專利名稱：Led裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在LED元件表面設(shè)置了分散有氧化鈰的氧化鈰分散組合物的LED裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為近年的LED照明，希望高亮度、高壽命，封裝LED的封裝樹(shù)脂材料也開(kāi)始使用耐熱性比以往的環(huán)氧封裝樹(shù)脂高的有機(jī)硅封裝樹(shù)脂。但是，即使在使用了有機(jī)硅封裝樹(shù)脂的情況下，尤其是為了高亮度化而向LED元件導(dǎo)入大電流時(shí)，LED芯片和有機(jī)硅封裝樹(shù)脂本身的溫度變高。因此，存在有機(jī)硅封裝樹(shù)脂中所包含的密著性賦予劑和在硅樹(shù)脂(有機(jī)硅樹(shù)脂；娃氧燒樹(shù)脂silicone resin)合成時(shí)殘留的有機(jī)物成分著色從而亮度降低的問(wèn)題。
對(duì)此，已知為了提高硅樹(shù)脂的耐熱性、耐紫外線性，作為熱穩(wěn)定劑而添加配合氧化鈰、氧化鈦、氧化鐵等的金屬氧化物(例如，參照專利文獻(xiàn)I、專利文獻(xiàn)2)。但是，關(guān)于硅樹(shù)脂中的有機(jī)硅以外的有機(jī)物，其防止著色的效果沒(méi)有得到確認(rèn)。另外，若在LED封裝樹(shù)脂材料中添加金屬氧化物，則透明度降低，可見(jiàn)光的透射率降低，進(jìn)而存在作為L(zhǎng)ED裝置的發(fā)光效率降低的課題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :特開(kāi)昭52-14654號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :特開(kāi)2000-21244號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是解決以往的上述課題的發(fā)明，提供一種LED裝置，其即使在高溫高濕環(huán)境下也能夠抑制對(duì)封裝材料著色，結(jié)果抑制發(fā)光效率降低。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的LED裝置具有以下的構(gòu)成。包括基板；設(shè)在該基板上的LED元件；氧化鈰分散組合物層，其覆蓋該LED元件，并且相對(duì)于硅樹(shù)脂100重量份，含有O. 005重量份以上、O. 03重量份以下的氧化鈰；和覆蓋氧化鈰分散組合物層的封裝材料。本發(fā)明，通過(guò)形成為在LED元件表面設(shè)置了分散有氧化鈰的氧化鈰分散組合物的LED裝置，具有即使在高溫高濕環(huán)境下也能夠抑制對(duì)封裝材料的著色的效果，而且不會(huì)使透射率降低。


圖I是本發(fā)明的LED裝置的截面圖。圖2是實(shí)施例1、2、3以及6、7涉及的發(fā)明的LED裝置的截面圖。圖3A是實(shí)施例1、2、3以及6、7涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。圖3B是實(shí)施例1、2、3以及6、7涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。
圖3C是實(shí)施例1、2、3以及6、7涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。圖4是實(shí)施例4涉及的發(fā)明的LED裝置的截面圖。圖5A是實(shí)施例4涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。圖5B是實(shí)施例4涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。圖5C是實(shí)施例4涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。圖6是實(shí)施例5涉及的發(fā)明的LED裝置的截面圖。圖7A是實(shí)施例5涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。圖7B是實(shí)施例5涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。 圖7C是實(shí)施例5涉及的發(fā)明的LED裝置的制造法的工序圖。圖8是比較例2涉及的LED裝置的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。本發(fā)明的LED裝置1000，如圖I所示，包括基板80、LED元件10、防著色材料分散組合物層20 (實(shí)質(zhì)上為氧化鈰分散組合物層)、和封裝材料40。所謂防著色材料分散組合物層20，是由分散有防著色材料的組合物構(gòu)成的層，將LED元件10的表面封裝。LED元件10形成在基板80上。防著色材料分散組合物層20以覆蓋LED元件10的方式形成。封裝材料40以覆蓋防著色材料分散組合物層20的方式形成。所謂氧化鈰分散組合物層是在硅樹(shù)脂中分散了氧化鈰的防著色材料分散組合物層20。本發(fā)明的特征是在LED元件10的表面設(shè)置了防著色材料分散組合物層20。由此，具有抑制硅樹(shù)脂著色的效果。另外,在圖I中，LED元件10通過(guò)芯片接合(裸片連接die bonding) 110貼合在基板80上。另外,LED元件10通過(guò)接合線120 (引線接合wire bonding)與電極90連接。另外，封裝材料40以覆蓋防著色材料分散組合物層20的方式形成。封裝材料40和基板80 (—部分為電極90)將LED元件10以不使其與外部環(huán)境(空氣等)接觸的方式封裝。作為防止樹(shù)脂著色的材料，作為具有提高樹(shù)脂的耐熱性、耐紫外線性的效果的材料的氧化鈰最佳。此外，除了氧化鈰以外，也可以使用在樹(shù)脂的耐熱性、耐紫外線性上具有效果的氧化鈦、氧化鐵等。封裝材料40以及氧化鈰分散組合物層，以硅樹(shù)脂為主成分。在這里，作為主成分是指，在封裝材料40以及氧化鈰分散組合物層中，99. 99%以上為硅樹(shù)脂。所謂硅樹(shù)脂，是在骨架上具有硅與氧的鍵的高分子，且是在硅上具有一個(gè)以上的烴基的化合物的總稱。一般地作為烴基有時(shí)帶有甲基。在LED封裝用途中，也使用帶有苯基的折射率聞的娃樹(shù)脂。關(guān)于封裝材料40的硅樹(shù)脂的詳細(xì)情況，在后面的實(shí)施例中詳述。另外，防止著色的原因考察如下。即，是由于通過(guò)鈰離子的還原，吸收聚合物中的電子，將樹(shù)脂成分以外的有機(jī)物的具有產(chǎn)生氧化反應(yīng)的可能性的自由基無(wú)害化，從而抑制氧化。為了防止著色，作為添加到樹(shù)脂中的氧化鈰的量，相對(duì)于樹(shù)脂100重量份為O. 005重量份以上。而且，優(yōu)選為O. 03重量份以下。若添加量少于O. 005重量份，則通過(guò)HAST(高加速應(yīng)力試驗(yàn)，Highly Accelerated StressTest :121°C/RH85%的高溫高濕環(huán)境)進(jìn)行發(fā)光試驗(yàn)評(píng)價(jià)時(shí)的著色防止效果很小。若添加量多于O. 03重量份，則雖然樹(shù)脂的著色防止的效果提高，但可見(jiàn)光的透過(guò)性降低。氧化鋪分散組合物層的膜厚，優(yōu)選為10 μ m 60 μ m,進(jìn)而，更優(yōu)選為10 μ m 50 μ m。若膜厚比其薄，則氧化鈰的量少、著色防止的效果小。另外，若膜厚為60 μ m以上、較厚，則可見(jiàn)光的透過(guò)性降低，其結(jié)果，LED裝置的發(fā)光效率降低。作為添加的氧化鈰的粒徑，優(yōu)選為200nm以下。在粒子比其大的情況下，分散于硅樹(shù)脂中時(shí)與硅樹(shù)脂接觸的概率變低，所以著色防止的效果小。上述氧化鈰分散組合物層，可以通過(guò)混合硅樹(shù)脂和氧化鈰并利用三輥機(jī)等進(jìn)行混煉而得到。 將在硅樹(shù)脂中分散有氧化鈰的組合物設(shè)置在LED元件上，制成在該氧化鈰分散組合物層上進(jìn)行了封裝的LED裝置，由此，溫度變得最高的LED元件附近的氧化鈰能夠抑制有機(jī)物成分著色。而且，已知氧化鈰具有抑制樹(shù)脂交聯(lián)分解的效果，由于在溫度變得最高的LED元件周邊存在氧化鈰，所以還能夠抑制由樹(shù)脂的交聯(lián)分解所導(dǎo)致的劣化。氧化鈰分散組合物層為10 μ m 60 μ m、較薄，所以能夠制成可見(jiàn)光的透射性不降低、作為L(zhǎng)ED裝置的發(fā)光效率高、沒(méi)有樹(shù)脂著色的LED元件。在氧化鈰分散組合物層為60 μ m以上的情況和/或使封裝材料40全部作為氧化鈰分散組合物進(jìn)行了封裝的情況下，初期階段的可見(jiàn)光區(qū)域的透射率變低，發(fā)光效率也變低。作為娃樹(shù)脂，可以使用_■甲基娃氧燒或甲基苯基娃氧燒。特別是耐變色性聞的_■甲基硅氧烷最合適。另外，甲基苯基硅氧烷的耐變色性比二甲基硅氧烷差，但具有耐交聯(lián)劣化性高、難以裂紋的特征。但是，本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于上述的硅樹(shù)脂的種類。封裝材料40的厚度，為了封裝LED元件而需要必要的厚度。封裝材料的厚度，例如為O. 2mm以上、IOmm以下。本實(shí)施例中，使封裝材料的厚度為4mm左右。該情況下，對(duì)LED元件的種類沒(méi)有限定，但特別是對(duì)藍(lán)色LED、近紫外LED、紅色LED、綠色LED的元件封裝有用。再者，也可以為下述元件，即將在樹(shù)脂中混合氧化鈰和石榴石系的YAG熒光體等，從而在藍(lán)色LED元件上設(shè)置含有熒光體的氧化鈰分散組合物層，再設(shè)置在不含有氧化鈰的樹(shù)脂中加入了熒光體的層的藍(lán)色LED變換成白色LED的元件。實(shí)施例以下，通過(guò)實(shí)施例具體表示本發(fā)明。再者，透射率評(píng)價(jià)是在載玻片上使硅樹(shù)脂以膜厚30 μ m 60 μ m固化，測(cè)定450nm波長(zhǎng)的透射率。另外，HAST ·發(fā)光試驗(yàn)是，使硅樹(shù)脂封裝材料在配置于基板上的LED元件上固化后，在HAST (121°C /RH85%)環(huán)境下使LED元件發(fā)光，比較900小時(shí)后的LED元件周邊的著色。(實(shí)施例I)圖2表示實(shí)施例I涉及的LED裝置100的截面圖。LED裝置100具有基板8、通過(guò)芯片接合11貼合于基板8上的LED元件I、電極9、接合線12、設(shè)在LED元件I的表面上的分散有氧化鈰的氧化鈰分散組合物層2、和覆蓋氧化鈰分散組合物層2的硅樹(shù)脂4。氧化鈰作為防著色材料發(fā)揮作用，能夠抑制硅樹(shù)脂4的著色。
制造該LED裝置100的方法以及制作評(píng)價(jià)樣品的方法如下。 首先，說(shuō)明硅樹(shù)脂組合物的評(píng)價(jià)樣品的制作方法。相對(duì)于由二甲基硅氧烷樹(shù)脂(信越化學(xué)制KER-2600)的主劑和催化劑組成的A劑(以下稱為A劑)5g和由主劑和固化劑組成B劑(以下稱為B劑)5g加入氧化鈰粉”力7 H 口 >制平均粒徑36nm) 0. 0005g，通過(guò)三輥混煉機(jī)(EXAKT制M50)混煉3次左右，得到氧化鈰分散硅樹(shù)脂組合物。此時(shí)的氧化鈰量，相對(duì)于硅樹(shù)脂100重量份為O. 005重量份。將該氧化鈰分散組合物印刷在載玻片上。接著，在150°C進(jìn)行4小時(shí)的固化，得到氧化鈰分散組合物(厚度50 μ m)的評(píng)價(jià)樣品。接著，說(shuō)明LED裝置100的制造方法。對(duì)帶銅箔的AlN (氮化鋁基板)8進(jìn)行蝕刻，制成電極圖案。其后，對(duì)電極圖案的銅箔部進(jìn)行鍍鎳、鍍金，形成電極9。接著，將LED元件I通過(guò)芯片接合11粘接在基板上。將LED元件I的電極部和基板上的電極部9用接合線12接合，制作圖3A所示的結(jié)構(gòu)。接著，在LED元件I上涂布30 μ m左右的上述的氧化鈰分散組合物。在150°C加熱15分鐘，使氧化鈰分散組合物層2臨時(shí)固化，制作圖3B所示的結(jié)構(gòu)。另一方面，娃樹(shù)脂是用混煉機(jī)( > 今一制AR-250)對(duì)二甲基娃氧燒樹(shù)脂(彳目越化學(xué)制KER-2600) A劑5g、B劑5g進(jìn)行混煉而制成。接著，將硅樹(shù)脂涂布在SUS制的金屬模具3上。用真空脫泡裝置(日電7彳、^ 〃'制)進(jìn)行5分鐘脫泡，將在LED元件I上設(shè)置了所述氧化鈰分散組合物層2的結(jié)構(gòu)物貼合在金屬模具3中的硅樹(shù)脂4上。接著，在150°C進(jìn)行10分鐘的臨時(shí)固化，制作圖3C的結(jié)構(gòu)。再者，硅樹(shù)脂4的厚度為4_。這里的厚度是LED元件I的各層的層疊方向或光發(fā)光的方向的厚度。其后，拆下金屬模具3，在LED元件I上封裝有氧化鈰分散硅樹(shù)脂和其上的硅樹(shù)脂的狀態(tài)下，進(jìn)一步在150°C進(jìn)行4小時(shí)的固化，形成如圖2那樣的LED裝置100。 對(duì)于這樣制作成的評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，進(jìn)行上述的透射率的評(píng)價(jià)和著色的評(píng)價(jià)，將其結(jié)果表示在表I中。(實(shí)施例2)與實(shí)施例I不同之處在于，相對(duì)于娃樹(shù)脂100重量份,使氧化鋪量為O. 01重量份，其他相同。同樣制作評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，將評(píng)價(jià)結(jié)果表示在表I中。(實(shí)施例3)與實(shí)施例I不同之處在于，相對(duì)于娃樹(shù)脂100重量份,使氧化鋪量為O. 03重量份，其他相同。同樣制作評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，將評(píng)價(jià)結(jié)果表示在表I中。(實(shí)施例4)圖4示出了實(shí)施例4涉及的LED裝置101的截面圖。LED裝置101具有基板8、在基板8上通過(guò)芯片接合11貼合的藍(lán)色LED元件5、電極9、接合線12、設(shè)在藍(lán)色LED元件5的表面上的分散有氧化鈰的氧化鈰分散組合物層2、和覆蓋氧化鈰分散組合物層2的含熒光體的硅樹(shù)脂6。氧化鈰作為防著色材料發(fā)揮作用，能夠抑制硅樹(shù)脂著色。制造該LED裝置101的方法以及制作評(píng)價(jià)樣品的方法如下。首先，說(shuō)明評(píng)價(jià)樣品的制作方法。
相對(duì)于二甲基硅氧烷樹(shù)脂(信越化學(xué)制KER-2600)的A劑5g、B劑5g加入氧化鈰粉(* y力7彡^ α >制平均粒徑36nm)0. 0005g，通過(guò)三輥混煉機(jī)(ΕΧΑΚΤ制Μ50)混煉3次左右，得到氧化鈰分散硅樹(shù)脂組合物。此時(shí)的氧化鈰量，相對(duì)于硅樹(shù)脂100重量份為O. 005重量份。將該氧化鈰分散組合物印刷在載玻片上。接著，在150°C進(jìn)行4小時(shí)的固化，得到氧化鈰分散組合物(厚度30 μ m)的評(píng)價(jià)樣品。下面，說(shuō)明LED裝置101的制造方法。對(duì)帶銅箔的AlN (氮化鋁基板)8進(jìn)行蝕刻，制成電極圖案。其后，對(duì)電極圖案的銅箔部進(jìn)行鍍鎳、鍍金，形成電極9。接著，將藍(lán)色LED元件5通過(guò)芯片接合11粘接在基板上。將LED元件5的電極部和基板上的電極部9用接合線12接合，制作圖5A所示的結(jié)構(gòu)。接著，在藍(lán)色LED元件5上涂布30 μ m左右的上述的氧化鈰分散組合物。在150°C加熱15分鐘，使氧化鈰分散組合物臨時(shí)固化，制作圖5B所示的結(jié)構(gòu)。
另一方面，硅樹(shù)脂是相對(duì)于二甲基硅氧烷樹(shù)脂(信越化學(xué)制KER-2600) A劑5g、B劑5g加入熒光體lg，通過(guò)混煉機(jī)(> 3C 一制AR-250)混煉而制成。接著，將硅樹(shù)脂涂布在SUS制的金屬模具3上。用真空脫泡裝置(日電7彳、& 〃制)進(jìn)行5分鐘脫泡，將在藍(lán)色LED元件5上設(shè)有所述的氧化鈰分散組合物的結(jié)構(gòu)物貼合在金屬模具3中的含熒光體的硅樹(shù)脂6上。接著，在150°C進(jìn)行15分鐘的臨時(shí)固化，制作圖5C的結(jié)構(gòu)。再者，含熒光體的硅樹(shù)脂6的厚度為4mm。其后，拆下金屬模具3，在LED元件5上封裝有氧化鈰分散硅樹(shù)脂2和其上的含熒光體的硅樹(shù)脂6的狀態(tài)下，進(jìn)一步在150°C進(jìn)行4小時(shí)的固化，形成如圖4那樣的LED裝置101。對(duì)于這樣制作的評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，進(jìn)行上述的透射率的評(píng)價(jià)和著色的評(píng)價(jià)，將其結(jié)果表示在表I中。(實(shí)施例5)圖6示出了實(shí)施例5涉及的LED裝置102的截面圖。LED裝置102具有基板8、在基板8上通過(guò)芯片接合11貼合的藍(lán)色LED元件5、電極9、接合線12、設(shè)在藍(lán)色LED元件5的表面上的熒光體氧化鈰分散組合物層7、和覆蓋熒光體氧化鈰分散組合物層7的含熒光體的硅樹(shù)脂6。氧化鈰作為防著色材料發(fā)揮作用，能夠抑制硅樹(shù)脂的著色。制造該LED裝置102的方法以及制作評(píng)價(jià)樣品的方法如下。首先，說(shuō)明評(píng)價(jià)樣品的制作方法。相對(duì)于二甲基硅氧烷樹(shù)脂(信越化學(xué)制KER-2600)的A劑5g、B劑5g加入氧化鈰粉(* /力7 S夕口 >制平均粒徑36nm)0.001g和YAG熒光體lg，以及，相對(duì)于二甲基硅氧烷樹(shù)脂(信越化學(xué)制KER-2600)的A劑5g、B劑5g加入氧化鈰粉(* 〃力7 S々口 >制平均粒徑36nm) O. OOlg而不添加所述YAG熒光體，將所得物分別用三輥混煉機(jī)(EXAKT制M50)混煉3次左右，得到熒光體氧化鈰分散組合物、和氧化鈰分散組合物。此時(shí)的氧化鈰量，相對(duì)于硅樹(shù)脂100重量份為O. 01重量份。評(píng)價(jià)樣品，是將該氧化鈰分散組合物印刷在載玻片上。接著，在150°C進(jìn)行4小時(shí)的固化，得到氧化鈰分散組合物(厚度30 μ m)的評(píng)價(jià)樣品。接著，說(shuō)明LED裝置102的制造方法。對(duì)帶銅箔的AlN (氮化鋁基板)8進(jìn)行蝕刻，制成電極圖案。其后，對(duì)電極圖案的銅箔部進(jìn)行鍍鎳、鍍金，形成電極9。接著，將藍(lán)色LED元件5通過(guò)芯片接合11粘接在基板上。將LED元件的電極部和基板上的電極部9用接合線12接合，制作圖7A所示的結(jié)構(gòu)。接著，在藍(lán)色LED元件5上涂布30 μ m左右的上述的熒光體氧化鈰分散組合物。在150°C加熱15分鐘，使熒光體氧化鈰分散組合物層7臨時(shí)固化，制作圖7B所示的結(jié)構(gòu)。另一方面，硅樹(shù)脂是相對(duì)于二甲基硅氧烷樹(shù)脂(信越化學(xué)制KER_2600)A劑5g、B劑5g加入熒光體lg，采用混煉機(jī)( '> > 々一制AR-250)進(jìn)行混煉而制成。接著，將該硅樹(shù)脂涂布在SUS制的金屬模具3上。用真空脫泡裝置(日電7彳、& 〃制)進(jìn)行5分鐘脫泡，將在藍(lán)色LED元件5上設(shè)有所述的熒光體氧化鈰分散組合物的結(jié)構(gòu)物貼合在金屬模具3中的硅樹(shù)脂6上。接著，在150°C進(jìn)行15分鐘的臨時(shí)固化，制作圖7C的結(jié)構(gòu)。再者，含熒光體的硅樹(shù)脂6的厚度為4mm。其后，拆下金屬模具3，在LED元件5上封裝有熒光體氧化鈰分散組合物7和其上的含熒光體的硅樹(shù)脂6的狀態(tài)下，進(jìn)一步在150°C進(jìn)行4小時(shí)的固化，形成如圖6那樣的LED 裝置102。對(duì)于這樣制成的評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，進(jìn)行上述的透射率的評(píng)價(jià)和著色的評(píng)價(jià)，將其結(jié)果表示在表I中。(實(shí)施例6)與實(shí)施例I不同之處在于，相對(duì)于娃樹(shù)脂100重量份,使氧化鋪量為O. 05重量份，其他相同。同樣制作評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，將評(píng)價(jià)結(jié)果表示在表I中。(實(shí)施例7)與實(shí)施例I不同之處在于，相對(duì)于娃樹(shù)脂100重量份,使氧化鋪量為O. 01重量份，以及，使氧化鈰分散組合物層的厚度為60μπι，其他相同。同樣制作評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，將評(píng)價(jià)結(jié)果表示在表I中。(比較例I)與實(shí)施例I不同之處在于，相對(duì)于娃樹(shù)脂100重量份,使氧化鋪量為O. 001重量份，其他相同。同樣制作評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，將評(píng)價(jià)結(jié)果表示在表I中。(比較例2)圖8示出比較例2涉及的LED裝置103的截面圖。LED裝置103具有基板8、在基板8上通過(guò)芯片接合11貼合的LED元件I、電極9、接合線12、和硅樹(shù)脂4。在比較例2中，與實(shí)施例I不同之處在于，在LED元件I上沒(méi)有氧化鈰分散脂組合物的封裝，其他相同。同樣制作評(píng)價(jià)樣品和LED裝置的樣品，將評(píng)價(jià)結(jié)果表示在表I中。表I
權(quán)利要求
1.一種LED裝置，其包括 基板； 設(shè)在所述基板上的LED元件； 覆蓋所述LED元件，相對(duì)于硅樹(shù)脂100重量份含有O. 005重量份以上、O. 03重量份以下的氧化鈰的氧化鈰分散組合物層；和 覆蓋所述氧化鈰分散組合物層，并以硅樹(shù)脂為主成分的封裝材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED裝置，在所述封裝材料中含有熒光體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的LED裝置，所述氧化鈰分散組合物層的厚度為ΙΟμπι以上、60 μ m以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED裝置，所述LED元件為藍(lán)色LED。
5.—種LED裝置的制造方法，具有 在基板上設(shè)置LED元件的步驟； 用氧化鈰分散組合物層覆蓋LED元件的步驟，所述氧化鈰分散組合物層中，相對(duì)于硅樹(shù)脂100重量份含有O. 005重量份以上、O. 03重量份以下的氧化鈰；和 用封裝材料覆蓋所述氧化鈰分散組合物層的步驟，所述封裝材料以硅樹(shù)脂為主成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，所述氧化鈰分散組合物層的厚度為ΙΟμπι以上、60 μ m以下。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種即使在高溫高濕環(huán)境下也能夠抑制對(duì)封裝材料著色、抑制發(fā)光效率降低的LED裝置。本發(fā)明的LED裝置包含基板；設(shè)在該基板上的LED元件；覆蓋該LED元件，相對(duì)于硅樹(shù)脂100重量份含有0.005重量份以上、0.03重量份以下的氧化鈰的氧化鈰分散組合物層；和覆蓋氧化鈰分散組合物層的硅樹(shù)脂(4)。
文檔編號(hào)H01L33/56GK102959745SQ20118003044
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者大林孝志, 白石誠(chéng)吾 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社