專利名稱：高帶寬連接器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
所述的各方面一般涉及電互連系統(tǒng)，更具體地，涉及 改進(jìn)的互連系統(tǒng)中的信號完整性。
背景技術(shù)：
在各種電互連系統(tǒng)中，通常使用可分離的多引腳連接器。在I吉比特/秒至20吉比持/秒的范圍內(nèi)傳輸信號的單端和差分對電路徑是通過諸如線纜或集成電路封裝件的信號傳輸結(jié)構(gòu)來提供的。這樣的電路徑通常存在于諸如子卡和背板的電路板之間。相應(yīng)地，在該范圍內(nèi)的頻率下傳輸信號的可分離連接器是已知的。然而，其在設(shè)計電連接器以在相對有限的區(qū)域內(nèi)提供適當(dāng)數(shù)量的信號路徑方面通常是挑戰(zhàn)，在該相對有限的區(qū)域內(nèi)，所有信號路徑具有支持整個電子系統(tǒng)的期望水平的性能的電特性。在連接器不具有預(yù)先指定的信號導(dǎo)體或接地導(dǎo)體的情況下，可將連接器稱為“引腳開放型(open pin field)連接器”。對于引腳開放型連接器，連接器的電特性(諸如，插入損耗、由于阻抗不匹配導(dǎo)致的信號反射、不同信號導(dǎo)體之間的串?dāng)_等)可以通過適當(dāng)?shù)剡x擇如何分配連接器弓I腳來控制。例如，一些連接器弓I腳可被分配來傳輸信號或者可成對以傳輸差分信號。可分配一些連接器引腳用作高頻數(shù)字接地部。這些接地部可連接到地或者可傳輸固定電壓供電或者電カ返回。在一些情況下，數(shù)字接地部與電カ返回連接部同時使用。此外，ー些信號被分配來傳輸相對低速的信號。在引腳開放型連接器中，可以進(jìn)行引腳分配以用接地部隔開高速信號導(dǎo)體或者以使包圍高速信號導(dǎo)體。例如，如果連接器包括被布置成行與列的ニ維規(guī)則陣列的導(dǎo)電引腳，則可以分配水平相鄰的導(dǎo)體對以按與水平相鄰的接地回路引腳對交替的圖案用作用于差分信號的正負(fù)信號引腳。信號引腳的圖案可逐行交錯兩個位置。這樣的布置提供了差分對和接地對棋盤狀圖案。類似的配置可針對垂直成對的信號導(dǎo)體和成對的接地部而出現(xiàn)。通過電連接器實(shí)現(xiàn)信號路徑的期望電特性的替選方法是指定連接器內(nèi)的某些導(dǎo)體來傳輸信號而指定其他導(dǎo)體接地。當(dāng)先驗(yàn)已知哪些導(dǎo)體傳輸信號以及哪些導(dǎo)體接地吋，可以根據(jù)導(dǎo)體的功能調(diào)整其形狀和位置。例如，被指定成對以傳輸差分信號的信號導(dǎo)體可被布線成彼此接近?？墒贡恢付榻拥氐膶?dǎo)體比傳輸高速信號的導(dǎo)體寬，并且可被放置成屏蔽高速信號。此外，當(dāng)預(yù)先分配連接器中的導(dǎo)體的預(yù)期功能時，可將有損耗材料結(jié)合到連接器中，以增強(qiáng)連接器的性能。作為減少連接器中的諧振的方式，有損耗材料例如可與接地導(dǎo)體接觸。
盡管包括具有預(yù)先分配的功能的導(dǎo)體的連接器可提供更好的性能，但是在歷史上，許多連接器已經(jīng)是引腳開放型連接器。引腳開放型連接器向電子系統(tǒng)的設(shè)計者提供了更好的靈活性。此外，一旦系統(tǒng)已被設(shè)計有連接器，這在對該系統(tǒng)的升級使用相同連接器或可兼容連接器來使更舊的部件和更新的部件互連的情況下是理想的。出于這些和其他原因，仍廣泛使用弓I腳開放型連接器。

發(fā)明內(nèi)容
通過ー種或多種設(shè)計技術(shù)的組合提供改進(jìn)的引腳開放型連接器。這些技術(shù)可提供諸如串?dāng)_、阻抗和/或插入損耗的特性的適當(dāng)值，而不管連接器中的哪些導(dǎo)電元件是用于傳輸高速信號以及哪些導(dǎo)電元件用作接地導(dǎo)體或傳輸?shù)退傩盘?。一種這樣的技術(shù)可包括鄰近于連接器內(nèi)的導(dǎo)電元件選擇性地放置有損耗材料。在一些實(shí)施例中，有損耗材料包括在多引腳的引腳開放型連接器中。在沒有專門設(shè)計成信號導(dǎo)體或接地導(dǎo)體的導(dǎo)電元件的實(shí)施例中，有損耗材料可鄰近于一些導(dǎo)電元件來放置，即使 那些導(dǎo)電元件可用于傳輸信號。在一些實(shí)施例中，有損耗材料可選擇性地放置成對所有導(dǎo)電元件具有相當(dāng)?shù)挠绊懀允惯B接器的任何導(dǎo)電元件會展現(xiàn)適當(dāng)?shù)男阅芴匦?，而無論是否被設(shè)計成信號導(dǎo)體或接地導(dǎo)體。另外，任何導(dǎo)電元件對可被設(shè)計為傳輸差分信號的導(dǎo)電對。有損耗材料在電連接器中的不同放置(諸如，鄰近于導(dǎo)電元件)是適當(dāng)?shù)?。在ー些實(shí)施例中，有損耗材料還可用于填充導(dǎo)電元件之間的區(qū)域?？蛇x擇有損耗材料相對于導(dǎo)電元件的放置以減少導(dǎo)電元件對在被用作接地部的情況下的諧振，而不會引起用于傳輸信號的信號傳導(dǎo)元件的不可接受的減少。此外，在信號導(dǎo)體對用于傳輸差分信號的情況下，有損耗材料的區(qū)域可被放置和/或成形為有助于信號導(dǎo)體對的期望特性阻杭。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件在列方向上相對于其在行方向上的厚度而延長，并且有損耗材料可放置在各列之間。替選地或附加地，有損耗材料可被成形為控制導(dǎo)電元件之間的耦合，這在那些導(dǎo)電元件傳輸信號的情況下會有助于串?dāng)_。在一些實(shí)施例中，作為控制特性阻抗的方式，有損耗材料可被形成為多個帶或分離帶或者平面構(gòu)件，該平面構(gòu)件包括限定帶的多個槽。帶可被放置為遵循導(dǎo)電元件的輪廓。替選地或附加地，槽可位于導(dǎo)電元件之間。這樣的帶可對稱地放置在到一列導(dǎo)電元件的兩側(cè)。然而，在一些實(shí)施例中，有損耗材料可鄰近于連接器中的部分導(dǎo)電元件來放置，諸如通過包圍覆蓋導(dǎo)電元件的絕緣部分。在一些情況下，盡管有損耗材料緊鄰導(dǎo)電元件，但是有損耗材料不與導(dǎo)電元件接觸。在其他實(shí)施例中，有損耗材料部分地或全部地覆蓋連接器的導(dǎo)電元件。在ー些情況下，有損耗材料可與導(dǎo)電元件接觸。替選地或附加地，由有損耗材料引起的損耗量可通過在導(dǎo)電元件中形成間隙來增カロ。間隙區(qū)域可存在于連接器的導(dǎo)電元件的導(dǎo)電構(gòu)件之間。有損耗材料可放置在導(dǎo)電元件之間的這種間隙區(qū)域中，其中，有損耗材料與導(dǎo)電構(gòu)件接觸并形成導(dǎo)電構(gòu)件之間的連接。在一些實(shí)施例中，連接器的導(dǎo)電元件的導(dǎo)電構(gòu)件可包括窄橋接部分。這樣的窄橋接部分可支持DC信號傳播。對于具有窄橋接部分的導(dǎo)電元件，有損耗材料可放置在窄橋接部分附近，從而與導(dǎo)電構(gòu)件的端部和窄橋接部分接觸。
替選地或另外可使用的另ー種技術(shù)需要選擇使導(dǎo)電元件分隔的材料的相對介電常數(shù)。可與這些元件之間的間距成比例地選擇使導(dǎo)電元件分隔的材料的有效介電常數(shù)。材料和構(gòu)造技術(shù)可用于提供相隔更大距離的導(dǎo)電元件之間的更大介電常數(shù)。更大介電常數(shù)可通過在連接器殼體中使用高介電常數(shù)材料(諸如，相對介電常數(shù)為3以上的材料)來提供。替選地或附加地，可通過在相互更靠近的導(dǎo)電元件之間引入諸如空氣的低介電常數(shù)材料來實(shí)現(xiàn)有效介電常數(shù)的差別。控制有效介電常數(shù)可用于在導(dǎo)電元件之間的間距在連接器的不同維度上不同的情況下使任意相鄰導(dǎo)電元件對的特性阻抗均等。用于在導(dǎo)電元件之間的間距在連接器的不同維度上不同的情況下使特性阻抗均等的另ー種技術(shù)需要選擇性地放置有損耗材料以占據(jù)具有較寬間隔的相鄰導(dǎo)電元件之間的空間。這樣的技術(shù)可采用作為有損耗導(dǎo)體的有損耗材料。替選地或附加地可使用的另ー種技術(shù)需要選擇適當(dāng)形狀的導(dǎo)電元件。在導(dǎo)電元件雖然位于中心間距(on-center spacing_)在所有方向上均等的規(guī)則陣列中但具有比其寬度小的厚度的情況下，可相對于標(biāo)準(zhǔn)連接器減小導(dǎo)電元件的寬度。這樣的情況在導(dǎo)電元件由金屬片壓制而成時出現(xiàn)。 在說明性實(shí)施例中，提供了一種電連接器。該電連接器包括多個列，每一列均包括多個導(dǎo)電元件；以及有損耗材料，鄰近于多個列中的每一列的導(dǎo)電元件來設(shè)置，其中多個列和有損耗材料被適配并配置成使得導(dǎo)電元件提供具有標(biāo)稱阻抗的差分信號傳導(dǎo)路徑，其中由在同一列中的相鄰導(dǎo)電元件形成的信號路徑具有不小于標(biāo)稱阻抗的80%的阻抗，并且由在相鄰列中的相鄰導(dǎo)電元件形成的信號路徑具有不大于標(biāo)稱阻抗的120%的阻杭。在另ー說明性實(shí)施例中，提供了電連接器。電連接器包括多個列，每一列均包括多個導(dǎo)電元件；多個絕緣區(qū)域，每個絕緣區(qū)域與相應(yīng)列相關(guān)聯(lián)；有損耗材料，設(shè)置在多個有損耗區(qū)域中，其中對于多個列中的每一列，相應(yīng)的絕緣區(qū)域關(guān)于縱軸對稱地設(shè)置在該列的第一側(cè)和該列的第二側(cè)；以及第一有損耗區(qū)域設(shè)置在該列的第一側(cè)，而第二有損耗區(qū)域設(shè)置在該列的第二側(cè)，第二有損耗區(qū)域關(guān)于縱軸與第一有損耗區(qū)域?qū)澐Q。在另ー說明性實(shí)施例中，提供了一種用于電連接器的晶片。該晶片包括以列設(shè)置的多個導(dǎo)電元件以及鄰近于該列設(shè)置的至少ー個有損耗構(gòu)件，該至少一個有損耗構(gòu)件包括多個有損耗材料帶，每個帶遵循多個導(dǎo)電元件中的相應(yīng)導(dǎo)電元件的輪廓；以及不具有有損耗材料的多個區(qū)域，分隔多個帶中的相鄰帶。在又一說明性實(shí)施例中，提供了一種電連接器。該電連接器包括多列導(dǎo)電元件，多列中的每一列均包括多個導(dǎo)電元件；有損耗材料，其中對于多列中的每一列有損耗材料鄰近于多個導(dǎo)電元件的一部分設(shè)置，該部分至少包括第一導(dǎo)電元件、第二導(dǎo)電元件和第三導(dǎo)電兀件，并且有損耗材料與第一導(dǎo)電兀件間隔第一距離，有損耗材料與第二導(dǎo)電兀件間隔大于第一距離的第二距離，有損耗材料與第三導(dǎo)電元件間隔大于第二距離的第三距離。在另ー說明性實(shí)施例中，提供了一種電連接器。該電連接器包括多個列，每一列均包括多個導(dǎo)電元件，每個導(dǎo)電元件均包括接觸尾部、配對接觸部分和將接觸尾部和配對接觸部分接合的中間部分，其中多個導(dǎo)電元件的至少一部分中的每個導(dǎo)電元件均具有包括至少ー個縮窄部分的中間部分；以及具有有損耗材料的多個區(qū)域，每個區(qū)域均設(shè)置在多個導(dǎo)電元件中與縮窄部分相鄰的導(dǎo)電元件上。
在另ー說明性實(shí)施例中，提供了一種用于電連接器的晶片。該晶片包括以列設(shè)置的多個導(dǎo)電元件，多個導(dǎo)電元件中的至少一部分具有縮窄部分；以及具有有損耗材料的多個區(qū)域，每個區(qū)域均電連接至多個導(dǎo)電元件中與相應(yīng)導(dǎo)電元件的縮窄部分相鄰的相應(yīng)導(dǎo)電元件。上述內(nèi)容是本文中描述且在附圖中示出的本發(fā)明構(gòu)思的部分概況。


附圖并不是按比例繪制的。在附圖中，在各幅圖中示出的每個相同或幾乎相同的部件由類似的附圖標(biāo)記表示。為了清楚，可以不在每幅圖中標(biāo)記每個部件。在附圖中圖I是根據(jù)一些實(shí)施例的電互連系統(tǒng)的透視圖； 圖2是根據(jù)一些實(shí)施例的電互連系統(tǒng)內(nèi)的連接器的另一部分分解透視圖；圖3A是根據(jù)一些實(shí)施例的穿過圖2的電互連系統(tǒng)的標(biāo)記為3A/3B的平面所得到的橫截面的示意圖；圖3B是根據(jù)其他實(shí)施例的穿過圖2的電互連系統(tǒng)的標(biāo)記為3A/3B的平面所得到的橫截面的另ー示意圖；圖4是在將導(dǎo)電元件結(jié)合在絕緣材料內(nèi)之前的導(dǎo)電元件引線框的透視圖；圖5A是根據(jù)其他實(shí)施例的其上結(jié)合有絕緣材料的導(dǎo)電元件引線框的透視圖；圖5B是其上結(jié)合有絕緣殼體的導(dǎo)電元件引線框的另一透視圖；圖6A是具有有損耗材料的平面構(gòu)件的透視圖；圖6B是具有有損耗材料的平面構(gòu)件的另一透視圖；圖6C是根據(jù)一些實(shí)施例的具有有損耗材料的平面構(gòu)件的側(cè)剖面；圖7A是根據(jù)一些實(shí)施例的導(dǎo)電晶片的部分分解透視圖；圖7B是導(dǎo)電晶片的另一部分分解透視圖；圖7C是根據(jù)一些實(shí)施例的導(dǎo)電晶片的另一部分分解透視圖；圖8是導(dǎo)電晶片的透視圖；圖9是根據(jù)一些實(shí)施例的導(dǎo)電晶片的部分剖視圖；圖10是根據(jù)一些實(shí)施例的導(dǎo)電晶片的透視圖；圖11是根據(jù)一些實(shí)施例的電互連系統(tǒng)的部分剖視圖；圖12是根據(jù)一些實(shí)施例的導(dǎo)電晶片的部分剖視圖；圖13是根據(jù)一些實(shí)施例的另ー導(dǎo)電晶片的部分剖視圖；圖14A是根據(jù)一些實(shí)施例的穿過導(dǎo)電晶片所得到的橫截面的示意圖；圖14B是根據(jù)一些實(shí)施例的穿過另ー導(dǎo)電晶片所得到的橫截面的示意圖；圖14C是根據(jù)一些實(shí)施例的穿過另ー導(dǎo)電晶片所得到的橫截面的示意圖；圖15是相鄰導(dǎo)電元件和設(shè)置在導(dǎo)電元件上的有損耗材料帶的示意圖；圖16是相鄰導(dǎo)電元件和設(shè)置在導(dǎo)電元件的相對側(cè)的有損耗材料帶的示意圖；圖17是相鄰導(dǎo)電元件和設(shè)置在導(dǎo)電元件的兩側(cè)的有損耗材料的示意圖；圖18是相鄰導(dǎo)電元件和完全包圍導(dǎo)電元件的有損耗材料的示意圖；圖19是根據(jù)一些實(shí)施例的相鄰導(dǎo)電兀件和設(shè)置在導(dǎo)電兀件的相對側(cè)的有損耗材料的不意圖20是根據(jù)一些實(shí)施例的具有沿著導(dǎo)電元件的間隙區(qū)域的導(dǎo)電晶片的側(cè)面示意圖；圖21是根據(jù)一些實(shí) 施例的具有沿著導(dǎo)電元件的橋接間隙區(qū)域的導(dǎo)電晶片的側(cè)面示意圖；以及圖22是圖20的區(qū)域2010的特寫側(cè)面示意圖。
具體實(shí)施例方式發(fā)明人已認(rèn)識到并理解，可通過使用一種或多種構(gòu)造技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有期望的電特性和機(jī)械特性的弓I腳開放型連接器。這些技術(shù)可以按可同時為穿過連接器的信號路徑提供期望阻抗、串?dāng)_、插入損耗或其他電特性的適當(dāng)組合來使用。在一些實(shí)施例中，這些技術(shù)可應(yīng)用于引腳開放型連接器，以使得對于連接器內(nèi)的任何信號導(dǎo)體，這些電特性中的ー個或多個電特性可以是一致的以落入某一容差內(nèi)。作為具體示例，本文中所述的技術(shù)可用于提供根據(jù)HM標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)造的引腳開放型連接器，其在足以支持IOGbps以上的數(shù)據(jù)率的頻率范圍內(nèi)提供特性阻抗與可接受串?dāng)_和插入損耗，而不管選擇哪對相鄰導(dǎo)體傳輸這樣的信號。這些構(gòu)造技術(shù)可包括選擇性地放置有損耗材料。發(fā)明人已認(rèn)識到，在一些情況下，對于用于頻率分量超過大約IGHz的信號的連接器，可能存在不期望的諧振。這樣的諧振可能涉及電壓和電流的駐波圖案，尤其在被分配作為接地回路導(dǎo)體的導(dǎo)體中。存在于這樣的導(dǎo)體中的諧振會產(chǎn)生諸如信號幅度相對頻率傳輸響應(yīng)的傾角、信號反射和串?dāng)_響應(yīng)的峰值以及從合并連接器的設(shè)備輻射的電磁發(fā)射的峰值的影響。本文中提出了用于在保留為信號或信號接地回路功能分配各個引腳的靈活性的情況下顯著地減少連接器中的諧振的這些影響的設(shè)備和方法。在一些實(shí)施例中，在為固定電壓電力或電カ返回用途分配各個引腳時或者為了分配來傳輸?shù)退傩盘柖Ａ綮`活性。這樣的靈活性可以例如通過為連接器內(nèi)的所有導(dǎo)電元件提供相當(dāng)?shù)膿p耗量以及/或者在電浮置配置中提供有損耗材料來提供。當(dāng)浮置時，有損耗材料可以在連接器內(nèi)不電連接至任何導(dǎo)電元件。另外，為了支持將引腳開放型連接器用于高速信號，一種或多種技術(shù)可用于為任何相鄰導(dǎo)電元件對在關(guān)注的操作范圍內(nèi)提供均勻的阻抗，而不管那些導(dǎo)電元件是在行方向上對準(zhǔn)還是在列方向上對準(zhǔn)。在一些實(shí)施例中，這些技術(shù)可包括對連接器的導(dǎo)電元件的中間部分設(shè)置在行維度和列維度上提供近似均勻的維度的形狀。在導(dǎo)電元件由一片金屬壓制而成的實(shí)施例中，提供與金屬的厚度相當(dāng)?shù)膶挾瓤赡苁遣粚?shí)際的。然而，導(dǎo)電元件在沿著行的維度上比在沿著列的維度上更寬，以使得沿著列的邊緣間間距小于寬邊間間距。因此，其他技術(shù)可用于為由沿著行和沿著列的相鄰導(dǎo)電元件形成的對提供相當(dāng)?shù)淖杩埂＿@些技術(shù)可包括在沿著行的相鄰導(dǎo)電元件之間放置有損耗材料，而在沿著列的相鄰元件之間沒有相當(dāng)量的有損耗材料。替選地或者附加地，這樣的技術(shù)可包括相比于沿著列的相鄰元件之間，在沿著行的相鄰導(dǎo)電元件之間放置具有更高介電常數(shù)的材料。在一些實(shí)施例中，更高介電常數(shù)可通過將高介電常數(shù)材料用于連接器的絕緣殼體來實(shí)現(xiàn)。填充有空氣或其他低介電常數(shù)材料的槽可引入沿著列的導(dǎo)電元件之間。
在一些實(shí)施例中，有損耗材料可部分地導(dǎo)電，并且可被放置成有助于在不同方向上的導(dǎo)電元件之間存在不均等間距時使各對的阻抗均等。在這樣的實(shí)施例中，有損耗材料可被選擇性地放置在具有較寬間隔的導(dǎo)電元件之間。為了避免增強(qiáng)不g在形成差分對的導(dǎo)電元件之間的耦合(其在導(dǎo)電元件用于傳輸信號時會導(dǎo)致串?dāng)_增加)，有損耗材料可成形為通過有損耗材料限制電容性耦合。發(fā)明人已認(rèn)識到，這樣的耦合可能不期望地増加串?dāng)_。因此，作為減少電容性耦合的方式，本文中所應(yīng)用的技術(shù)可包括將槽并入有損耗構(gòu)件中?？赏ㄟ^提供具有有損耗材料的多個帶來實(shí)現(xiàn)槽的效果。盡管不打算受任何操作理論約束，但是發(fā)明人從理論上說明特性阻抗或阻抗矩陣可與ー組基本上平行延伸的接地導(dǎo)體引腳以及它們支持的電場的傳播模式相關(guān)聯(lián)，這是因?yàn)樵谑褂弥羞@樣的引腳一起連接到印刷電路板上的公共接地基準(zhǔn)導(dǎo)體。然而，和引腳開放型連接器中的接地導(dǎo)體引腳上的電荷和電流圖案有關(guān)系的一個諧振源涉及在短路或不匹配的零阻抗中終止的傳播模式。結(jié)果，接地導(dǎo)體引腳和公共接地基準(zhǔn)導(dǎo)體可呈現(xiàn)以諧振“腔”或結(jié)構(gòu)的形式儲存電磁能量的趨勢。 本文中所討論的連接器中的諧振能量儲存可涉及包括穿過連接器結(jié)構(gòu)多次的、疊加的反向反射電磁模和正向反射電磁模的駐波。反之，優(yōu)選的信號傳播可涉及信號傳播模式的單次單向通道。為了實(shí)現(xiàn)期望的信號傳播，連接器可被構(gòu)造為結(jié)合電磁有損耗材料。這樣的有損耗材料可包括在連接器中以使材料引入不期望的諧振模式的損耗大到足以降低對信號傳送的有害影響、反射、串?dāng)_等，同時將對期望信號傳送的損耗的影響保持為可接受水平。然而，在引腳開放型連接器中，由于事先不知道哪些導(dǎo)電元件將作為接地導(dǎo)體被連接，因此，諧振的補(bǔ)償和其他不期望的電效應(yīng)可應(yīng)用于連接器中的多個導(dǎo)電元件，以使得無論哪些作為接地部被連接，都會抑制諧振效應(yīng)?？蓱?yīng)用這樣的補(bǔ)償，以使得類似地放置的導(dǎo)電元件和導(dǎo)電元件對接收類似的補(bǔ)償。以該方式應(yīng)用補(bǔ)償會產(chǎn)生具有導(dǎo)電元件的列的子組件，其中，有損耗構(gòu)件相對于每列對稱放置。此外，期望對會在高頻下發(fā)生的串?dāng)_或其他效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。通過這樣做，本文中所述的引腳開放型連接器的實(shí)施例可被適配成在高頻下進(jìn)行操作。以這種方式適配連接器可使得新設(shè)計的高速連接器的半部分與先前設(shè)計的引腳開放型連接器的半部分機(jī)械地且電地配對。作為具體示例，可以使用本文中所述的技術(shù)將子卡連接器適配用于高頻操作。這樣的高頻連接器仍然將與傳統(tǒng)的背板連接器兼容。通過將高速子卡連接器附接至帶有高速芯片的新設(shè)計的高速子卡，可以使用傳統(tǒng)的背板連接器來將高速子卡插入具有背板的電子裝置，從而使得裝置升級，或者制造新的高頻裝置而對裝置的包括背板的部分不進(jìn)行改變。作為具體示例，可修改エ業(yè)標(biāo)準(zhǔn)HM子卡連接器，以即使在與傳統(tǒng)HM背板連接器配對時也提供大于10吉比特/秒的高速性能。這樣的連接器可具有在配對端和/或接觸尾部處關(guān)于中心間隔2mm的導(dǎo)電元件的矩形陣列，其中，連接器附接至印刷電路板。在各個實(shí)施例中，說明性地在上下兩件的子卡到背板多引腳連接器上提供有損耗材料的應(yīng)用。在一些實(shí)施例中，連接器可包括背板配對半部分，其包括絕緣殼體和獨(dú)立式或絕緣支持式背板導(dǎo)電接觸部，其中獨(dú)立式或絕緣支持式背板導(dǎo)電接觸部具有被適配用于連接至電路板內(nèi)的各條跡線(trace)的相對端。本文中所述的實(shí)施例可提供如下子卡連接器其可以與這樣的背板連接器配對，但與傳統(tǒng)的HM連接器相比支持更高速的信號。這樣的連接器可以在不舍棄引腳開放型連接器為了任何目的而使用任何導(dǎo)電元件的靈活性的情況下支持更高速的信號。任何適當(dāng)?shù)臉?gòu)造技術(shù)可用于這樣的子卡連接器。例如，子卡連接器可被構(gòu)造用于多個子組件，諸如晶片結(jié)構(gòu)。晶片結(jié)構(gòu)可包括多個子卡導(dǎo)電接觸部，其中每個導(dǎo)電接觸部具有相對端，其中一端被配置用干與背板連接器中的導(dǎo)電元件配對。第二端可被配置用于連接至印刷電路板。中間部分可接合這兩端。在一些實(shí)施例中，中間部分可彎曲近似90度的角以形成直角連接器。在一些實(shí)施例中，每個晶片均可包括鄰近于導(dǎo)電接觸部的一個或多個有損耗導(dǎo)電構(gòu)件以及在一些實(shí)施例中包圍導(dǎo)電接觸部但與導(dǎo)電接 觸部不進(jìn)行電接觸的ー個或多個有損耗導(dǎo)電構(gòu)件。例如，有損耗材料可包圍直角引線框部分中的導(dǎo)電接觸部，而不進(jìn)行電接觸或物理接觸。然而，在其他實(shí)施例中，有損耗材料可與電組件中的導(dǎo)電元件接觸。在鄰近每個導(dǎo)電元件的有損耗材料與鄰近其他導(dǎo)電元件的有損耗材料電隔離的實(shí)施例中，有損耗材料可與導(dǎo)電元件進(jìn)行電接觸或機(jī)械接觸。在其他實(shí)施例中，有損耗材料可以是絕緣體，以使得即使有損耗材料與導(dǎo)電元件機(jī)械接觸，也不會通過有損耗材料與導(dǎo)電元件之間的接觸來進(jìn)行電連接。結(jié)合有損耗材料可引起在關(guān)注的工作頻率范圍(諸如達(dá)到5GHz)內(nèi)范圍在OdB到3dB之間的損耗量。以10吉比特/秒數(shù)據(jù)信號作為示例，數(shù)據(jù)率的一半將對應(yīng)于5GHz，這將導(dǎo)致大約IdB至3dB的損耗以便適當(dāng)?shù)販p輕不期望的諧振效應(yīng)。不管是否使用特定的有損耗材料，一種減輕相鄰對之間的耦合的方法是將有損耗材料包括在導(dǎo)電元件中作為分離對的一部分的中間部分之間的每個晶片中。這樣的方法可減少耦合至接地對的能量，因此，減小了所引起的任何諧振的幅度。在一些實(shí)施例中，有損耗絕緣體或絕緣導(dǎo)體材料可用于改進(jìn)整個連接器數(shù)據(jù)傳輸性能?？蓪⑦B接器描述為傳輸線導(dǎo)體的集合，部分地或全部地封入在DC頻率下幾乎沒有系列衰減損耗發(fā)生的固體材料中，在除DC外的基帶頻率或者特定的預(yù)期頻率范圍下仍具有基本上固定的AC損耗特性。這樣的材料可被稱為“AC有損耗材料”。“AC有損耗材料”可用作“諧振阻尼材料”或者可以簡稱為“有損耗材料”。在一些實(shí)施例中，連接器可呈現(xiàn)出通過連接器傳輸線部件所傳送的數(shù)據(jù)信號波形的、重復(fù)且有益的超過DC的衰減。使用AC有損耗材料會導(dǎo)致所傳送的數(shù)據(jù)信號的主要電磁場配置的有益衰減。這樣的衰減會導(dǎo)致ー些傳送信號裕度(margin)在系統(tǒng)中的損耗。然而，該信號惡化可被認(rèn)為對于互連系統(tǒng)是期望的或有益的，并且在某些情況下，這樣的信號惡化可以通過其他互連系統(tǒng)部件來容忍或補(bǔ)償。具體地，通過AC有損耗材料的某種布置來對傳送信號的有目的的衰減和惡化在幫助減輕或減少連接器導(dǎo)體幾何結(jié)構(gòu)固有的諧振和/或多導(dǎo)體傳輸線串?dāng)_耦合效應(yīng)方面是有用的。在諧振的情況下，應(yīng)用AC有損耗材料可減輕和/或減少由于不期望的傳輸線再反射或起諧振器結(jié)構(gòu)作用的連接器子部件(例如，傳輸線短截線)而導(dǎo)致的失真的影響。由于連接器中的傳輸線再反射的減少引起的有益結(jié)果是由連接器諧振引起的串?dāng)_耦合隨后進(jìn)
ー步衰減。在連接器橫剖面中的多導(dǎo)體傳輸線串?dāng)_I禹合效應(yīng)(一般被描述為在與傳播方向正交的平面內(nèi)發(fā)生的串?dāng)_)的情況下，AC有損耗材料可被設(shè)計為利用充分的磁損耗特性減少電感性串?dāng)_，或者利用充分的材料偶極子和/或傳導(dǎo)渦電流損耗減少電容性串?dāng)_。在ー些方面，本公開涉及如下的一種電子裝置其中，諸如PCB的電路組件與已結(jié)合有AC有損耗材料的引腳開放型連接器互連。AC有損耗材料可與每列中的基本上全部導(dǎo)電元件結(jié)合。這樣的配置可提供用于通過連接器傳輸高速信號的期望電特性，而不管如何進(jìn)行引腳分配。連接器可被配置成為對同一列中的相鄰導(dǎo)電元件對施加的差分信號提供邊緣耦合。替選地，在不對連接器的設(shè)計進(jìn)行改變的情況下，可將連接器配置成為相鄰列中的相鄰導(dǎo)電元件對施加的差分信號提供寬邊耦合。這樣的耦合可實(shí)現(xiàn)期望的高頻性能，而不管選擇了哪些導(dǎo)體對。AC有損耗材料可以是任何適當(dāng)形式的材料，包括如下文所述的任何AC有損耗材料。這樣的材料可以是部分導(dǎo)電的、磁性的或介電的。AC有損耗材料可以任何ー種或多種方式結(jié)合到連接器中。在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料成型或放置在導(dǎo)電元件附近，但通過絕緣體與導(dǎo)電元件分隔。然而，在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料可直接與導(dǎo)電元件接觸。在AC有損耗材料導(dǎo)電的實(shí)施例中，AC有損耗材 料的與導(dǎo)電元件接觸的區(qū)域可通過絕緣材料而與其他導(dǎo)電元件或者AC有損耗材料的與其他導(dǎo)電元件接觸的其他區(qū)域隔離。在AC有損耗材料是電介質(zhì)的實(shí)施例中，AC有損耗材料的鄰近區(qū)域可與多個導(dǎo)電元件接觸，包括同一行或列中的多個相鄰導(dǎo)電元件。在一些實(shí)施例中，與每個導(dǎo)電元件接觸的AC有損耗材料的量可提供在IdB到3dB之間的沿著每個導(dǎo)電元件的損耗，其中該AC有損耗材料的量可通過控制鄰近于AC有損耗材料或與AC有損耗材料接觸的導(dǎo)電元件的長度來控制。然而，在一些實(shí)施例中，損耗可以在約O. 7dB到約3dB之間。在其他實(shí)施例中，損耗可以在約IdB到約4dB之間?？梢栽谂c為通過連接器的信號的數(shù)據(jù)率的一半的數(shù)據(jù)率對應(yīng)的頻率(以赫茲為單位)處達(dá)到該損耗。作為具體示例，連接器可針對大約10吉比特/秒的高頻性能來設(shè)計，并且可在5GHz下具有在IdB到3dB之間的損耗。轉(zhuǎn)向附圖，圖I示出包括子卡200和背板520的電子系統(tǒng)的一部分。應(yīng)該理解，圖I的簡化圖示僅示出了這些部件的部分，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，附加部件將包括在電子系統(tǒng)中。該系統(tǒng)包括提供背板520中的跡線與子卡200中的跡線之間的多條傳導(dǎo)路徑的電連接器100。這里，連接器100是引腳開放型直角連接器，其具有根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)(諸如，HM標(biāo)準(zhǔn))的機(jī)械形狀因數(shù)。根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)，連接器100提供布置成規(guī)則陣列的多個傳導(dǎo)路徑，其中，導(dǎo)電元件之間的中心間距為2mm。然而，應(yīng)該理解，可使用任何適當(dāng)?shù)拈g距。該間距的范圍可例如在I. 5mm到3mm之間。連接器100被示出為包括子卡連接器102和背板連接器500這兩個部分。在該示例中，子卡連接器102由多個子組件(這里，示為多個晶片300)組裝而成。多個晶片300附接至絕緣前売體400。在所示的實(shí)施例中，每個晶片均包含一列導(dǎo)電元件，每個導(dǎo)電元件均具有配對接觸部分。在所示的實(shí)施例中，配對接觸部分插入前殼體400中。導(dǎo)電元件還包括與子卡200進(jìn)行電連接的接觸尾部(不編號)。盡管圖I中看不見，但是每個導(dǎo)電元件均具有將接觸尾部和穿過晶片的配對接觸部分接合的中間部分。然而，可以理解，除晶片之外或者作為晶片的替選，任何適當(dāng)?shù)臉?gòu)造技術(shù)都可用于形成子卡連接器102。背板連接器500包括可以通過絕緣殼體400的開ロ 410與多個晶片300的導(dǎo)電元件配對的背板導(dǎo)體510。背板導(dǎo)體510還具有連接至背板520的接觸尾部。結(jié)果，當(dāng)子卡連接器102和背板連接器500適當(dāng)?shù)叵嗷ヅ鋵r，通過連接器100內(nèi)的導(dǎo)電元件在子卡200與背板520之間建立電連接。在所示的實(shí)施例中，連接器100是引腳開放型連接器。相應(yīng)地，連接器中的每個導(dǎo)電元件的功能由到印刷電路板的連接來確定。當(dāng)分配子卡或背板內(nèi)的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)之間的連接時，這樣的連接由電子系統(tǒng)的設(shè)計者指定。盡管連接器100具有符合標(biāo)準(zhǔn)的、從子卡連接器102和背板連接器500伸出的接觸尾部的圖案和/或在子卡連接器102與背板連接器500之間的配對接ロ處的配對接觸部分的圖案，但是子卡連接器102或背板連接器500中的任一個或兩者可被構(gòu)造成相比于傳統(tǒng)連接器在較高頻率下進(jìn)行操作。不管在設(shè)計電子系統(tǒng)時如何進(jìn)行印刷電路板中的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)與連接器中的導(dǎo)電元件之間的分配，都可實(shí)現(xiàn)這樣改進(jìn)的高頻性能。在所示的實(shí)施例中， 背板連接器500是傳統(tǒng)的HM連接器。然而，已使用本文中所述的技術(shù)來將子卡連接器配置成在更高頻率下進(jìn)行操作。在一些實(shí)施例中，可用有損耗材料構(gòu)造包含信號引線框、前売體和/或背板殼體的晶片?？梢苑胖迷摬牧弦蕴峁└倪M(jìn)的高頻性能。圖2示出了子卡連接器102的近視圖(closer view)。導(dǎo)電晶片310包括接觸尾部312，其例如適于連接至子卡200的連接部分。晶片310還包括配對接觸部分314，其可適合于與背板連接器500的連接部分配對。接觸尾部312和配對接觸部分314可包括在晶片310的導(dǎo)電元件316中，其中，通過中間部分315在對應(yīng)的接觸尾部312與配對接觸部分314之間(圖4)提供了電通路。在所示的實(shí)施例中，晶片310包括絕緣材料部分320和有損耗材料部分330。有損耗材料部分330可由有損耗材料形成。電損耗材料可以由傳統(tǒng)上被當(dāng)作電介質(zhì)材料的材料形成，諸如,在關(guān)注的頻率范圍內(nèi)電損耗正切(tangent)大于約O. 003的材料。“電損耗正切”是材料的復(fù)介電常數(shù)的虛部與實(shí)部之比。電損耗材料還可以由一般當(dāng)作導(dǎo)體的材料形成，但在關(guān)注的頻率范圍內(nèi)也是相對不良的導(dǎo)體，并且可以包含充分分散以致于沒有提供高電導(dǎo)率或者具備在關(guān)注的頻率范圍內(nèi)導(dǎo)致相對弱的體積電導(dǎo)率的特性的粒子或區(qū)域。電損耗材料典型地具有約I西門子/米到約6. I X IO7西門子/米的電導(dǎo)率，優(yōu)選地，約I西門子/米到約I X IO7西門子/米，更優(yōu)選地，約I西門子/米到約30，000西門子/米。在一些實(shí)施例中，可使用體積電導(dǎo)率在約25西門子/米到約500西門子/米之間的材料。作為具體示例，可使用電導(dǎo)率為約50西門子/米的材料。電損耗材料可以是部分導(dǎo)電材料，諸如表面電阻率在1Ω/平方到106Ω/平方之間的材料。在一些實(shí)施例中，電損耗材料具有在1Ω/平方到103Ω/平方之間的表面電阻率。在一些實(shí)施例中，電損耗材料具有在10Ω/平方到100Ω/平方之間的表面電阻率。作為具體示例，材料可具有在約20 Ω /平方到40 Ω /平方之間的表面電阻率。在一些實(shí)施例中，電損耗材料是通過將包含導(dǎo)電粒子的填料添加到粘合劑來形成的。可用作填料以形成電損耗材料的導(dǎo)電粒子的示例包括被形成為纖維、薄片(flake)或其他粒子的碳或石墨。為粉末、薄片、纖維或其他粒子形式的金屬還可用于提供適當(dāng)?shù)碾姄p耗特性。替選地，可使用填料的組合。例如，可使用鍍金屬的碳粒子。銀和鎳是適用于纖維的金屬鍍層(metal plating)。涂覆粒子可以單獨(dú)使用或者與其他填料(諸如,碳薄片)結(jié)合使用。粘合劑或基質(zhì)可以是將固定、固化填料材料或者可以另外用于放置填料材料的任何材料。在一些實(shí)施例中，粘合劑可以是熱塑性材料，諸如傳統(tǒng)上用在在制造電連接器中以利于作為制造電連接器的一部分而將電損耗材料成型為期望的形狀并成型到期望的位置。這樣的材料的示例包括LCP和尼龍。然而，可使用粘合劑材料的許多替選形式。諸如環(huán)氧樹脂的可固化材料可用作粘合剤。替選地，可使用諸如熱固性樹脂或粘附劑的材料。此外，盡管上述粘合劑材料可用于通過在導(dǎo)電粒子填料附近形成粘合劑來制造電損耗材料，但是本發(fā)明不受限于此。例如，導(dǎo)電粒子可注入到形成的基質(zhì)材料中或者可涂覆到形成的基質(zhì)材料上，諸如通過對塑料殼體施加導(dǎo)電涂料。如本文中所使用的，術(shù)語“粘合剤”包含如下材料其密封填料，被注入有填料或者用作保存填料的襯底。
優(yōu)選地，填料可以足以使得創(chuàng)建從粒子到粒子的傳導(dǎo)路徑的體積百分比存在。例如，當(dāng)使用金屬纖維吋，該纖維可按體積以約3%至40%存在。填料的量會影響材料的導(dǎo)電特性。填充的材料可從市場上購得，諸如以Ticona的商標(biāo)名CELESTRAN 出售的材料。還可以使用有損耗材料，諸如填充有有損耗導(dǎo)電碳的粘附劑初加工成品(諸如由美國馬薩諸塞州比爾里卡的Techfilm出售的初加工成品)。該初加工成品可包括填充有碳粒子的環(huán)氧樹脂粘合剤。粘合劑包圍碳粒子，其起到對初加工成品加強(qiáng)的作用。這樣的初加工成品可插入晶片中以形成殼體的全部或一部分。在一些實(shí)施例中，初加工成品可通過初加エ成品中的粘附劑粘附，該粘附劑會在熱處理工藝中固化?？梢允褂脼榫幙椈蚍蔷幙椥问?、涂覆或非涂覆形式的各種形式的加強(qiáng)纖維。非編織碳纖維是一種適合的材料。由于本發(fā)明在該方面并不受限，可以采用諸如RTP公司出售的定制共混料的其他適當(dāng)材料。在一些實(shí)施例中，有損耗材料可以是絕緣的。這樣的有損耗材料可以由具有電磁損耗鐵磁體粒子的分散填料的、可注射成型的聚合物材料形成。在一些情況下，有損耗材料可以是足夠絕緣的以使得有損耗材料與導(dǎo)電接觸部的接觸會發(fā)生。在一些實(shí)施例中，這樣的有損耗材料可在IGHz至IOGHz范圍內(nèi)起到有損耗電介質(zhì)材料的作用。例如，有損耗材料可呈現(xiàn)出范圍在約I到約20之間或者在約4到約20之間的有效介電常數(shù)。在一些情況下，有損耗材料可呈現(xiàn)出在約O. 01到約O. 2的范圍內(nèi)的損耗正切。在實(shí)施例中，損耗正切可依賴于結(jié)合到聚合物基質(zhì)中的鐵磁體粒子填料材料的類型和量。有損耗材料可通過注射成型來形成。在一些實(shí)施例中，如果有損耗材料起到絕緣體的作用，則其可以直接在導(dǎo)電接觸部之上成型，例如，通過使用嵌件成型エ藝。在另一方面，導(dǎo)電接觸部在引線框或其他區(qū)域中的部分可部分地或全部地被有損耗導(dǎo)電材料覆蓋。在一些實(shí)施例中，有損耗導(dǎo)電聚合化合物利用電導(dǎo)率在如在IGHz到IOGHz的范圍內(nèi)測量出的約I西門子/米到約100西門子/米之間的范圍的碳粒子填料。在實(shí)施例中，有損耗導(dǎo)電材料通過直接物理接觸電連接至導(dǎo)電接觸部。除有損耗材料以外，其他材料也可結(jié)合到子卡連接器102中以提供期望的電特性。在所示的實(shí)施例中，氣隙322、332可分別包括在絕緣材料部分320和有損耗材料部分330內(nèi)。這樣的氣隙322、332可作為槽位于導(dǎo)電元件316之間，并且可在導(dǎo)電元件316之間提供與絕緣材料部分320的低介電常數(shù)材料不同的低介電常數(shù)材料。在所示的實(shí)施例中，間隙322和332對準(zhǔn)。這些間隙可達(dá)到不同但有益的目的，以使得可一起使用不同類型的間隙或者僅可使用ー種類型的間隙。然而，在具有改進(jìn)的高頻性能的連接器的全部實(shí)施例中并不要求存在任ー類型的間隙。在所示的實(shí)施例中，間隙322有助于均衡連接器內(nèi)的任何對之中的阻杭。間隙332有助于減少串?dāng)_。在一些實(shí)施例中，背板連接器500還可包括根據(jù)本文中所述的實(shí)施例的有損耗材料(例如，諧振阻尼材料)。例如，有損耗材料可替代傳統(tǒng)背板連接器500的部分和/或施加到背板連接器500的區(qū)域上。然而，在所示的實(shí)施例中，連接器102 g在與傳統(tǒng)背板連接器一起進(jìn)行操作，以使得可將使用連接器102的高性能部件插入使用背板連接器500的現(xiàn)有電子機(jī)箱中。為此，連接器102可被設(shè)計為引腳開放型連接器，指的是連接器中的任何導(dǎo)電 元件都可用于任何功能，諸如傳輸高速數(shù)據(jù)信號、作為傳輸差分信號的對的一部分、傳輸?shù)退傩盘柣蛘哌B接到電源或地。在本文中所述的示例性引腳開放型連接器中，導(dǎo)體在整體形狀上類似，但導(dǎo)體(有時稱為導(dǎo)電元件)在一些連接器配置中可具有不同長度。這樣的導(dǎo)體類似性使得實(shí)現(xiàn)了在設(shè)計哪些導(dǎo)體將作為接地導(dǎo)體連接在電路組件中以及哪些導(dǎo)體端部將例如在電路板之間連接時作為信號導(dǎo)體被連接時的靈活性。例如，導(dǎo)電元件所連接的電路板可指定哪些導(dǎo)電元件是信號導(dǎo)體以及哪些導(dǎo)電元件是接地導(dǎo)體。類似地，導(dǎo)電元件可根據(jù)其與適當(dāng)?shù)末`個或多個電路板的連接來適當(dāng)?shù)爻蓪?。?dāng)檢查引腳開放型連接器時，將哪些導(dǎo)體分配給地或信號不會立刻顯而易見。因此，可以將接地對和/或信號以水平(沿著行)或垂直(沿著列)配置來布置。在一些實(shí)施例中，描述了在引線框中已結(jié)合有AC有損耗材料的引腳開放型連接器。引腳開放型連接器包括多列導(dǎo)電元件，每一列均具有行數(shù)相等的導(dǎo)電元件。AC有損耗材料可與沿著每一列的多個相繼導(dǎo)電元件相鄰地放置。在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料可與沿著可包含5個或8個導(dǎo)電元件的每一列的至少三個相繼導(dǎo)電元件相鄰地放置。然而，在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料可鄰近于每列中的基本上全部導(dǎo)電元件來設(shè)置。在一些實(shí)施例(諸如每列的末行短的直角連接器)中，可從相鄰的這些行中省略AC有損耗材料。作為具體示例，AC有損耗材料可與每列具有8行的連接器的每一列中的7個導(dǎo)電元件相鄰地放置。替選地，可調(diào)整鄰近于每列的特定行的AC有損耗材料的量以使其例如具有以下將更詳細(xì)討論的梯級狀剖面，從而鄰近較短的行提供更大的比率或者損耗。圖3A和3B描繪了通過圖2的電連接器得到的橫截面示意圖，其中圖2示出了引腳開放型連接器的各個方面。圖3A和3B以橫截面示出了連接器102中的導(dǎo)電元件的中間部分。在此處所述的實(shí)施例中，導(dǎo)電元件的配對接觸部分和接觸尾部以預(yù)定圖案來成形和配置。該圖案例如可遵照HM標(biāo)準(zhǔn)，以使得連接器雖然適配用于高頻性能，但仍然可與標(biāo)準(zhǔn)背板連接器配對，并且仍然可安裝在為標(biāo)準(zhǔn)HM連接器所設(shè)計的子板上。因此，將此處描述的技術(shù)結(jié)合到子卡連接器102的中間部分中。然而，其它實(shí)施例不必受限于該方式，并且此處所述的技術(shù)可結(jié)合到連接器的任意適當(dāng)部分中。如所示出的，以橫截面示出的導(dǎo)電元件布置成多列，每列具有多個導(dǎo)電元件，從而形成多行。雖然導(dǎo)電元件的中心間距在行方向和列方向上相同，但是導(dǎo)電元件的橫截面不是方形的。結(jié)果，導(dǎo)電元件之間的間隔在行方向和列方向上不同。結(jié)果，沿行選擇的ー對相鄰導(dǎo)電元件的阻抗與沿列選擇ー對相鄰導(dǎo)電元件的阻抗不同，這可能在可選擇任意對來傳輸高速差分信號的引腳開放型連接器中是不期望的。另外，圖3A和圖3B掲示了所有導(dǎo)電元件的橫截面是一致的，這意味著沒有導(dǎo)電元件被專門配置為用作接地部。因此，使某些導(dǎo)電元件對接地會引起諧振，這進(jìn)而會產(chǎn)生串?dāng)_，増加插入損耗或者產(chǎn)生其它負(fù)面效應(yīng)。有損耗材料的選擇性結(jié)合可有助于改善不同對當(dāng)中的阻抗差別和與諧振相關(guān)聯(lián)的問題。盡管圖3A和圖3B中未示出，但是有損耗材料可結(jié)合在例如鄰近于導(dǎo)電元件的引腳開放型連接器中，使得可抑制諧振效應(yīng)。在一些實(shí)施例中，有損耗材料位于導(dǎo)電元件之間。作為具體示例，有損耗材料可置于列之間，如圖3A和圖3B所限定的，以使得有損耗材料在具有較寬間隔的導(dǎo)電元件之間。如以下進(jìn)ー步描述的，根據(jù)導(dǎo)電元件的性質(zhì)(例如，較短或較長的導(dǎo)電元件)，有損耗材料的量和位置可適當(dāng)?shù)刈兓?。例如，有損耗材料可以以如下方式設(shè)置在引腳開放型連接器中使得任意指定的導(dǎo)電對對于高頻信號而言具有類似阻 抗。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件提供具有標(biāo)稱阻抗的差分信號傳導(dǎo)路徑，其中由同一列中的相鄰導(dǎo)電元件形成的信號路徑具有不小于標(biāo)稱阻抗的80%的阻杭。替選地，在ー些實(shí)施例中，由相鄰列中的相鄰導(dǎo)電元件形成的信號路徑呈現(xiàn)出不大于標(biāo)稱阻抗的120%的阻杭。對于針對任意對的100歐姆的標(biāo)稱設(shè)計，此處所述的技術(shù)可為同一列中的相鄰導(dǎo)電元件對提供85歐姆或更高的阻抗，而為同一行中的相鄰導(dǎo)電元件對提供120歐姆或更低的阻杭。然而，其它實(shí)施例可為同一列中的相鄰導(dǎo)電元件對提供90歐姆或更高的阻抗，而為同一行中的相鄰導(dǎo)電元件對提供115歐姆或更低。作為又ー示例，其它實(shí)施例可為同一列中的相鄰導(dǎo)電元件對提供95歐姆或更高的阻抗，而為同一行中的相鄰導(dǎo)電元件對提供115歐姆或更低。對于諸如85歐姆的其它標(biāo)稱阻抗，可實(shí)現(xiàn)作為標(biāo)稱阻抗的百分?jǐn)?shù)的類似容差。在圖3A中，橫截面示意圖600包括被組織成列和行的多個導(dǎo)電元件602。在ー些實(shí)施例中，晶片310的平面沿著列設(shè)置，其中單個晶片的導(dǎo)電元件平行于列方向放置。所示出的虛線表示晶片604的平面相對于導(dǎo)電元件602的定向。因此，沿著行設(shè)置的導(dǎo)電元件可屬于垂直于晶片604的平面定向的、平行堆疊的分離晶片。在各個實(shí)施例中，針對哪些導(dǎo)電元件將被分組成差分對、這些對將定向在哪個方向上以及導(dǎo)電元件用作信號導(dǎo)體還是接地導(dǎo)體，不區(qū)分地布置導(dǎo)電元件602。如所示出的，導(dǎo)電元件602a、602b被指定為以邊緣對邊緣配置沿著列設(shè)置的ー個導(dǎo)電對610并且位于同ー導(dǎo)電晶片內(nèi)。導(dǎo)電元件602c、602d被指定為以寬邊對寬邊配置來配置的沿著行布置的另一導(dǎo)電對620并且位于不同的導(dǎo)電晶片內(nèi)。圖3A可表示使用傳統(tǒng)引線框形成的連接器。在中心間距是2_的一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件之間的邊緣間距離D1的范圍可在大約O. 2mm到大約O. 4mm之間。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件之間的寬邊間距離的范圍可在大約1.5_到大約1.8_之間。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件的寬度W1的范圍可在大約1.6到大約I. 8之間。這些間距導(dǎo)致導(dǎo)電元件在同一列中比在同一行中更緊密地耦合。因此，對于同一列中的相鄰元件對的電性能可不同于對于同一行中的相鄰元件對的電性能。
圖3B示出了類似于示意圖600的橫截面示意圖700，除了導(dǎo)電元件702較窄從而導(dǎo)致導(dǎo)電元件702之間的邊緣間距離增加之外。結(jié)果，同一行中的相鄰導(dǎo)電元件之間的間距更接近同一列中的導(dǎo)電元件之間的間距。在一些實(shí)施例中，沿著列設(shè)置的導(dǎo)電元件702的邊緣之間的邊緣間距離D2比沿著列設(shè)置的導(dǎo)電元件602的邊緣之間的邊緣間距離D1大5%、10%或者20%。在一些實(shí)施例中，增加導(dǎo)電元件的邊緣之間的距離一般會使導(dǎo)電對的整體阻抗降低。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件之間的邊緣間距離D2可以是在大約O. 4mm到大約O. 8_之間的范圍內(nèi)的任意值。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件的寬邊間距離可以是在大約I. 5到大約I. 8之間的范圍內(nèi)的任意值。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件的寬度W2可以是在大約1_到大約I. 5mm之間的范圍內(nèi)的任意值。例如，圖3A的導(dǎo)電元件的寬度W2可以在比圖3B的導(dǎo)電元件的寬度W1小大約20%到大約50%之間。類似于圖3A，圖3B的虛線表示導(dǎo)電晶片704的平面相對于導(dǎo)電元件702的定向。在使用諸如I. 8mm的其它中心間距的實(shí)施例中，距離和寬度可具有中心間距的類似比例。由于任意兩個相鄰導(dǎo)電元件可被指定為具有特定功能的導(dǎo)電對(例如，作為信號導(dǎo)體或接地導(dǎo)體)，沿著列以邊緣對邊緣設(shè)置的導(dǎo)電對的阻抗的值可類似于沿著行以寬邊 對寬邊設(shè)置的導(dǎo)電對的阻抗的值。在一些情況下，任意選擇的沿著列以邊緣對邊緣設(shè)置的導(dǎo)電對與任意選擇的沿著行以寬邊對寬邊設(shè)置的導(dǎo)電對之間的阻抗差可小于大約30%、小于大約20%或者小于大約10%。例如，沿著列以邊緣對邊緣設(shè)置的導(dǎo)電對(諸如組710)的標(biāo)稱阻抗以及沿著行以寬邊對寬邊設(shè)置的導(dǎo)電對(諸如組720)的標(biāo)稱阻抗均可大約為85歐姆+/-30%、20%或10%的容差。對于100歐姆的標(biāo)稱阻抗而言，可達(dá)到類似的容差。在引腳開放型連接器的實(shí)施例中，沒有根據(jù)諸如尺寸和/或形狀的結(jié)構(gòu)來預(yù)先指定導(dǎo)電元件陣列滿足特定目的，例如用作信號導(dǎo)體或接地導(dǎo)體。在ー些實(shí)施例中，諧振的減少可適應(yīng)對于導(dǎo)電元件的一系列期望用途。任意兩個相鄰導(dǎo)電元件可被配置成傳輸高速差分信號。在一些實(shí)施例中，類似于導(dǎo)電對610、710，可在同一列中選擇相鄰導(dǎo)電元件來用作差分對，從而導(dǎo)致邊緣耦合。在一些實(shí)施例中，類似于導(dǎo)電對620、720，可選擇來自同一行和相鄰列的導(dǎo)電元件來用作差分對，從而導(dǎo)致寬邊耦合。可使用任意適當(dāng)?shù)臉?gòu)造技術(shù)來形成這樣的連接器。結(jié)合圖4至9描述了示例性構(gòu)造技術(shù)。圖4示出了用于形成直角晶片的引線框。引線框包括用于附接到子卡的接觸尾部312和用干與背板連接器配對的配對接觸部分314。圖4描繪了導(dǎo)電元件316，該導(dǎo)電元件316在其上結(jié)合絕緣或有損耗材料之前在接觸尾部312與配對接觸部分314之間提供電通路。該引線框可由金屬片壓制而成，以使得導(dǎo)電元件的厚度根據(jù)原料的厚度來規(guī)定。在所示出的實(shí)施例中，導(dǎo)電元件316經(jīng)由附接區(qū)域319a、319b、319c附接到外框318。該配置表示制造連接器的中間階段，其中導(dǎo)電元件316由臨時附接區(qū)域319a、319b、319c保持以易于處理。在隨后的階段，可切開附接區(qū)域319a、319b、319c。盡管導(dǎo)電元件的長度由于直角配置而不同，但是所有導(dǎo)電元件的橫截面是相同的。在所示出的示例中，引線框包括八個導(dǎo)電元件316。例如,姆個導(dǎo)電元件316可具有大約O. 8mm的寬度和大約O. 2mm的厚度。然而，可使用任意適當(dāng)配置的導(dǎo)電元件。在隨后的制造階段，可在引線框上使絕緣材料二次成型以形成晶片。在一些實(shí)施例中，二次成型部分可包括多種類型的材料，其中的一些類型可能是有損耗的。然而，在所示出的實(shí)施例中，當(dāng)期望時，二次成型的材料用作絕緣體，并且分開形成并附接有損耗構(gòu)件圖5A和圖5B示出了已被二次成型到圖4的引線框上的絕緣材料。
為了實(shí)現(xiàn)該配置，導(dǎo)電元件316由外框318來保持并且放置在導(dǎo)電元件316附近的用于絕緣材料的注射成型的適當(dāng)模具中。因此，絕緣材料部分320形成在導(dǎo)電元件316附近以將導(dǎo)電元件保持在適當(dāng)位置。如所示出的，對于ー些實(shí)施例，氣隙322會形成在絕緣材料部分320中，從而提供了鄰近于導(dǎo)電元件316設(shè)置的、具有較低介電常數(shù)的材料的區(qū)域。在所示出的實(shí)施例中，這些較低介電常數(shù)區(qū)域可填充有空氣，以使得這些區(qū)域的相對介電常數(shù)更接近I。相比之下，在形成電連接器時所使用的傳統(tǒng)絕緣材料具有為大約2. 8的相對介電常數(shù)。在一些實(shí)施例中，絕緣材料將是具有大于2. 8的相對介電常數(shù)的高介電常數(shù)材料。相對介電常數(shù)例如可大于2. 9或3. O或者更大。在一些實(shí)施例中，高介電常數(shù)材料將具有大于3. O且小于3. 5的相對介電常數(shù)?？梢砸匀我膺m當(dāng)?shù)姆绞絹砜刂撇牧系慕殡姵?shù)。例如，絕緣材料可由LCP粘合劑和填料形成?？蛇x擇填料的量和性質(zhì)以提供期望的介電常數(shù)。替選地或者附加地，可選擇粘合劑的性質(zhì)以提供期望的介電常數(shù)?？墒褂萌我膺m當(dāng)?shù)臉?gòu)造技術(shù)來將有損耗材料適當(dāng)?shù)胤胖迷谶B接器內(nèi)。另外，可使用任意適當(dāng)量的有損耗材料。在一些實(shí)施例中，可選擇有損耗材料的量以及該材料的損耗特性以總體提供具有可接受水平的插入損耗的適當(dāng)水平的諧振抑制。在一些實(shí)施例中，對于任意相鄰導(dǎo)電元件對，插入損耗在高達(dá)IOGHz的頻率下可小于6dB。插入損耗在5GHz下可小于3dB。在一些實(shí)施例中，這樣的有損耗部分可通過對引線框的第二次二次成型而形成，該引線框首先已用不導(dǎo)電聚合物進(jìn)行了嵌件成型。在一些實(shí)施例中，有損耗導(dǎo)電構(gòu)件可由具有碳粒子填料的可注射成型的聚合物來構(gòu)造。不導(dǎo)電聚合物可在每個導(dǎo)電接觸部上提供絕緣層。然而，在所示出的實(shí)施例中，ー個或多個有損耗插入物可分離地形成、然后附接到晶片的絕緣部分。在這樣的實(shí)施例中，晶片的絕緣部分的外表面可被成形為容納有損耗插入物。晶片還可包括附接功能部件(attachment feature),這些附接功能部件與有損耗插入物上的互補(bǔ)附接功能部件嚙合以將二者保持在一起。在一些實(shí)施例中，例如，可使用附接到引線框的兩個相對側(cè)的兩個蛤殼(clamshell)半部分將有損耗材料引入到電連接器中。在一些實(shí)施例中，引線框的兩側(cè)可首先用不導(dǎo)電聚合物來進(jìn)行嵌件成型，以在至少ー個蛤殼半部分上提供用于向內(nèi)突出的凸緣(rib)的、用以穿過引線框的相鄰導(dǎo)體之間的槽。然而，在圖5A和圖5B所示的實(shí)施例中，有損耗材料被選擇性地放置成平行于晶片中的導(dǎo)電元件的列而延伸，而不擴(kuò)展到導(dǎo)電元件之間的晶片中。在一些實(shí)施例中，一旦絕緣材料部分320形成在導(dǎo)電元件316附近，則有損耗材料部分330可形成在絕緣材料部分320附近。圖6A和圖6B描繪了有損耗材料部分330，有損耗材料部分330被形成為平面構(gòu)件并且具有結(jié)合在平面構(gòu)件內(nèi)的氣隙332。這些氣隙產(chǎn)生有效地遵循導(dǎo)電元件的輪廓的帶，如圖4所示。這些帶通過構(gòu)件接合以產(chǎn)生一體化結(jié)構(gòu)。這樣的一體化結(jié)構(gòu)可有利于使用例如成型操作來形成有損耗插入物。接合構(gòu)件還有利于處理提供鄰近于導(dǎo)電元件的有損耗材料的構(gòu)件。另外，盡管不希望受任何特定操作理論的限制，但是帶之間的接合構(gòu)件還可改進(jìn)電性能。然而，如以下其它實(shí)施例所揭示的，不要求這些帶作為一體化構(gòu)件的一部分。即使通過接合構(gòu)件保持在一起，使用有損耗材料帶也可有利于實(shí)現(xiàn)電特性的適當(dāng)平衡。在該示例中，將帶分隔的槽減少了連接器的相鄰列中的導(dǎo)電元件之間的電容性耦合。通過結(jié)合這樣的槽，使用公知技術(shù)所測量出的功率和和遠(yuǎn)端串?dāng)_均可在高達(dá)IOGHz的頻率范圍內(nèi)低于_20dB，并且例如，可在5GHz下低于_25dB。有損耗導(dǎo)電材料的損耗特性可通過改變其厚度、相對于導(dǎo)電元件的間距和其它尺寸、和/或通過改變其體積電導(dǎo)率來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整。例如，如在IGHz到IOGHz的范圍內(nèi)所測量的，所述有損耗材料可呈現(xiàn)出在大約I西門子/米到大約100西門子/米的范圍內(nèi)的電導(dǎo)率。有損耗材料部分330還可以以梯級狀剖面來配置，其中區(qū)域334a、334b、334c具有不同的厚度?？捎糜诳刂齐娺B接器中的導(dǎo)體的電特性的另一技術(shù)可以是將 有損耗導(dǎo)電材料配置成使得沿著連接器中的各個導(dǎo)電元件的損耗率對于導(dǎo)電元件中的不同導(dǎo)電元件而不同。在直角連接器中，例如，一些行的導(dǎo)電元件比其它導(dǎo)電元件短。電通路對于具有較大平均半徑的導(dǎo)電元件可較長，并且類似地，電通路對于具有較小平均半徑的導(dǎo)電元件可較短。有損耗材料可被配置成使得有損耗材料所引入的損耗率與導(dǎo)電元件的長度成相反關(guān)系變化。以此方式，每個導(dǎo)電元件均可經(jīng)受相當(dāng)?shù)膿p耗，而與長度的差別無關(guān)。因此，為了鄰近導(dǎo)電元件的性能/衰減大致類似，調(diào)整有損耗材料的量和/或有損耗材料距相鄰導(dǎo)電元件的距離會是有利的。例如，在某些晶片中，更多有損耗材料可鄰近于相較于定義較長電通路的導(dǎo)電元件而言定義較短電通路的導(dǎo)電元件來結(jié)合。當(dāng)更多有損耗材料設(shè)置在導(dǎo)電元件附近時，損耗/單位長度通常增加。替選地或者附加地，有損耗材料可更靠近相較于定義較長電通路的導(dǎo)電元件而言定義較短電通路的相鄰導(dǎo)電元件來放置。當(dāng)緊鄰導(dǎo)電元件設(shè)置有損耗材料時，通常引起損耗/單位長度的增加。因此，電連接器可被設(shè)計成使得沿著每個導(dǎo)電元件的衰減量大致相同。這樣的調(diào)整對于導(dǎo)電元件沒有被預(yù)先設(shè)計成用作信號導(dǎo)體或接地導(dǎo)體以及還有導(dǎo)電對不是預(yù)定的情況而言是有益的。圖6C示意性地示出了晶片的部分橫截面，其示出了具有不同長度的三個導(dǎo)電元件。如圖6C所示，有損耗材料區(qū)域334a、334b、334c分別具有不同的厚度！\、T2、T3和分別距相鄰導(dǎo)電元件316a、316b、316c的不同距離S1' S2, S3。具有最短電通路的導(dǎo)電元件316a以距還具有最大厚度T1的相鄰有損耗材料區(qū)域334a的最近距離S1來設(shè)置。相反，具有最長電通路的導(dǎo)電元件316c以距還有最小厚度T3的有損耗材料區(qū)域334c的最遠(yuǎn)距離S3來設(shè)置。電通路的距離在導(dǎo)電兀件316a與316c之間的導(dǎo)電兀件316b將鄰近于有損耗材料區(qū)域334b來放置且以在距離S1與S3之間的距離S2來設(shè)置。有損耗材料區(qū)域334b還具有量在厚度T1與T3之間的厚度T2?？蔀橛袚p耗材料部分330的各個區(qū)域334a、334b、334c的厚度VT2、T3和距離SpS2、S3選擇任意適當(dāng)?shù)某叽纭＿@些尺寸可按經(jīng)驗(yàn)選擇或者通過電磁仿真來選擇以至少部分地補(bǔ)償沿著導(dǎo)電元件的損耗率差別。在一些實(shí)施例中，有損耗材料的截面相對于連接器內(nèi)的導(dǎo)電元件是對稱的。這樣的對稱例如可通過在晶片的相對側(cè)附接具有類似配置的有損耗構(gòu)件來實(shí)現(xiàn)。例如，如圖6C所示，有損耗材料部分330a和330b關(guān)于縱軸L是對稱的，縱軸L在所示出的示例中沿著列方向延伸。類似地，絕緣材料可關(guān)于縱軸L、關(guān)于導(dǎo)電元件316a、316b、316c是對稱的。另外，導(dǎo)電兀件316a、316b、316c中的每一個均可包括對稱區(qū)域336a、336b、336c。例如，有損耗材料區(qū)域334a可關(guān)于橫軸T、相對于對稱區(qū)域336a內(nèi)的導(dǎo)電元件316a是對稱的。類似地，有損耗材料區(qū)域334b、334c可關(guān)于相應(yīng)橫軸(未明確示出)、相對于對稱區(qū)域336b,336c內(nèi)的導(dǎo)電元件316b、316c是對稱的。在一些實(shí)施例中，有損耗導(dǎo)電材料可與導(dǎo)電接觸部電絕緣。例如，盡管不限于這樣，但是絕緣體材料可沉積在導(dǎo)電接觸部附近，并且有損耗材料可沉積在絕緣體材料附近。因此，在一些情況下，導(dǎo)電接觸部由于絕緣體材料的存在而不能接觸有損耗材料。與有損耗材料不與導(dǎo)電接觸部相接觸無關(guān)，有損耗材料相對于導(dǎo)電接觸部的緊鄰可提供要適當(dāng)?shù)厮p的不期望諧振。圖7A至圖7C示出了放置在導(dǎo)電晶片的任一側(cè)的有損耗材料部分330的平面構(gòu)件的實(shí)施例。如所示出的，附接到相對側(cè)的有損耗插入物被類似地成形為產(chǎn)生有損耗材料在晶片中的列的兩側(cè)的對稱分布。 圖7C描繪了放置在導(dǎo)電晶片的絕緣材料部分320的相對側(cè)的第一有損耗材料部分330a和第二有損耗材料部分330b。絕緣材料部分320可有效地用作用于導(dǎo)電元件316的殼體，并另外可將導(dǎo)電元件牢固地保持在適當(dāng)位置。在圖8中，有損耗材料部分330a、330b被示出為附接到在導(dǎo)電晶片的相對側(cè)的絕緣材料部分320。在所示出的實(shí)施例中，有損耗材料部分330a、330b不與晶片內(nèi)的任何導(dǎo)電元件接觸。因此，有損耗材料部分330a、330b可被認(rèn)為是電浮置的，這是由于它們沒有接地。為了限制信號導(dǎo)體之間的電容性耦合，無論是在同一晶片中還是在相鄰晶片中，都可諸如通過如上所述那樣形成帶來減小有損耗材料部分330a、330b與導(dǎo)電元件之間的電容。在如圖8所示那樣有損耗材料部分330a、330b附接到晶片的情況下，有損耗材料放置在列之間，如圖3A和圖3B所示。這種放置進(jìn)一步有助于平衡沿著行和沿著列的對中的阻抗。另外，包圍導(dǎo)電元件的材料呈現(xiàn)出不同的有效介電常數(shù)會是有益的。作為示例，當(dāng)導(dǎo)體之間的間隔沿著列比沿著行更近時，為了實(shí)現(xiàn)對于沿著行的對和沿著列的對相當(dāng)?shù)淖杩?，可期望沿著行的?dǎo)電元件之間的材料的有效介電常數(shù)大于沿著列的導(dǎo)電元件之間的材料的有效介電常數(shù)。例如，絕緣材料部分320可具有范圍在大約2. 5到大約5之間的相對介電常數(shù)，或者替選地，大于2. 5或大于3的相對介電常數(shù)。在一些實(shí)施例中，絕緣材料部分320具有為2. 8的介電常數(shù)。在其它實(shí)施例中，絕緣材料部分320具有為3. 4的相對介電常數(shù)。設(shè)置在絕緣材料部分320中的氣隙322和332可提供大約為I的介電常數(shù)。在一些情況下，在導(dǎo)電元件之間包括氣隙可在連接器系統(tǒng)中提供不同水平的有效介電常數(shù)，從而導(dǎo)致同一列中的導(dǎo)電元件之間的有效介電常數(shù)小于同一行中的導(dǎo)電元件之間的有效介電常數(shù)。圖9所示的導(dǎo)電晶片示出了氣隙，諸如晶片內(nèi)的導(dǎo)電元件之間的氣隙322、332a、332b。氣隙減小了列中的導(dǎo)電元件316之間的材料的有效介電常數(shù)。然而，在所示出的晶片中的導(dǎo)電元件316與當(dāng)除圖9所示的晶片之外放置另一晶片(如圖2所示)時將在相鄰列中的導(dǎo)電元件之間，這些氣隙對有效介電常數(shù)具有較小影響。圖9還示出了晶片中存在的各個層。如所描繪的，在相對側(cè)由絕緣材料部分320來包圍導(dǎo)電元件316。絕緣材料部分320進(jìn)而在任一側(cè)由有損耗材料部分330a、330b包圍。另外，鄰近于導(dǎo)電元件316并且結(jié)合在絕緣材料部分320和有損耗材料部分330a、330b中的是定義氣隙322、332a、332b的槽。有損耗材料部分330a、330b關(guān)于穿過導(dǎo)電元件316的縱軸(未明確示出)是對稱的。盡管在圖中未明確示出，但有損耗材料可在導(dǎo)電晶片中的導(dǎo)電元件之間擴(kuò)展。在一些實(shí)施例中，有損耗材料可在被分組在一起作為導(dǎo)電對的導(dǎo)電兀件之間擴(kuò)展。例如，有損耗材料可擴(kuò)展到導(dǎo)電元件之間的邊緣間間隔中。有損耗材料還可擴(kuò)展到導(dǎo)電元件之間的寬邊間間隔中。在圖10和圖11中呈現(xiàn)了導(dǎo)電晶片的不同實(shí)施例，其中，絕緣材料部分320包括導(dǎo)電元件之間的溝道并且有損耗材料330位于該導(dǎo)電晶片內(nèi)。這樣的溝道可以在結(jié)構(gòu)上是連續(xù)的或不連續(xù)的，例如，可沿導(dǎo)電元件包括間隙區(qū)域。如圖11的局部剖視圖所示，有損耗材料部分330沿著導(dǎo)電元件316的電通路放置和且排列在導(dǎo)電元件316的電通路之間。此外，配對接觸部分314與背板連接器500的背板導(dǎo)體510電接觸。
在一些實(shí)施例中，如圖12的局部剖視圖所描繪的，導(dǎo)電元件316由絕緣材料320包圍，絕緣材料320又由有損耗材料330包圍。這樣的布置可例如通過在導(dǎo)電元件316附近對絕緣材料320的注射成型、隨后在絕緣材料320附近對有損耗材料330的隨后注射成型來制造。圖13描繪了蛤殼實(shí)施例，其中，類似于圖12，導(dǎo)電元件316由絕緣材料320包圍，并且絕緣材料320還由有損耗材料330a、330b包圍。在該實(shí)施例中，不是在絕緣材料320附近進(jìn)行注射成型，而是兩個有損耗材料部分330a、330b在晶片的相對側(cè)分開設(shè)置和合并。有損耗材料部分330a、330b在接口 331處會合，接口 331可包括用于適應(yīng)適當(dāng)容差(例如，膨脹、收縮、機(jī)械應(yīng)力等)的微小間隙。有損耗材料部分330a、330b可通過任意適當(dāng)?shù)姆椒ǜ浇拥骄?，通過在絕緣材料320的適當(dāng)部分上的干涉和/或搭扣配合(snap-fit)附件。在圖14A至圖14C中描繪了導(dǎo)電晶片的橫截面實(shí)施例，其示出了絕緣材料部分320和有損耗材料部分330相對于晶片的導(dǎo)電兀件316的不意布置。在圖14A中，導(dǎo)電兀件316由絕緣材料部分320包圍，并且絕緣材料部分320又由有損耗材料部分330包圍。在所有連接器導(dǎo)體或若干個連接器導(dǎo)體的集合接觸AC有損耗材料的公共區(qū)域的實(shí)施例中，AC有損耗材料的期望屬性可包括具有DC電阻率特性以使得AC有損耗材料是體絕緣體(bulk insulator)。還可期望的是,AC有損耗材料具有DC絕緣特性，以避免在引腳用于任意DC電力、電力返回或接地應(yīng)用時的火災(zāi)。另外，材料還將優(yōu)選地具有避免測試失敗的特性，諸如HiPot。在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料可以是懸浮指定濃度的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、鐵氧體和/或有損耗電介質(zhì)粒子從而導(dǎo)致期望的介質(zhì)損耗特性(在電和磁兩方面)的絕緣體樹脂。具體地，期望的電和/或磁損耗正切特性被設(shè)計到這樣的混合物中。電介質(zhì)(諸如，I. J. Youngs的題 為“Dielectricmeasurements and analysis for the design of conductor/insulator artificialdielectrics”的論文中描述的電介質(zhì))可適當(dāng)?shù)亟Y(jié)合到此處所述的電互連系統(tǒng)中。在一些實(shí)施例中，包括一個或多個分散相的異質(zhì)材料(例如，“人造電介質(zhì)”)可用作所述系統(tǒng)的實(shí)施例中的電介質(zhì)。例如，本公開內(nèi)容的電介質(zhì)材料可包括以銀涂覆和/或浸潰的聚合樹脂，其具有范圍在大約O. I到大約O. 4之間(例如，大致O. 18)的適當(dāng)填料分?jǐn)?shù)。除了合成混合物之外，如果固有的磁和/或電損耗正切特性適合于特定連接器應(yīng)用，則還可使用純物質(zhì)(例如，元素、樹脂等)。圖14B描繪了導(dǎo)電元件316由有損耗材料部分330包圍并且與有損耗材料部分330接觸的實(shí)施例。絕緣材料部分320設(shè)置在導(dǎo)電晶片的相對邊緣處。在圖14B的實(shí)施例中，有損耗材料是與不良導(dǎo)電材料相對的電介質(zhì)絕緣材料，其中電通路仍然沿著每個導(dǎo)電元件316而沒有出現(xiàn)短路。在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料本身可具有輕微的或顯著的導(dǎo)電特性。在許多實(shí)施例中，可在傳輸AC數(shù)據(jù)信號的導(dǎo)電元件(例如，連接器引腳)附近用導(dǎo)電材料來實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)碾娞匦?，以直接影響并有目的地削弱所傳送的信號波形，而不與導(dǎo)電元件接觸。在這樣的情況下，接著，可以將AC有損耗材料封裝在充分絕緣的層中。因此，AC有損耗材料不必物理上接觸連接器導(dǎo)體。因此，在AC有損耗材料的這種配置中，如果該材料是以絕緣材料封裝的，則該材料可以實(shí)際上具有顯著的DC導(dǎo)電特性。
圖14C示出了導(dǎo)電元件316均由有損耗材料部分330包圍的實(shí)施例，其中，有損耗材料部分330通過絕緣材料部分320而彼此隔開。因此，在圖14B的有損耗材料在性質(zhì)上通常為絕緣的情況下，圖14A和圖14C的有損耗材料在一些情況下可包括不良導(dǎo)電材料，但是不限于這樣。圖15至19描繪了晶片的彼此鄰近地設(shè)置的分離導(dǎo)電元件316的實(shí)施例。有損耗材料部分330可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞讲贾迷趯?dǎo)電元件316附近，包括通過直接在導(dǎo)電構(gòu)件上沉積有損耗材料。例如，圖15描繪了有損耗材料部分330設(shè)置在沿著導(dǎo)電元件316的長度的一側(cè)的實(shí)施例。在圖16中，第一有損耗材料部分330a沿著導(dǎo)電元件316的一側(cè)設(shè)置，并且第二有損耗材料部分330b沿著導(dǎo)電元件316的相對側(cè)設(shè)置?？筛淖冇袚p耗材料的量以及附接有損耗材料的導(dǎo)電元件的百分比，以提供沿著每個導(dǎo)電元件相同的損耗量。圖17示出了沿著導(dǎo)電元件316的兩個相鄰側(cè)設(shè)置的有損耗材料部分330。圖18描繪了由有損耗材料部分330完全包圍的導(dǎo)電元件316。在一些情況下，并且如上所述，有損耗材料部分330與導(dǎo)電元件316接觸；然而，在其它情況下，有損耗材料部分330不與導(dǎo)電元件316接觸(例如，絕緣材料可設(shè)置在有損耗材料與導(dǎo)電元件之間)。然而，可使用有損耗材料的其它配置來沿著一個或多個導(dǎo)電元件提供期望的損耗量。在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料的一個或多個區(qū)域可沿著列中的多個導(dǎo)電元件中的每一個的長度來放置。作為具體示例，AC有損耗材料的區(qū)域可具有在沿著導(dǎo)電元件的長度的維度中為Imm到2_之間的長度。為了提供適當(dāng)?shù)膿p耗，可在導(dǎo)電元件中形成裂縫或間隙并且AC有損耗材料可填充裂縫，從而提供跨越間隙的AC有損耗連接。在其它實(shí)施例中，有損耗材料可用于形成損耗產(chǎn)生體，該損耗產(chǎn)生體橋接在引線框的各個導(dǎo)電引線或其它區(qū)域中所形成的間隙。在一些實(shí)施例中，間隙沿著導(dǎo)體的路徑形成，并且有損耗材料插入在間隙中，以使得導(dǎo)電引線具有電通路。在一些實(shí)施例中，有損耗導(dǎo)電聚合化合物包括在IGHz到IOGHz的范圍內(nèi)測量的電導(dǎo)率在大約I西門子/米到大約100西門子/米之間的范圍內(nèi)的碳粒子填料。在一些實(shí)施例中，引腳開放型連接器中的每個導(dǎo)電元件均可包括相同數(shù)量的這種有損耗體，以使得每個導(dǎo)電元件經(jīng)受相同的損耗。
可以理解，可合并任意適當(dāng)尺寸的導(dǎo)電引線和相應(yīng)間隙。在實(shí)施例中，導(dǎo)電引線可為大約O. 2mm厚。在一個實(shí)施例中，導(dǎo)電引線的寬度可為大約O. 8_。在一些實(shí)施例中，間隙的長度可在大約Imm到大約3mm的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，如圖19所示，導(dǎo)電元件316可包括可填充有有損耗材料的間隙區(qū)域336。在這樣的情況下，間隙區(qū)域336中包括的有損耗材料可以是導(dǎo)電的，雖然為不良導(dǎo)體。設(shè)置在導(dǎo)電元件316的任一側(cè)的有損耗材料部分330a、330b不是如此受限，并且可以是電介質(zhì)和/或不良導(dǎo)體。如上所述，氣隙332可鄰近于導(dǎo)電元件316設(shè)置，以在導(dǎo)電元件之間提供具有不同介電常數(shù)的材料。在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料可處于沿著連接器內(nèi)的導(dǎo)電元件的至少一個位置。在一些實(shí)施例中，該位置是適于附接到印刷電路板的相鄰接觸尾部和/或配對接觸部分。在一些實(shí)施例中，AC有損耗材料可替選地或另外放置在導(dǎo)電元件的配對接口附近，其中導(dǎo)電元件與另一連接器半部分中的導(dǎo)電元件配對。
在一些情況下，適當(dāng)?shù)碾娮柙?00可橋接沿著導(dǎo)電元件316的電通路的間隙區(qū)域。圖20至圖22示出了具有導(dǎo)電元件316的晶片的實(shí)施例，導(dǎo)電元件316包括在板附接區(qū)域附近的間隙區(qū)域。在一些實(shí)施例中，間隙區(qū)域可位于沿著導(dǎo)電元件的其它區(qū)域處，或者例如，位于配對接口附近。間隙區(qū)域中的導(dǎo)電元件的導(dǎo)電構(gòu)件的邊緣之間的距離可為任意適當(dāng)距離。例如，由導(dǎo)電元件的導(dǎo)電構(gòu)件的邊緣定義的間隙區(qū)域?qū)捒蔀榇蠹sO. 5mm到3_之間，或者在大約1_到大約2mm之間。間隙區(qū)域可包括與導(dǎo)電元件中的導(dǎo)電構(gòu)件的相對邊緣接觸的有損耗材料。在這點(diǎn)上，有損耗材料可抑制間隙區(qū)域處的諧振效應(yīng)。有損耗材料橋接導(dǎo)電引線中的間隙的導(dǎo)體可呈現(xiàn)較高DC電阻。在一些情況下，較高的DC電阻可限制導(dǎo)體用作電力電壓或電力返回導(dǎo)體。替選地，原始高電導(dǎo)率引線框材料的窄橋接導(dǎo)體可保留在二次成型有損耗導(dǎo)電聚合物電阻體內(nèi)。在一些情況下，保留高電導(dǎo)率引線框材料的一部分可在低于IGHz的頻率下提供較低的接觸DC電阻。可以理解，可合并任意適當(dāng)尺寸的導(dǎo)電引線和存在橋接導(dǎo)體的區(qū)域。在實(shí)施例中，導(dǎo)電引線可為大約O. 2mm厚。在一個實(shí)施例中，導(dǎo)電引線的寬度可為大約O. 8_。在包括窄橋接導(dǎo)體的情況下，對于一些實(shí)施例，窄橋接導(dǎo)體可為大約O. 2mm寬。另外，在包括窄橋接導(dǎo)體的實(shí)施例中，窄橋接導(dǎo)體的長度可在大約Imm至IOmm或者3mm至IOmm之間的范圍內(nèi)。在導(dǎo)電引線包括間隙或窄橋接導(dǎo)體部分的情況下，間隙或橋接導(dǎo)體包括在引起改進(jìn)的諧振衰減的位置中。這樣，有損耗材料對于減輕電流較大的位置(例如，導(dǎo)電引線中的電流反節(jié)點(diǎn)位置)處的諧振是有用的。電流通常在導(dǎo)電引線的配對接口附近最大，例如，在子卡和背板的端部。在一些情況下，配對接口將引起較低阻抗，因而引起較大電流。在其它實(shí)施例中，導(dǎo)電元件的部分可被縮窄或者成形為相對于導(dǎo)電元件的其它部分具有減小的橫截面，而不會引起破裂。AC有損耗材料的區(qū)域可放置在減小的橫截面區(qū)域之上。作為具體示例，AC有損耗材料的這些區(qū)域可具有在沿著導(dǎo)電元件的長度的維度上在Imm到IOmm之間或者3mm到IOmm之間的長度。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件可具有厚度T,并且減小后的橫截面區(qū)域可為大約T的寬度。作為具體示例，導(dǎo)電元件可具有O. 8mm的寬度和O. 2mm的厚度。減小的橫截面區(qū)域可具有大約O. 2mm的寬度。在圖21中，沿著導(dǎo)電元件316的電通路的間隙區(qū)域通過金屬接合芯804來橋接。這樣，由高導(dǎo)電材料(例如，金屬)形成的直接電通路沿著導(dǎo)電元件316延續(xù)，這可適合于DC電流。然而，隨著導(dǎo)電元件316傳輸?shù)男盘柕念l率上升，高導(dǎo)電橋接材料的影響會較不明顯。以此方式，如圖21所示的結(jié)構(gòu)可在DC和低頻下具有較小影響，從而允許在低頻下使用任意信號導(dǎo)體。然而，這樣的結(jié)構(gòu)可在較高頻率下提供衰減，這是由于較多的信號能量通過穿過結(jié)構(gòu)的有損耗部分的福射而被帶走。以此方式，高頻諧振可被衰減，同時仍允許將任意導(dǎo)電元件被分配用于傳輸電力、接地或低頻信號?？墒褂萌我膺m當(dāng)?shù)某叽鐏韺?shí)現(xiàn)期望的衰減。在一些情況下，間隙區(qū)域中的導(dǎo)電元件316被縮窄為其沿電通路的剩余部分的寬度的大約20%到70%之間。例如，寬度為大約
O.8mm的導(dǎo)電元件316可在間隙區(qū)域中被縮窄為大約O. 2mm。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電元件的間隙區(qū)域中的縮窄后部分可具有大約為導(dǎo)電元件的剩余部分的厚度的寬度。在一些實(shí)施例中，如圖22所示，間隙區(qū)域不是由金屬接合芯來橋接。相反，有損耗材料包括在電阻元件800中，電阻元件800橋接導(dǎo)電元件316的邊緣802a、802b以形成電通路。這樣，取代電介質(zhì)，有損耗材料可以是不良導(dǎo)體材料，以使得電流可沿著導(dǎo)電元件316 從一個邊緣802a流向相對的邊緣802b。本發(fā)明不限于其對于以上描述中闡述的或者圖中示出的部件的構(gòu)造和布置的細(xì)節(jié)的應(yīng)用。本發(fā)明能夠是其它實(shí)施例并且能夠以各種方式來實(shí)踐或執(zhí)行。另外，這里所使用的短語和術(shù)語用于描述目的而不應(yīng)被解釋為限制。本文中“包括(including)”^包括(comprising)”、“具有(having)”、“包含(containing)”或“涉及(involving)”及其變型的使用意在包括此后列出的項(xiàng)和其等同物以及附加項(xiàng)。因此，已描述了本發(fā)明的至少一個實(shí)施例的多個方面，應(yīng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到各種變型、修改和改進(jìn)。例如，雖然描述了可用在引腳開放型連接器中的技術(shù)，但是不要求在該配置中使用該技術(shù)。另外，雖然示出了直角子卡連接器，但是所公開的技術(shù)可用在針對任何適當(dāng)目的而設(shè)計的、具有任何適當(dāng)形狀因數(shù)的連接器中。例如，這里描述的技術(shù)可用在夾層連接器或線纜連接器中。此外，雖然用于控制電特性的技術(shù)的組合被描述為一起使用，但是本發(fā)明不要求所有所公開的技術(shù)。本發(fā)明的實(shí)施例可以以單獨(dú)使用這些技術(shù)來構(gòu)造。其它實(shí)施例可以以按照兩種或更多種技術(shù)的組合使用這些技術(shù)來構(gòu)造。這樣的變更、修改和改進(jìn)為本公開內(nèi)容的一部分，并且在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。應(yīng)理解，上述各個實(shí)施例的方面可分開使用或者以任意組合一起使用。因此，以上描述和附圖僅作為示例。
權(quán)利要求
1.一種電連接器(100)，包括 多個列(604，704)，每一列均包括多個導(dǎo)電元件(316，602，702)；以及 有損耗材料(330 )，鄰近于所述多個列中的每一列的導(dǎo)電元件設(shè)置， 其中，所述多個列和所述有損耗材料被適配并配置成使得導(dǎo)電元件提供具有標(biāo)稱阻抗的差分信號傳導(dǎo)路徑，其中由同一列中的相鄰導(dǎo)電元件形成的信號路徑具有不小于所述標(biāo)稱阻抗的80%的阻抗，并且由相鄰列中的相鄰導(dǎo)電元件形成的信號路徑具有不大于所述標(biāo)稱阻抗的120%的阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，還包括 絕緣材料(320),所述絕緣材料具有超過3的相對介電常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電連接器，其中 所述多個列平行排列，以使得所述多個列中的所述多個導(dǎo)電元件以多個行設(shè)置，其中同一列中的導(dǎo)電元件邊緣對邊緣排列，并且同一行中的導(dǎo)電元件寬邊對寬邊排列；以及所述絕緣材料設(shè)置在同一行中的相鄰導(dǎo)電元件之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中 所述多個列平行排列，以使得所述多個列中的所述多個導(dǎo)電元件以多個行設(shè)置；以及所述電連接器還包括包含電介質(zhì)材料的殼體(320)，所述殼體被配置為使得同一行中的相鄰導(dǎo)電元件之間的材料的有效介電常數(shù)大于同一列中的相鄰導(dǎo)電元件之間的材料的有效介電常數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中，對于所述多個列中的每一列，所述有損耗材料關(guān)于縱軸(L)對稱地設(shè)置在所述列的每側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中，所述標(biāo)稱阻抗是100歐姆。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中，所述標(biāo)稱阻抗是85歐姆。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中 所述電連接器包括并排排列的多個子組件(300)，每個子組件(310)包括 所述多個列中的列； 保持該列的絕緣部分(320 )，所述絕緣部分具有超過2. 9的相對介電常數(shù)和在該列的所述多個導(dǎo)電元件中的相鄰導(dǎo)電元件之間的開口(322)； 所述有損耗材料包括多個平面構(gòu)件，其中 每個平面構(gòu)件鄰近于所述多個子組件中的相應(yīng)子組件的絕緣部分設(shè)置，以及每個平面構(gòu)件包括穿過其形成的多個開口(332)，所述有損耗構(gòu)件的開口與所述相應(yīng)組件的絕緣部分的開口對準(zhǔn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電連接器，其中 每個平面構(gòu)件具有包括連續(xù)增加的多個梯級的梯級狀剖面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電連接器，其中 所述多個列平行排列，以使得所述多個列中的所述多個導(dǎo)電元件以多個行設(shè)置，其中同一列中的導(dǎo)電元件以邊緣對邊緣排列，并且同一行中的導(dǎo)電元件以寬邊對寬邊排列；以及 所述多個列中的所述多個導(dǎo)電元件被設(shè)置并配置為在導(dǎo)電元件之間提供標(biāo)稱間距，其中所述多個列中的每一列內(nèi)的導(dǎo)電元件的邊緣間間距(D1,D2)不小于所述標(biāo)稱間距的80%，并且所述多個行中的每一行內(nèi)的導(dǎo)電元件的寬邊間間距(W1, W2)不大于所述標(biāo)稱間距的120% O
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中所述多個導(dǎo)電元件中的至少一部分中的每個導(dǎo)電元件均具有至少一個縮窄段(804)；以及 所述有損耗材料選擇性地鄰近于所述多個導(dǎo)電元件的 一部分的所述縮窄段放置。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中 所述多個導(dǎo)電元件中的至少一部分中的每個導(dǎo)電元件均具有至少一個間隙區(qū)域(336);以及 所述有損耗材料選擇性地鄰近于所述多個導(dǎo)電元件的一部分的間隙區(qū)域放置。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中，所述電連接器是引腳開放型連接器。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電連接器，其中 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件均包括配對接觸部分(314)、接觸尾部(312)以及將所述配對接觸部分和所述接觸尾部接合的中間部分(315);以及 所述多個導(dǎo)電元件的所述配對接觸部分和所述接觸尾部根據(jù)HM標(biāo)準(zhǔn)來配置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電連接器，其中，所述有損耗材料相對于全部所述多個列中的全部所述多個導(dǎo)電元件在所述電連接器內(nèi)電浮置。
16.一種電連接器(100)，包括 多個列(604，704)，每一列均包括多個導(dǎo)電元件(316，602，702)； 多個絕緣區(qū)域(320)，每個絕緣區(qū)域均與相應(yīng)列相關(guān)聯(lián)； 有損耗材料(330)，設(shè)置在多個有損耗區(qū)域中， 其中，對于所述多個列中的每一列 相應(yīng)的絕緣區(qū)域關(guān)于縱軸(L)對稱地設(shè)置在該列的第一側(cè)和該列的第二側(cè)；以及第一有損耗區(qū)域設(shè)置在該列的第一側(cè)，并且第二有損耗區(qū)域設(shè)置在該列的第二側(cè)，所述第二有損耗區(qū)域關(guān)于所述縱軸與所述第一有損耗區(qū)域?qū)ΨQ。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電連接器，其中 所述多個有損耗區(qū)域中的每個有損耗區(qū)域均包括多個有損耗材料帶，每個帶均遵循相應(yīng)列中的導(dǎo)電元件的輪廓。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電連接器，其中，所述多個有損耗區(qū)域中的每個有損耗區(qū)域均包括有損耗構(gòu)件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電連接器，其中，所述有損耗構(gòu)件包括一體化有損耗構(gòu)件，所述一體化有損耗構(gòu)件包括接合所述多個有損耗帶的多個段。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電連接器，其中，所述多個列包括以行設(shè)置的多個導(dǎo)電元件，所述多個導(dǎo)電元件沿著行和沿著列具有均勻的中心間間距。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電連接器，所述電連接器與印刷電路板結(jié)合，所述印刷電路板包括以超過SGbps傳輸電信號的多個跡線對，其中，所述多個對中的第一對連接到沿著行的導(dǎo)電元件對，并且所述多個對中的第二對連接到沿著列的導(dǎo)電元件對。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電連接器，其中，所述中心間間距是2mm或更小。
23.一種用于電連接器(100)的晶片(310)，所述晶片包括多個導(dǎo)電元件(316，602，702)，以列(604，704)設(shè)置；以及 至少一個有損耗構(gòu)件(330)，鄰近于所述列設(shè)置，所述至少一個有損耗構(gòu)件包括 多個有損耗材料帶，每個帶均遵循所述多個導(dǎo)電元件中的相應(yīng)導(dǎo)電元件的輪廓，以及 多個無有損耗材料區(qū)域(332)，分隔所述多個帶中的相鄰帶。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中 所述多個帶中的不同帶以不同的距離與相應(yīng)導(dǎo)電元件分隔。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中 所述晶片包括用于直角連接器的晶片，以使得所述多個導(dǎo)電元件中的不同導(dǎo)電元件具有不同的長度，以及 所述有損耗構(gòu)件被配置成與沿著較長導(dǎo)電元件相比，沿著較短導(dǎo)電元件提供較高的損耗率。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中 所述至少一個有損耗構(gòu)件包括平面有損耗構(gòu)件；以及 所述多個無有損耗材料區(qū)域包括形成在所述平面有損耗構(gòu)件中的槽。
27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中 每個導(dǎo)電元件均具有接觸尾部(312)、配對接觸部分(314)和將所述接觸尾部和所述配對接觸部分連接的中間部分(315)； 所述列中的所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件的所述接觸尾部和所述配對接觸部分具有相同的形狀，并且所述列中的所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件的所述中間部分具有相同的橫截面。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中 所述至少一個有損耗構(gòu)件包括在所述列的第一側(cè)的附接到所述晶片的第一平面構(gòu)件和在所述列的第二側(cè)的附接到所述晶片的第二平面構(gòu)件，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的晶片，其中 所述晶片還包括絕緣部分(320)； 所述多個導(dǎo)電元件保持在所述絕緣部分內(nèi)；以及 所述第一平面構(gòu)件和所述第二平面構(gòu)件中的每一個均通過從所述絕緣構(gòu)件穿過所述平面構(gòu)件中的開口的突起被保持到所述絕緣構(gòu)件。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的晶片，其中 所述第一平面構(gòu)件包括第一多個突起，所述第一多個突起中的每個突起均設(shè)置于所述多個導(dǎo)電元件中的導(dǎo)電元件的一側(cè)；以及 所述第二平面構(gòu)件包括第二多個突起，所述第二多個突起中的每個突起均與所述第一多個突起中的突起對準(zhǔn)，以使得所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件被所述至少一個有損耗構(gòu)件的有損耗材料包圍。
31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中，對于每對相鄰導(dǎo)電元件，所述有損耗材料在所述對的導(dǎo)電元件之間擴(kuò)展。
32.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中，所述有損耗材料包括有損耗絕緣體，并且所述有損耗材料與所述列中的所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件接觸。
33.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中，所述有損耗絕緣體包括絕緣樹脂和鐵磁體粒子。
34.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中，所述多個有損耗材料帶中的每一個均設(shè)置在相應(yīng)導(dǎo)電元件上。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的晶片，其中，所述多個導(dǎo)電元件中的每一個上均設(shè)置有至少兩個有損耗材料帶。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的晶片，其中 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件均具有第一寬邊和第二寬邊(608，708)，所述第一寬邊和所述第二寬邊通過第一邊緣和第二邊緣(606，706)接合，所述第一寬邊和所述第二寬邊均比所述第一邊緣和所述第二邊緣寬；以及 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件均具有設(shè)置在第一寬邊上的第一有損耗材料帶和設(shè)置在第二寬邊上的第二有損耗材料帶。
37.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，所述晶片與相同的多個晶片(300)和殼體部分(400)結(jié)合，其中，所述多個晶片中的每個晶片的所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件均包括插入所述殼體部分中的配對接觸部分(314)。
38.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片，其中，所述至少一個有損耗構(gòu)件中的每個有損耗構(gòu)件均是一體化構(gòu)件，所述一體化構(gòu)件包括所述多個帶和將所述多個帶互連的多個段。
39.一種電連接器(100)，包括 多列(604, 704)導(dǎo)電兀件(316,602, 702),所述多列中的每一列均包括多個導(dǎo)電兀件； 有損耗材料(330)， 其中，對于所述多列中的每一列 所述有損耗材料鄰近于所述多個導(dǎo)電元件中的一部分設(shè)置，所述部分至少包括第一導(dǎo)電元件、第二導(dǎo)電元件和第三導(dǎo)電元件，以及 所述有損耗材料與所述第一導(dǎo)電元件間隔第一距離(S1),所述有損耗材料與所述第二導(dǎo)電元件間隔大于所述第一距離的第二距離(S2)，并且所述有損耗材料與所述第三導(dǎo)電元件間隔大于所述第二距離的第三距離(s3)。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的電連接器，其中，所述第一導(dǎo)電元件比所述第二導(dǎo)電元件短，并且所述第二導(dǎo)電元件比所述第三導(dǎo)電元件短。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的電連接器，其中，所述連接器包括直角連接器。
42.根據(jù)權(quán)利要求39所述的電連接器，其中，所述有損耗材料包括多個平面構(gòu)件，每個平面構(gòu)件鄰近于一列導(dǎo)電元件。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的電連接器，其中 所述連接器包括多個晶片(300)，每個晶片(310)均包括絕緣部分(320); 所述多列導(dǎo)電元件中的一列導(dǎo)電元件至少部分設(shè)置在所述絕緣部分內(nèi)。
44.根據(jù)權(quán)利要求39所述的電連接器，還包括 絕緣部分(320 )，其中，所述絕緣部分具有超過3的相對介電常數(shù)。
45.一種電連接器(100)，包括 多個列(604, 704),每一列均包括多個導(dǎo)電兀件(316,602, 702),每個導(dǎo)電兀件包括接觸尾部(312)、配對接觸部分(314)和將所述接觸尾部和所述配對接觸部分接合的中間部分(315)，其中，所述多個導(dǎo)電元件的至少一部分中的每個導(dǎo)電元件均具有中間部分，所述中間部分具有至少一個縮窄部分(804);以及 多個有損耗材料區(qū)域(800)，每個區(qū)域均設(shè)置在所述多個導(dǎo)電元件中與縮窄部分相鄰的導(dǎo)電元件上。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的電連接器，其中 每個導(dǎo)電元件均具有第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一寬度；以及 所述至少一個縮窄部分包括具有第二寬度的第二區(qū)域，所述第二寬度在所述第一寬度的20%至Ij 50%之間。
47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的電連接器，其中 每個導(dǎo)電元件均具有第一縮窄部分和第二縮窄部分，所述第一縮窄部分鄰近于所述接觸尾部，并且所述第二縮窄部分鄰近于所述接觸尾部。
48.一種用于電連接器(100)的晶片(310)，所述晶片包括 以列(604, 704)設(shè)置的多個導(dǎo)電兀件(316,602, 702),所述多個導(dǎo)電兀件中的至少一部分具有縮窄部分(804);以及 多個有損耗材料區(qū)域(330)，每個區(qū)域均電連接到所述多個導(dǎo)電元件中與相應(yīng)導(dǎo)電元件的縮窄部分相鄰的相應(yīng)導(dǎo)電元件。
49.根據(jù)權(quán)利要48所述的晶片，其中，所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件均包括中間部分(315)，并且所述多個導(dǎo)電元件中的至少一部分的縮窄部分在所述中間部分中。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的晶片，其中 所述多個導(dǎo)電元件中的每個導(dǎo)電元件的所述中間部分具有平均寬度；以及 所述縮窄部分具有在所述平均寬度的20%到50%之間的寬度。
51.根據(jù)權(quán)利要求48所述的晶片，其中，所述多個導(dǎo)電元件的所述至少一部分包括所述列中的所有導(dǎo)電元件。
全文摘要
提供了一種改進(jìn)的引腳開放型連接器，用于在傳輸高速信號時通過選擇性地應(yīng)用用于控制電性能參數(shù)的一種或多種技術(shù)來增強(qiáng)性能。有損耗材料可鄰近于連接器的導(dǎo)電元件放置，以減少導(dǎo)電元件對中的諧振和/或提供對于差分信號導(dǎo)體對的期望特性阻抗。有損耗材料可被成形和放置為避免電容性耦合，電容性耦合否則會增加串?dāng)_。在直角連接器中，有損耗材料的厚度梯級式地增加，以沿較長導(dǎo)電元件和較短導(dǎo)電元件提供相當(dāng)?shù)膿p耗。導(dǎo)電元件可被成形為平衡被選擇用于傳輸差分信號的對的性能特性，而與沿行或列的定向無關(guān)。替選地，導(dǎo)電元件可具有覆蓋有有損耗部分的縮窄區(qū)域，以減少諧振同時支持DC信號傳播。
文檔編號H01R13/6474GK102859805SQ201180020729
公開日2013年1月2日 申請日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月24日
發(fā)明者馬克·W·蓋爾盧斯, 普雷斯科特·阿特金森, 馬克·G·漢拉恩 申請人:安費(fèi)諾有限公司