專利名稱：具有表面改性的硅酸鹽發(fā)光體的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及具有基于摻雜的堿土金屬硅酸鹽化合物的無(wú)機(jī)發(fā)光體的發(fā)光裝置，所述摻雜的堿土金屬硅酸鹽化合物能夠?qū)⒏吣芤淮屋椛?即，例如紫外(UV)輻射或者藍(lán)光)轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光譜區(qū)內(nèi)的較長(zhǎng)波長(zhǎng)的二次輻射，所述無(wú)機(jī)發(fā)光體能夠用作在諸如彩色光發(fā)射或者白光發(fā)射發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光裝置中的輻射轉(zhuǎn)換器。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還涉及具有硅酸鹽無(wú)機(jī)發(fā)光體的發(fā)光裝置，所述硅酸鹽無(wú)機(jī)發(fā)光體可以具有增加的操作壽命并且對(duì)于空氣濕度和其它環(huán)境因素具有改善的穩(wěn)定性。
背景技術(shù)：
發(fā)光體可以用在諸如發(fā)射彩色光或白光的LED的光源中。在LED中，可以與其它發(fā)光體結(jié)合使用的發(fā)光體被用來(lái)將從LED發(fā)射的紫外或藍(lán)色一次輻射轉(zhuǎn)換成較長(zhǎng)波長(zhǎng)的二次輻射，特別是轉(zhuǎn)換成白光。一段時(shí)間以來(lái)已知的是包括銪摻雜的堿土金屬正硅酸鹽、對(duì)應(yīng)的氧正硅酸鹽和Ba(Sr)3MgSi2O8 = Eu形式的二娃酸鹽的堿土金屬娃酸鹽發(fā)光體。Hollemann-Wiberg在Inorganic Chemistry,第 102 期 “Lehrbuch der Anorganischen Chemie，，(Walter deGruyter&C0.,柏林,2007) —文中報(bào)道了堿土金屬娃酸鹽化合物的分類概述。已經(jīng)在各種專利和出版物中具體地描述了堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體的制備和基本的發(fā)光性質(zhì)，例如:對(duì)Tews等人授權(quán)的第6489716號(hào)美國(guó)專利；由Ouwerkerk等人提出的第0550937號(hào)歐洲申請(qǐng)公開(kāi)；由Hase等人提出的第0877070號(hào)歐洲申請(qǐng)公開(kāi)；由W.M.Yen等人編著，CRC出版社出版的“Phosphor Handbook”第二版(2007)。這些出版物指出這樣的發(fā)光體具有高能福射到可見(jiàn)光的轉(zhuǎn)換的高的量子產(chǎn)率和輻射產(chǎn)率，由于這些性質(zhì)，這類發(fā)光體的許多代表可以被用在用于照明、發(fā)光和顯示技術(shù)的產(chǎn)品中。然而，基于堿土金屬硅酸鹽的發(fā)光體還具有各種不利的性質(zhì)。一些缺點(diǎn)包括比較低的輻射穩(wěn)定性以及發(fā)光體對(duì)水、空氣濕度和其它環(huán)境因素的高敏感度。敏感度依賴于發(fā)光體的具體組成、結(jié)構(gòu)條件以及發(fā)光體的激活劑離子的性質(zhì)。對(duì)于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)光體的一些目前的應(yīng)用，這些性質(zhì)可能是有問(wèn)題的。考慮到高壽命需求，可以將其應(yīng)用于LED應(yīng)用。一種已知的解決方案是使用合適的技術(shù)和材料來(lái)生成(在粉狀無(wú)機(jī)發(fā)光體的表面上)用于減小水蒸氣影響的阻擋層(barrier layer)。這些工藝可以包括用有機(jī)聚合物包封、用諸如SiO2或Al2O3的納米級(jí)氧化物包覆或者這些氧化物的化學(xué)氣相沉積(CVD)。然而，關(guān)于硅酸鹽發(fā)光體，可實(shí)現(xiàn)的保護(hù)可能不足以將對(duì)應(yīng)的LED燈的壽命提高到期望的程度。此外，在包覆的發(fā)光體的情況下，可能必須接受亮度的減小、顏色位置的移動(dòng)以及其它的質(zhì)量損失。通過(guò)氣相工藝用于發(fā)光體顆粒的微包封的工藝可能并不方便且昂貴。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供使用硅酸鹽發(fā)光體的發(fā)光裝置，所述硅酸鹽發(fā)光體可以提供濕氣穩(wěn)定性、對(duì)輻射和其它環(huán)境因素的穩(wěn)定性以及改善的工作壽命。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供使用發(fā)光體的發(fā)光裝置，所述發(fā)光體已經(jīng)用氟化的無(wú)機(jī)或有機(jī)試劑進(jìn)行了表面處理。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供精細(xì)分散的氟化物或氟化合物在發(fā)光體表面上的可檢測(cè)到的固定，或者能夠使發(fā)光體表面疏水并可消除表面缺陷的這些化合物的表面網(wǎng)絡(luò)的形成。本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并且部分地通過(guò)描述將是明顯的，或可以通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而獲知。技術(shù)方案本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括:第一發(fā)光二極管；以及表面改性的發(fā)光體，被構(gòu)造為吸收從第一發(fā)光二極管發(fā)射的光，并且被構(gòu)造成發(fā)射具有與吸收光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光，其中，表面改性的發(fā)光體包括娃酸鹽發(fā)光體和布置在硅酸鹽發(fā)光體上的氟化包覆層。應(yīng)當(dāng)理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和說(shuō)明性的，并且意圖對(duì)所保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并且部分地根據(jù)描述將是清楚的，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而明了。


包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖包括在本說(shuō)明書中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的各個(gè)方面。 圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置100的剖視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置200的剖視圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置300的剖視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置400的剖視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置500的剖視圖。圖6a是參考材料Sr2.JaatllCaaCl5Euatl4SiO5、商業(yè)的Sr3SiO5 = Eu發(fā)光體以及根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的氧正硅酸鹽發(fā)光體F-103、F-202、F-202T、F-320和F-TS-600的發(fā)射光譜。圖6b是參考材料Sra 876Bahtl24EuaiSiO4以及根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的兩種堿土金屬正硅酸鹽發(fā)光體F-401和F-401TS的發(fā)射光譜。圖7a是未氟化和氟化的堿土金屬氧正硅酸鹽發(fā)光體的電子顯微照片，左邊示出的是發(fā)光體Si^9BaatllCaatl5SiO的未經(jīng)處理的顆粒，右邊示出的是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光體F-202氟化顆粒。圖7b是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光體F-202的表面的放大后的電子顯微照片。圖8是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的基體晶格組成Sra 876Bahtl24SiO4 = Euai的未包覆的、氟化的和SiO2包覆的堿土金屬正硅酸鹽發(fā)光體的電子顯微照片，左邊示出的是未包覆的起始材料，中間示出的是氟化的發(fā)光體表面，右邊示出的是用SiO2另外包覆的發(fā)光體樣
品O圖9是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的具有明顯的氟化表面結(jié)構(gòu)的發(fā)光體F-103的能量色散型X射線(EDX)光譜圖像。圖10是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光體F-103的X射線光電子譜(XPS)。圖11是示出用于不同發(fā)光體樣品的典型氟XPS峰的圖。曲線I涉及根據(jù)工作示例Al的組成為SiY9BaacilCaaci5Euatl4SiO5的發(fā)光體與一定量的NH4F的機(jī)械混合物，曲線2涉及根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的氟化的發(fā)光體F-103的氟Is峰。
具體實(shí)施例方式在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)該解釋為局限于在這里所提出的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開(kāi)是徹底的，并且這些示例性實(shí)施例將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。圖中相同的標(biāo)號(hào)表不相同的兀件。將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀被颉斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、直接連接到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀被颉爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。將理解的是，為了本公開(kāi)的目的，“x、Y和Z中的至少一個(gè)(種)”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Z或者的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)Χ、Υ和Z的任意組合 Η^ι^Π，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、ΖΖ)。根據(jù)本公開(kāi)的不例性實(shí)施例，發(fā)光裝置包括發(fā)光二極管和表面改性的發(fā)光體，發(fā)光二極管發(fā)射UV或者可見(jiàn)范圍內(nèi)的光，表面改性的發(fā)光體設(shè)置在發(fā)光二極管周圍，以吸收從發(fā)光二極管發(fā)射的光的至少一部分并且發(fā)射具有與吸收光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。在用高能UV輻射、藍(lán)光、電子束、X射線或者伽馬射線激發(fā)時(shí)，并且根據(jù)發(fā)光體特定的化學(xué)組成和激活劑的性質(zhì)，與先前技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光體可以以高輻射產(chǎn)率和對(duì)Η2ο、空氣濕度以及其它環(huán)境因素的顯著提高的穩(wěn)定性發(fā)射可見(jiàn)光和紅外輻射。由于這個(gè)原因，上述發(fā)光體可以被用在長(zhǎng)壽命工業(yè)產(chǎn)品中，例如，用在陰極射線管和其它圖像生成系統(tǒng)(掃描激光束系統(tǒng))、χ射線圖像轉(zhuǎn)換器、高性能光源、用于室內(nèi)和室外照明的所有顏色的LED、LCD顯示器的背光、太陽(yáng)能電池、溫室膜和玻璃中作為輻射轉(zhuǎn)換體。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的包括表面改性的硅酸鹽發(fā)光體在內(nèi)的發(fā)光體的特征可以在于:其表面具有用于生成疏水表面位點(diǎn)的氟化的無(wú)機(jī)或有機(jī)試劑的包覆層，或者其表面具有所述氟化的包覆層與一個(gè)或多個(gè)濕氣阻擋層的組合包覆層。可以使用諸如MgO、Al203、Ln2O3 (其中，Ln = Y、La、Gd或者Lu)和SiO2中的至少一種氧化物的層形成材料或者對(duì)應(yīng)的前驅(qū)體以及溶膠-凝膠技術(shù)形成濕氣阻擋層。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的包括表面改性的硅酸鹽發(fā)光體在內(nèi)的發(fā)光體可以包括粉狀的堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體。表面改性的硅酸鹽發(fā)光體可以具有通式:(Me1+Me2+Me3+) x.(Si，Al，B，P，V，N，C，Ge) y.(O, N) z: (A, F，S)
其中，A是從鑭系元素或錳的組選擇的激活劑；F是表面固定的并且可選擇地交聯(lián)的氟或氟化合物；s表示使用未氟化的層形材料的可選擇的附加包覆層。Me1+是一價(jià)金屬，Me2+是二價(jià)金屬，Me3+是從元素周期表的第III族或者從鑭系元素選擇的三價(jià)金屬。一些硅可以被P、Al、B、V、N、Ge或者C取代。系數(shù)x、y和z可以具有下面的范圍:0 < x < 5、0< y < 12 和 O < z < 24。根據(jù)可以使發(fā)光性質(zhì)和穩(wěn)定性性能優(yōu)化的本發(fā)明的示例性實(shí)施例，表面改性的硅酸鹽發(fā)光體中的一些堿土金屬離子可以被其它二價(jià)離子(例如，Mg、Zn)或者為了平衡電荷而實(shí)施的適當(dāng)?shù)拇胧┑膩?lái)自堿金屬的組或稀土的組的一價(jià)或三價(jià)陽(yáng)離子取代。另外，P、B、V、N、Ge或者C能夠取代一些硅而進(jìn)入表面改性的硅酸鹽發(fā)光體的陰離子亞晶格中。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以利用Si (OR)3X形式的氟官能化的有機(jī)硅烷使堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體氟化，其中，R = CH3、C2H5、...,X = F-官能化的有機(jī)配體，受控的水解和縮合可以實(shí)現(xiàn)氟化的阻擋層在硅酸鹽發(fā)光體基質(zhì)上的形成，該氟化的阻擋層可以是阻擋件并且還可以具有疏水性質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的表面改性的硅酸鹽發(fā)光體可以用下面的通式表示:Sr3_x_y_zCaxBaySi05:Euz, F, S。其中，O彡X彡2，0彡y彡2和0<z<0.5。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的表面改性的硅酸鹽發(fā)光體還可以用下面的式子表示:Sr3_x_y_zCaxBaySi05:Euz, F, S。其中，O彡 X 彡 0.05，0 彡 y 彡 0.5 和 O < z < 0.25。通過(guò)從發(fā)光體和發(fā)光二極管發(fā)射的光的組合，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置可以發(fā)射白光或者期望顏色的光。此外，可以將其它發(fā)光體可以添加到發(fā)光裝置，以發(fā)射另一種期望顏色的光。發(fā)光體可以設(shè)置在發(fā)光二極管的側(cè)面、上面和下面中的至少一面上。另外，發(fā)光體可以與可設(shè)置在發(fā)光二極管上的粘合劑或成型材料混合?？梢栽趩蝹€(gè)封裝件中組合發(fā)光二極管和發(fā)光體。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，發(fā)光裝置還可以在封裝件中包括另一個(gè)發(fā)光二極管。另一個(gè)發(fā)光二極管可以發(fā)射具有與從發(fā)光二極管發(fā)射的光的波長(zhǎng)相同或不同的波長(zhǎng)的光。例如，另一個(gè)發(fā)光二極管可以發(fā)射具有比發(fā)光體的發(fā)射峰波長(zhǎng)長(zhǎng)的波長(zhǎng)的光。封裝件可以包括諸如印刷電路板或引線框架的基底，發(fā)光二極管安裝在該基底上。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，封裝件還可以包括反射從發(fā)光二極管發(fā)射的光的反射件。在本示例性實(shí)施例中，發(fā)光二極管安裝在反射件內(nèi)。發(fā)光裝置還可以包括包封基底上的發(fā)光二極管的成型構(gòu)件。發(fā)光體可以分散在成型構(gòu)件內(nèi)，但是不限于此。封裝件還可以包括散熱器，并且發(fā)光二極管可以安裝在散熱器上。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管可以由(Al，Ga，In)N基化合物半導(dǎo)體形成。發(fā)光二極管可以具有例如雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)，其中，單個(gè)有源區(qū)布置在η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層之間。發(fā)光二極管還可以包括彼此分離并且設(shè)置在單個(gè)基底上的多個(gè)發(fā)光單元。每個(gè)發(fā)光單元可以具有有源區(qū)。發(fā)光單元可以通過(guò)布線彼此串聯(lián)和/或并聯(lián)地電連接。利用這些發(fā)光單元，能夠提供可以由AC電源直接驅(qū)動(dòng)的交流(AC)發(fā)光二極管。通過(guò)在單個(gè)基底上形成橋式整流器以及連接至橋式整流器的發(fā)光單元的串聯(lián)陣列，或者通過(guò)在單個(gè)基底上形成彼此反并聯(lián)連接的發(fā)光單元的串聯(lián)陣列，可以驅(qū)動(dòng)這樣的AC發(fā)光二極管而無(wú)需附加的AC/DC轉(zhuǎn)換器。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置100的剖視圖。發(fā)光裝置100可以被稱為芯片型封裝件。參照?qǐng)D1，電極5可以形成在基底I的兩側(cè)，發(fā)射一次光的發(fā)光二極管6可以安裝在電極5的位于基底I 一側(cè)的一個(gè)電極5上。發(fā)光二極管6可以通過(guò)諸如Ag環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)電粘合劑9安裝在該電極5上，并且可以通過(guò)導(dǎo)電線2電連接至另一電極5。發(fā)光二極管6發(fā)射紫外范圍或可見(jiàn)范圍內(nèi)的光，并且可以由氮化鎵基化合物半導(dǎo)體形成。發(fā)光二極管6可以發(fā)射UV或者藍(lán)光。發(fā)光體3可以呈點(diǎn)狀地在發(fā)光二極管6的上表面和側(cè)表面上。成型構(gòu)件10 (例如，熱固性樹(shù)脂)包封發(fā)光二極管6。發(fā)光體3呈點(diǎn)狀地在發(fā)光二極管6的周圍，但不限于任何特定的構(gòu)造。例如，發(fā)光體3可以均勻分布在成型構(gòu)件10內(nèi)。發(fā)光體3吸收從發(fā)光二極管6發(fā)射的光的至少一部分并且發(fā)射具有與吸收的光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。發(fā)光二極管6通過(guò)電極5電連接至外部電源，因此，可以發(fā)射一次光。發(fā)光體3吸收一次光的至少一部分并且發(fā)射波長(zhǎng)比一次光的波長(zhǎng)長(zhǎng)的二次光。從而，一次光與二次光混合而形成從發(fā)光裝置100發(fā)射的混合光。可以以這種方式實(shí)現(xiàn)期望顏色的光，例如，白光。發(fā)光裝置100可以包括一個(gè)或多個(gè)附加的發(fā)光二極管。這些發(fā)光二極管可以發(fā)射具有相同的發(fā)射峰或者不同的發(fā)射峰的光。例如，發(fā)光裝置100可以包括每個(gè)都可以發(fā)射紫外光或藍(lán)光的相同類型或者不同類型的發(fā)光二極管。此外，發(fā)光裝置100可以包括能夠發(fā)射波長(zhǎng)比發(fā)光體的發(fā)射峰波長(zhǎng)長(zhǎng)的光的發(fā)光二極管。可以采用這種較長(zhǎng)波長(zhǎng)的發(fā)光二極管可以來(lái)改善發(fā)光裝置100的顯色指數(shù)。此外，除了發(fā)光體3，發(fā)光裝置100還可以包括其它發(fā)光體。其它發(fā)光體的不例包括但不限于正娃酸鹽發(fā)光體、乾招石槽石(YAG)基發(fā)光體和硫代鎵發(fā)光體。因此，可以通過(guò)適當(dāng)?shù)倪x擇發(fā)光二極管6和發(fā)光體來(lái)實(shí)現(xiàn)期望顏色的光。圖2是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置200的剖視圖。發(fā)光裝置200可以被稱為頂視型封裝件。參照?qǐng)D2，發(fā)光裝置200具有與發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)并且還包括基底I上的反射件21。發(fā)光二極管6安裝在反射件21中。反射件21反射從發(fā)光二極管6發(fā)射的光，以提高特定視角內(nèi)的亮度。發(fā)光體3設(shè)置在發(fā)光二極管6的周圍，吸收從發(fā)光二極管6發(fā)射的光的至少一部分，并且發(fā)射波長(zhǎng)與吸收的光的波長(zhǎng)不同的光。發(fā)光體3可以呈點(diǎn)狀地在發(fā)光二極管6上或者可以均勻地分布在熱固性樹(shù)脂成型構(gòu)件10中。發(fā)光裝置200還可以包括一個(gè)或多個(gè)附加的發(fā)光二極管，這些發(fā)光二極管發(fā)射彼此具有相同發(fā)射峰或者不同發(fā)射峰的光，并且還可以包括除了發(fā)光體3外的其它發(fā)光體。發(fā)光裝置100、200可以包括由金屬材料形成的顯示優(yōu)良熱導(dǎo)性的基底1，例如金屬印刷電路板(PCB)。這樣的基底可以很容易地散發(fā)來(lái)自發(fā)光二極管6的熱。另外，包括引線端子的引線框架可以被用做基底I。可以由包封發(fā)光二極管6的成型構(gòu)件10圍繞和支持這樣的引線框架。在發(fā)光裝置200中，反射件21可以由與基底I不同的材料形成，但是不限于此。例如，反射件21可以由與基底I相同類型的材料形成。可以通過(guò)諸如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)的注入成型塑料將具有引線端子的引線框架與基底I和反射件21 —體地形成。然后，引線端子可以被彎曲以形成電極5。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置300的剖視圖。發(fā)光裝置300可以被稱為發(fā)光二極管燈。參照?qǐng)D3，發(fā)光裝置300包括一對(duì)引線電極31、32和在一個(gè)引線電極31的上端的具有杯子形狀的杯狀部分33。至少一個(gè)發(fā)光二極管6可以通過(guò)導(dǎo)電粘合劑9安裝在杯狀部分33中并且通過(guò)導(dǎo)線2電連接至另一個(gè)引線電極32。當(dāng)多個(gè)發(fā)光二極管安裝在杯狀部分33中時(shí)，發(fā)光二極管可以發(fā)射彼此具有相同波長(zhǎng)或不同波長(zhǎng)的光。發(fā)光體3設(shè)置在發(fā)光二極管6的周圍。發(fā)光體3吸收從發(fā)光二極管6發(fā)射的光的至少一部分并且發(fā)射波長(zhǎng)與吸收光的波長(zhǎng)不同的光。發(fā)光體3可以呈點(diǎn)狀地在杯狀部分33中的發(fā)光二極管6上，或者可以均勻分布于形成在杯狀部分33中的熱固性樹(shù)脂成型構(gòu)件34內(nèi)。成型構(gòu)件10包封發(fā)光二極管6、發(fā)光體以及引線電極31、32的一部分。成型構(gòu)件10可以由例如環(huán)氧樹(shù)脂或者硅樹(shù)脂形成。在本示例性實(shí)施例中，發(fā)光裝置300包括一對(duì)引線電極31、32。然而，發(fā)光裝置300可以具有比一對(duì)引線電極31、32更多的引線電極。圖4是根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置400的剖視圖。發(fā)光裝置400可以被稱為大功率發(fā)光二極管封裝件。參照?qǐng)D4，發(fā)光裝置400包括容納在殼體43中的散熱器41。散熱器41具有暴露于外部的底表面。引線電極44暴露于殼體43內(nèi)并穿過(guò)殼體43延伸到外部。至少一個(gè)發(fā)光二極管6可以通過(guò)導(dǎo)電粘合劑9安裝在散熱器41的上表面上。發(fā)光二極管6通過(guò)導(dǎo)電線2電連接至一個(gè)引線電極44。此外，另一條導(dǎo)電線2將另一個(gè)引線電極44連接至散熱器41，從而發(fā)光二極管6可以電連接至兩個(gè)弓I線電極44中的每個(gè)。發(fā)光體3設(shè)置在散熱器41上的發(fā)光二極管6的周圍。發(fā)光體3從發(fā)光二極管6發(fā)射的光的至少一部分并且發(fā)射波長(zhǎng)與吸收光的波長(zhǎng)不同的光。發(fā)光體3可以呈點(diǎn)狀地在發(fā)光二極管6上，或者均勻分布于成型構(gòu)件(未示出)內(nèi)，以覆蓋發(fā)光二極管。圖5是根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例的發(fā)光裝置500的剖視圖。參照?qǐng)D5，發(fā)光裝置500包括殼體53和可以接合到殼體53并且彼此絕緣的多個(gè)散熱器51、52。發(fā)光二極管6、7通過(guò)導(dǎo)電粘合劑安裝在散熱器51、52上。發(fā)光二極管6、7通過(guò)相應(yīng)的導(dǎo)電線(未示出)電連接至引線電極54。引線電極54從殼體53的內(nèi)部延伸到外部。發(fā)光二極管6、7中的每個(gè)連接至引線電極54中的兩個(gè)引線電極，但是更多的引線電極可以設(shè)置于此。如參照?qǐng)D4描述的，發(fā)光體3可以設(shè)置在發(fā)光二極管6或者發(fā)光二極管7中的至少一個(gè)周圍。在上述示例性實(shí)施例中，發(fā)光二極管6可以通過(guò)導(dǎo)電粘合劑設(shè)9安裝在基底I上或者在散熱器41上，并且通過(guò)導(dǎo)電線2電連接至電極或者引線電極。當(dāng)發(fā)光二極管6是在其頂面上具有兩個(gè)電極的“雙結(jié)合裸片”時(shí)，發(fā)光二極管6可以通過(guò)兩條導(dǎo)電線分別電連接至電極或者引線電極。因此，粘合劑不需要是導(dǎo)電的。在一些示例性實(shí)施例中，發(fā)光二極管6可以由(Al,Ga，In)N基復(fù)合物半導(dǎo)體形成。發(fā)光二極管6可以具有例如雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)，發(fā)光二極管6可以具有布置在η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層之間的單個(gè)有源區(qū)?？梢酝ㄟ^(guò)可以被用作起始材料的堿土金屬碳酸鹽之間或者相應(yīng)的金屬氧化物和SiO2之間的在1000°C以上的溫度下的多級(jí)高溫固態(tài)反應(yīng)，合成用作用于制備根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的表面改性的發(fā)光體3的基礎(chǔ)的發(fā)光體粉末。此外，礦化添加劑(例如，NH4C1、NH4F、堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物或者三價(jià)金屬的鹵化物)可以加入到反應(yīng)混合物中，以促進(jìn)反應(yīng)性并控制所得發(fā)光體的顆粒尺寸分布。根據(jù)具體選擇的化學(xué)計(jì)量比，能夠生成期望組成的摻雜的堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體，更具體地講，對(duì)應(yīng)的正硅酸鹽發(fā)光體和氧正硅酸鹽發(fā)光體。因此，計(jì)算量的起始材料被充分地混合，然后在期望的溫度范圍內(nèi)，在惰性或者還原氣氛中，經(jīng)歷多級(jí)煅燒工藝。為了優(yōu)化發(fā)光體性質(zhì)的目的，主要的煅燒工藝還可以可選地具有在不同的溫度范圍內(nèi)的若干煅燒階段。在煅燒工藝結(jié)束后，將樣品冷卻到室溫，并且經(jīng)過(guò)合適的后處理工藝，例如針對(duì)用來(lái)消除熔劑殘留物、使表面缺陷最少化或者另外微調(diào)顆粒尺寸分布。可選擇地，也能夠使用氮化硅(Si3N4)或者其它的含硅前驅(qū)體代替氧化硅作為用來(lái)與所使用的堿土金屬化合物發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)物。用于制造發(fā)光體示例性實(shí)施例的多晶發(fā)光體粉末的合成不限于上述制備工藝。為了使根據(jù)本發(fā)明的粉狀堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體的表面氟化，可以使用諸如堿金屬氟化物(例如，LiF, NaF, KF)、堿土金屬氟化物(MgF2、CaF2, SrF2, BaF2)、AlF3和稀土氟化物(例如，YF3> LaF3或者GdF3)、NH4F和NH4HF2的不同的無(wú)機(jī)氟化合物，還有其它的無(wú)機(jī)或有機(jī)的氟化合物(例如，含氟化物的胺)。將選擇的材料與硅酸鹽發(fā)光體粉末混合，在這種情況下，可以使用水懸浮液。添加的氟化劑的所需比例取決于化合物的溶解度和反應(yīng)條件(pH、溫度、混合強(qiáng)度、停留時(shí)間等)，并且可以通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定。在表面處理結(jié)束后，從懸浮液除去氟化的發(fā)光體，并且可以用合適的溶劑洗滌然后在80°C和200°C之間的溫度下干燥。在冷卻和篩選后，氟化的發(fā)光體處于備用的形式。為了達(dá)到最優(yōu)的發(fā)光體性質(zhì)，根據(jù)發(fā)明的發(fā)光體的具體組成、使用的氟化劑的類型和數(shù)量以及另外的因素，使根據(jù)本發(fā)明制造的發(fā)光體另外地經(jīng)歷300°C到600°C的溫度范圍內(nèi)還原氣氛下的熱后處理(熱處理)，或者代替干燥工藝經(jīng)歷300°C到600°C的溫度范圍內(nèi)還原氣氛下的熱后處理(熱處理)。在下文中，通過(guò)幾個(gè)工作示例，給出關(guān)于根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光體的制造的具體信息。工作示例Al工作示例Al描述了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的設(shè)置有氟化的表面層并且具有基體晶格組成Siv9BaacilCaaci5SiO5 = Euaci4的發(fā)光體的制備，該發(fā)光體被描述為樣品F-103，它的光學(xué)數(shù)據(jù)在表I中，在圖6a中樣品F-103的發(fā)射光譜表不為“3”。表I包含已經(jīng)用不同量的NH4F處理的銪激活的氧正硅酸鍶發(fā)光體樣品的光學(xué)數(shù)據(jù)和濕氣穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。為了合成對(duì)應(yīng)的發(fā)光體基質(zhì)，充分地混合化學(xué)計(jì)量量的SrC03、BaC03、CaCO3^Eu2O3和SiO2以及0.2mol的NH4Cl,然后在剛玉坩堝內(nèi)，在包含2%氫氣的N2/H2氣氛中，在1400°C下經(jīng)歷5小時(shí)的煅燒工藝。在煅燒工藝結(jié)束后，將煅燒的材料均質(zhì)化、研磨并且用H2O洗滌。隨后，將IOOg干燥并篩選的發(fā)光體與1.1g NH4F、200g玻璃珠和I公升水一起引入到適合的塑料容器內(nèi)，并且在罐式磨機(jī)上低速充分混合30分鐘。在幾分鐘的沉淀時(shí)間后，首先輕輕倒出上清液，然后通過(guò)布氏漏斗使用抽吸過(guò)濾。隨后干燥和篩選最終產(chǎn)物。工作示例A2將在工作示例Al中描述的IOOg發(fā)光體基質(zhì)與2.474g NH4HF2混合，以制備根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的包含樣品 F-202的發(fā)光體，在表2中列出上述發(fā)光體的光學(xué)數(shù)據(jù)，其發(fā)射光譜在圖6a中指示為“4”。表2包含已經(jīng)用不同量的NH4HF2處理的銪激活的氧正硅酸鍶發(fā)光體樣品的光學(xué)數(shù)據(jù)和濕氣穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。在這種情況下，通過(guò)將上述混合物放入IL去離子水和400g玻璃珠中在輥式磨機(jī)上進(jìn)行濕化學(xué)沉淀來(lái)應(yīng)用氟化表面層。處理一小時(shí)后，從溶液中除去包覆的發(fā)光體并且進(jìn)行與工作示例Al類似的后處理。工作示例A3這里，在包含35%氫氣的N2/H2氣氛中，在400°C下在剛玉坩堝內(nèi)對(duì)根據(jù)工作示例A2制造的30g發(fā)光體熱處理60分鐘。冷卻后，通過(guò)篩選使樣品F-202均質(zhì)化以制造本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在表2中列出樣品F-202T的光學(xué)數(shù)據(jù)，在圖6a中其發(fā)射光譜表示為“5”。工作示例A4根據(jù)工作示例Al以固態(tài)合成根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的基體晶格組成為Sr2.948Ba0.01Cu0.002Si05:Eu0.04的氧正硅酸鹽發(fā)光體，并且使用前驅(qū)體材料四乙氧基硅烷(TEOS)用SiO2網(wǎng)絡(luò)來(lái)包覆上述氧正硅酸鹽發(fā)光體。為了這個(gè)目的，將50g發(fā)光體與500mL的溶液(該溶液為IL乙醇、18.2g TEOS和100mL32%的氨水)混合，并且在反應(yīng)容器內(nèi)攪拌2小時(shí)。然后，包覆的發(fā)光體用抽吸過(guò)濾，用乙醇洗滌并在160°C下干燥24小時(shí)。在該預(yù)備的表面處理之后，像工作示例Al中一樣，用NH4F作為氟化劑使發(fā)光體經(jīng)歷氟化。為了這個(gè)目的，在工作示例Al的條件下，使80g預(yù)包覆的發(fā)光體與1.98g的NH4F反應(yīng)。從而以樣品F-TS-600的形式制造出根據(jù)本示例性實(shí)施例的發(fā)光體。像工作示例Al、A2和A3中描述的發(fā)光體一樣,在表6中描述了樣品F-TS-600的光學(xué)數(shù)據(jù),在圖6a中其發(fā)射光譜表不為“V，，并且根據(jù)本不例性實(shí)施例的發(fā)光體與傳統(tǒng)的氧正娃酸鹽發(fā)光體相比可以具有顯著改善的抗?jié)裥?，并且與未包覆的基體發(fā)光體具有相同的基體晶格組成。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的這些發(fā)光體的性能特性匯總在表1、2和6中。工作示例BI為了制造根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的樣品F-320形式的發(fā)光體，合成組成為Sr2.9485Ba0.01Cu0.0015Si05:Eu0.04的基體晶格。為了這個(gè)目的，混合化學(xué)計(jì)量量的SrCO3、BaCO3、CuO、Eu2O3,65g SiO2以及0.3mol的NH4Cl,將混合物引入到合適的煅燒坩堝中并且在高溫爐中煅燒24小時(shí)。煅燒過(guò)程具有在1200°C和1350°C各達(dá)3小時(shí)的兩個(gè)主要的煅燒區(qū)間。在第一煅燒階段過(guò)程中，在具有5%氫濃度的合成氣下進(jìn)行煅燒，在隨后的第二煅燒階段中，氫濃度增加至20%。在對(duì)基質(zhì)材料進(jìn)行冷卻、洗滌和均質(zhì)化之后，對(duì)發(fā)光體的表面進(jìn)行氟化。為了這個(gè)目的，使用的氟化劑是氟化鋁AlF3來(lái)代替NH4F或NH4HF2。為了與發(fā)光體顆粒的表面反應(yīng)，在60°C下將1.2g的AlF3引入到IL H2O中，充分地?cái)嚢枭鲜龌旌衔颕小時(shí)。接著，將IOOg合成的發(fā)光體基質(zhì)加入到懸浮液中。反應(yīng)時(shí)間可以是60分鐘。與工作示例Al、A2、A3和A4相類似，對(duì)樣品F-320形式的包覆的發(fā)光體進(jìn)行后處理。在表3中示出了光學(xué)數(shù)據(jù)，在圖6a中其發(fā)射光譜表不為“6”。表3包含進(jìn)一步氟化的Eu2+摻雜的氧正娃酸銀發(fā)光體的光學(xué)數(shù)據(jù)和穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。工作示例Cl下面的工作示例涉及根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例包覆的并且組成為Sr0.876BaL 024Si04:Eu0.ι的堿土金屬正硅酸鹽發(fā)光體。在本示例性實(shí)施例中，通過(guò)高溫固相反應(yīng)制造基體材料，其中，起始混合物包括化學(xué)計(jì)量量的SrC03、BaCO3、Eu203、SiO2和0.2mol的NH4Cl。煅燒工藝包括在氮?dú)鈿夥障聦⒀b有起始混合物的坩堝加熱到1275°C，保持這個(gè)溫度10小時(shí)，隨后冷卻至室溫。在達(dá)到高溫斜坡時(shí)，將20%氫氣加入到保護(hù)氣體。冷卻后，所得的材料經(jīng)歷洗滌以除去熔劑殘留物，然后干燥和篩選。為了使基體材料氟化，使150g發(fā)光體粉末和4.268g順|在3LH20中懸浮并且攪拌2小時(shí)。包覆過(guò)程結(jié)束后，用抽吸過(guò)濾氟化的發(fā)光體以得到樣品F-401，在吸濾器上用乙醇洗滌并且在130°C下干燥24小時(shí)。在表4中示出樣品F-401的光學(xué)數(shù)據(jù)，在圖6b中F-401的發(fā)射光譜表示為“3”。表4包含另外用SiO2包覆的氟化的發(fā)射綠光波長(zhǎng)的堿土金屬正硅酸鹽發(fā)光體的光學(xué)數(shù)據(jù)和穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。在另外的步驟中，根據(jù)本示例性實(shí)施例的樣品F-401形式的發(fā)光體可以設(shè)置有SiO2包覆層。為了這個(gè)目的，將50g氟化的Sra 876Bahtl24SiO4 = Euai發(fā)光體粉末加入到500mLTEOS溶液(TE0S溶液由IL乙醇、25g TEOS和150mL32%的氨水構(gòu)成)，使用前24小時(shí)已經(jīng)制備好上述溶液。攪拌5小時(shí)后，反應(yīng)終止。利用抽吸過(guò)濾樣品F-401TS形式的表面包覆的發(fā)光體，用乙醇再次清洗并且干燥上述發(fā)光體。在表4中列出樣品F-410TS的光學(xué)數(shù)據(jù)，在圖6b中F-410TS的發(fā)射光譜表示為“4”。在圖6a和圖6b中描述了與每種情況中未處理的發(fā)光體相對(duì)比的不同基質(zhì)組成的氟化發(fā)光體的發(fā)射光譜，圖中示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的具有氟化的表面結(jié)構(gòu)的發(fā)光體的發(fā)光強(qiáng)度與參考材料的發(fā)光強(qiáng)度略有不同。通過(guò)在表1、表2、表3、表4、表5、表6和表7中編輯的根據(jù)示例性實(shí)施例的發(fā)光體樣品的發(fā)光數(shù)據(jù)也確定了這點(diǎn)，而在氟化的和可選地另外SiO2包覆的樣品的某些情況下測(cè)量出稍微降低的發(fā)光強(qiáng)度。在表中還有涉及使發(fā)光效率稍微增加的表面處理的示例。后者的效果可能歸因于在包覆材料的情況下光的發(fā)射稍微要好些。在圖7a和圖7b中，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的氟化的Sr3SiO5 = Eu發(fā)光體的電子顯微照片與未處理的起始材料的電子顯微照片進(jìn)行了比較。這些顯微照片表明:在工作示例中描述的用合適的氟化劑的表面處理使得形成了特殊的表面結(jié)構(gòu)，這種特殊表面結(jié)構(gòu)能夠借助于掃描電子顯微鏡來(lái)可視化。對(duì)于圖8中示出的綠波長(zhǎng)發(fā)光堿土金屬正硅酸鹽發(fā)光體的電子顯微照片，情況是可比較的。圖8中的顯微照片示出了未處理的發(fā)光體樣品的特征顆粒表面、根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例制造的氟化的材料的特征顆粒表面以及從起始材料得到的另外的已經(jīng)又用SiO2包覆的樣品的特征顆粒表面。同時(shí)，從圖9中示出的對(duì)應(yīng)的能量色散X射線光譜(EDX)分析的結(jié)果，清楚的是表面結(jié)構(gòu)包含氟。除鍶(Sr)、硅(Si)和氧(O)的峰(這些是發(fā)光體基質(zhì)的特征峰)之外，在根據(jù)本發(fā)明氟化的發(fā)光體的EDX光譜中還發(fā)現(xiàn)具有顯著峰高的明顯的單一反射，根據(jù)峰的能量位置這種明顯的單一反射毫無(wú)疑義地確定為元素氟(F)。此外，示出的光譜還包含確定為金(Au)和鈀(Pd)的反射，這是由于與分析方法有關(guān)的原因用金和鈀包覆發(fā)光體樣品引起的。通過(guò)X射線光電子光譜(XPS)分析的結(jié)果在圖10和圖11中記錄了在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光體的表面上精細(xì)分散的氟化物或者氟化合物的固定或者這些化合物的網(wǎng)絡(luò)的形成的進(jìn)一步證據(jù)。固定可以包括吸附和類似于化學(xué)吸附或物理吸附的方法。圖5中示出的根據(jù)工作示例I用NH4F處理的基體晶格組成為SiY9BaacilCaaci5Euaci4SiO5的發(fā)光體的XPS光譜表明，用這種固態(tài)分析法也能夠檢測(cè)到作為氟化的發(fā)光體的表面結(jié)構(gòu)組成部分的元素氟(F)。從XPS光譜中還可以得到進(jìn)一步的結(jié)論。例如，從NH4F-氟化的氧正硅酸鹽發(fā)光體的內(nèi)部校準(zhǔn)的XPS光譜(圖11中的曲線2)與具有等同量的NH4F的對(duì)應(yīng)的發(fā)光體基質(zhì)的機(jī)械混合物的樣品的內(nèi)部校準(zhǔn)的XPS光譜(圖11中的曲線I)的比較，如圖6中所示顯而易見(jiàn)的是，在每種情況下確定的F的Is峰具有不同的強(qiáng)度并且還表現(xiàn)出結(jié)合能相對(duì)于彼此的移動(dòng)。如曲線2標(biāo)記的樣品的F的Is峰的較低強(qiáng)度可以被解釋為在處理過(guò)程中一些添加的氟從發(fā)光體表面的損失。曲線I的F的Is峰向較低結(jié)合能的移動(dòng)可以表明應(yīng)用的氟化劑與發(fā)光體基質(zhì)表面之間的化學(xué)鍵的形成。在表1、表2、表3、表4、表5和表6中，編輯了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例構(gòu)造的不同娃酸鹽發(fā)光體的幾個(gè)發(fā)光參數(shù)和穩(wěn)定性測(cè)試的結(jié)果，并將其與未改變的(即，表面未氟化的)發(fā)光體粉末的發(fā)光參數(shù)和穩(wěn)定性測(cè)試的結(jié)果以及在某些情況下與商業(yè)的對(duì)比發(fā)光體的發(fā)光參數(shù)和穩(wěn)定性測(cè)試的結(jié)果進(jìn)行了比較。表5包含氟化的和氟化的且SiO2包覆的Eu2+激活的氧正硅酸鍶發(fā)光體的光學(xué)數(shù)據(jù)和穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。表6包含已經(jīng)被氟化的SiO2包覆的氧正硅酸鍶發(fā)光體的光學(xué)數(shù)據(jù)和穩(wěn)定性數(shù)據(jù)。通過(guò)在溫控柜中儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)的發(fā)光體樣品七天來(lái)評(píng)估材料的濕氣穩(wěn)定性，使溫控柜在85°C的溫度和85%的空氣濕度下工作。隨后，在150°C下干燥發(fā)光體24小時(shí)，然后進(jìn)行發(fā)光產(chǎn)率的比較測(cè)試。比較的發(fā)光測(cè)試結(jié)果表明，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的發(fā)光體的發(fā)光效率及其溫度依賴性與商業(yè)的銪激活的堿土金屬氧正硅酸鹽或?qū)?yīng)的正硅酸鹽發(fā)光體相同，或者甚至超過(guò)它們。其次，如表4、表5和表6中示出的，穩(wěn)定性測(cè)試結(jié)果示出，與具有相同基質(zhì)組成的未改變的(即，表面未氟化的)發(fā)光體相比，根據(jù)本發(fā)明不例性實(shí)施例的具有氟化的表面結(jié)構(gòu)和可選的附加的SiO2包覆的發(fā)光體具有顯著改善的抗?jié)裥?。本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明可作各種修改和變形。因此，本發(fā)明意圖覆蓋本發(fā)明的修改和變形，只要它們落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。表I
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括: 第一發(fā)光二極管；以及 表面改性的發(fā)光體，被構(gòu)造成吸收從第一發(fā)光二極管發(fā)射的光，并且被構(gòu)造成發(fā)射具有與吸收光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光，表面改性的發(fā)光體包括: 硅酸鹽發(fā)光體；以及 布置在硅酸鹽發(fā)光體上的氟化的包覆層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，氟化的包覆層被構(gòu)造成產(chǎn)生疏水表面位點(diǎn)，氟化的包覆層包括氟化的無(wú)機(jī)試劑、氟化的有機(jī)試劑或者氟化的無(wú)機(jī)試劑和氟化的有機(jī)試劑兩者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，表面改性的發(fā)光體還包括濕氣阻擋層，所述濕氣阻擋層包括布置在氟化的包覆層上或者布置在氟化的包覆層和硅酸鹽發(fā)光體之間的氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，氧化物包括MgO、A1203、Y2O3>La203、Gd203、Lu2O3和SiO2中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，硅酸鹽發(fā)光體包括堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體，其中，氟化的包覆層包括通過(guò)使用氟官能化的有機(jī)硅烷使堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體氟化而形成的氟化的阻擋層，所述氟官能化的有機(jī)硅烷的通式為Si (OR)3X,其中，R = CH3> C2H5或者更高級(jí)的烷，X包括氟官能化的有機(jī)配體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，表面改性的發(fā)光體的通式為(Me1Ife2+Me3+)x.(Si，P，Al，B，V, N，C，Ge)y.(O, N)z: (A, F，S)，其中，A是從鑭系元素和/或錳的組中選擇的激活劑，F(xiàn)是表面固定的或交聯(lián)的氟或者氟化合物，S是使用未氟化的層形成材料的附加包覆層，Me1+是一價(jià)金屬，Me2+是二價(jià)金屬，Me3+是從第III主族元素或從鑭系元素選擇的三價(jià)金屬，一些硅可被P、Al、B、V、N、Ge或C取代，并且O < x < 5、0 < y < 12和O < z< 24。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，表面改性的發(fā)光體的通式為Sr3^zCaxBaySiO5:Euz, F，S，其中，F(xiàn)是表面固定的或交聯(lián)的氟或者包括氟的化合物，S是包括未氟化材料的附加包覆層，并且O彡X彡2，0彡y彡2和0<z<0.5。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中，O彡X彡0.05，O彡y彡0.5和O < z < 0.25。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，硅酸鹽發(fā)光體包括堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體，所述堿土金屬硅酸鹽發(fā)光體包括: 取代硅酸鹽發(fā)光體中的部分堿土金屬離子的第一取代元素，第一取代元素包括從Mg和Zn中選擇的二價(jià)離子、從堿金屬的組中選擇的一價(jià)離子或者從稀土的組中選擇的三價(jià)離子；以及 取代部分硅的第二取代元素，第二取代元素包括從P、B、V、N、Ge和C的組中選擇的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，第一發(fā)光二級(jí)管與發(fā)光體組合在封裝件中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置還包括:封裝件中的第二發(fā)光二極管，其中，第二發(fā)光二極管被構(gòu)造成發(fā)射具有比發(fā)光體的發(fā)射峰波長(zhǎng)長(zhǎng)的發(fā)射峰波長(zhǎng)的光。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中，封裝件還包括第一發(fā)光二極管安裝在其上的基底。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其中，基底包括印刷電路板或者引線框架。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置還包括包封第一發(fā)光二極管的成型構(gòu)件， 其中，表面改性的發(fā)光體布置在成型構(gòu)件內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中，封裝件包括第一發(fā)光二極管安裝在其上的散熱器。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，第一發(fā)光二極管包括多個(gè)發(fā)光單元。
全文摘要
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括發(fā)光二極管和表面改性的發(fā)光體。表面改性的發(fā)光體包括硅酸鹽發(fā)光體和布置在硅酸鹽發(fā)光體上的氟化的包覆層。
文檔編號(hào)H01L33/50GK103081140SQ201180039661
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2011年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月14日
發(fā)明者李貞勛, 沃爾特·特沃斯, 貢杜拉·羅斯, 德特勒夫·斯塔里克 申請(qǐng)人:首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社