專利名稱：在襯底上形成圖案的方法
在襯底上形成圖案的方法技術(shù)領(lǐng)域
本文中所揭示的實施例涉及在襯底上形成圖案的方法。
背景技術(shù)：
集成電路通常在諸如硅晶片或其它半導(dǎo)電材料等半導(dǎo)體襯底上形成。一般來說， 利用為半導(dǎo)電、導(dǎo)電或絕緣的各種材料來形成集成電路。舉例來說，使用各種工藝對各種材料進行摻雜、離子植入、沉積、蝕刻、生長等等。半導(dǎo)體處理中的持續(xù)目標是繼續(xù)努力減小個別電子組件的大小，由此使得更小且更密集的集成電路成為可能。
一種用于圖案化和處理半導(dǎo)體襯底的技術(shù)是光學(xué)光刻術(shù)。此包含通常稱為光致抗蝕劑的可圖案化掩模的沉積。此些材料可經(jīng)處理以修改其在某些溶劑中的溶解性，且由此可容易地用于在襯底上形成圖案。舉例來說，可通過輻射圖案化工具(例如掩?；蚬庹?(reticle))中的開口使光致抗蝕劑的多個部分暴露于光化能，以與所沉積狀態(tài)的溶解性相比改變暴露區(qū)域?qū)ξ幢┞秴^(qū)域的溶劑溶解性。此后，視光致抗蝕劑的類型而定，可移除暴露區(qū)域或未暴露區(qū)域，由此在襯底上留下光致抗蝕劑的掩模圖案?？?例如)通過蝕刻或離子植入來處理下伏襯底的緊挨著遮蔽部分的鄰近區(qū)，以實現(xiàn)鄰·近掩模材料的襯底的所要處理。在某些情形下，利用光致抗蝕劑的多個不同層和/或光致抗蝕劑與非輻射敏感掩模材料的組合。此外，可在不使用光致抗蝕劑的情況下在襯底上形成圖案。
不斷減小特征大小對用以形成所述特征的技術(shù)提出愈來愈高的要求。舉例來說， 通常使用光學(xué)光刻來形成圖案化特征，例如導(dǎo)電線。通常稱為“節(jié)距”的概念可結(jié)合與其直接鄰近的空間來闡述重復(fù)特征的大小。節(jié)距可定義為在直線截面中重復(fù)圖案的兩個相鄰特征中的相同點之間的距離，由此包含特征和空間到下一直接鄰近特征的最大寬度。然而，由于諸如光學(xué)和光或輻射波長等因素，光學(xué)光刻技術(shù)往往有最小節(jié)距，低于所述最小節(jié)距則特定光學(xué)光刻技術(shù)便不能可靠地形成特征。因此，光學(xué)光刻技術(shù)的最小節(jié)距是使用光學(xué)光刻不斷減小特征大小的障礙。
節(jié)距加倍或節(jié)距倍增是一種用于使光學(xué)光刻技術(shù)的能力延伸超出其最小節(jié)距的方法。此通常通過沉積一種或一種以上間隔物形成材料來形成比最小光學(xué)光刻分辨率窄的特征，以具有小于最小可能光學(xué)光刻特征大小者的總橫向厚度。通常各向異性蝕刻間隔物形成材料來形成亞光刻特征，且接著從襯底蝕刻掉以最小光學(xué)光刻特征大小所形成的特征。
使用節(jié)距實際上減半的此技術(shù)，節(jié)距的此減小照慣例稱作節(jié)距“加倍”。更一般來說，“節(jié)距倍增”涵蓋節(jié)距增加兩倍或兩倍以上以及不為整數(shù)的分數(shù)值。因此，照慣例，節(jié)距 “倍增”某一因數(shù)實際上涉及使節(jié)距減小所述因數(shù)。發(fā)明內(nèi)容


圖I是在本發(fā)明實施例的工藝中襯底的示意性截面圖。圖2是圖I襯底在圖I所示的處理步驟之后的處理步驟處的視圖。圖3是圖2的聚合物的放大視圖。圖4是圖2襯底在圖2所示的處理步驟之后的處理步驟處的視圖。圖5是圖4襯底在圖4所示的處理步驟之后的處理步驟處的視圖。圖6是在本發(fā)明實施例的工藝中替代實施例襯底的示意性截面圖。圖7是圖6襯底在圖6所示的處理步驟之后的處理步驟處的視圖。圖8是圖7襯底在圖7所示的處理步驟之后的處理步驟處的視圖。圖9是在本發(fā)明實施例的工藝中襯底的示意性截面圖。圖10是圖9襯底在圖9所示的處理步驟之后的處理步驟處的視圖。圖11是在本發(fā)明實施例的工藝中襯底的示意性截面圖。圖12是圖2的襯底的替代實施例襯底的視圖。圖13是圖2的襯底的另一替代實施例襯底的視圖。
具體實施例方式首先參照圖I到5闡述本發(fā)明一些實施例的在襯底上形成圖案的實例性方法。參 照圖1，一般使用參考編號10指示襯底片段。此可包括半導(dǎo)體或其它襯底。在本文件的上 下文中，術(shù)語“半導(dǎo)體襯底”或“半導(dǎo)電襯底”定義為指包括半導(dǎo)電材料的任一構(gòu)造，所述半 導(dǎo)電材料包含(但不限于)諸如半導(dǎo)電晶片等塊體半導(dǎo)電材料(單獨或在其上包括其它材 料的組合件中)和半導(dǎo)電材料層(單獨或在包括其它材料的組合件中)。術(shù)語“襯底”是指 任一支撐結(jié)構(gòu)，其包含(但不限于)上文所闡述的半導(dǎo)電襯底。額外實例包含石英、藍寶石
坐 寸O襯底片段10包括襯底材料12，所述襯底材料可為均質(zhì)或非均質(zhì)的且包含導(dǎo)電、半 導(dǎo)電和絕緣材料中的任一者。舉例來說，此可用于制造集成電路。間隔開的特征14已形成 于襯底12上方，且可為均質(zhì)或非均質(zhì)的。此可部分地或完全地犧牲，且因此可包括或可不 包括在其中所制造電路的最終電路構(gòu)造的一部分?？赏ㄟ^任一現(xiàn)有或尚待開發(fā)的技術(shù)來制 造間隔開的特征14。實例包含光刻，例如光學(xué)光刻。間隔開的特征14可包括或可不包括 光致抗蝕劑。無論如何，在最初形成之后，特征14的最外表面可經(jīng)硬化或以其它方式處理。 間隔開的特征14可以制造襯底10的最小光學(xué)光刻分辨率、大于或小于所述最小光學(xué)光刻 分辨率來圖案化。間隔開的特征14顯示為具有相同的大小、形狀和相對于彼此的間距且橫 截面大體為矩形?？墒褂门c特征中的形狀不同的其它形狀和兩種或兩種以上不同間距。間 隔開的特征14的個別特征可視為包括相對外部橫向側(cè)壁表面16和沿立面外部頂壁或表面 18。在一個實施例中，側(cè)壁16大體上彼此平行。在一個實施例中，側(cè)壁16大體上彼此平行 且相對于襯底12大體正交延伸。在一個實施例中，夕卜表面16和18中的一者或一者以上包 括光致抗蝕劑。參照圖2，聚合物20已吸附到間隔開的特征14的橫向外表面16。此外，在一個實 施例中且如所顯示，聚合物20吸附到間隔開的特征14的立面外表面18。在本文件的上下文 中，聚合物是具有經(jīng)化學(xué)鍵結(jié)單體的鏈的細長分子。舉例來說，圖3以圖解說明方式將聚合 物20繪示為具有相對側(cè)21和22以及相對縱向末端24和26。在一個實施例中，聚合物具CN 102947918 A書明說3/6頁有已知或預(yù)定的鏈長度，其中縱向末端24、26中的一者吸附到橫向外表面16，由此所吸附聚合物從此些橫向外表面縱向伸出，其中聚合物鏈長度界定在間隔開的特征上所吸附聚合物的實質(zhì)上均一橫向厚度。圖2繪示一個此實例。圖2還繪示縱向聚合物相對于主表面16 和18大體上以正交或垂直方式伸出的實例?？墒褂冒l(fā)生縱向伸出的替代實施例，例如以與此些主表面成不同的均一角度(圖11)和/或以盤繞系綜方式(coiledensemble manner) (圖12)(例如利用接枝聚合物刷或類似于接枝聚合物刷可發(fā)生的情形)。
在一個實施例中，在直接鄰近的間隔開的特征14之間的聚合物20并未充滿其間的空間，且由此在直接鄰近的間隔開的特征14之間提供空隙空間28。在一個實施例中，吸附到橫向外表面16的所有聚合物基本上由單一組成聚合物組成?？赏ㄟ^聚合物的分子鏈長度(N*b)確定吸附到外表面16、18的聚合物20的橫向?qū)挾然蚝穸?，其中N為聚合度且b 為統(tǒng)計鏈段長度，其中在一實例性實施例中其乘積在從I納米到10納米的范圍內(nèi)。聚合物 20將可能以其側(cè)壁與直接鄰近聚合物分子接觸或相互作用的方式進行吸附。無論如何，吸附可通過物理吸附或化學(xué)吸附中的一者或兩者實現(xiàn)。
在一個實施例中，聚合物包括一個親近外部橫向特征表面的組合物且吸附到其的縱向末端。在一個實施例中，聚合物包括一個疏遠外部橫向特征表面的組合物的縱向末端， 且在一個實施例中一般也是疏水的。在一個實施例中，聚合物是兩親化合物。在一個實施例中，聚合物是寡聚物。在一個實施例中，聚合物是共聚物，例如，嵌段共聚物或接枝共聚物。無論如何，聚合物可使用合成化學(xué)技術(shù)中的已知方法 被化學(xué)官能化，以提供所要的疏遠性(phobicity)和親近性(phyllicity)。
不管聚合物鏈長度如何，聚合物選擇可取決于吸附聚合物的外表面16和18的組合物。舉例來說，深紫外線正性抗蝕劑通常包括甲基丙烯酸酯或環(huán)烯烴-馬來酸酐共聚物。 對于此些材料來說，實例性兩親聚合物包含全氟烷基磺酸鹽或氟化有機硅化合物。實例性嵌段共聚物包含吸附到抗蝕劑外表面的極性嵌段(例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚環(huán)氧乙烷、 聚乙基酰胺、聚乙基苯乙烯等)與非極性外部嵌段(聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯等)或含氟聚合物外部嵌段(例如全氟烷烴或聚(五氟苯乙烯))的組合。
聚合物吸附到間隔開的特征的橫向外表面之后，相對于所吸附聚合物選擇性移除 (即，通過蝕刻或溶劑化)間隔開的特征的材料，或相對于間隔開的特征選擇性移除(即，通過蝕刻或溶劑化)所吸附聚合物的材料，且無論如何在襯底上形成圖案。在本文件的上下文中，選擇性移除要求一種材料相對于另一種材料以至少I. 5的差異蝕刻速率移除。舉例來說，圖2的所吸附聚合物20可經(jīng)拋光和/或各向異性回蝕達至少立面外表面18，并由此暴露間隔開的特征14的材料(圖4)?？蓪嵤┗蚩刹粚嵤┒〞r化學(xué)蝕刻以減小在襯底材料 12上方沿橫向外表面16的所吸附聚合物的立面厚度(未顯示)。無論如何，圖5顯示間隔開的特征14 (未顯示)的所有材料選擇性地相對于聚合物20的實例性后續(xù)移除，此產(chǎn)生包括接納于襯底12上方的掩模圖案27的間隔開的特征25。在其它實施例中，間隔開的特征 25可包括用于后續(xù)化學(xué)修飾或選擇性化學(xué)處理(例如染色以增強蝕刻選擇性)或用于在定向自組裝中功能組份的選擇性沉積的位點。
在一個實施例中，所吸附聚合物的材料可相對于間隔開的特征選擇性移除，如 (例如)關(guān)于圖6到8的實施例中的襯底片段IOa所顯示。在適當情況下利用上文所闡述實施例的相同編號，其中差別利用后綴“a”或利用不同編號指示。圖6繪示在圖2所示處7理之后的替代處理。填充材料30已沉積到空隙空間28內(nèi)、間隔開的特征14上方和所吸附聚合物20上方。填充材料30可為均質(zhì)或非均質(zhì)的，且可為與間隔開的特征14的立面外表面18和/或表面16相同或不同的組合物。
參照圖7，已移除填充材料30以暴露所吸附聚合物20并留下空隙空間28內(nèi)的填充材料30。此可通過蝕刻和/或拋光作用發(fā)生。在聚合物20接納于間隔開的特征14的立面外表面18上方(如所顯示)的情況下，此移除可暴露(未顯示)或可不暴露(如所顯示)間隔開的特征14。即使如所示聚合物20吸附到間隔開的特征14的立面外表面18，此聚合物也可(例如)通過蝕刻(未顯示)移除以暴露間隔開的特征14。無論如何，在某一時刻，相對于所吸附聚合物20選擇性移除間隔開的特征14或相對于間隔開的特征14選擇性移除所吸附聚合物20材料，以在襯底12上形成圖案。
圖8繪示在圖7所示處理之后的實例性后續(xù)處理，其中已相對于間隔開的特征14 以及填充材料30選擇性移除所吸附聚合物20 (未顯示)，由此在下伏襯底12上形成圖案 27a。所得圖案中的任一者(即圖案27或27a)可用作掩模圖案，用于(例如)通過蝕刻、 離子植入或任 一其它現(xiàn)有或尚待開發(fā)的方法通過其進一步處理襯底12。或者如上文所闡述，間隔開的特征可包括用于后續(xù)化學(xué)修飾或選擇性化學(xué)處理(例如染色以增強蝕刻選擇性)或用于在定向自組裝中功能組份的選擇性沉積的位點。
可以以下方法且僅以實例方式將聚合物20吸附到橫向外表面16，且在一些實施例中還吸附到立面橫向外表面18。圖9用于解釋一個關(guān)于可為圖I的襯底10的襯底片段 50的實例。圖9將襯底50繪示為包括間隔開的特征14，所述間隔開的特征內(nèi)包括聚合物20。吸附于包括光致抗蝕劑的間隔開的特征14內(nèi)的聚合物的實例性濃度范圍是從O. 001 重量％到5. O重量％。聚合物20可均勻地或可不均勻地分布于間隔開的特征14內(nèi)。無論如何，可處理襯底50以使聚合物20移動，以至少吸附到間隔開的特征14的橫向外表面16。 在一個實施例中，驅(qū)使聚合物從間隔開的特征的外表面縱向伸出。圖2、12和13繪示此些實例性實施例，其中顯示縱向伸出且相對于涵蓋橫向表面16和立面外表面18兩者的外表面。圖2、12和13還繪示其中聚合物20的任何部分均未保留在固體特征14內(nèi)的實例。
涵蓋替代處理，例如如圖10中所顯示。在圖10中，聚合物20的一個縱向末端部分可混溶于固體特征14中且保留在固體特征14內(nèi)，且與所述一個末端相對的聚合物20的另一縱向末端部分不混溶于特征14中且從固體特征外表面(例如在一個實施例中從橫向表面16和立面表面18兩者)伸出。僅舉例來說，當使用接納于特征14內(nèi)的某些二嵌段共聚物時此種情況可發(fā)生，其中二嵌段中的一者不混溶或疏遠間隔開的特征14的其它材料且二嵌段中的另一者對于特征14的其它材料為中性、親近或可混溶的。此可自發(fā)地發(fā)生或可提供適合的高溫達適合的時期以從圖9的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生圖10的結(jié)構(gòu)。加熱的實例性范圍對于任何地方均為從約100°C到約300°C，持續(xù)5秒到10分鐘。接著，可(例如)如在上文所闡述實施例的圖4到8中的任一者中所顯示以其它方式進行處理。此外，僅舉例來說，視聚合物和間隔開的特征的組合物而定，通過將襯底適合的加熱適合的時期可產(chǎn)生圖2作為一個實例的構(gòu)造。
在加熱用以驅(qū)使聚合物到特征表面的情況下，關(guān)于光致抗蝕劑處理的襯底伴熱處理可保持不變或包含顯影后烘焙。無論如何，本發(fā)明實施例的聚合物的基本熱力學(xué)驅(qū)動力和傳送機制可與浸潤式光刻中所用的頂部無涂層光致抗蝕劑的處理相同或類似。在頂部無涂層浸潤式光刻中，將聚合物表面活性劑與光致抗蝕劑摻合以提供疏水性且消除對單獨頂部涂層的需求，因此稱為“頂部無涂層”。在頂部無涂層浸潤式光刻中，表面活性劑到外表面的擴散通常發(fā)生在暴露于浸潤式光刻掃描儀之前的軟烘焙期間。頂部無涂層浸潤式光刻可以或可不用于本發(fā)明的實施例中。在一個實施例中，如果使用，那么本發(fā)明使用的浸潤式光刻表面活性劑與聚合物可作為光致抗蝕劑內(nèi)的獨立部分摻合并實現(xiàn)二者各自的功能?；蛘?，在另一實施例中，可將兩種功能并入單一聚合物內(nèi)，例如用于浸潤式掃描的疏水性和用于在特征周圍形成間隔物的聚合物鏈長度。
作為替代實例性處理，如此制造的間隔開的特征的材料可有效地不含待吸附的聚合物，且此聚合物在施加到間隔開的特征的液體內(nèi)提供。例如，圖11繪示圖I的襯底10，其具有已施加于其上的液體60。此繪示為包括懸浮于其中的聚合物20。圖11的處理可在適合溫度、壓力、濃度和時間條件下發(fā)生，由此發(fā)生聚合物吸附并產(chǎn)生圖2的結(jié)構(gòu)。僅舉例來說，此可在顯影后清洗步驟期間發(fā)生。例如，去離子水清洗步驟可代替包括聚合物的去離子水清洗或與其組合，其中，在其中的適合聚合物20選擇性地吸附到間隔開的特征14的一個或一個以上橫向外表面。這可與在光刻中所使用的常規(guī)表面活性劑清洗形成對比，其中表面活性劑吸附到水_空氣界面，以便減小液體表面張力來減輕毛細管塌陷以及減小流體薄膜破裂的傾向，流體薄膜破裂可導(dǎo)致液滴形成及可能的水印(桌布狀(doily))缺陷。
在一個實施例中，如果使用浸潤式或干式光刻，那么可將本發(fā)明待吸附的聚合物和在光刻中所使用的減小表面張力的常規(guī)表面活性劑摻合在單一清洗流體中，且兩種功能 (聚合物吸附和水表面張力減小)是在單一清洗步驟期間同時實現(xiàn)的。舉例來說，適合的表面活性劑種類可為理想地以低于臨界膠束濃度的濃度提供的全氟烷基磺酸鹽。
如上文關(guān)于圖9和/或10所闡述的處理可與關(guān)于圖11所闡述者組合。
如上文所提及，在本發(fā)明的實施例中可通過物理吸附和/或通過化學(xué)吸附進行吸附。通常通過極性和色散力驅(qū)動表面物理吸附，其中不形成直接的化學(xué)鍵?？闪硗獾鼗蚩商娲厥褂没瘜W(xué)吸附聚合物。例如，其中在聚合物分子的一個縱向末端的適合基團可與掩模材料(例如光致抗蝕劑)表面存在的化學(xué)官能團反應(yīng)以形成共價鍵，而聚合物分子的剩余部分是疏遠外表面的。此些化學(xué)吸附的聚合物薄膜可由自組裝單層組成。預(yù)計提供蝕刻選擇性的形成自組裝單層的實例性材料是三氯硅氧烷，其中例如三氯基團將與抗蝕劑結(jié)合且硅氧烷鏈將為含碳抗蝕劑分子提供蝕刻選擇性。
在本發(fā)明的一個實施例中，在襯底上形成圖案的方法包括在襯底上方形成間隔開的固體特征。間隔開的固體特征的大小經(jīng)擴展，而在其上方未沉積單獨的固體材料。在一個實施例中，間隔開的特征大小經(jīng)擴展，而在其上方未沉積液體材料。如參照圖9和10所闡述的實施例是實例。在一個實施例中，擴展至少部分地由在其上方沉積液體材料而產(chǎn)生。 圖11的實施例是一個此實例。
無論如何，在間隔開的固體特征包括適當聚合物的情況下，擴展可包括熱驅(qū)動固體特征內(nèi)的聚合物以從所述固體特征的外表面縱向伸出。在一個實施例中，外表面是特征的未擴展部分，其中聚合物的一個縱向末端部分保留在固體特征的未擴展部分內(nèi)且聚合物的與此一末端相對的另一縱向末端部分從固體特征的外表面伸出。圖10是此實例。另一選擇，聚合物的任何部分可均不保留在固體特征的未擴展部分內(nèi)，例如在圖2的實施例中所顯示。無論如何，在一個實施例中，大小擴展不存在固體特征與其上方所接納的任何物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)。
權(quán)利要求
1.一種在襯底上形成圖案的方法，其包括在襯底上方形成間隔開的特征；使聚合物吸附到所述間隔開的特征的橫向外表面；以及相對于所述所吸附聚合物選擇性地移除所述間隔開的特征的材料，或相對于所述間隔開的特征選擇性地移除所述所吸附聚合物的材料，以在所述襯底上形成圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述吸附包括物理吸附。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述吸附包括化學(xué)吸附。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述聚合物具有已知鏈長度且具有相對縱向末端，所述聚合物的所述縱向末端之一吸附到所述橫向外表面，由此所述所吸附聚合物從所述橫向外表面縱向伸出，其中所述鏈長度界定所述所吸附聚合物在所述間隔開的特征上的實質(zhì)上均一橫向厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述聚合物包括一個親近所述橫向外表面的組合物并吸附到其的縱向末端。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述聚合物包括一個疏遠所述橫向外表面的組合物的縱向末端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述一個縱向末端是疏水的。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述聚合物包括一個親近所述橫向外表面的組合物并吸附到其的縱向末端，且包括一個與所述縱向末端相對且疏遠所述橫向外表面的所述組合物的縱向末端。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其包括相對于所述所吸附聚合物選擇性地移除所述間隔開的特征的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其包括相對于所述間隔開的特征選擇性地移除所述所吸附聚合物的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其包括使所述聚合物吸附到所述間隔開的特征的立面外表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其包括在直接鄰近的所述間隔開的特征之間提供空隙空間，所述間隔開的特征具有吸附到其的聚合物；將填充材料沉積到所述空隙空間內(nèi)、所述間隔開的特征上方和所述所吸附聚合物上方；以及移除所述填充材料以暴露所述所吸附聚合物并留下在所述空隙空間內(nèi)的填充材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其包括移除所述填充材料以暴露所述間隔開的特征并留下在所述空隙空間內(nèi)的填充材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其包括使所述聚合物吸附到所述間隔開的特征的立面外表面，所述沉積在吸附到所述立面外表面的所述聚合物上方形成所述填充材料，所述移除包含移除吸附到所述立面外表面的所述聚合物以暴露所述間隔開的特征。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述填充材料具有與所述間隔開的特征的立面外表面相同的組合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述填充材料具有與所述間隔開的特征的立面外表面不同的組合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其包括相對于所述間隔開的特征和所述填充材料選擇性地移除所述所吸附聚合物的材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述圖案是掩模圖案，且進一步包括通過所述掩模圖案處理所述襯底。
19.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述圖案經(jīng)形成以包括用于后續(xù)a)化學(xué)修飾、 b)選擇性化學(xué)處理和c)在定向自組裝中選擇性沉積功能組份中的一項的位點。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述橫向外表面包括光致抗蝕劑。
21.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述聚合物是共聚物。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述聚合物是嵌段共聚物。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述聚合物是接枝共聚物。
24.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述聚合物是寡聚物。
25.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述聚合物是兩親化合物。
26.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中吸附到所述橫向外表面的所有聚合物基本上由單一組成聚合物組成。
27.一種在襯底上形成圖案的方法，其包括在襯底上方形成間隔開的固體特征；以及擴展所述間隔開的固體特征的大小，而在其上方未沉積單獨固體材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其包括擴展所述間隔開的特征的大小，而在其上方未沉積液體材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述擴展至少部分地由在其上方沉積液體材料而產(chǎn)生。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述間隔開的固體特征包括聚合物，所述擴展包括熱驅(qū)動在所述固體特征內(nèi)的所述聚合物從所述固體特征的外表面縱向伸出。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述外表面是所述特征的未擴展部分，所述聚合物的一個縱向末端部分保留在所述固體特征的所述未擴展部分內(nèi)，且所述聚合物的與所述縱向末端部分相對的另一縱向末端部分從所述固體特征的所述外表面伸出。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述外表面是所述特征的未擴展部分，所述聚合物的任何部分均未保留在所述固體特征的所述未擴展部分內(nèi)。
33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中所述擴展不存在所述固體特征與其上方的任何物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)。
34.一種在襯底上形成圖案的方法，其包括在襯底上方形成間隔開的特征，所述特征內(nèi)包括聚合物；驅(qū)動所述聚合物從所述間隔開的特征的外表面縱向伸出；以及相對于所述聚合物選擇性地移除所述間隔開的特征的材料，或相對于所述間隔開的特征選擇性地移除所述聚合物的材料，以在所述襯底上形成圖案。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述聚合物是在所述驅(qū)動之前的某一時間均勻地分布在所述間隔開的特征內(nèi)。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述聚合物的一個縱向末端部分保留在所述固體特征內(nèi)，且所述聚合物的與所述縱向末端部分相對的另一縱向末端部分從所述間隔開的特征的所述外表面伸出。
37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述聚合物的任何部分均未保留在所述固體特征內(nèi)。
38.一種在襯底上形成圖案的方法，其包括在襯底上方形成間隔開的特征；將液體施加到所述間隔開的特征以使來自所述液體的聚合物吸附到所述間隔開的特征的橫向外表面上；以及相對于所述所吸附聚合物選擇性地移除所述間隔開的特征的材料，或相對于所述間隔開的特征選擇性地移除所述所吸附聚合物的材料，以在所述襯底上形成圖案。
全文摘要
一種在襯底上形成圖案的方法包含在襯底上方形成間隔開的特征。聚合物被吸附到所述間隔開的特征的橫向外表面。相對于所述所吸附聚合物選擇性地移除所述間隔開的特征的材料，或相對于所述間隔開的特征選擇性地移除所述所吸附聚合物的材料，以在所述襯底上形成圖案。在一個實施例中，所述聚合物具有已知鏈長度且具有相對縱向末端。所述聚合物的所述縱向末端之一吸附到所述橫向外表面，由此所述所吸附聚合物從所述橫向外表面縱向伸出，其中所述鏈長度界定所述所吸附聚合物在所述間隔開的特征上的實質(zhì)上均一橫向厚度。涵蓋另外的實施例。
文檔編號H01L21/027GK102947918SQ201180026970
公開日2013年2月27日 申請日期2011年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月3日
發(fā)明者安東·德維利耶, 斯科特·西里斯 申請人:美光科技公司