhǎng)襯底已經(jīng)與半導(dǎo)體層序列2的現(xiàn)在用作射線射出面11的交界面脫離。
在焊接層18與配備有結(jié)構(gòu)化保護(hù)層7的反射鏡層6之間可以設(shè)置阻擋層17，其尤其是減小焊接層18的成分向反射鏡層6的擴(kuò)散以及減小反射鏡層6的成分向焊接層18的擴(kuò)散。阻擋層17例如可以是Ti層或TiW (N)層。阻擋層還可以包括多個(gè)子層(未示出)， 例如Ti/Pt/TiWN層序列。阻擋層17同時(shí)可以作為用于結(jié)構(gòu)化保護(hù)層7的平面化層工作。
載體襯底19例如可以是硅襯底或鍺襯底。發(fā)光二極管芯片I的電接觸例如借助在載體襯底的背面處的第一接觸層20以及在發(fā)光二極管芯片I的表面的子區(qū)域上的第二接觸層21來(lái)進(jìn)行。替換的，當(dāng)然還可以考慮發(fā)光二極管芯片I的接觸層的任意其它設(shè)置。
本發(fā)明不受到借助實(shí)施例 的描述的限制。確切地說(shuō)，本發(fā)明包含任何新特征以及特征的任何組合，這尤其是包含權(quán)利要求中的特征的任何組合，即使該特征或該組合本身并未在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_說(shuō)明。
權(quán)利要求
1.一種具有半導(dǎo)體層序列(2)的發(fā)光二極管芯片(1)，該半導(dǎo)體層序列具有適合于產(chǎn)生電磁射線(10)的有源層(4)，其中-該發(fā)光二極管芯片(I)在正面具有射線射出面(11)，-該發(fā)光二極管芯片(I)在與射線射出面(11)相對(duì)的背面處至少局部地具有包含銀的反射鏡層(6)，-在反射鏡層(6)上設(shè)置包含Pt的保護(hù)層(7)，以及-所述保護(hù)層(7)具有這種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)僅在子區(qū)域(8)中覆蓋反射鏡層(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)覆蓋的面積分量在反射鏡層(6)的10%與70%之間，分別包含10%和70%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)覆蓋的面積分量在反射鏡層(6)的30%與50%之間，分別包含30%和50%。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)具有介于Inm和200nm之間的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)具有介于IOnm和40nm之間的厚度。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)具有多個(gè)彼此有間距的子區(qū)域(8)，其中相鄰子區(qū)域(8)的距離平均介于2 μ m和20 μ m之間，分別包含2 μ m和20 μ m。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)具有多個(gè)開(kāi)口( 15)，其中所述開(kāi)口( 15)平均具有介于2 μ m和20 μ m之間的橫向伸展。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)包括具有多行(13)和多列(14)的柵格結(jié)構(gòu)(12)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光二極管芯片，其中行(13)和列(14)的寬度分別介于2μηι和20 μ m之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9的發(fā)光二極管芯片，其中行(13)的距離和列(14)的距離分別介于2 μ m和20 μ m之間。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中保護(hù)層(7)具有圍繞反射鏡層(6)的邊緣的邊緣橋(9)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中反射鏡層(6)的與保護(hù)層(7)相對(duì)的交界面(16)與半導(dǎo)體層序列(2)鄰接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的發(fā)光二極管芯片，其中半導(dǎo)體層序列(2)的與反射鏡層(6)鄰接的區(qū)域是P型半導(dǎo)體區(qū)域(3)。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中發(fā)光二極管芯片(I)在從反射鏡層(6)來(lái)看與半導(dǎo)體層序列(2)相對(duì)的一側(cè)處與載體襯底(19)連接。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的發(fā)光二極管芯片，其中發(fā)光 二極管芯片(I)不具有生長(zhǎng)襯底。
全文摘要
說(shuō)明了一種具有半導(dǎo)體層序列(2)的發(fā)光二極管芯片(1)，該半導(dǎo)體層序列具有適合于產(chǎn)生電磁射線(10)的有源層(4)，其中該發(fā)光二極管芯片(1)在正面具有射線射出面(11)，該發(fā)光二極管芯片(1)在與射線射出面(11)相對(duì)的背面處至少局部地具有包含銀的反射鏡層(6)，其中在反射鏡層(6)上設(shè)置包含Pt的保護(hù)層(7)，以及所述保護(hù)層(7)具有這種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)僅在子區(qū)域(8)中覆蓋反射鏡層(7)。
文檔編號(hào)H01L33/40GK103069590SQ201180042434
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2011年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者K.恩格爾, M.毛特, S.拉梅爾斯貝格爾 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司