專利名稱：天線裝置、天線模塊及便攜終端的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及天線裝置，特別涉及使天線的特性被切換的天線裝置、具備其的天線模塊以及便攜終端。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)1、2中公開了使用單一的天線(放射元件)并通過改變饋電方法來變更天線的特性的天線裝置。專利文獻(xiàn)I的天線裝置具備通過由I個或多個開關(guān)來切換饋電的位置的變更、是否使接地、或者是使饋電還是使接地從而來變更基板中流動的電流的方向的單元。專利文獻(xiàn)I涉及表面安裝型天線。圖1是專利文獻(xiàn)2所示的表面安裝型天線的立體圖。表面安裝型天線10具備基體1，在該基體I的端面la，接地端子2與饋電端子3以分割的方式形成，在端面Ib形成有電容加載電極4。在基體I的表面，形成有兩端分別與接地端子2以及電容加載電極4連接的條帶線路狀的放射電極5，并形成有對放射電極5的匹配部5d和饋電端子3進(jìn)行連接的饋電用電極6。 先行技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:國際公開2002/039544號專利文獻(xiàn)2 日本特開平9-153734號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明所要解決的課題)然而，在專利文獻(xiàn)I的天線裝置中，是通過以開關(guān)來變更饋電位置和接地位置從而變更基板電流的方向的構(gòu)成。故而，天線構(gòu)造自身不改變，因此，基板電流的方向不會那么大地發(fā)生變化，可推測基于天線的位置而指向性的朝向也僅發(fā)生微妙地傾斜程度的變化。專利文獻(xiàn)2中，針對表面安裝型天線，對于饋電方法選擇是直接饋電還是電容饋電，因此指向性不變化。使指向性變化為任意的方向的情況下，必須安裝多個與各自相應(yīng)的天線來進(jìn)行切換，因此產(chǎn)生安裝面積擴(kuò)大、成本上升的問題。 為此，本發(fā)明的目的在于，提供具備單一的放射元件而使天線的指向方向被切換的天線裝置、以及具備其的天線模塊以及便攜終端。(用于解決課題的手段)(I)本發(fā)明的天線裝置具備放射元件，其具備直接饋電點(diǎn)、電容饋電點(diǎn)以及接地點(diǎn)；第I開關(guān)，其切換從饋電線路對所述放射元件的直接饋電點(diǎn)或所述電容饋電點(diǎn)的饋電；以及第2開關(guān)，其在所述放射元件的接地點(diǎn)與接地之間切換導(dǎo)通/非導(dǎo)通。(2)本發(fā)明的天線裝置具備放射元件，其具備作為直接饋電點(diǎn)或接地點(diǎn)的連接點(diǎn)、以及電容饋電點(diǎn)；第I開關(guān)，其切換從饋電線路對所述放射元件的直接饋電點(diǎn)或所述電容饋電點(diǎn)的饋電；以及第2開關(guān)，其在所述放射元件的所述連接點(diǎn)與接地之間切換導(dǎo)通/非導(dǎo)通。(3)本發(fā)明的天線裝置具備放射元件，其具備作為直接饋電點(diǎn)或接地點(diǎn)(直接接地點(diǎn))的第I連接點(diǎn)、以及作為電容饋電點(diǎn)的第2連接點(diǎn)；第I開關(guān)，其切換所述放射元件的所述第I連接點(diǎn)與第I饋電線路或接地的連接；以及第2開關(guān)，其切換所述放射元件的所述第2連接點(diǎn)與第2饋電線路的連接/斷開。(4)優(yōu)選地，在上述⑴ (3)記載的構(gòu)成中，第I開關(guān)或第2開關(guān)的至少一者由 PIN 二極管(p-1ntrinsic-n Diode)或 MESFET(Metal Semiconductor Field EffectTransistor)構(gòu)成。(5)優(yōu)選地，在上述(I) (4)記載的構(gòu)成中，在所述饋電線路上配置阻抗匹配電路。(6)優(yōu)選地，在上述(5)記載的構(gòu)成中，具備第3開關(guān)，其用于切換所述阻抗匹配電路對所述饋電線路的連接。(7)優(yōu)選地，在上述(6)記載的構(gòu)成中，所述第3開關(guān)由PIN 二極管或MESFET構(gòu)成。(8)優(yōu)選地，在上述(I) (7)記載的構(gòu)成中，所述放射元件是在長方體形狀的電介質(zhì)或磁性體的基體上形成有放射電極而成的。(9)優(yōu)選地，在上述(8)記載的構(gòu)成中，所述第I開關(guān)或第2開關(guān)設(shè)置于所述基體。(10)本發(fā)明的天線模塊具備上述(5) (7)的任一項(xiàng)記載的天線裝置，該天線裝置的至少所述放射元件、所述第I開關(guān)、所述第2開關(guān)、以及所述阻抗匹配電路構(gòu)成于一個基板，并且在該基板形成有向安裝對象基板安裝用的安裝用電極。(11)本發(fā)明的便攜終端具備上述(I) (9)的任一項(xiàng)記載的天線裝置或上述
(10)記載的天線模塊、以及對所述天線裝置或天線模塊饋電的饋電電路。(發(fā)明效果)根據(jù)本發(fā)明，能以單一的放射元件來切換天線的指向方向，能根據(jù)需要來優(yōu)化天線的指向性。


圖1是專利文獻(xiàn)2所示的表面安裝型天線的立體圖。圖2(A)、圖2(B)是第I實(shí)施方式所涉及的天線裝置201的主要部的立體圖。圖3(A)是天線裝置201的主要部的俯視圖，圖3(B)是其等效電路圖。圖4(A)是直接饋電動作時的回波損耗特性，圖4(B)是電容饋電動作時的回波損耗特性。圖5是表示直接饋電動作下的基板的電流分布和指向性的圖。圖6是表示電容饋電動作下 的基板的電流分布和指向性的圖。圖7(A)、圖7(B)是第2實(shí)施方式所涉及的天線裝置202的主要部的立體圖。圖8(A)是天線裝置202的主要部的俯視圖，圖8 (B)是其等效電路圖。圖9 (A)、圖9 (B)是第3實(shí)施方式所涉及的天線裝置203的主要部的立體圖。圖10(A)是天線裝置203的主要部的俯視圖，圖10(B)是其等效電路圖。
圖11㈧是第4實(shí)施方式所涉及的天線裝置204的主要部的俯視圖，圖11⑶是其等效電路圖。圖12(A)是第5實(shí)施方式所涉及的天線裝置205的主要部的俯視圖，圖12(B)是其等效電路圖。圖13是第6實(shí)施方式所涉及的天線裝置206的主要部的立體圖。圖14是天線裝置206的等效電路圖。圖15是表示第7實(shí)施方式的天線模塊301以及天線模塊301的安裝狀態(tài)的立體圖。圖16是第8實(shí)施方式的便攜終端的俯視圖。
具體實(shí)施例方式《第I實(shí)施方式》圖2(A)、圖2(B)是第I實(shí)施方式所涉及的天線裝置201的主要部的立體圖。圖2(A)與圖2(B)在視點(diǎn)上不同。天線裝置201由基板131、以及安裝于基板131的天線芯片121構(gòu)成。在長方體形狀的電介質(zhì)基體20的第I端面形成有放射電極21，在上表面形成有放射電極22，在第2端面形成有放射電極23。這些放射電極21、22、23是連續(xù)的。在電介質(zhì)基體20的第I端面形成有`電容饋電電極24。在電介質(zhì)基體20的下表面形成有與所述放射電極21、23以及電容饋電電極24相接的安裝用電極。通過上述的電介質(zhì)基體20以及形成于其外表面的各種電極，構(gòu)成了天線芯片121。在基材30的上表面，形成有接地電極31、饋電電路連接電極32、饋電線路33、34、35、以及前端電極36等。通過該基材30以及形成于基材30的上述的各種電極，構(gòu)成了基板131。在該基板131的未形成接地電極的非接地區(qū)域NGA，安裝有所述天線芯片121。放射電極21導(dǎo)通于饋電線路35，電容饋電電極24導(dǎo)通于饋電線路34。另外，放射電極23導(dǎo)通于前端電極36。在饋電線路33與饋電線路34、35之間連接(安裝)有第I開關(guān)元件41。在前端電極36與接地電極31之間連接(安裝)有第2開關(guān)元件42。在饋電線路33的給定位置，與接地電極31之間連接有匹配電路51。關(guān)于饋電電路連接電極32，盡管為了明確表示饋電線路而表現(xiàn)為浮島狀的圖案，但一般而言，構(gòu)成在基板131的饋電電路的線路(共面線)是相連的。這對于以后其他實(shí)施方式也同樣。天線芯片121相當(dāng)于本發(fā)明技術(shù)方案中的“放射元件”。放射電極21的下端是直接饋電點(diǎn)Pdf。電容饋電電極24與放射電極21的對置部分(電容形成部)是電容饋電點(diǎn)Pcf0放射電極23的下端部是接地點(diǎn)Pg。圖3 (A)是天線裝置201的主要部的俯視圖，圖3 (B)是其等效電路圖。圖3 (A)所示的第I開關(guān)元件41將饋電線路33選擇性地與饋電線路34或35的一者連接。另外，第2開關(guān)元件42切換前端電極36的接地/斷開。在圖3(B)中，放射電極RE相當(dāng)于所述放射電極21、22、23。饋電電容CF相當(dāng)于電容饋電點(diǎn)的電容。在圖3(A)、圖3(B)所示的第I開關(guān)元件41選擇饋電線路34側(cè)時，第2開關(guān)元件42被設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)。在此狀態(tài)下，放射電極RE將被電容饋電。反之，在第I開關(guān)元件41選擇饋電線路35側(cè)時，第2開關(guān)元件42被設(shè)為斷開狀態(tài)。在此狀態(tài)下，放射電極RE將被直接饋電。其中，第I開關(guān)元件41以及第2開關(guān)元件42由PIN 二極管(p-1ntrinsic-nDiode)或MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor)構(gòu)成。由于這些開關(guān)元件的形狀小，因此能使天線的占有面積省空間。另外，由于開關(guān)速度快，因此能瞬間進(jìn)行天線動作的切換。在開關(guān)不要求高速性的情況下，可以由MEMS (Micro Electro MechanicalSystems)元件來構(gòu)成。針對這些開關(guān)元件的控制信號從構(gòu)成在基板131的控制電路(未圖不)給出。這對于以后的其他實(shí)施方式也同樣。圖4(A)是直接饋電動作時的回波損耗特性，圖4(B)是電容饋電動作時的回波損耗特性。天線芯片121的放射電極的諧振頻率是1. 5GHz帶的頻率。無論在哪種饋電動作下，相同頻率下回波損耗在使用頻帶為-1OdB以下，由此可知可得到充分的回波損耗特性。圖5是表示直接饋電動作下的基板的電流分布和指向性的圖，圖6是表示電容饋電動作下的基板的電流分布和指向性的圖。圖5(A)、圖6(A)是表示基板131的接地電極31中流動的電流的強(qiáng)度分布(基板電流的密度分布)的圖，在電流密度越高之處，以越高濃度來進(jìn)行表現(xiàn)。基板配置于x_y面，天線芯片121相對于基板的安裝位置朝著X軸方向。在本例中，在基板131的長邊的大致中央位置安裝有天線芯片121。圖5 (B)、圖6 (B)是基板的χ-y面(基板的面方向)上的指向性，圖5 (C)、圖6 (C)是基板的y-z面(相對于基板垂直的面)上的指向性。均是在放射效率越高之處，越以高濃度來表現(xiàn)。 若對比圖5(A)與圖6㈧可以明確，在直接饋電動作和電容饋電動作下，基板電流的電流密度不同。無論在直接饋電動作下還是電容饋電導(dǎo)體，安裝有天線芯片121的基板131的邊SF的電流密度均高，但在直接饋電動作下，與安裝有天線芯片121的邊SF正交的邊SC的電流密度也有高的趨勢。在電容饋電動作下，電流在沿天線芯片121的安裝位置的基板131的邊SF較寬地分布。天線的指向性朝向基板電流密度高的邊的方向是周知的。因此，在直接饋電動下指向X方向，在電容饋電動作下指向y方向。這也可以從圖5(B)、圖5(C)、圖6(B)、圖6(C)的指向性圖而明確。即，在直接饋電動作下，如圖5(B)、圖5(C)所示，放射電場強(qiáng)度高的方向幾乎朝著y軸方向。另外，在電容饋電動作下，如圖6(B)、圖6(C)所示，放射電場強(qiáng)度高的方向幾乎朝著X軸方向。直接饋電動作與電容饋電動作的切換是通過所述第I開關(guān)元件41與第2開關(guān)元件42的切換來進(jìn)行的，因此通過該第I開關(guān)元件41與第2開關(guān)元件42的切換，能切換天線裝置201的指向性。《第2實(shí)施方式》圖7(A)、圖7(B)是第2實(shí)施方式所涉及的天線裝置202的主要部的立體圖。在圖7(A)和圖7(B)中視點(diǎn)不同。天線裝置202由基板132和安裝于基板132的天線芯片122構(gòu)成。在長方體形狀的電介質(zhì)基體20的第I端面形成有放射電極21，在上表面形成有放射電極22，在第2端面形成有放射電極23。這些放射電極21、22、23是連續(xù)的。在電介質(zhì)基體20的第I端面形成有電容饋電電極24。在電介質(zhì)基體20的下表面形成有與放射電極23以及電容饋電電極24相接的安裝用電極。通過上述的電介質(zhì)基體20以及形成于其外表面的各種電極，構(gòu)成了天線芯片122。在基材30的上表面，形成有接地電極31、饋電電路連接電極32、饋電線路33、34、35、以及前端電極36等。通過該基材30以及形成于基材30的上述的各種電極，構(gòu)成了基板132。在該基板132的未形成接地電極的非接地區(qū)域NGA安裝有所述天線芯片122。放射電極23導(dǎo)通于饋電線路35，電容饋電電極24導(dǎo)通于饋電線路34。另外，放射電極23導(dǎo)通于前端電極36。在饋電線路33與饋電線路34、35之間連接(安裝)有第I開關(guān)元件41。在前端電極36與接地電極31之間連接(安裝)有第2開關(guān)元件42。在饋電線路33的給定位置，與接地電極31之間連接有匹配電路51。天線芯片122相當(dāng)于本發(fā)明的技術(shù)方案記載的“放射元件”。電容饋電電極24與放射電極21的對置部分(電容形成部)是電容饋電點(diǎn)Pcf。放射電極23的下端部是作為直接饋電點(diǎn)或接地點(diǎn)的連接點(diǎn)Pdg。圖8 (A)是天線裝置202的主要部的俯視圖，圖8⑶是其等效電路圖。圖8 (A)所示的第I開關(guān)元件41將饋電線路33與饋電線路34或35的一者選擇性地連接。另外，第2開關(guān)元件42對前端電極36的接地/斷開進(jìn)行切換。在圖8(B)中，放射電極RE相當(dāng)于所述放射電極21、22、23。饋電電容CF相當(dāng)于電容饋電點(diǎn)的電容。在圖8 (A)、圖8 (B)所示的第I開關(guān)元件41選擇饋電線路34側(cè)時，第2開關(guān)元件42被設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)。在此狀態(tài)下，放射電極RE將被電容饋電。反之，在第I開關(guān)元件41選擇饋電線路35側(cè)時，第2開關(guān)元件42被設(shè)為斷開狀態(tài)。在此狀態(tài)下，放射電極RE將被直接饋電。
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如第I實(shí)施方式所示，由于通過第I開關(guān)元件41與第2開關(guān)元件42的切換來切換直接饋電動作與電容饋電動作，因此通過該第I開關(guān)元件41與第2開關(guān)元件42的切換，能切換天線裝置202的指向性?！兜?實(shí)施方式》圖9(A)、圖9(B)是第3實(shí)施方式所涉及的天線裝置203的主要部的立體圖。在圖9(A)和圖9(B)中視點(diǎn)不同。天線裝置203由基板133和安裝于基板133的天線芯片123構(gòu)成。在長方體形狀的電介質(zhì)基體20的第I端面形成有放射電極21，在上表面形成有放射電極22，在第2端面形成有放射電極23。這些放射電極21、22、23是連續(xù)的。在電介質(zhì)基體20的第I端面形成有電容饋電電極24。在電介質(zhì)基體20的下表面形成有與放射電極23以及電容饋電電極24相接的安裝用電極。通過上述的電介質(zhì)基體20以及形成于其外表面的各種電極，構(gòu)成了天線芯片123。在基材30的上表面，形成有接地電極31、饋電電路連接電極32A、32B、饋電線路33八、338、前端電極36八、368等。通過該基材30以及形成于基材30的上述的各種電極，構(gòu)成了基板133。在該基板133的未形成接地電極的非接地區(qū)域NGA安裝有所述天線芯片123。放射電極23導(dǎo)通于前端電極36A，電容饋電電極24導(dǎo)通于前端電極36B。在前端電極36A、饋電線路33A以及接地電極31連接(安裝)有第I開關(guān)元件41。在饋電線路33B與前端電極36B之間連接(安裝)有第2開關(guān)元件42。在饋電線路33A、33B的給定位置，與接地電極31之間分別連接有匹配電路51A、51B。天線芯片123相當(dāng)于本發(fā)明的技術(shù)方案中記載的“放射元件”。電容饋電電極24與放射電極21的對置部分(電容形成部)是電容饋電點(diǎn)Pcf。放射電極23的下端部是作為直接饋電點(diǎn)或接地點(diǎn)的連接點(diǎn)Pdg。圖10⑷是天線裝置203的主要部的俯視圖，圖10⑶是其等效電路圖。圖10(A)所示的第I開關(guān)元件41將前端電極36A選擇性地與饋電線路33A或接地電極的一者連接。另外，第2開關(guān)元件42切換是將前端電極36B與饋電線路33B連接還是斷開。在圖10(B)中，放射電極RE相當(dāng)于所述放射電極21、22、23。饋電電容CF相當(dāng)于電容饋電點(diǎn)的電容。在圖10 (A)、圖10⑶所示的第I開關(guān)元件41選擇饋電線路33A側(cè)時，第2開關(guān)元件42被設(shè)為斷開狀態(tài)。在此狀態(tài)下，放射電極RE將被直接饋電。反之，在第I開關(guān)元件41選擇接地電極側(cè)時，第2開關(guān)元件42選擇饋電線路33B側(cè)。在此狀態(tài)下，放射電極RE將被電容饋電。如第I實(shí)施方式所示，由于通過第I開關(guān)元件41與第2開關(guān)元件42的切換來切換直接饋電動作與電容饋電動作 ，因此通過該第I開關(guān)元件41與第2開關(guān)元件42的切換，能切換天線裝置201的指向性。另外，由于通過第I開關(guān)元件41與第2開關(guān)元件42的切換來切換來自2個饋電電路的饋電，因此對于直接饋電動作和電容饋電動作，能進(jìn)行各自的饋電電路的饋電?！兜?實(shí)施方式》圖11 (A)是第4實(shí)施方式所涉及的天線裝置204的主要部的俯視圖，圖11⑶是其等效電路圖。天線裝置204由基板134、以及安裝于基板134的天線芯片121構(gòu)成。該天線芯片121與第I實(shí)施方式所示的天線芯片相同。在設(shè)于基板134的饋電線路33的給定位置，與接地電極31之間連接有切換匹配電路52。如圖11⑶所示，切換匹配電路52具備多個(該例中為兩個)匹配電路元件52a、52b以及第3開關(guān)元件43。通過該第3開關(guān)元件43的切換，匹配電路元件52a、52b的一者被連接于饋電線路33與接地之間。這些匹配電路元件52a、52b根據(jù)針對放射電極RE的直接饋電和電容饋電而被選擇。即，與第I開關(guān)元件41以及第2開關(guān)元件42的切換聯(lián)動地切換第3開關(guān)元件43?！兜?實(shí)施方式》圖12(A)是第5實(shí)施方式所涉及的天線裝置205的主要部的俯視圖，圖12(B)是其等效電路圖。天線裝置205由基板135、以及安裝于基板135的天線芯片122構(gòu)成。該天線芯片122與第2實(shí)施方式中所示的天線芯片相同。在設(shè)于基板135的饋電線路33的給定位置，與接地電極31之間連接有切換匹配電路52。如圖12(B)所示，切換匹配電路52具備匹配電路元件52a、52b以及第3開關(guān)元件43。與第4實(shí)施方式同樣，通過第3開關(guān)元件43的切換，匹配電路元件52a、52b的一者被連接于饋電線路33與接地之間。這些匹配電路元件52a、52b根據(jù)針對放射電極RE的直接饋電和電容饋電而被選擇。即，與第I開關(guān)元件41以及第2開關(guān)元件42的切換聯(lián)動地切換第3開關(guān)元件43?！兜?實(shí)施方式》
圖13是第6實(shí)施方式所涉及的天線裝置206的主要部的立體圖。天線裝置206由基板136、以及安裝于基板136的天線芯片126構(gòu)成。在長方體形狀的電介質(zhì)基體20的第I端面形成有放射電極21，在上表面形成有放射電極22，在第2端面形成有放射電極23(圖13中隱藏于后面)。這些放射電極21、22、23是連續(xù)的。在電介質(zhì)基體20的第I端面形成有電容饋電電極24，進(jìn)而在電容饋電電極24與放射電極21之間設(shè)有第I開關(guān)元件41。在電介質(zhì)基體20的第2端面形成有與基板的接地電極31相接的電極，進(jìn)而在該電極與放射電極23之間設(shè)有第2開關(guān)元件。此外，在圖13中，對開關(guān)元件41部分表示了開關(guān)記號。圖14是所述天線裝置206的等效電路圖。在圖14中，放射電極RE相當(dāng)于所述放射電極21、22、23。饋電電容CF相當(dāng)于電容饋電點(diǎn)的電容。第I開關(guān)元件41對饋電電容CF的兩端的導(dǎo)通/斷開進(jìn)行切換。另外，第2開關(guān)元件42對放射電極23的前端的接地/斷開進(jìn)行切換。在圖13、圖14所示的第I開關(guān)元件41導(dǎo)通時，第2開關(guān)元件42被設(shè)為斷開狀態(tài)。在此狀態(tài)下，放射電極RE將被直接饋電。反之，在第I開關(guān)元件41被斷開時，第2開關(guān)元件42被設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)。在此狀態(tài)下，放射電極RE被電容饋電。由于所述第I開關(guān)元件41和第2開關(guān)元件42設(shè)置在天線芯片126，因此能削減安裝到基板136的安裝部件件數(shù)，整體上被簡化。另外，能削減天線相對于基板的占有空間。《第7實(shí)施方式》圖15是表示第7實(shí)施方式的天線模塊301以及天線模塊301的安裝狀態(tài)的立體圖。該天線模塊301是在模塊基板137構(gòu)成有第I實(shí)施方式所示的天線裝置而成。在模塊基板137的下表面形成有向安裝對象基板141安裝用的安裝用電極。通過將天線模塊301安裝于基板141來構(gòu)成天線裝置。如此通過對天線裝置進(jìn)行模塊化來成為一部件，從而天線的特性確認(rèn)變得容易?！兜?實(shí)施方式》圖16是第8實(shí)施方式的便攜終端的俯視圖。便攜終端411在框體401的前表面設(shè)置有液晶顯示面板IXD。在框體401的內(nèi)部具備基板131，在該基板131安裝有天線芯片121。由該基板131和天線芯片121構(gòu)成了第I實(shí)施方式所示的天線裝置。在基板131，構(gòu)成有包含針對天線裝置的饋電電路在內(nèi)的通信電路。《其他實(shí)施方式》盡管在以上所示的各實(shí)施方式中，是在電介質(zhì)基體20形成各種電極來構(gòu)成了天線芯片，但也可以通過在磁性體基體形成各種電極來構(gòu)成天線芯片。無論在哪種情況下均能基于波長縮短效果來將電極長度設(shè)計(jì)得較短，因此能使天線小型化。符號說明CF...饋電電容NGA...非接地區(qū)域Pcf...電容饋電點(diǎn)

Pdf...直接饋電點(diǎn)Pdg···連接點(diǎn)
Pg...接地點(diǎn)RE….放射電極20···電介質(zhì)基體21、22、23...放射電極24...電容饋電電極30...基材31...接地電極32...饋電電路連接電極32A、32B...饋電電路連接電極33、34、35...饋電線路33A、33B...饋電線路36...前端電極36A、36B...前端電極

41...第I開關(guān)元件42...第2開關(guān)元件43···第3開關(guān)元件51...匹配電路51A、51B...匹配電路52...切換匹配電路52a,52b...匹配電路元件121 123U26. · ·天線芯片131 136···基板137...模塊基板141...基板201 206...天線裝置301...天線模塊401…框體411...便攜終端
權(quán)利要求
1.一種天線裝置，其特征在于，具備 放射元件，其具備直接饋電點(diǎn)、電容饋電點(diǎn)以及接地點(diǎn)； 第I開關(guān)，其切換從饋電線路對所述放射元件的直接饋電點(diǎn)或所述電容饋電點(diǎn)的饋電；以及 第2開關(guān)，其在所述放射元件的接地點(diǎn)與接地之間切換導(dǎo)通/非導(dǎo)通。
2.一種天線裝置，其特征在于，具備 放射元件，其具備作為直接饋電點(diǎn)或接地點(diǎn)的連接點(diǎn)、以及電容饋電點(diǎn)； 第I開關(guān)，其切換從饋電線路對所述放射元件的直接饋電點(diǎn)或所述電容饋電點(diǎn)的饋電；以及 第2開關(guān)，其在所述放射元件的所述連接點(diǎn)與接地之間切換導(dǎo)通/非導(dǎo)通。
3.一種天線裝置，其特征在于，具備 放射元件，其具備作為直接饋電點(diǎn)或接地點(diǎn)的第I連接點(diǎn)、以及作為電容饋電點(diǎn)的第2連接點(diǎn)； 第I開關(guān)，其切換所述放射元件的所述第I連接點(diǎn)與第I饋電線路或接地的連接；以及 第2開關(guān)，其切換所述放射元件的所述第2連接點(diǎn)與第2饋電線路的連接/斷開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的天線裝置，其特征在于， 所述第I開關(guān)或第2開關(guān)的至少一者由PIN 二極管或MESFET構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的天線裝置，其特征在于， 在所述饋電線路上配置有阻抗匹配電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線裝置，其特征在于， 所述天線裝置具備第3開關(guān)，其切換所述阻抗匹配電路相對于所述饋電線路的連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線裝置，其特征在于， 所述第3開關(guān)由PIN 二極管或MESFET構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7的任一項(xiàng)所述的天線裝置，其特征在于， 所述放射元件是在長方體形狀的電介質(zhì)或磁性體的基體上形成有放射電極而成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線裝置，其特征在于， 在所述基體設(shè)有所述第I開關(guān)或第2開關(guān)。
10.一種天線模塊，具備權(quán)利要求5 7的任一項(xiàng)所述的天線裝置，該天線裝置的至少所述放射元件、所述第I開關(guān)、所述第2開關(guān)、以及所述阻抗匹配電路構(gòu)成于一個基板，并且向安裝對象基板安裝用的安裝用電極形成于所述基板。
11.一種便攜終端，具備權(quán)利要求1 9的任一項(xiàng)所述的天線裝置或權(quán)利要求10所述的天線模塊、以及對所述天線裝置或天線模塊饋電的饋電電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種天線裝置、天線模塊及便攜終端。在天線芯片(121)的電介質(zhì)基體(20)分別形成有放射電極(21、22、23)。在電介質(zhì)基體(20)的第1端面形成有電容饋電電極(24)。在基板(131)的基材(30)的上表面形成有接地電極(31)、饋電電路連接電極(32)、饋電線路(33、34、35)、以及前端電極(36)等。在第1開關(guān)元件(41)選擇饋電線路(34)側(cè)時，第2開關(guān)元件(42)被設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)。在此狀態(tài)下，對放射電極(21、22、23)進(jìn)行電容饋電。在第1開關(guān)元件(41)選擇饋電線路(35)側(cè)時，第2開關(guān)元件(42)被設(shè)為斷開狀態(tài)。在此狀態(tài)下，對放射電極(21、22、23)進(jìn)行直接饋電。如此，具備單一的放射元件而能切換天線的指向方向。
文檔編號H01Q3/24GK103069646SQ20118003991
公開日2013年4月24日 申請日期2011年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者小村良 申請人:株式會社村田制作所