技術(shù)編號(hào)：7018210
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管芯片。本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102010036269. 7的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容由此通過引用合并于此。背景技術(shù)所謂的薄膜發(fā)光二極管芯片是公知的，其中半導(dǎo)體層序列的最初生長(zhǎng)襯底已脫離，相反該半導(dǎo)體序列在與最初生長(zhǎng)襯底相對(duì)的一側(cè)處借助焊接層與載體襯底連接。發(fā)光二極管芯片的射線射出面在這種情況下被設(shè)置在該半導(dǎo)體層序列的與載體襯底相對(duì)的表面上，也就是在最初生長(zhǎng)襯底的一側(cè)。在這種發(fā)光二極管芯片中，有利的是半導(dǎo)體層序列的朝向載體襯底的一側(cè)配備有反...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。