專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法和光學(xué)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法和光學(xué)裝置，尤其是涉及包括安裝半導(dǎo)體發(fā)光元件的基部和覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件的蓋部的半導(dǎo)體發(fā)光器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法和光學(xué)裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，半導(dǎo)體發(fā)光元件作為光盤系統(tǒng)和光通信系統(tǒng)等的光源被廣泛應(yīng)用。例如，射出約780nm的激光的紅外半導(dǎo)體激光元件作為CD的再現(xiàn)用的光源被實(shí)用化。射出約650nm的激光的紅色半導(dǎo)體激光元件作為DVD的記錄 再現(xiàn)用的光源被實(shí)用化。另外，射出約405nm的激光的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件作為藍(lán)光光盤的光源被實(shí)用化。 為了實(shí)現(xiàn)這樣的光源裝置，歷來包括封裝的半導(dǎo)體發(fā)光器件是公知的，該封裝具有安裝有半導(dǎo)體發(fā)光元件的基部和覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件的蓋部。例如，在日本特開平9-205251號(hào)公報(bào)中公開的。日本特開平9-205251號(hào)公報(bào)中，公開了一種半導(dǎo)體激光的塑料模具(mold)裝置，其包括由形成有凸緣面的樹脂成型品構(gòu)成的頭部(基部)；在與頭部一體地形成的元件設(shè)置部上通過Si次黏著基臺(tái)(Submount)(基臺(tái))安裝的半導(dǎo)體激光元件；和覆蓋半導(dǎo)體激光的周圍的樹脂制透明蓋。該日本特開平9-205251號(hào)公報(bào)中記載的半導(dǎo)體激光的塑料模具裝置中，通過利用含有環(huán)氧樹脂類材料的粘接劑將透明蓋的開口端部接合在頭部的凸緣面，將半導(dǎo)體激光元件氣密密封在由頭部和透明蓋包圍的封裝內(nèi)。另外，在密封半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝內(nèi)另行設(shè)置有使用活性炭或沸石等的吸收劑的半導(dǎo)體發(fā)光器件也是公知的。例如，在日本特開2008-147205號(hào)公報(bào)中公開的。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開平9-205251號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2008-147205號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在日本特開平9-205251號(hào)公報(bào)公開的半導(dǎo)體激光的塑料模具裝置中，由于頭部和透明蓋由樹脂材料形成，所以考慮在由樹脂材料產(chǎn)生揮發(fā)性的有機(jī)氣體的情況下，有機(jī)氣體充滿在封裝內(nèi)。另外，由于對頭部和透明蓋的接合使用環(huán)氧樹脂類粘接劑，所以考慮從該粘接劑產(chǎn)生大量的有機(jī)氣體。而且，在以大量的有機(jī)氣體充滿封裝內(nèi)的狀態(tài)使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件動(dòng)作的情況下，有機(jī)氣體被從激光射出端面射出的激光激勵(lì)，并且在激光射出端面附近被分解，以此為起因有在激光射出端面形成附著物的風(fēng)險(xiǎn)。在這種情況下，存在附著物吸收激光而引起激光射出端面的溫度上升、激光元件劣化這樣的不良的情況。另外，在日本特開2008-147205號(hào)公報(bào)公開的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，為了在封裝內(nèi)有限的空間設(shè)置吸收劑，需要配合吸收劑的大小而增大封裝的內(nèi)容積。因此，存在半導(dǎo)體發(fā)光器件的尺寸增大的問題點(diǎn)。該發(fā)明是為了解決上述那樣的課題而做出的，該發(fā)明的一個(gè)目的是提供能夠抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件劣化、并且能夠抑制封裝的尺寸增大的半導(dǎo)體發(fā)光器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法和光學(xué)裝置。用于解決課題的方法該發(fā)明的第一方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括半導(dǎo)體發(fā)光元件和密封半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝，封裝包括安裝半導(dǎo)體發(fā)光元件的基部和被安裝在基部的、覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件的蓋部，基部和蓋部中的至少任意一者由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成。該發(fā)明的第一方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，如上所述，通過由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成基部和蓋部中的至少任意一者，即使在基部和蓋部中的至少任意一者的構(gòu)成材 料使用了樹脂的情況下，也能夠由混入到樹脂中的氣體吸收劑吸收從樹脂產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)氣體。由此，因?yàn)槟軌蛞种圃诿芊獍雽?dǎo)體發(fā)光元件的封裝內(nèi)充滿有機(jī)氣體，所以能夠抑制被從半導(dǎo)體發(fā)光元件射出的光激勵(lì)或者分解而作為固體附著物形成在半導(dǎo)體發(fā)光元件的光射出端面。其結(jié)果是，能夠抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件劣化。另外，因?yàn)樵诨亢蜕w部中的至少任意一者中混入有氣體吸收劑，所以不需要在封裝內(nèi)部另外設(shè)置包含氣體吸收劑的部件。由此，由于不需要增大封裝的內(nèi)容積，所以能夠抑制封裝的尺寸增大。在上述第一方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，優(yōu)選蓋部由混合物形成，具有向外部透射從半導(dǎo)體發(fā)光元件射出的光的光透射部；樹脂具有透光性；氣體吸收劑混入構(gòu)成光透射部以外的蓋部的混合物中。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠使用具有透光性的相同樹脂形成具有光透射部的蓋部，所以能夠容易地制造蓋部，并且能夠簡化蓋部的結(jié)構(gòu)。另外，由于氣體吸收劑混入構(gòu)成光透射部以外的蓋部的樹脂中，所以在光透射部中不會(huì)由于氣體吸收劑而發(fā)生光吸收或者光散射。由此，能夠從光透射部使出射光可靠地射出，并且能夠抑制從包括光透射部的蓋部的樹脂產(chǎn)生的有機(jī)氣體充滿在封裝內(nèi)。在上述第一方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，優(yōu)選氣體吸收劑是合成沸石、硅膠和活性炭中的至少任意一個(gè)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠充分吸收從樹脂產(chǎn)生的有機(jī)氣體，并且能夠通過樹脂和由上述材料構(gòu)成的氣體吸收劑的混合物容易地形成基部和蓋部中的至少任意一個(gè)。在上述第一方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，優(yōu)選在由混合物形成的基部和蓋部中的至少任意一個(gè)的表面形成有氣體屏障層。而且，在本發(fā)明中，氣體屏障層是指由透氣性比構(gòu)成基部和蓋部的樹脂低的材料構(gòu)成的層。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠抑制存在于半導(dǎo)體發(fā)光器件的外部(大氣中)的低分子硅氧烷或/和揮發(fā)性有機(jī)氣體等透過基部或者蓋部的材料而浸入封裝內(nèi)，所以能夠進(jìn)一步抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件劣化。在上述第一方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，優(yōu)選還包括安裝在基部的、在同一平面上配置的多個(gè)引線端子和與載置半導(dǎo)體發(fā)光元件的元件設(shè)置部一體地形成的散熱部，散熱部配置在多個(gè)引線端子的外側(cè)。即，在與配置有多個(gè)引線端子的平面平行的方向上，多個(gè)引線端子中位于最外側(cè)的引線端子被夾在散熱部和其它引線端子之間配置。散熱部不配置在多個(gè)引線端子之間。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于不需要將散發(fā)來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的熱的散熱部配置在第一引線端子和第二引線端子之間有限的空間，所以能夠增大散熱部的表面積。由此，能夠提高散熱部的散熱特性。在該情況下，優(yōu)選散熱部配置在同一平面上。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，例如，能夠容易地由引線框架(flame)等形成各引線端子和散熱部。而且，在將該半導(dǎo)體發(fā)光器件安裝在例如光拾取裝置等的殼體(機(jī)箱)時(shí)，由于能夠容易地固定散熱部和殼體，所以能夠容易地將半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)的熱散熱到殼體。在還包括上述散熱部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選散熱部和元件設(shè)置部被從基部的前表面?zhèn)认蚝蟊砻鎮(zhèn)妊由斓倪B接部連接，散熱部和連接部的連接區(qū)域配置在基部的后表面?zhèn)?。根?jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠充分地確保散熱面積，所以能夠通過散熱部充分地散發(fā)半導(dǎo)體激光元件發(fā)的熱。另外，由于在基部的后表面，散熱部和連接部被連接，所以能夠不與散熱部相干涉地在基部的前表面?zhèn)劝惭b用于密封半導(dǎo)體激光元件的蓋。在上述連接區(qū)域配置在基部的后表面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)中，優(yōu)選連接區(qū)域的至少一部分從基部的后表面露出。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠容易地使散熱部露出到基部的外部，所以能夠提高散熱部的散熱特性。 在上述連接區(qū)域配置在基部的后表面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)中，優(yōu)選散熱部配置在蓋部的外偵U。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在維持散熱性的狀態(tài)下容易地進(jìn)行半導(dǎo)體激光元件的密封。在還包括上述散熱部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選散熱部在基部的兩側(cè)中的至少一側(cè)配置在多個(gè)引線端子的外側(cè)。即，散熱部被夾在基部的一個(gè)側(cè)面和多個(gè)引線端子中位于最外側(cè)的引線端子之間配置，散熱部沒有配置在多個(gè)引線端子之間。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，即使只在基部的一側(cè)設(shè)置散熱部，也能夠通過連接部將半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)的熱從散熱部散發(fā)到外部。由此，能夠容易地減小半導(dǎo)體發(fā)光器件的寬度。在還包括上述散熱部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選引線端子包括安裝在基部的后表面的第一引線端子，元件設(shè)置部與第一引線端子一體地形成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，第一引線端子也能夠兼?zhèn)渖峁δ艿淖饔?。由此，能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體激光器件的散熱性。在還包括上述散熱部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選引線端子包括安裝在基部的后表面的第二引線端子，元件設(shè)置部和第二引線端子配置在不同的平面上。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，不用減小引線端子的寬度，就能夠容易地增加引線端子的數(shù)量。另外，由于即使在增加了引線端子數(shù)量的情況下，也能夠適當(dāng)?shù)卮_保連接部的寬度(截面積)，所以能夠抑制通過連接部從元件設(shè)置部散熱到散熱部時(shí)散熱(導(dǎo)熱)特性降低。在還包括上述散熱部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選連接部和散熱部的至少一部分是彎曲的。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步增大散熱部的表面積。由此，因?yàn)槟軌蛟趶澢姆较蛞惭由炫渲蒙岵浚阅軌蜻M(jìn)一步提高散熱特性。在該情況下，優(yōu)選連接部和散熱部的至少一部分被彎曲到與基部的后表面平行的方向。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠在與基部的后表面平行的方向延伸被彎曲后的散熱部，所以能夠抑制安裝有引線端子的基部的尺寸增大，并且能夠有效地提高散熱特性。在還包括上述散熱部的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選散熱部的寬度比引線端子的寬度大。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)的熱相比于傳遞到引線端子優(yōu)先傳遞(熱傳導(dǎo))到散熱部。由此，能夠通過散熱部可靠地將半導(dǎo)體發(fā)光元件的熱散發(fā)到半導(dǎo)體放光學(xué)裝置的外部。在上述第一方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，優(yōu)選樹脂具有伸縮性，半導(dǎo)體發(fā)光元件通過基部和蓋部嵌合而被密封。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠容易地使基部和蓋部緊貼，所以能夠容易地密封封裝內(nèi)。即，由于不需要還使用用于進(jìn)行密封的粘接劑等，所以能夠抑制有機(jī)氣體的產(chǎn)生。在上述基部和蓋部嵌合的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選基部和蓋部都由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成，被混入到構(gòu)成蓋部的樹脂的氣體吸收劑相對于樹脂的比例，比被混入到構(gòu)成基部的樹脂的氣體吸收劑相對于樹脂的比例小。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠容易地維持蓋部中的樹脂形成的伸縮性，所以能夠使基部和蓋部可靠地嵌合。在上述基部和蓋部嵌合的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選基部具有從基部的后表面?zhèn)认蚯氨砻鎮(zhèn)热デ岸俗兗?xì)的外圓周面，蓋部嵌合在基部前端變細(xì)的外圓周面。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，蓋部變得更容易嵌合于基部的外圓周面。此時(shí)，配合外圓周面的前端變細(xì)的(錐)形狀蓋部邊伸縮邊嵌合。由此，能夠更可靠地氣密密封載置有半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝內(nèi)部。該發(fā)明的第二方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，包括形成基部和蓋部的工序；將半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝在基部的工序；和通過嵌合基部和蓋部來密封半導(dǎo)體發(fā)光元件的工 序，其中，形成基部和蓋部的工序包括通過使樹脂和氣體吸收劑的混合物成型來形成基部和蓋部中的至少任意一個(gè)的工序。在該發(fā)明的第二方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法中，如上所述，通過利用使樹脂和氣體吸收劑的混合物成型來形成基部和蓋部中的至少任意一個(gè)，即使在基部和蓋部中的至少任意一個(gè)的構(gòu)成材料中使用了樹脂的情況下，也能夠由混入到樹脂中的氣體吸收劑吸收從樹脂產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)氣體。由此，因?yàn)槟軌蛞种泼芊獍雽?dǎo)體發(fā)光元件的封裝內(nèi)充滿有機(jī)氣體，所以能夠抑制被從半導(dǎo)體發(fā)光元件射出的光激勵(lì)或者分解而作為固體附著物被形成在半導(dǎo)體發(fā)光元件的光射出端面。其結(jié)果是，能夠得到可以抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件劣化的半導(dǎo)體發(fā)光器件。另外，因?yàn)樵诨亢蜕w部中的至少任意一個(gè)中混入有氣體吸收劑，所以不需要在封裝內(nèi)部另外設(shè)置包含氣體吸收劑的部件。由此，因?yàn)椴恍枰龃蠓庋b的內(nèi)容積，所以能夠抑制封裝的尺寸增大。在上述第二方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法中，優(yōu)選基部和蓋部都由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成，被混入到構(gòu)成蓋部的樹脂的氣體吸收劑相對于樹脂的比例，比被混入到構(gòu)成基部的樹脂的氣體吸收劑相對于樹脂的比例小。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠形成容易維持樹脂的伸縮性的蓋部，所以能夠使基部和蓋部可靠地嵌合來密封封裝。該發(fā)明的第三方式的光學(xué)裝置，包括包括半導(dǎo)體發(fā)光元件和密封半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝的半導(dǎo)體發(fā)光器件；和控制半導(dǎo)體發(fā)光器件的出射光的光學(xué)系統(tǒng)，封裝具有安裝半導(dǎo)體發(fā)光元件的基部和安裝在基部的、覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件的蓋部，基部和蓋部中的至少任意一個(gè)由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成。在該發(fā)明的第三方式的光學(xué)裝置中，如上所述，通過利用樹脂和氣體吸收劑的混合物來形成基部和蓋部中的至少任意一個(gè)，即使在基部和蓋部中的至少任意一個(gè)的構(gòu)成材料中使用了樹脂的情況下，也能夠由混入到樹脂中的氣體吸收劑吸收從樹脂產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)氣體。由此，因?yàn)槟軌蛞种泼芊獍雽?dǎo)體發(fā)光元件的封裝內(nèi)充滿有機(jī)氣體，所以能夠抑制被從半導(dǎo)體發(fā)光元件射出的光激勵(lì)或者分解而作為固體附著物被形成在半導(dǎo)體發(fā)光元件的光射出端面。其結(jié)果是，能夠抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件劣化。另外，因?yàn)樵诨亢蜕w部中的至少任意一個(gè)混入有氣體吸收劑，所以不需要在封裝內(nèi)部另外設(shè)置包含氣體吸收劑的部件。由此，因?yàn)椴恍枰龃蠓庋b的內(nèi)容積，所以能夠抑制封裝的尺寸增大。


圖I是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的蓋部和基部分離后的狀態(tài)的分解立體圖。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的沿寬度方向的中心線的縱截面圖。圖3是本發(fā)明的樹脂和氣體吸收劑的混合物的放大截面圖。圖4是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的俯視圖。圖5是本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的在拆卸了蓋部的狀態(tài)下從激光 的射出方向看時(shí)的主視圖。圖6是用于說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的制造工序的俯視圖。圖7是用于說明本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的制造工序的俯視圖。圖8是本發(fā)明第一實(shí)施方式的第一變形例的半導(dǎo)體激光器件的沿寬度方向的中心線的縱截面圖。圖9是本發(fā)明第一實(shí)施方式的第二變形例的半導(dǎo)體激光器件的俯視圖。圖10是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的第三變形例的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的立體圖。圖11是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的立體圖。圖12是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的立體圖。圖13是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的立體圖。圖14是用于說明本發(fā)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的制造工序的俯視圖。圖15是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的立體圖。圖16是本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的在拆卸了蓋部的狀態(tài)下從激光的射出方向看時(shí)的截面圖。圖17是用于說明本發(fā)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的制造工序的俯視圖。圖18是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的立體圖。圖19是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的俯視圖。圖20是表示本發(fā)明第五實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的俯視圖。圖21是表示本發(fā)明第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件的蓋部和基部分離后的狀態(tài)的分解立體圖。
圖22是表示本發(fā)明第七實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件的在拆卸了蓋部的狀態(tài)下從激光的射出方向看時(shí)的主視圖。圖23是表示本發(fā)明第七實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的俯視圖。圖24是表示本發(fā)明第七實(shí)施方式的變形例的3波長半導(dǎo)體激光器件的蓋部和基部分離后的狀態(tài)的分解立體圖。圖25是表示包括本發(fā)明第八實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件的光拾取裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。圖26是包括組裝有本發(fā)明第九實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件的光拾取裝置 的光盤裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖27是表示本發(fā)明第十實(shí)施方式的RGB3波長半導(dǎo)體激光器件的在拆卸了蓋部的狀態(tài)下從激光的射出方向看時(shí)的主視圖。圖28是包括本發(fā)明第十實(shí)施方式的RGB3波長半導(dǎo)體激光器件的投影裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖29是包括本發(fā)明第十一實(shí)施方式的RGB3波長半導(dǎo)體激光器件的投影裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖30是表示在包括本發(fā)明第十一實(shí)施方式的RGB3波長半導(dǎo)體激光器件的投影裝置中，控制部時(shí)間序列性地發(fā)送信號(hào)的狀態(tài)的時(shí)間圖(timing chart)。圖31是構(gòu)成本發(fā)明第一實(shí)施方式的第四變形例的半導(dǎo)體激光器件的基部的沿寬度方向的中心線的縱截面圖。圖32是構(gòu)成本發(fā)明第一實(shí)施方式的第五變形例的半導(dǎo)體激光器件的基部的沿寬度方向的中心線的縱截面圖。圖33是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的第六變形例的半導(dǎo)體激光器件的拆卸了蓋部的狀態(tài)的俯視圖。
具體實(shí)施例方式以下，基于附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。(第一實(shí)施方式)首先，參照圖I 圖5，對本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，半導(dǎo)體激光器件100是本發(fā)明的“半導(dǎo)體發(fā)光器件”的一例。半導(dǎo)體激光器件100，如圖I和圖2所示，包括具有約405nm的振蕩波長的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和密封藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的封裝50。另外，封裝50具有安裝藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的基部10和安裝在基部10的、覆蓋藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的蓋部30。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20是本發(fā)明的“半導(dǎo)體發(fā)光元件”的一例。而且，如圖I和圖5所示，基部10包括具有外徑Dl的大致圓柱狀的頭部IOa和頭部IOa的前表面IOc的下側(cè)約一半(全表面IOh)向前方(激光射出方向(Al方向))延伸的基座部10b。另外，如圖3所示，基部10由以規(guī)定的比例對環(huán)氧樹脂15混入了粒子狀的氣體吸收劑16 (合成沸石)的混合物形成。另外,氣體吸收劑16的每個(gè)粒子以具有數(shù)十μπι以上數(shù)百μ m以下的粒徑的狀態(tài)存在。該粒子狀的氣體吸收劑16具有吸收樹脂15產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)氣體的作用。另外，環(huán)氧樹脂和合成沸石分別是本發(fā)明的“樹脂”和“氣體吸收劑”的一例。另外，由具有寬度W5的金屬制的引線框架構(gòu)成的引線端子11、12和13，在互相絕緣的狀態(tài)下配置成從基部10的前表面IOc側(cè)(Al側(cè))貫穿到后表面IOd側(cè)(A2側(cè))。引線端子11貫穿基部10的頭部IOa (前表面IOc)的大致中心。引線端子12和13分別配置在引線端子11的寬度方向(B方向)的外側(cè)(B2側(cè)和BI側(cè))的同一平面上。另外，引線端子
11、12和13分別具有向后方(A2偵彳)延伸的后端區(qū)域lla、12a和13a。后端區(qū)域lla、12a和13a從基部10的后表面IOd露出。另外，引線端子11是本發(fā)明的“第一引線端子”的一例。另外，如圖4和圖5所示，引線端子11、12和13分別具有前方(Al側(cè))的前端區(qū)域 lib、12b和13b。前端區(qū)域lib、12b和13b從頭部IOa的前表面IOc露出，并且配置在基座部IOb的上表面IOe上。另外，引線端子11的前端區(qū)域Ilb在比基座部IOb上的引線端子
12、13的前端區(qū)域12b和13b靠前方的一側(cè)并沿B方向延展，具有寬度Wl(W1<D1)。另夕卜，在前端區(qū)域Ilb的大致中央固定有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。另外，前端區(qū)域Ilb是本發(fā)明的“元件設(shè)置部”的一例。此處，如圖4所示，以引線端子11為中心在B方向的兩側(cè)(引線端子12和13的與引線端子11相反的一側(cè)(外側(cè)))大致對稱配置的一對散熱部Ild連接在引線端子11的前端區(qū)域lib。進(jìn)行詳細(xì)說明，即為形成有從引線端子11的前端區(qū)域Ilb的寬度方向(B2偵U和BI側(cè))的兩端部向后方(A2方向)延伸的連接部11c。該連接部Ilc具有寬度W2。另外，連接部Ilc從前端區(qū)域Ilb在比引線端子12和13靠外側(cè)(B2側(cè)或者BI側(cè))的位置向后方延伸，并且從基部10的前表面IOc貫穿到后表面10d。而且，散熱部Ild與從基部10的后表面IOd露出的連接部Ilc的后端區(qū)域Ilh連接。另外，連接部Ilc的后端區(qū)域Ilh是本發(fā)明的“連接區(qū)域”的一例。另外，散熱部Ild包括一端與連接部Ilc的后端區(qū)域Ilh連接的、具有寬度W3的第一散熱部Ilf ;和與第I散熱部Ilf的另一端連接的、具有寬度W4的第二散熱部Hg。此時(shí)，第一散熱部Iif延伸距離W6左右到比基部10的外圓周面IOf靠外側(cè)(B2方向或者BI方向)后，第二散熱部Ilg改變方向從第一散熱部Ilf的另一端向前方(Al方向)延伸。因此，如圖4所示，第二散熱部Ilg相對于基部10的外圓周面IOf隔著距離W6的間隔與外圓周面IOf大致平行地延伸。也就是，連接部Ilc和散熱部Ild俯視時(shí)具有大致U字形狀，形成為與基座部IOb的上表面IOe在同一平面上。另外，連接部Ilc的寬度W2和第二散熱部Ilg的寬度W4都比引線端子11的貫穿基部10的部分的寬度W5寬(W2>W5且W4>W5)。因此，在封裝50內(nèi)動(dòng)作的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20發(fā)的熱通過次黏著基臺(tái)40、前端區(qū)域lib、兩側(cè)的散熱部lld，散熱到半導(dǎo)體激光器件100的外部。另外，蓋部30是利用由合成沸石構(gòu)成的氣體吸收劑和具有透光性、伸縮性的硅樹月旨(siIicone resin)的混合物而形成的，如圖I所示，由具有內(nèi)徑D2和外徑D3的形成為大致圓筒狀的側(cè)壁部30a和堵塞側(cè)壁部30a的一側(cè)(Al側(cè))的底面部30b構(gòu)成。另外，硅樹脂是本發(fā)明的“樹脂”的一例。另外，側(cè)壁部30a具有約O. 5mm的厚度(壁厚)tl。底面部30b具有比厚度tl略厚的厚度t2 (t2 ^ tl)0另外，在具有大致圓形的底面部30b的中央部，形成有從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20射出的激光能夠向外部透射的光透射部35。此處，光透射部35由于不含有氣體吸收劑而具有透光性，于此相對，側(cè)壁部30a和底面部30b由于含有氣體吸收劑而不具有透光性。此處，如圖3所示，基部10和蓋部30由按規(guī)定的比例對樹脂(環(huán)氧樹脂樹脂、硅樹月旨)15混入了粒子狀的氣體吸收劑(合成沸石)16的混合物形成。另外，氣體吸收劑16的每個(gè)粒子以具有數(shù)十μ m以上數(shù)百μ m以下的粒徑的狀態(tài)存在。該粒子狀的氣體吸收劑16具有吸收樹脂15產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)氣體的作用。此處，在基部10中，優(yōu)選對樹脂(環(huán)氧樹脂)15以約70重量％以上約90重量％以下的范圍混入氣體吸收劑16。由此，基部10中環(huán)氧樹脂所占的比例降低，從環(huán)氧樹脂產(chǎn)生的有機(jī)氣體的產(chǎn)生量被抑制，同時(shí)能夠利用在基部10中所占的比例相對增加了的氣體吸收劑可靠地吸收有機(jī)氣體。另外，在蓋部30中，優(yōu)選對樹脂(娃樹脂)15以約40重量％以上約70重量％以下的范圍混入氣體吸收劑16。由此,與基部10相同地,在從娃樹脂產(chǎn)生的有機(jī)氣體的產(chǎn)生量被抑制的同時(shí),能夠可靠地吸收有機(jī)氣體。另外，由于混入到蓋部30的氣體吸收劑16的比例比混入到基部10的氣體吸收劑16小，所以能夠維持蓋部30中的硅樹脂的伸縮性。另外，蓋部30的側(cè)壁部30a和底面部30b由于混入有氣體吸收劑所以不具有透光性，另一方面，光透射部35由于沒有混入氣體吸收劑所以具有透光性。 另外，如圖2所示,在次黏著基臺(tái)40的上表面形成有用于管芯焊接(die bonding)藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和監(jiān)測用H)(光電二極管)42的墊電極41。另外，在墊電極41的前方(Al側(cè))的上表面的規(guī)定區(qū)域，接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20。在墊電極41的后方(A2偵彳)的上表面的規(guī)定區(qū)域接合監(jiān)測用TO42。另外，次黏著基臺(tái)40的下表面通過由Au-Sn焊錫構(gòu)成的導(dǎo)電性粘結(jié)層5接合在引線端子11的前端區(qū)域Ilb的表面。另外，如圖2所示，監(jiān)測用TO42具有P型區(qū)域42b和η型區(qū)域42c，η型區(qū)域42c的一側(cè)與次黏著基臺(tái)40接合。由此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的射出到光反射面20b側(cè)的激光，入射到監(jiān)測用TO42的P型區(qū)域42b的上表面(光接收面42a)。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光射出面20a與次黏著基臺(tái)40的Al側(cè)的端面40a、引線端子11的前端區(qū)域Ilb以及基部10的基座部IOb的前表面IOh都處在同一平面上。此處，光射出面20a和光反射面20b，相對于在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20形成的一對諧振器端面，由從各自的端面射出的激光的光強(qiáng)度的大小關(guān)系區(qū)分。即，射出的激光的光強(qiáng)度相對大的端面是光射出面20a，相對小的端面是光反射面20b。另外，如圖I所示，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20具有約250 μ m以上約400 μ m以下的諧振器長度(A方向)，并且具有約IOOym以上約200 μ m以下的元件寬度(B方向)。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20具有約100 μ m的厚度(最大厚度)。另外，如圖5所示，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20在η型GaN基板21的上表面上，按以下順序形成有具有由摻雜Si的η型AlGaN構(gòu)成的η型熔覆層(clad layer) 22 ;由In組成高的InGaN構(gòu)成的量子阱層和由GaN構(gòu)成的阻隔層交替層疊的MQW結(jié)構(gòu)的活性層23 ；和由摻雜Mg的P型AlGaN構(gòu)成的p型熔覆層24。另外，在P型熔覆層24，通過形成沿著相對于圖5的紙面垂直的方向(圖I的A方向)延伸的、具有約I. 5μπι寬度的脊部(ridge)(凸部)25，來形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。另外，形成有覆蓋P型熔覆層24的脊部25以外的上表面和脊部25的兩側(cè)面的、由SiO2構(gòu)成的電流阻擋層26。另外，在P型熔覆層24的脊部25和電流阻擋(block)層26的上表面上，形成有由Au等構(gòu)成的P側(cè)電極27。另外，在η型GaN基板21的下表面上的大致全部區(qū)域，從靠近η型GaN基板21 —側(cè)形成有以Al層、Pt層和Au層的順序?qū)盈B而成的η側(cè)電極28。另外，在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光射出面20a和光反射面20b (參照圖2)，分別形成有低反射率和高反射率的電介質(zhì)多層膜。通過經(jīng)由導(dǎo)電性粘結(jié)層(未圖示)接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的η側(cè)電極28和墊電極41,藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20以結(jié)(Junction-up)的方式接合在次黏著基臺(tái)40上(參照圖5)。另外，如圖I所示，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20通過引線接合在P側(cè)電極27的由Au等構(gòu)成的金屬線91連接在引線端子12的前端面12b。另外，監(jiān)測用TO42通過引線接合在P型區(qū)域42b的由Au等構(gòu)成的金屬線92連接在引線端子13的前端面13b。藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的η側(cè)電極28和監(jiān)測用TO42的η型區(qū)域42c都通過次黏著基臺(tái)40與引線端 子11電連接。 如圖2所示，通過蓋部30的側(cè)壁部30a從Al側(cè)向A2側(cè)滑動(dòng)而嵌入到頭部10a，載置在基座部IOb上的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20被氣密密封在封裝50內(nèi)。另外，優(yōu)選在蓋部30和頭部IOa未嵌合的狀態(tài)下，蓋部30的內(nèi)徑D2 (參照圖I)比頭部IOa的外徑Dl (參照圖I)小1%左右。由此，能夠在蓋部30的側(cè)壁部30a的內(nèi)側(cè)面30c大致完全緊貼基部10的外圓周面IOf的狀態(tài)下進(jìn)行嵌合。另外，在基部10的外圓周面IOf和前表面IOc相交的邊緣部10g，沿圓周進(jìn)行倒角加工。由此，蓋部30被嵌入到頭部IOa時(shí)，蓋部30的內(nèi)側(cè)面30c順暢地嵌合到基部10的外圓周面10f。此處，由于蓋部30的側(cè)壁部30a以插入到基部10和散熱部Ild之間的方式被嵌合，所以在蓋部30嵌合在頭部IOa后的狀態(tài)(參照圖2)下，引線端子11的散熱部Ild配置在蓋部30 (側(cè)壁部30a)的外側(cè)。另外，如圖2所示，在基部10的外圓周面IOf上和頭部IOa的后表面IOd上，連續(xù)形成有由SiO2構(gòu)成的氣體屏障(barrier)層17。另外，在蓋部30的側(cè)壁部30a和底面部30b的外表面30d上，連續(xù)形成有由SiO2構(gòu)成的氣體屏障層33。即，因?yàn)榄h(huán)氧樹脂和硅樹脂是非晶結(jié)構(gòu)所以透氣性高，因此在不設(shè)置氣體屏障層17和33的情況下，即使使蓋部30相對于頭部IOa進(jìn)行嵌合來密封封裝50，也有存在于半導(dǎo)體激光器件100的外部(大氣中)的低分子硅氧烷或揮發(fā)性的有機(jī)氣體透過環(huán)氧樹脂和硅樹脂浸入封裝50內(nèi)的風(fēng)險(xiǎn)。對此，設(shè)置氣體屏障層17和33，能夠防止有機(jī)氣體從外部浸入。另外，氣體屏障層17和33有數(shù)十rim的厚度就可以。另外，由于基部10和蓋部30在樹脂中含有氣體吸收劑，內(nèi)部結(jié)構(gòu)成多孔狀態(tài)，所以設(shè)置氣體屏障層17和33在截?cái)嘤袡C(jī)氣體等從外部浸入的方面非常有效。另外，在蓋部30的外表面30d形成的氣體屏障層33，也形成在光透射部35的外側(cè)的表面上。接著，參照圖I 圖7，對半導(dǎo)體激光器件100的制造工序(process)進(jìn)行說明。首先，如圖6所示，通過對由鐵和銅等帶狀的薄板構(gòu)成的金屬板進(jìn)行蝕刻，形成引線端子11和引線端子12及13在橫向(B方向)反復(fù)被圖案化后的引線框架105，上述引線端子11是散熱部Ild和連接部Ilc與前端區(qū)域Ilb —體地形成的，上述引線端子12及13配置在引線端子11的兩側(cè)。此時(shí)，各引線端子12和13以被沿橫向(B方向)延伸的連結(jié)部101和102連結(jié)的狀態(tài)被圖案化。另外，各散熱部Ild以被沿橫向延伸的連結(jié)部103連結(jié)的狀態(tài)被圖案化。之后，使用環(huán)氧樹脂和氣體吸收劑的混合物，如圖I和圖7所示，鑄型成型對一組引線端子11 13進(jìn)行固定的基部10。此時(shí)，各引線端子11 13貫穿基部10，并且各前端區(qū)域Ilb 13b和后端區(qū)域Ila 13a被固定成從基部10露出。另外,基部10形成在引線端子11 13的前端區(qū)域Ilb 13b側(cè)，連接部Ilc也包括在內(nèi)部。另外，在引線端子11 13的前端區(qū)域Ilb 13b的下側(cè)(圖2的Cl側(cè))，也形成有基部10的前表面IOc的下側(cè)約一半向前方延伸的基座部10b。之后，使用真空蒸鍍法，在基部10的頭部IOa以及基座部IOb的外圓周面IOf上和頭部IOa的后表面IOd上，形成由SiO2構(gòu)成的氣體屏障層17 (參照圖2)。另一方面，將使硅樹脂和硬化劑以約10比I的比例混合后的硬化前的硅樹脂和氣體吸收劑的混合物，流入具有規(guī)定的形狀的模具(未圖示)，通過在約150°C的溫度條件下加熱30分鐘來使其硬化。由此，蓋部30的側(cè)壁部30a和在大致中央部形成開口部的底面部 30b (參照圖2)被成型。此時(shí)，更優(yōu)選在將合成沸石混合到硅樹脂之前，對合成沸石進(jìn)行熱處理。由此，能夠提高合成沸石的吸收能力。之后，將沒有混入氣體吸收劑的硬化前的硅樹脂和在上述工序中成型后的蓋部30(側(cè)壁部30a和底面部30b的部分)再次放入具有規(guī)定的形狀的模具(未圖示)，在約150°C的溫度條件下加熱30分鐘。由此，在形成于底面部30b的大致中央部的開口部，使具有透光性的光透射部35 (參照圖2)成型。之后，從模具中取出蓋部30，在利用無油泵形成減壓狀態(tài)的烤爐(oven)內(nèi)，通過在約240°C的溫度條件下加熱約2天，除去硅樹脂中含有的低分子硅氧烷。另外，即使加熱約2天，也不能完全地除去硅樹脂中的低分子硅氧烷。但是，殘留的低分子硅氧烷被減少到能夠由混入到蓋部30的氣體吸收劑吸收的量。之后，使用真空蒸鍍法，在蓋部30的側(cè)壁部30a和底面部30b的外表面30d上形成由SiO2構(gòu)成的氣體屏障層33 (參照圖2)。如此，形成蓋部30。另外，使用規(guī)定的制造工序，制作藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和監(jiān)測用TO42的芯片。然后，將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和監(jiān)測用TO42的芯片接合于在一個(gè)表面上形成有墊電極41的次黏著基臺(tái)40。此時(shí)，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的η側(cè)電極28和監(jiān)測用TO42的η型區(qū)域42c側(cè)接合在墊電極41。之后，如圖7所示，隔著導(dǎo)電性粘結(jié)層5(參照圖5)，在引線端子11的前端區(qū)域Ilb(參照圖4)的上表面大致中央(橫向)接合次黏著基臺(tái)40。此時(shí)，未接合藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和監(jiān)測用TO42的次黏著基臺(tái)40的下表面?zhèn)扰c前端區(qū)域Ilb的上表面接合。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光反射面20b以與基部10的前表面IOc相對的方式與次黏著基臺(tái)40接合。之后，如圖I所示，使用金屬線91連接藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的P側(cè)電極27和引線端子12的前端區(qū)域12b。另外，使用金屬線92連接監(jiān)測用TO42的p型區(qū)域42b和引線端子13的前端區(qū)域13b。另外，在圖7中省略了金屬線91和92的標(biāo)記。之后，如圖7所示，通過沿分離線180和190切斷，切斷除去連結(jié)部101、102和103。最后，將蓋部30邊嵌合在分離了的各個(gè)基部10的頭部IOa邊對上述各個(gè)基部10的頭部IOa進(jìn)行覆蓋。如此，形成半導(dǎo)體激光器件100 (參照圖2)。
通過由環(huán)氧樹脂、硅樹脂和氣體吸收劑的混合物形成基部10和蓋部30，能夠利用氣體吸收劑吸收從基部10和蓋部30的樹脂產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)氣體。由此，能夠抑制在密封藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的封裝50內(nèi)充滿有機(jī)氣體，所以能夠使封裝50內(nèi)的有機(jī)氣體濃度變小。其結(jié)果是，能夠抑制被從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20射出的激光激勵(lì)或者分解而作為固體的附著物形成在光射出面20a上，所以能夠抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。另外，因?yàn)橛苫烊胗袣怏w吸收劑16的樹脂15形成基部10和蓋部30，所以不需要在封裝50內(nèi)另外設(shè)置包含氣體吸收劑的部件。由此，因?yàn)椴恍枰龃蠓庋b50的內(nèi)容積，所以能夠抑制半導(dǎo)體激光器件100的尺寸變大。另外，由于使封裝50的尺寸與不含有氣體吸收劑16形成的情 況下的封裝尺寸大致相等，所以能將樹脂15在封裝50中所占的體積減少含有氣體吸收劑16的量。由此，因?yàn)槟軌蛞种朴袡C(jī)氣體的產(chǎn)生，所以能夠抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20劣化。另外，由于包括光透射部35的蓋部30使用具有透光性的硅樹脂，所以能夠容易地制造蓋部30，并且能夠簡化蓋部30的結(jié)構(gòu)。此處，為了確認(rèn)在光透射部35中使用硅樹脂的有效性，進(jìn)行了以下的實(shí)驗(yàn)。首先，使用由具有約Imm的厚度的板狀聚二甲基硅氧烷構(gòu)成的硅樹脂(信越化學(xué)制KE-106)形成光透射部35，將其與光射出面20a隔開Imm的距離配置。接著，在70°C的條件下，利用自動(dòng)功率控制(Auto Power Control (APC))，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20對光透射部35照射調(diào)整到IOmW的輸出的激光1000小時(shí)。其結(jié)果是，確認(rèn)了光透射部35的透射率沒有變化。另外，作為比較例，在對具有1_的厚度的、由PMMA (透明丙烯酸樹脂)形成的光透射部以同樣的條件照射激光的情況下，激光的照射區(qū)域由于劣化而變得不透明。從該結(jié)果來看，確認(rèn)了在蓋部30 (光透射部35)中使用硅樹脂的有效性。另外，樹脂15具有透光性，通過在光透射部35以外的構(gòu)成蓋部30的混合物中混入氣體吸收劑16，能夠使用具有透光性的相同樹脂15形成具有光透射部35的蓋部30，所以能夠容易地制造蓋部30，并且能夠簡化蓋部30的結(jié)構(gòu)。另外，由于在光透射部35以外的構(gòu)成蓋部30的樹脂15中混入有氣體吸收劑16，所以在光透射部35，不會(huì)發(fā)生由氣體吸收劑16造成的光吸收或者光散射的情況。由此，能夠可靠地射出來自光透射部35的出射光，并且能夠抑制從包括光透射部35的蓋部30的樹脂15產(chǎn)生的有機(jī)氣體充滿封裝50內(nèi)。另外，通過氣體吸收劑16使用合成沸石，能夠充分吸收從樹脂15產(chǎn)生的有機(jī)氣體，并且能夠由樹脂15和氣體吸收劑16的混合物容易地形成基部10和蓋部30。另外，通過在由混合物形成的基部10的外圓周面IOf和頭部IOa的后表面IOd上形成氣體屏障層17、并且在蓋部30的側(cè)壁部30a和底面部30b的外表面30d上形成氣體屏障層33，能夠抑制存在于半導(dǎo)體激光器件100的外部(大氣中)的低分子硅氧烷和揮發(fā)性有機(jī)氣體等透過基部10或者蓋部30的材料浸入到封裝50內(nèi)，所以能夠進(jìn)一步抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，通過包括在比基部10的外圓周面IOf靠外側(cè)的區(qū)域延伸的散熱部，能夠充分確保散熱面積，所以藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20發(fā)的熱能夠通過散熱部Ild充分地散熱。另外，由于在基部10的后表面10d，散熱部Ild和連接部Ilc連接，所以能夠在基部10的前表面IOc側(cè)不干涉散熱部Ild地安裝用于密封藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的蓋部30。另夕卜，由于通過使連接部Ilc的后端區(qū)域Ilh從基部10的后表面IOd露出，能夠容易地使散熱部Ild露出到基部10的外部，所以能夠提高散熱部Ild的散熱特性。另外，將散熱部Ild配置于在基部10的同一平面上配置的多個(gè)引線端子11 13的外側(cè)。即，在平行于基部10的同一平面的方向，引線端子11 13中的位于最外側(cè)的引線端子12或13配置為夾在散熱部Ild和其它的引線端子11之間，散熱部Ild不配置在引線端子11 13之間。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于不需要將散發(fā)來自藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的發(fā)熱的散熱部Ild配置在引線端子11和引線端子12 (13)之間的有限空間，所以能夠增大散熱部Ild的表面積。由此，能夠提高散熱部Ild的散熱特性。另外，通過將引線端子11 13和散熱部Ild配置在同一平面內(nèi)，例如，能夠由引線框架等容易地形成各引線端子和散熱部lid。進(jìn)而，由于在將該半導(dǎo)體激光器件100安裝在例如光拾取裝置等的殼體時(shí)，也能夠容易地固定散熱部Ild和殼體，所以能夠容易地將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20發(fā)的熱散發(fā)到殼體。另外，通過將前端區(qū)域Ilb與引線端子11 一體形成，能夠使引線端子11還兼?zhèn)渖?熱功能。由此，能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體激光器件100的散熱性。另外，連接部Ilc的寬度W2和第二散熱部Ilg的寬度W4都形成得比引線端子11的貫穿基部10的部分的寬度W5寬(W2>W5、W4>W5)。由此，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20發(fā)的熱通過次黏著基臺(tái)40傳遞到引線端子11的前端區(qū)域Ilb后，比起引線端子11更容易傳遞(熱傳導(dǎo))到連接部Ilc和散熱部lid。由此，能夠?qū)⑺{(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的熱傳遞到與連接部Ilc連著的各個(gè)散熱部Ild而可靠地散熱到半導(dǎo)體激光器件100的外部。另外，樹脂15具有伸縮性，通過利用基部10和蓋部30嵌合來密封藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20，能夠容易地使蓋部30的內(nèi)側(cè)面30c緊貼基部10的外圓周面IOf，因此能夠容易地密封封裝50內(nèi)。即，由于不需要再使用用于密封的粘接劑等，所以能夠抑制有機(jī)氣體的產(chǎn)生。另外，混入到構(gòu)成蓋部30的樹脂(硅樹脂)15的氣體吸收劑16相對于硅樹脂的比例，比混入到構(gòu)成基部10的樹脂(環(huán)氧樹脂)15的氣體吸收劑16相對于環(huán)氧樹脂的比例小。由此，因?yàn)槟軌蛉菀椎鼐S持蓋部30中的硅樹脂的伸縮性，所以能夠使基部10和蓋部30可靠地嵌合。(第一實(shí)施方式的第一變形例)參照圖8，對第一實(shí)施方式的第一變形例進(jìn)行說明。在該第一實(shí)施方式的第一變形例的半導(dǎo)體激光器件IOOa中，與第一實(shí)施方式不同，與蓋部130嵌合的部分的基部110的外圓周面IlOf具有從后方朝向前方去前端變細(xì)的圓錐形狀。另外，在圖中，對與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)記與第一實(shí)施方式相同的符號(hào)來進(jìn)行圖不。如圖8所示，從基部110的頭部IlOa的后表面IIOd朝向基座IlOb的前表面IlOc(110h)，外圓周面IlOf的外徑Dl逐漸地變小，由此基部110的外形被樹脂成型為前端變細(xì)。另外，在蓋部130的側(cè)壁部130a的開口部，沿圓周形成從側(cè)壁部130a的內(nèi)側(cè)面130c突出到內(nèi)側(cè)的爪部130e，并且在蓋部130的底面部130b的內(nèi)側(cè)、即在與基座IlOb相對的區(qū)域，形成有朝向蓋部130的開口部突出的突出部130f。另外，半導(dǎo)體激光器件IOOa的其它的結(jié)構(gòu)，與上述第一實(shí)施方式相同。另外，對于半導(dǎo)體激光器件IOOa的制造工序，除了基部110的外圓周面IlOf樹脂成型為具有如圖8所示的圓錐形(taper)這一點(diǎn)、和將蓋部130樹脂成型為具有爪部130e和突出部130f這一點(diǎn)，與上述第一實(shí)施方式的制造工序相同。由于基部110的外圓周面IlOf具有從后方向前方去前端變細(xì)的圓錐形狀，所以蓋部130的內(nèi)側(cè)面130c變得更加容易嵌入基部110 (頭部IlOa)的外圓周面110f。另外，能夠配合外圓周面IlOf的圓錐形狀地使蓋部130的側(cè)壁部130a邊伸縮邊嵌合。由此，能夠更加可靠地氣密密封放置藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的封裝內(nèi)部。另外，由于在蓋部130的底面部130b的內(nèi)側(cè)形成有朝向蓋部130的開口部突出的突出部130f，所以在蓋部130被嵌入基部110時(shí)，通過突出部130f與基座IlOb的前表面IlOc抵接，能夠在藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的光射出面20a和蓋部130的光透射部135之間可靠地形成具有規(guī)定間隔的間隙。另外，在這樣的狀態(tài)下，由于蓋部130的爪部130e在頭部IlOa的后表面IlOd的邊緣部能夠邊彈性變形邊卡合，所以能夠抑制蓋部130從基部110向前方(Al方向)脫開。另外，第一實(shí)施方式的第一變形例的其它效果，與第一實(shí)施方式相同。
(第一實(shí)施方式的第二變形例) 接著，對第一實(shí)施方式的第二變形例進(jìn)行說明。在該第一實(shí)施方式的第二變形例的半導(dǎo)體激光器件IOOb中，如圖9所示，與第一實(shí)施方式不同，前端區(qū)域Ilb和引線端子11是被分離的。另外，在圖中，對與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖示。在半導(dǎo)體激光器件IOOb中，引線端子11和前端區(qū)域Ilb是分離的。另外，前端區(qū)域Ilb和引線端子11的前端部211b通過由Au等構(gòu)成的金屬線93電連接。另外，半導(dǎo)體激光器件IOOb的其它結(jié)構(gòu)，與第一實(shí)施方式相同。而且，對于半導(dǎo)體激光器件IOOb的制造工序，除了圖6中使用被圖案化成前端區(qū)域Ilb與引線端子11分離的引線框架這一點(diǎn)、和包括在金屬線91和92的鍵合(bonding,焊接，結(jié)合)時(shí)使用金屬線93連接前端區(qū)域Ilb和引線端子11的前端部211b (參照圖9)的工序這一點(diǎn)，與第一實(shí)施方式的第一變形例中的制造工序相同。另外，第一實(shí)施方式的第二變形例的效果，與第一實(shí)施方式的第一變形例相同。(第一實(shí)施方式的第三變形例)接著，對第一實(shí)施方式的第三變形例進(jìn)行說明。在該第一實(shí)施方式的第三變形例的半導(dǎo)體激光器件IOOc中，如圖10所示，與第一實(shí)施方式不同，配置在前端區(qū)域Ilb兩側(cè)的散熱部Ild不具有向前方延伸的第二散熱部Hg。另外，在圖中，對與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖示。另外，省略了嵌合在基部10的蓋部30的圖示。S卩，與連接部Ilc的后端區(qū)域Ilh連接的散熱部Ild只由延伸到基部10外側(cè)的、具有寬度W21的第一散熱部211f構(gòu)成。此處，寬度W21比第一實(shí)施方式的第一散熱部Ilf的寬度W3 (參照圖4)大(W21 > W3)。另外，第一實(shí)施方式的第三變形例的半導(dǎo)體激光器件IOOc的其它結(jié)構(gòu)，與第一實(shí)施方式相同。另外，對于半導(dǎo)體激光器件IOOc的制造工序，在制作圖6那樣的引線框架時(shí)，不形成第一實(shí)施方式中的第二散熱部lig，圖案化成由連結(jié)部103直接連結(jié)第一散熱部211f(參照圖10)。另外，上述以外的制造工序，與第一實(shí)施方式的制造工序大致相同。在半導(dǎo)體激光器件IOOc中，即使在不具有第二散熱部Ilg的情況下，由于第一散熱部211f具有寬度W21，所以也能夠容易地維持散熱部Ild的散熱效率。另外，在半導(dǎo)體激光器件IOOc中，由于沒有形成第二散熱部lig，所以基部10的側(cè)部被開放得很廣。由此，能夠?qū)⒚芊馑{(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的蓋部30 (參照圖I)那樣的結(jié)構(gòu)更加自由地進(jìn)行組合。另外，第一實(shí)施方式的第三變形例的其它效果，與第一實(shí)施方式相同。(第二實(shí)施方式)接著，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件200進(jìn)行說明。在該半導(dǎo)體激光器件200中，如圖11所示，從基部10的后表面IOd露出的連接部Ilc的后端區(qū)域Ilh配置為彎曲到與后表面IOd大致平行的方向的上方(C2方向)。另外，半導(dǎo)體激光器件200的其它結(jié)構(gòu)，與第一實(shí)施方式的第三變形例相同，在圖中，對與第一實(shí)施方式的第三變形例相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖示。另外，對于半導(dǎo)體激光器件200的制造工序，除了增加了對具有第一散熱部211f的引線框架使用未圖示的沖壓機(jī)等將第一散熱部211f的一部分彎曲到相對于引線框架上表面大致垂直的上方的工序以外，與第一實(shí)施方式的第三變形例的制造工序大致相同。
由于連接部Ilc的后端區(qū)域Ilh彎曲到上方(C2方向)，所以也能夠容易地將散熱部Ild (第一散熱部211f)向上方方向(C方向)延伸配置。由此，能夠容易地增加散熱部Ild (第一散熱部211f)的表面積。因此，由于能夠容易地維持散熱部Ild的散熱效率，所以能夠進(jìn)一步提高散熱特性。另外，由于后端區(qū)域Ilh向上方彎曲，散熱部Ild與后表面IOd大致平行地延伸。也就是，不改變半導(dǎo)體激光器件200的全長方向(A方向)的長度，就能夠容易地增加散熱部Ild (第一散熱部211f)的表面積。另外，第二實(shí)施方式的其它效果，與第一實(shí)施方式相同。(第二實(shí)施方式的變形例)接著，對第二實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光器件200a進(jìn)行說明。在該半導(dǎo)體激光器件200a中，如圖12所示，與第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件200相比較，除了形成有從向上方彎曲的第一散熱部211f向前方延伸的第二散熱部211g以外，具有同樣的結(jié)構(gòu)。另夕卜，在圖中，對與第二實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖示。S卩，散熱部Ild的第一散熱部211f和具有寬度W4的第二散熱部211g連接，該第二散熱部211g與連接著連接部Ilc 一側(cè)的相反側(cè)的第一散熱部211f的端部連接。另外，第二散熱部211g在與第一散熱部211f的連接區(qū)域向前方(Al方向)彎曲。進(jìn)而，第二散熱部211g被配置成從基部10的外圓周面IOf隔開距離W6左右、在與引線端子11的前端區(qū)域Ilb和連接部Ilc的同一平面上向前方(Al方向)延伸。另外，對于半導(dǎo)體激光器件200a的制造工序，除了在上述第一實(shí)施方式的制造工序中增加使第一散熱部211f的寬度增大到W21、并且在制作圖6那樣的引線框架后使用未圖示的沖壓機(jī)等將第一散熱部211f的一部分相對于引線框架的上表面向上方彎曲的工序以外，與第二實(shí)施方式的制造工序大致相同。通過除了向上方延伸的第一散熱部211f還形成有向前方延伸的第二散熱部211g，散熱部Ild的表面積與上述第二實(shí)施方式的情況相比進(jìn)一步增加。因此，能夠使散熱部Ild的散熱效率更進(jìn)一步提高。另外，第二實(shí)施方式的變形例的其它效果，與第二實(shí)施方式相同。(第三實(shí)施方式)接著，對第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件300進(jìn)行說明。在該半導(dǎo)體激光器件300中，如圖13所示，除了連接部311c的端部區(qū)域向上方(C2方向)彎曲以外，包括與半導(dǎo)體激光器件100相同的結(jié)構(gòu),在圖中,對與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖不。在半導(dǎo)體激光器件300中，在引線端子11的前端區(qū)域Ilb和各個(gè)散熱部Ild之間，設(shè)置有具有比第一實(shí)施方式中的連接部Ilc寬的寬度的連接部311c。具體而言，連接部311c的沿著B方向的端部區(qū)域(各個(gè)連接部311c的B2側(cè)或者BI側(cè)的區(qū)域)向與前端區(qū)域Ilb的上表面大致正交的方向(藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的高度方向(C2方向)彎曲。此時(shí)，連接著連接部311c的前端區(qū)域Ilb的端部(B2側(cè)和BI偵D也向C2方向彎曲。另外，連接部311c在端部區(qū)域向C2方向彎曲的狀態(tài)下在A2方向完全貫穿基部10。因此，連接部311c由于除了具有上述第一實(shí)施方式的連接部Ilc的寬度W2(參照圖4)之外還具有向上方延伸的端部區(qū)域的寬度W31，所以合計(jì)具有W2 + W31的寬度(連接部311c的沿上表面的周長)。由此，在圖13中沿A2方向看連接部311c的情況下，其截面積比連接部Ilc (參照圖I)有所增加。
另外，對于半導(dǎo)體激光器件300的制造工序，增加了如圖14所示形成在連接部311c和散熱部Ild之間形成有大致L字形的切口線390的引線框架305、并且使用未圖示的沖壓機(jī)等將前端區(qū)域Ilb和連接部311c的端部區(qū)域相對于引線框架的上表面向上方折彎的工序。另外，這些以外的制造工序，與第一實(shí)施方式的制造工序大致相同。在半導(dǎo)體激光器件300中，連接部311c的端部區(qū)域向C2方向彎曲。由此，因?yàn)槟軌蛉菀椎卦黾优c連接部311c的延伸方向A方向垂直的截面積，所以通過連接部311c內(nèi)部的熱阻減少，能夠容易傳導(dǎo)熱。其結(jié)果是，能夠使散熱部Ild的散熱效率進(jìn)一步提高。另外，由于連接部311c的端部區(qū)域向上方彎曲，所以能夠使連接部311c的剛性提高。另外，第三實(shí)施方式的其它效果，與上述第一實(shí)施方式相同。(第四實(shí)施方式)參照圖15 圖17，對第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。在該第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件400中，對與第一實(shí)施方式不同的、引線端子11與引線端子12和13在不同高度位置形成的情況進(jìn)行說明。另外，在圖15中，為了說明引線框架的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，用虛線表示基部10 (參照圖16)的外形形狀。另外，圖16是在沿圖15的490-490線的截面中看基部10的圖。另外，在圖中，對與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖示。另外，引線端子12和13是本發(fā)明的“第二引線端子”的一例。在半導(dǎo)體激光器件400中，參照圖1，沒有形成第一實(shí)施方式中所示的由引線端子11、連接部IlC和前端區(qū)域Ilb圍成的切口部。即，在半導(dǎo)體激光器件400的引線端子11，如圖15所示，形成有包括前端區(qū)域Ilb和連接部Ilc的大致矩形的平面部401。另外，在平面部401的后方(A2方向)，散熱部Ild連接在平面部401。另外，如圖16所示，引線端子12和13隔著在平面部401上形成的由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的絕緣膜402形成在與引線端子11 (前端區(qū)域Ilb)不同的高度方向(C方向)的平面上。因此，平面部401 (引線端子11)和引線端子12以及13以相互絕緣的狀態(tài)且在高度方向上不同的位置，從前方(Al側(cè))貫穿基部10到后方(A2側(cè))。另外，半導(dǎo)體激光器件400的其它結(jié)構(gòu)，與第一實(shí)施方式相同。另外，在半導(dǎo)體激光器件400的制造工序中，首先，如圖17所示，與第一實(shí)施方式相同，通過蝕刻帶狀的金屬板，形成引線端子11在橫向(B方向)上反復(fù)被圖案化的引線框架106。此時(shí)，參照圖6，不對引線端子12和13進(jìn)行圖案化。另外，不形成由引線端子11、連接部Ilc和前端區(qū)域Ilb圍成的切口部，而圖案化成在平面部401的后方直接連接有第一散熱部Ilf的狀態(tài)。另外，參照圖6，另外形成引線端子12和13在橫向(B方向)反復(fù)被圖案化的引線框架107。之后，在平面部401的配置引線端子12和13的規(guī)定區(qū)域上，涂敷由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的絕緣膜402 (參照圖16)。然后，在將引線框架107配置在引線框架106上的狀態(tài)下使環(huán)氧樹脂硬化，使得在絕緣膜402的表面上重疊引線端子12和13。由此，粘接引線框架106和引線框架107 (參照圖17)。之后，如圖15和圖16所示，以固定引線端子11、12和13的方式將基部10鑄型成型。另外，第四實(shí)施方式的其它制造工序，與上述第一實(shí)施方式的制造工序大致相同。前端區(qū)域Ilb與引線端子12和13配置在不同的平面上。由此，不使引線端子的寬度變小，就能夠容易地增加引線端子的數(shù)量。另外，即使在增加了引線端子數(shù)量的情況下，也能夠適當(dāng)?shù)卮_保平面部401的寬度(截面積)，所以能夠抑制從前端區(qū)域Ilb通過平面部401散熱到散熱部Ild時(shí)散熱(導(dǎo)熱)特性的降低。另外，第四實(shí)施方式的其它效果，與上述第一實(shí)施方式相同。 (第五實(shí)施方式)參照圖18和圖19，對第五實(shí)施方式進(jìn)行說明。在該第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件500中，與第一實(shí)施方式不同，一個(gè)連接部511c兼用作引線端子511。另外，圖18中，為了說明引線框架的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，用虛線表示安裝前端區(qū)域Ilb的基部10 (參照圖19)的外形形狀。另外，在圖中，對與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖示。另外，弓丨線端子511是本發(fā)明的“第一引線端子”的一例。在半導(dǎo)體激光器件500中，如圖18和圖19所示，具有寬度W5的引線端子511從一方(B2側(cè))的具有寬度W2的連接部511c的后端部(A2側(cè))向后方延伸。另外，散熱部511d連接在連接部511c的后端部。而且，在另一方(BI側(cè))的具有寬度W52的連接部521c和連接部511c之間，設(shè)置有引線端子12和13。另外，如圖19所示，連接部521c的寬度W52比連接部511c的寬度W2大(W52 >W2)。S卩，如圖19所示，平面(俯視)來看，以藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20為中心，連接部511c側(cè)(B2側(cè))的結(jié)構(gòu)和連接部521c側(cè)(BI側(cè))的結(jié)構(gòu)非對稱。另外，半導(dǎo)體激光器件500的其它結(jié)構(gòu)，與上述第一實(shí)施方式相同。另外，對于半導(dǎo)體激光器件500的制造工序，除了形成具有相對于前端區(qū)域Ilb的大致中心在橫向非對稱配置的連接部511c和521c的引線端子511、形成被圖案化成在連接部511c和521c之間的區(qū)域配置引線端子12和13的引線框架這點(diǎn)之外，與第一實(shí)施方式的制造工序大致相同。由于一側(cè)(B2側(cè))的連接部511c和引線端子511形成為兼用，所以能夠使另一側(cè)(BI側(cè))的散熱部521d的連接部521c的寬度W52構(gòu)成得更寬。其結(jié)果是，能夠使散熱部521d的散熱效率提高。另外，第五實(shí)施方式的其它效果，與上述第一實(shí)施方式相同。(第五實(shí)施方式的變形例)接著，對第五實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說明。在該第五實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體激光器件500a中，如圖20所示，與第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件500相比較，除了沒有形成散熱部511d以外，具有相同的結(jié)構(gòu)，在圖中，對與上述第五實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)記同樣的符號(hào)進(jìn)行圖示。
如圖20所示，在引線端子511上沒有形成第五實(shí)施方式中描述的散熱部511d(參照圖18)，在一側(cè)(BI側(cè))只形成有散熱部521d。另外，半導(dǎo)體激光器件500a的其它結(jié)構(gòu)，與第五實(shí)施方式相同。另外，對于半導(dǎo)體激光器件500a的制造工序，除了制作在一側(cè)形成有連接部521c和只由第一散熱部Ilf和第二散熱部Ilg構(gòu)成的散熱部521d的引線框架這點(diǎn)之外，與第五實(shí)施方式的制造工序大致相同。如半導(dǎo)體激光器件500a，即使只在引線端子511的一側(cè)(BI側(cè))具備散熱部521d，也能夠使藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20發(fā)的熱通過連接部521c從散熱部521d散熱到外部。由此，能夠容易地使半導(dǎo)體激光器件500a的寬度(B方向)變小。這種情況下，通過將連接有散熱部521d的連接部521c的寬度(B方向的寬度)構(gòu)成得比第一實(shí)施方式的連接部Ilc寬，即使只在一側(cè)形成散熱部521d也能夠充分地進(jìn)行散熱。另外，第五實(shí)施方式的變形例的其它效果，與第一實(shí)施方式相同。(第六實(shí)施方式)參照圖21，對第六實(shí)施方式進(jìn)行說明。在該第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件600 中，與第一實(shí)施方式不同，具有基部610，給基部610的頭部610a和基座部610b的截面具有在寬度方向(B方向)上被拉長的長圓形狀,在基部610的B方向的兩端部的外圓周面610f,沒有形成邊緣(edge)(角部)等。另外,對于蓋部630，被樹脂成型為底面部630b和從底面部630b呈筒狀延伸的側(cè)壁部630a的內(nèi)周具有對應(yīng)于基部610 (頭部610a)的截面形狀(長圓形)的截面。由此，蓋部630的內(nèi)側(cè)面630c以完全包圍基部610的外圓周面610f的狀態(tài)嵌合。另外，在圖中，對于與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)記與第一實(shí)施方式相同的符號(hào)進(jìn)行圖示。另外，蓋部630通過由粒子狀的合成沸石構(gòu)成的氣體吸收劑和具有伸縮性的熱塑性氟樹脂的混合物形成。另外，優(yōu)選氣體吸收劑相對于熱塑性氟樹脂在約40重量％以上約70重量％以下的范圍混入。另外，熱塑性氟樹脂是本發(fā)明的“樹脂”的一例。而且，在具有長圓形的底面部630b的中央部，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20射出的激光能夠向外部透射的光透射部635與蓋部630 —體地形成。另外，光透射部635由于不含有氣體吸收劑而具有透光性，而側(cè)壁部630a和底面部630b由于含有氣體吸收劑而不具有透光性。另外，在第六實(shí)施方式中，在基部610的外圓周面610f上和后表面610d上，形成有用于阻隔來自外部的氣體的浸入的氣體屏障層17(參照圖2)，在蓋部630的側(cè)壁部630a和底面部630b的外表面630d，形成有氣體屏障層33。另外,對蓋部630的制造工序進(jìn)行說明,對顆粒(pellet)(具有約3 5mm左右的長度的圓柱狀粒子)狀的熱塑性氟樹脂，混合由被粉碎成具有數(shù)十μ m以上數(shù)百ym以下的粒徑的合成沸石構(gòu)成的氣體吸收劑。使用攪拌機(jī)在約170°C的溫度條件下對熱塑性氟樹脂和氣體吸收劑的混合物邊加熱邊混揉(攪拌)。此時(shí),優(yōu)選氣體吸收劑相對于熱塑性氟樹脂的比例為約40%以上約70%以下。之后，通過將熱塑性氟樹脂和氣體吸收劑的混揉物注入具有規(guī)定的形狀的模具(未圖示)進(jìn)行除溫來使其硬化。由此，將蓋部630的側(cè)壁部630a和在大致中央部形成有開口部的底面部630b (參照圖21)成型。此時(shí)，優(yōu)選在將氣體吸收劑混合到熱塑性氟樹脂之前，對氣體吸收劑進(jìn)行熱處理。由此，能夠使氣體吸收劑的吸收能力得到提高。
之后，將沒有混入氣體吸收劑的熱塑性氟樹脂和在上述工序中成型的蓋部630(側(cè)壁部630a和底面部630b的部分)再次放入具有規(guī)定的形狀的模具(未圖示)，在約170°C的溫度條件下加熱。由此，在形成與上述底面部630b的大致中央部的開口部，成型具有透光性的光透射部635 (參照圖21)。另外，由于來自熱塑性氟樹脂的揮發(fā)性氣體不在端面形成附著物，所以不需要進(jìn)行在第一實(shí)施方式的蓋部30的制造工序中進(jìn)行的除氣處理。另外，半導(dǎo)體激光器件600的其它結(jié)構(gòu)，與第一實(shí)施方式相同。另外，對于半導(dǎo)體激光器件600的其他制造工序，除了以與蓋部630的截面形狀(長圓形)相應(yīng)的方式使將頭部610a和基座部610b在寬度方向(B方向)上拉長的基部610樹脂成型這點(diǎn)之外，與第一實(shí)施方式大致相同?；?10和蓋部630分別由環(huán)氧樹脂和熱塑性氟樹脂與氣體吸收劑的混合物形成。由此，能夠利用氣體吸收劑吸收從基部610和蓋部630的樹脂產(chǎn)生的揮發(fā)性有機(jī)氣體。此處，為了確認(rèn)在蓋部使用熱塑性氟樹脂的有效性，進(jìn)行了以下的實(shí)驗(yàn)。首先，利用具有約Imm厚度的、由四氟乙烯、六氟丙烯和雙氟亞乙烯(Vinylidene fluoride)構(gòu)成的 熱塑性氟樹脂(3M制THV500G)形成光透射部635，將其從光射出面20a隔開Imm的距離配置。接著，在70°C的條件下，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20利用APC將調(diào)整到IOmW的輸出(輸出功率)的激光對上述光透射部635照射1000小時(shí)后，確認(rèn)了光透射部635的透射率沒有變化。由此結(jié)果確認(rèn)了在蓋部630使用熱塑性氟樹脂的有效性。另外了，在具有9mm的直徑(外徑)的金屬制的軸桿(stem)(基部)只安裝半導(dǎo)體激光元件20。在蓋上金屬制的蓋部(帶有玻璃窗)進(jìn)行密封時(shí)，在封裝內(nèi)放入切成2mmX2mmX0. Imm (長X寬X厚)的大小的熱塑性氟樹脂(3M制THV500G)并密封。然后，在70V的條件下，從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20利用APC射出調(diào)整到IOmW的輸出(輸出功率)的激光250小時(shí)進(jìn)行動(dòng)作實(shí)驗(yàn)。其結(jié)果是，即使經(jīng)過250小時(shí)動(dòng)作電流也沒有發(fā)生明顯的變化。另外，作為比較例，將切成與上述相同的大小的丙烯酸板放入到相同封裝內(nèi)并密封后進(jìn)行動(dòng)作實(shí)驗(yàn)。這種情況下，在140小時(shí)時(shí)動(dòng)作電流開始增加，激光元件破損。由于來自熱塑性氟樹脂的揮發(fā)性氣體不在光射出端面形成附著物，所以在使用該熱塑性氟樹脂形成了蓋部630的半導(dǎo)體激光器件600中，能夠進(jìn)一步抑制藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的劣化。另外，對于熱塑性氟樹脂，由于不需要進(jìn)行除氣處理，所以能夠容易地制造具有優(yōu)質(zhì)特性的半導(dǎo)體激光器件600。另外，第六實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光器件600的其他效果，與第一實(shí)施方式相同。(第七實(shí)施方式)首先，參照圖22和圖23，對第七實(shí)施方式進(jìn)行說明。在該第七實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件700中，與第六實(shí)施方式不同，搭載射出互不相同波長的激光的多個(gè)半導(dǎo)體激光元件來構(gòu)成集成型的半導(dǎo)體激光器件。另外，在圖中，對與第六實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，標(biāo)記與第六實(shí)施方式相同的符號(hào)進(jìn)行圖示。3波長半導(dǎo)體激光器件700如圖22所示具有如下的結(jié)構(gòu)，第一實(shí)施方式的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和2波長半導(dǎo)體激光元件60以在橫向(B方向)鄰接的狀態(tài)，分別通過墊電極741接合在由AlN構(gòu)成的導(dǎo)電性的次黏著基臺(tái)740的表面上，其中，2波長半導(dǎo)體激光元件60由具有約650nm的振蕩波長的紅色半導(dǎo)體激光元件70和具有約780nm的振蕩波長的紅外半導(dǎo)體激光元件80整體形成。另外，次黏著基臺(tái)740通過導(dǎo)電性粘結(jié)層5接合在從基部610露出的引線端子711 (前端區(qū)域711b)的表面上。而且，蓋部630嵌合在基部610將其覆蓋，封裝被氣密密封。另外，3波長半導(dǎo)體激光器件700是本發(fā)明的“半導(dǎo)體發(fā)光器件”的一例。另外，2波長半導(dǎo)體激光元件60、紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80是本發(fā)明的“半導(dǎo)體發(fā)光元件”的一例。另外，如圖23所示，在基部610，由金屬制的引線框架構(gòu)成的引線端子711、712、713,714和715以相互絕緣的狀態(tài)貫穿頭部610a配置在同一平面上。另外，引線端子711貫穿頭部610a的大致中心。在引線端子711的寬度方向(B方向)的外側(cè)(B2側(cè)和BI偵D分別配置有引線端子712和713以及引線端子714和715。另外，引線端子711 715分別具有前方(Al側(cè))的前端區(qū)域711b 715b。前端區(qū)域711b 715b從頭部610a的前表面610c露出，并且配置在基座部610b的上表面610e上。另外，引線端子711的前端區(qū)域711b在基座部610b上在B方向擴(kuò)展。另外，在前端區(qū)域711b的大致中央，固定有藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和2波長半導(dǎo)體激光元件60。另外，前端區(qū)域711b是本發(fā)明的“元件設(shè)置部”的一例。
另外，在引線端子711，形成有一對散熱部711d，這一對散熱部711d從前端區(qū)域711b的B方向的兩端部，在與引線端子711 715同一平面上在引線端子712和715的外偵儀B2側(cè)和BI側(cè))貫穿頭部610a到后方(A2方向)，進(jìn)一步向B2側(cè)和BI側(cè)延伸，離開基部610的外圓周面6IOf后，再次朝向前方(Al方向)延伸。另外，散熱部71Id的B方向的寬度形成得比貫穿引線端子711的頭部610a的部分的B方向的寬度寬。因此，在封裝內(nèi)動(dòng)作的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和2波長半導(dǎo)體激光元件60發(fā)的熱，通過次黏著基臺(tái)740、前端區(qū)域711b、兩側(cè)的散熱部711d，散熱到3波長半導(dǎo)體激光器件700的外部。另外，2波長半導(dǎo)體激光元件60，如圖22所示，紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80隔著具有規(guī)定的槽寬的凹部65形成在共用的η型GaAs基板71的表面上。具體而言，紅色半導(dǎo)體激光元件70，在η型GaAs基板71的上表面上形成有由AlGaInP構(gòu)成的η型熔覆層72 ;具有由GaInP構(gòu)成的量子阱層和由AlGaInP構(gòu)成的阻隔層交替層疊而成的MQW結(jié)構(gòu)的活性層73 ;和由AlGaInP構(gòu)成的ρ型熔覆層74。另外，形成有由覆蓋P型熔覆層74的脊部75以外的上表面和脊部75的兩側(cè)面的、SiO2構(gòu)成的電流阻擋層76。另外，在脊部75和電流阻擋層76的上表面上，形成有具有約200nm的厚度的Pt層和具有約3 μ m的厚度的Au層層疊而成的P側(cè)電極77。另外,在η型GaAs基板71的下表面上，形成有從靠近η型GaAs基板71開始按順序?qū)盈B有AuGe層、Ni層和Au層的η側(cè)電極78。另外，η側(cè)電極78設(shè)置作為紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80共用的η側(cè)電極。另外，紅外半導(dǎo)體激光元件80，在η型GaAs基板71的上表面上形成有由AlGaAs構(gòu)成的η型熔覆層82 ;具有由Al成分低的AlGaAs構(gòu)成的量子阱層和由Al成分高的AlGaAs構(gòu)成的阻隔層交替層疊而成的MQW結(jié)構(gòu)的活性層83 ;和由AlGaAs構(gòu)成的ρ型熔覆層84。另外，形成有由覆蓋P型熔覆層84的脊部85以外的上表面和脊部85的兩側(cè)面的、SiO2構(gòu)成的電流阻擋層86。另外，在脊部85和電流阻擋層86的上表面上形成有ρ側(cè)電極87。另外，如圖23所示，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20通過引線接合在ρ側(cè)電極27的金屬線791與引線端子714的前端區(qū)域714b連接。另外，紅色半導(dǎo)體激光元件70通過引線接合在P側(cè)電極77的金屬線792與引線端子713的前端區(qū)域713b連接。紅外半導(dǎo)體激光元件80通過引線接合在ρ側(cè)電極87的金屬線793與引線端子712的前端區(qū)域712b連接。另外，形成為能夠接收來自各個(gè)激光元件的光反射面的激光的監(jiān)測用TO742，通過引線接合在P型區(qū)域742b的金屬線794與引線端子715的前端區(qū)域715b連接。另外，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20的η側(cè)電極28、2波長半導(dǎo)體激光元件60的η側(cè)電極78和監(jiān)測用PD742的η型區(qū)域(未圖示)共同通過次黏著基臺(tái)740與引線端子711電連接。另外，對于3波長半導(dǎo)體激光器件700的其它結(jié)構(gòu)和制造工序，除了將藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和2波長半導(dǎo)體激光元件60以在橫向(圖23的B方向)上排列的狀態(tài)接合在次黏著基臺(tái)740上這點(diǎn)之外，與第六實(shí)施方式大致相同。另外，3 波長半導(dǎo)體激光器件700的效果，與第六實(shí)施方式相同。(第七實(shí)施方式的變形例)參照圖22和圖24，對第七實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說明。該第七實(shí)施方式的變形例的3波長半導(dǎo)體激光器件705，與第七實(shí)施方式不同，引線端子711和引線端子712 715形成在不同的高度位置。也就是，引線端子712 715隔著形成于平面部401上的由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的絕緣膜402，形成在與引線端子711 (前端區(qū)域711b)不同的高度方向(C方向)的平面上。因此，平面部401 (引線端子711)和引線端子712 715以互相絕緣的狀態(tài)、并且在高度方向也不同的位置，從前方(Al側(cè))貫穿基部610到后方(A2側(cè))。另外，引線端子712 715是本發(fā)明的“第二引線端子”的一例。另外，如圖24所示，一側(cè)(B2側(cè))的連接部711c兼用于引線端子711。此處，在圖24中，為了說明粘結(jié)在引線框架上的引線端子的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以虛線表示安裝前端區(qū)域711b的基部610的外形形狀。另外，半導(dǎo)體激光器件705的其它結(jié)構(gòu)與第七實(shí)施方式相同。另外，第七實(shí)施方式的變形例的制造工序，與第七實(shí)施方式的制造工序大致相同。前端區(qū)域711b和引線端子712 715配置在不同的平面上。由此，能夠獲得不用將引線端子的寬度變小就能容易地增加引線端子的數(shù)量的3波長半導(dǎo)體激光器件705。另夕卜，第七實(shí)施方式的變形例的其它效果，與第七實(shí)施方式相同。(第八實(shí)施方式)參照圖23和圖25，對本發(fā)明第八實(shí)施方式的光拾取裝置850進(jìn)行說明。另外，光拾取裝置850是本發(fā)明的“光學(xué)裝置”的一例。光拾取裝置850，如圖25所示，包括第7實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件700(參照圖23);對從3波長半導(dǎo)體激光器件700射出的激光進(jìn)行調(diào)節(jié)的光學(xué)系統(tǒng)820 ;和接收激光的光檢測部830。而且，光學(xué)系統(tǒng)820，如圖25所示，具有偏振分光器(PBS)821、準(zhǔn)直透鏡822、光束擴(kuò)展器823、λ /4板824、物鏡825、圓柱形透鏡826和光軸校正元件827。另外，PBS821全部透射從3波長半導(dǎo)體激光器件700射出的激光，并且全反射從光盤835返回的激光。準(zhǔn)直透鏡822將透過了 PBS821的來自3波長半導(dǎo)體激光器件700的激光轉(zhuǎn)換為平行光。光束擴(kuò)展器823由凹透鏡、凸透鏡和驅(qū)動(dòng)器(actuator)(未圖示)構(gòu)成。驅(qū)動(dòng)器響應(yīng)來自后述的伺服電路的伺服信號(hào)，具有通過使凹透鏡和凸透鏡的距離變化，來校正從3波長半導(dǎo)體激光器件700射出的激光的波面狀態(tài)的功能。另外，λ /4板824將由準(zhǔn)直透鏡822轉(zhuǎn)換成的大致平行的線偏振光的激光轉(zhuǎn)換為圓偏振光。另外，λ/4板824將從光盤835返回的圓偏振光的激光轉(zhuǎn)換為線偏振光。該情況下的線偏振光的偏振方向與從3波長半導(dǎo)體激光器件700射出的激光的線偏振光的方向正交。由此，從光盤835返回的激光被PBS821大致全反射。物鏡825將透過了 λ/4板824的激光聚光到光盤835的表面(記錄層)上。另外，物鏡825利用物鏡驅(qū)動(dòng)器(未圖不)，響應(yīng)來自后述的伺服電路的伺服信號(hào)(跟蹤伺服信號(hào)、聚焦伺服信號(hào)和傾斜伺服信號(hào))，能夠在跟蹤(tracking)方向、聚焦(focus)方向和傾斜(tilt)方向移動(dòng)。另外，沿著被PBS821全反射的激光的光軸，配置有圓柱形透鏡826、光軸校正元件827和光檢測部830。圓柱形透鏡826對入射的激光付與像散作用。光軸校正元件827由衍射光柵構(gòu)成，配置為使透過了圓柱形透鏡826的藍(lán)紫色、紅色和紅外的各激光的O階衍射光的點(diǎn)在后述的光檢測部830的檢測區(qū)域上一致。另外，光檢測部830基于接收的激光的強(qiáng)度分布輸出再現(xiàn)信號(hào)。此處，光檢測部830具有規(guī)定圖案的檢測區(qū)域使得能夠得到再現(xiàn)信號(hào)，還有聚焦錯(cuò)誤信號(hào)、跟蹤錯(cuò)誤信號(hào)和傾斜錯(cuò)誤信號(hào)。如此，構(gòu)成包括3波長半導(dǎo)體激光器件700的光拾取裝置850。
在該光拾取裝置850中，3波長半導(dǎo)體激光器件700，通過在引線端子711和引線端子712 714之間獨(dú)立施加電壓，能夠從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80獨(dú)立地射出藍(lán)紫色、紅色和紅外的激光。另外，從3波長半導(dǎo)體激光器件700射出的激光，經(jīng)過PBS821、準(zhǔn)直透鏡822、光束擴(kuò)展器823、λ /4板824、物鏡825、圓柱形透鏡826和光軸校正元件827調(diào)整后，照射到光檢測部830的檢測區(qū)域上。此處，當(dāng)再現(xiàn)記錄在光盤835的信息的情況下，能夠一邊進(jìn)行控制使得從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20、紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80射出的各激光能量一定，一邊照射激光到光盤835的記錄層，并且得到從光檢測部830輸出的再現(xiàn)信號(hào)。另夕卜，利用同時(shí)輸出的聚焦錯(cuò)誤信號(hào)、跟蹤錯(cuò)誤信號(hào)和傾斜錯(cuò)誤信號(hào)，能夠進(jìn)行反饋控制光束擴(kuò)展器823的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡825的物鏡驅(qū)動(dòng)器。另外，當(dāng)在光盤835記錄信息的情況下，基于需要記錄的信息，一邊控制從藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20和紅色半導(dǎo)體激光元件70 (紅外半導(dǎo)體激光元件80)射出的激光能量，一邊將激光照射到光盤835。由此，能夠在光盤835的記錄層記錄信息。另外，與上述相同，利用從光檢測部830輸出的聚焦錯(cuò)誤信號(hào)、跟蹤錯(cuò)誤信號(hào)和傾斜錯(cuò)誤信號(hào)，能夠反饋控制光束擴(kuò)展器823的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡825的物鏡驅(qū)動(dòng)器。如此，使用包括3波長半導(dǎo)體激光器件700的光拾取裝置850，能夠進(jìn)行對光盤835的記錄和再現(xiàn)。在光拾取裝置850中，由于包括第七實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件700，所以利用3波長半導(dǎo)體激光器件700具有的良好的散熱性，能夠得到抑制了搭載在3波長半導(dǎo)體激光器件700上的各半導(dǎo)體激光元件劣化、能承受長時(shí)間使用的可靠性高的光拾取裝置850。并且，能夠得到抑制了 3波長半導(dǎo)體激光器件700的尺寸增大的光拾取裝置850。(第九實(shí)施方式)參照圖25和圖26，對本發(fā)明第九實(shí)施方式的光盤裝置900進(jìn)行說明。另外，光盤裝置900是本發(fā)明的“光學(xué)裝置”的一例。光盤裝置900，如圖26所示，包括第八實(shí)施方式的光拾取裝置850、控制器901、激光驅(qū)動(dòng)電路902、信號(hào)生成電路903、伺服電路904和盤驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)905。對控制器901輸入基于需要記錄在光盤835的信息而生成的記錄數(shù)據(jù)SI。另外，控制器901響應(yīng)記錄數(shù)據(jù)SI和來自后述的信號(hào)生成電路903的信號(hào)S5，向激光驅(qū)動(dòng)電路902和伺服電路904分別輸出信號(hào)S2和信號(hào)S7。另外,控制器901,如后述的那樣,基于信號(hào)S5輸出再現(xiàn)(再生)數(shù)據(jù)S10。另外，激光驅(qū)動(dòng)電路902響應(yīng)信號(hào)S2輸出控制從光拾取裝置850內(nèi)的3波長半導(dǎo)體激光器件700射出的激光能量的信號(hào)S3。S卩，控制器901和激光驅(qū)動(dòng)電路902驅(qū)動(dòng)3波長半導(dǎo)體激光器件700。在光拾取裝置850中，如圖26所示，將響應(yīng)信號(hào)S3而被控制的激光照射到光盤835。另外，從光拾取裝置850內(nèi)的光檢測部830向信號(hào)生成電路903輸出信號(hào)S4。另外，利用來自后述的伺服電路904的伺服信號(hào)S8，控制光拾取裝置850內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng)820 (光束擴(kuò)展器823的驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)物鏡825的物鏡驅(qū)動(dòng)器)。信號(hào)生成電路903對從光拾取裝置850輸出的信號(hào)S4進(jìn)行放大和運(yùn)算處理，將包括再現(xiàn)信號(hào)的第一輸出信號(hào)S5向控制器901輸出，并且將進(jìn)行光拾取裝置850的反饋控制和后述的光盤835的旋轉(zhuǎn)控制的第二輸出信號(hào)S6向伺服電路904輸出。伺服電路904，如圖26所示，響應(yīng)來自信號(hào)生成電路903和控制器901的第二輸出信號(hào)S6和信號(hào)S7,輸出控制光拾取裝置850內(nèi)的光學(xué)系統(tǒng)820的伺服信號(hào)S8和控制盤驅(qū) 動(dòng)電動(dòng)機(jī)905的電動(dòng)機(jī)伺服信號(hào)S9。另外,盤驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)905響應(yīng)電動(dòng)機(jī)伺服信號(hào)S9,控制光盤835的旋轉(zhuǎn)速度。此處，在再現(xiàn)光盤835中記錄的信息的情況下，首先，利用此處省略了說明的識(shí)別光盤835的種類(⑶、DVD、BD等)的裝置，選擇要照射的波長的激光。接著，從控制器901向激光驅(qū)動(dòng)電路902輸出信號(hào)S2，使得應(yīng)從光拾取裝置850內(nèi)的3波長半導(dǎo)體激光器件700射出的波長的激光強(qiáng)度一定。進(jìn)而，通過光拾取裝置850的3波長半導(dǎo)體激光器件700、光學(xué)系統(tǒng)820和光檢測部830進(jìn)行動(dòng)作，從光檢測部830將包括再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)S4向信號(hào)生成電路903輸出，信號(hào)生成電路903將包括再現(xiàn)信號(hào)的信號(hào)S5向控制器901輸出。控制器901通過處理信號(hào)S5，抽取光盤835中記錄的再現(xiàn)信號(hào)，作為再現(xiàn)數(shù)據(jù)SlO輸出。使用該再現(xiàn)數(shù)據(jù)S10，例如能夠?qū)⒐獗P835中記錄的影像、聲音等信息輸出到顯示器或揚(yáng)聲器等。另夕卜，基于來自光檢測部830的信號(hào)S4，也進(jìn)行各部的反饋控制。另外，在將信息記錄在光盤835的情況下，首先利用識(shí)別光盤835的種類(⑶、DVD、BD等)的裝置，選擇要照射的波長的激光。接著，相應(yīng)于與記錄的信息對應(yīng)的記錄數(shù)據(jù)SI，從控制器901向激光驅(qū)動(dòng)電路902輸出信號(hào)S2。進(jìn)而，通過光拾取裝置850的3波長半導(dǎo)體激光器件700、光學(xué)系統(tǒng)820和光檢測部830進(jìn)行動(dòng)作，在光盤835上記錄信息，并且基于來自光檢測部830的信號(hào)S4，進(jìn)行各部的反饋控制。如此，使用光盤裝置900，能夠進(jìn)行對光盤835的記錄和再現(xiàn)。在光盤裝置900中，由于包括第八實(shí)施方式的光拾取裝置850，所以利用3波長半導(dǎo)體激光器件700具有的良好的散熱性，能夠得到抑制了搭載于光拾取裝置850的各個(gè)半導(dǎo)體激光元件劣化、并且能承受長時(shí)間的使用的可靠性高的光盤裝置900。并且，能夠得到抑制了光拾取裝置850的尺寸增大的光盤裝置900。(第十實(shí)施方式)參照圖23、圖27和圖28，對本發(fā)明第十實(shí)施方式的投影裝置950的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，對于投影裝置950，以構(gòu)成RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的各個(gè)半導(dǎo)體激光元件大致同時(shí)被點(diǎn)亮為例進(jìn)行說明。另外，RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910是本發(fā)明的“半導(dǎo)體發(fā)光器件”的一例，投影裝置950是本發(fā)明的“光學(xué)裝置”的一例。投影裝置950，如圖28所示，包括RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910 ;由多個(gè)光學(xué)部件構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)920 ;和控制RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910和光學(xué)系統(tǒng)920的控制部
990。由此，從RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910射出的激光經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)920調(diào)制后，投影到外部的屏幕995等。另外，RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910，如圖27所示，對具有約530nm的綠色(G)的振蕩波長的綠色半導(dǎo)體激光元件660和具有約480nm的藍(lán)色(B)的波長的藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665整體地形成的2波長半導(dǎo)體激光元件650，接合具有約655nm的紅色(R)的振蕩波長的紅色半導(dǎo)體激光元件670，能夠射出具有RGB的3個(gè)波長的激光。此處，RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910中，參照圖24所示的第七實(shí)施方式的變形例的3波長半導(dǎo)體激光器件705，代替藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件20而包括在η型GaAs基板71的上表面上形成的紅色半導(dǎo)體激光元件670 (參照圖27)，代替紅色半導(dǎo)體激光元件70和紅外半導(dǎo)體激光元件80整體地形成的2波長半導(dǎo)體激光元件60而包括綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665在η型GaN基板21的下表面上整體地形成的2波長半導(dǎo)體激光元件650 (參照圖27)。另外，各個(gè)半導(dǎo)體激光元件隔著墊電極741接合在次黏著基臺(tái)740的表面上。另外，如圖27所示，紅色半導(dǎo)體激光元件670通過引線接合在ρ側(cè)電極77的金屬線791與引線端子714的前端區(qū)域714b(參照圖24)連接。另外，藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665通過引線接合在P側(cè)墊電極666的金屬線792與引線端子713的前端區(qū)域713b (參照圖24)連接。綠色半導(dǎo)體激光元件660通過引線接合在ρ側(cè)墊電極661的金屬線793與引線端子712的前端區(qū)域712b (參照圖24)連接。另外，形成為能夠接受來自各激光元件的光反射面的激光的監(jiān)測用TO742，通過引線接合在ρ型區(qū)域742b(參照圖23)的金屬線794與引線端子715的前端區(qū)域715b (參照圖24)連接。另外，紅色半導(dǎo)體激光元件670的η側(cè)電極678、2波長半導(dǎo)體激光元件650的η側(cè)電極658和監(jiān)測用TO742的η型區(qū)域(未圖示) 共同通過次黏著基臺(tái)740與引線端子711電連接，由此在RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910中實(shí)現(xiàn)共陰極的接線。另外，RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的其它結(jié)構(gòu)和制造工序，與第七實(shí)施方式的3波長半導(dǎo)體激光器件700的情況相同。另外，如圖28所示，在光學(xué)系統(tǒng)920中，從RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910射出的激光被由凹透鏡和凸透鏡構(gòu)成的分散角控制透鏡922轉(zhuǎn)換為具有規(guī)定的光束(射線束)直徑的平行光之后，入射到復(fù)眼積分器(Fly eye integrator)923。另外，在復(fù)眼積分器923中，由蠅的眼睛狀的透鏡組構(gòu)成的兩個(gè)復(fù)眼透鏡相對，對從分散角控制透鏡922入射的光付與透鏡作用，使得入射到液晶面板929、933和940時(shí)的光量分布均勻。即，透過了復(fù)眼積分器923的光被調(diào)整為能夠以與液晶面板929、933和940的尺寸對應(yīng)的縱橫尺寸比(例如16 9)的擴(kuò)展來入射。另外，透過了復(fù)眼積分器923的光被聚光透鏡924聚集。另外，透過聚光透鏡924的光中，只有紅色光被二向色鏡925反射，另一方面，綠色光和藍(lán)色光透過二向色鏡925。
然后，紅色光經(jīng)過鏡子926然后被透鏡927平行化后，經(jīng)過入射側(cè)偏振板928入射到液晶面板929。該液晶面板933根據(jù)紅色用的圖像信號(hào)(R圖像信號(hào))被驅(qū)動(dòng)，由此調(diào)制紅色光。另外，在二向色鏡930只反射透過了二向色鏡925的光中的綠色光，另一方面藍(lán)色光透過二向色鏡930。然后，綠色光由透鏡931平行化之后經(jīng)過入射側(cè)偏振板932入射到液晶面板933。該液晶面板929根據(jù)綠色用的圖像信號(hào)(G圖像信號(hào))被驅(qū)動(dòng)，由此調(diào)制綠色光。另外，透過了二向色鏡930的藍(lán)色光經(jīng)過透鏡934、鏡子935、透鏡936和鏡子937，再由透鏡938平行化后，經(jīng)過入射側(cè)偏振板939入射到液晶面板940。該液晶面板940根據(jù)藍(lán)色用的圖像信號(hào)(B圖像信號(hào))被驅(qū)動(dòng)，由此調(diào)制藍(lán)色光。之后，被液晶面板929、933和940調(diào)制后的紅色光、綠色光和藍(lán)色光由分色棱鏡941合成后，經(jīng)過射出側(cè)偏振板942向投射透鏡943入射。另外，投射透鏡943內(nèi)置有用于 將投射光在被投影面(屏幕995)上成像的透鏡組和用于使透鏡組的一部分在光軸方向上變位來調(diào)整投射圖像的變焦(zoom)和焦距(focus)的驅(qū)動(dòng)器。另外，在投影裝置950中，由控制部990進(jìn)行控制，使得作為與紅色半導(dǎo)體激光元件670的驅(qū)動(dòng)相關(guān)的R信號(hào)、與綠色半導(dǎo)體激光元件660的驅(qū)動(dòng)相關(guān)的G信號(hào)和與藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665的驅(qū)動(dòng)相關(guān)的B信號(hào)的恒定的電壓被供給到RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的各激光元件。由此，RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的紅色半導(dǎo)體激光元件670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665實(shí)質(zhì)上是同時(shí)振蕩。另外，通過由控制部990控制紅色半導(dǎo)體激光元件670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665各自的光的強(qiáng)度，能夠控制投射到屏幕995的像素的色調(diào)和亮度等。由此，通過控制部990將期望的圖像投射到屏幕995。如此，構(gòu)成搭載有RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的投影裝置950。(第^^一實(shí)施方式)參照圖27、圖29和圖30，對本發(fā)明第十一實(shí)施方式的投影裝置980的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，在投影裝置980中，以構(gòu)成RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的各個(gè)半導(dǎo)體激光元件按時(shí)間序列點(diǎn)亮的例子進(jìn)行說明。另外，投影裝置980是本發(fā)明的“光學(xué)裝置“的一例。投影裝置980，如圖29所示，包括第十實(shí)施方式中使用的RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910和光學(xué)系統(tǒng)970，以及控制RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910和光學(xué)系統(tǒng)970的控制部
991。由此，來自RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的激光被光學(xué)系統(tǒng)970調(diào)制后，投射到屏幕995 等。另外，在光學(xué)系統(tǒng)970中，從RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910射出的激光分別被透鏡972轉(zhuǎn)換為平行光之后，入射到光導(dǎo)管974。光導(dǎo)管974的內(nèi)表面是鏡面，激光在光導(dǎo)管974的內(nèi)表面反復(fù)反射并在光導(dǎo)管974內(nèi)行進(jìn)。此時(shí)，利用在光導(dǎo)管974內(nèi)的多重反射作用，使從光導(dǎo)管974射出的各種顏色的激光的強(qiáng)度分布均勻化。另外，從光導(dǎo)管974射出的激光經(jīng)過中繼光學(xué)系統(tǒng)975入射到數(shù)字微鏡器件(DMD :Digital micromirror device) 976。DMD976是由配置為矩陣狀的微小的鏡子組構(gòu)成。另外，DMD976具有通過切換各像素位置的光的反射方向?yàn)槌蛲渡渫哥R980的第一方向A和離開投射透鏡980的第二方向B來表現(xiàn)(調(diào)制)各像素的灰度的功能。入射到各像素位置的激光中向第一方向A反射的光(0N光)入射到投射透鏡980并被投射到被投影面(屏幕995)。另外，被DMD976反射向第二方向B的光(OFF光)不入射到投射透鏡980而是被光吸收體977吸收。另外，在投影裝置980中，通過由控制部991進(jìn)行控制使得脈沖電源供給到RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910，RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的紅色半導(dǎo)體激光元件670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665按時(shí)間序列被分割，一個(gè)一個(gè)元件地被周期性驅(qū)動(dòng)。另外，利用控制部991，光學(xué)系統(tǒng)970的DMD976 —邊分別與紅色半導(dǎo)體激光元件670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)同步，一邊配合(對照)各像素(R、G和B)的灰度調(diào)制光。具體而言，如圖30所示，與紅色半導(dǎo)體激光元件670 (圖27參照)的驅(qū)動(dòng)相關(guān)的R信號(hào)、與綠色半導(dǎo)體激光元件660 (圖27參照)的驅(qū)動(dòng)相關(guān)的G信號(hào)和與藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665 (圖27參照)的驅(qū)動(dòng)相關(guān)的B信號(hào)，在以相互不重疊的方式按時(shí)間序列被分割的狀態(tài)下，由控制部991 (圖29參照)供給到RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的各激光元件。另外，與該B信號(hào)、G信號(hào)和R信號(hào)同步，B圖像信號(hào)、G圖像信號(hào)、R圖像信號(hào)分別從控制部991被輸出到DMD976。 由此，基于圖30所示的時(shí)間圖中的B信號(hào)，使藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665的藍(lán)色光發(fā)光，并且在該定時(shí)(timing，時(shí)間)，基于B圖像信號(hào)，利用DMD976調(diào)制藍(lán)色光。另外，基于B信號(hào)之后輸出的G信號(hào)，使綠色半導(dǎo)體激光元件660的綠色光發(fā)光，并且在該定時(shí)，基于G圖像信號(hào)，利用DMD976調(diào)制綠色光。進(jìn)而，基于G信號(hào)之后輸出的R信號(hào)，使紅色半導(dǎo)體激光元件670的紅色光發(fā)光，并且在該定時(shí)，基于R圖像信號(hào)，利用DMD976調(diào)制紅色光。之后，基于R信號(hào)之后輸出的B信號(hào)，使藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665的藍(lán)色光發(fā)光，并且在該定時(shí)，再次基于B圖像信號(hào)，利用DMD976調(diào)制藍(lán)色光。通過反復(fù)進(jìn)行上述的動(dòng)作，由基于B圖像信號(hào)、G圖像信號(hào)和R圖像信號(hào)的激光照射形成的圖像被投射到被投影面(屏幕995)。如此，構(gòu)成搭載有RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的投影裝置980。在第十實(shí)施方式和第十一實(shí)施方式的投影裝置950和980中，由于在投影裝置的內(nèi)部安裝有RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910 (參照圖27)，所以利用RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910具有的良好的散熱性，能夠得到抑制了紅色半導(dǎo)體激光元件670、綠色半導(dǎo)體激光元件660和藍(lán)色半導(dǎo)體激光元件665劣化、并且能承受長時(shí)間的使用的可靠性高的投影裝置950和980。并且，能夠得到抑制了 RGB3波長半導(dǎo)體激光器件910的尺寸增大的投影裝置950 和 980。另外，本次公開的實(shí)施方式全部的點(diǎn)都是例示，不應(yīng)被理解為限制性的描述。本發(fā)明的范圍不是上述的實(shí)施方式的說明的范圍，而是由權(quán)利要求公開的，而且還包括與權(quán)利要求的范圍等同的意思和在范圍內(nèi)的所有變更。例如，在第一 第i^一實(shí)施方式中，對于對基部和蓋部的各個(gè)使用混入有氣體吸收劑的樹脂材料的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。即，本發(fā)明中，也可以只在基部使用混入有氣體吸收劑的樹脂材料、并且在蓋部使用未混入氣體吸收劑的樹脂材料構(gòu)成半導(dǎo)體激光器件?；蛘撸部梢灾辉谏w部使用混入有氣體吸收劑的樹脂材料、并且在基部使用未混入氣體吸收劑的樹脂材料來構(gòu)成半導(dǎo)體激光器件的封裝。另外，在第一 第十一實(shí)施方式中，對使用合成沸石作為氣體吸收劑的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，例如，也可以將粉碎成具有數(shù)十ym以上數(shù)百μπι以下的粒徑的粒子狀的硅膠或活性炭作為氣體吸收劑，使用合成沸石、硅膠和活性炭中的任意哪個(gè)也可以。另外，在上述第一 第十一實(shí)施方式中，對由具有伸縮性的硅樹脂或者熱塑性氟樹脂形成蓋部、并且將蓋部嵌合在基部來構(gòu)成半導(dǎo)體激光器件的封裝的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，也可以使用具有伸縮性的硅樹脂或者熱塑性氟樹脂等形成引線框架的基部、并且將基部嵌合在蓋部來構(gòu)成半導(dǎo)體激光器件的封裝。另外，在第一 第十一實(shí)施方式中，對基部和蓋部都由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明中，也可以使用金屬材料形成基部和蓋部的一個(gè)、由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成另一個(gè)。另外，在第一 第i^一實(shí)施方式中，對在樹脂(環(huán)氧樹脂)中混入粉碎成粒子狀的氣體吸收劑(合成沸石)來形成基部的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，如圖31所示的第一實(shí)施方式的第四變形例，也可以不粉碎多個(gè)顆粒狀(pellet)(圓柱狀)的氣體吸收劑116而埋入到基部115地形成。該情況下，顆粒狀的氣體吸收劑116的幾乎所有的部分被埋入到樹脂15 (例如環(huán)氧樹脂等)中，并且埋入的多個(gè)顆粒的一側(cè)端部116a從基 部115的端面(前表面115c)露出。如果采用該第四變形例這樣的構(gòu)成，則在樹脂15內(nèi)部產(chǎn)生的有機(jī)氣體被埋入到基部115的氣體吸收劑116吸收，并且泄漏到封裝內(nèi)的有機(jī)氣體也被露出到基部115的端面(前表面115c和115h)的一側(cè)端部116a吸收。另外，與圖2所示的基部10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相比較，由于基部115的外圓周面115f的附近具有不存在氣體吸收劑116而只由樹脂15構(gòu)成的區(qū)域，所以該部分能夠抑制來自外部(大氣中)的低分子硅氧烷或揮發(fā)性的有機(jī)氣體浸入到樹脂15中。另外，通過在外圓周面115f形成氣體屏障層，能夠進(jìn)一步提高對來自外部的氣體浸入的抑制效果。另外，在第一 第i^一實(shí)施方式中，對在樹脂(環(huán)氧樹脂)中均勻地混入粉碎成粒子狀的氣體吸收劑(合成沸石)來形成基部的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，如圖32所示的第一實(shí)施方式的第五變形例，也可以將基部120鑄型成型為在基部120的外圓周面120f的附近具有沒有在環(huán)氧樹脂中混入粉碎成粒子狀的氣體吸收劑的區(qū)域P。如該第五變形例那樣構(gòu)成，與圖2所示的基部10的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相比較，由于基部120的外圓周面120f的附近具有不存在氣體吸收劑而只由樹脂15形成的區(qū)域P，所以能抑制來自外部(大氣中)的低分子硅氧烷和/或揮發(fā)性的有機(jī)氣體浸入到樹脂15中。另外，通過在外圓周面120f與上述第一實(shí)施方式同樣地形成氣體屏障層，能夠進(jìn)一步提高對來自外部的氣體浸入的抑制效果。另外，在第一 第十一實(shí)施方式中，說明了對基部和蓋部的各個(gè)設(shè)置了屏障層的例子，但本發(fā)明不限于此。即，本發(fā)明中，也可以只對基部或蓋部中的一個(gè)設(shè)置屏障層。另外，在第一 第十一實(shí)施方式中，對在基部的外表面設(shè)置有氣體屏障層17的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。即，本發(fā)明中，也可以在與封裝內(nèi)的空間接觸的一側(cè)的基部表面(頭部的前表面和基座的前表面以及上表面)設(shè)置氣體屏障層。另外，對于蓋部也同樣，也可以在與封裝內(nèi)的空間接觸的一側(cè)的蓋部表面(蓋部的內(nèi)表面)設(shè)置氣體屏障層。另外，在第一 第十一實(shí)施方式中，由SiO2構(gòu)成的氣體屏障層的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。例如，也可以使用八1203、2102等電介質(zhì)膜形成氣體屏障層。另外，在使用由Al203、Zr02等構(gòu)成的多層金屬氧化膜構(gòu)成形成于蓋部的氣體屏障層33的情況下，兼用作該氣體屏障層33的金屬氧化膜具有反射防止層的功能。另外，在由作為反射防止層的金屬氧化膜構(gòu)成氣體屏障層33的情況下，優(yōu)選在圖2所示的蓋部30的光透射部35的內(nèi)表面和外表面這兩個(gè)表面上形成。另外，在第一 第十一實(shí)施方式中，對使用在樹脂中混入了氣體吸收劑的基部和蓋部構(gòu)成封裝的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明中，除了使用在樹脂中混入了氣體吸收劑的基部和蓋部，也可以在封裝內(nèi)的空的空間設(shè)置氣體吸收劑。另外，在第一實(shí)施方式中，對將散熱部Ild中的第一散熱部Ilf從比基部10的后表面IOd稍微靠后方的位置向外側(cè)延伸的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，如圖33所示的第六變形例的半導(dǎo)體激光器件100f，也可以第一散熱部Ilf的一部分(前端偵D從基部10的外圓周面IOf向外側(cè)(B2側(cè)或者BI側(cè))突出延伸。該情況下，第一散熱部Ilf的寬度為W9 (W9>W3 (參照圖4))。進(jìn)而，本發(fā)明中，也可以第一散熱部Ilf不露出到后表面IOd的后方，而整個(gè)部分從基部10內(nèi)在橫向(B方向)貫穿外圓周面IOf向外側(cè)延 伸。該情況下，通過在基部10的外圓周面IOf的前方側(cè)留下不形成散熱部的區(qū)域，能夠如上述第一實(shí)施方式使嵌合蓋部30。由此,能夠密封藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光兀件20。另外，在第二實(shí)施方式中，對將第一散熱部211f向上方折彎(圖11的C2方向)的例子進(jìn)行了說明，但在本發(fā)明中，也可以將第一散熱部211f向下方(Cl方向)折彎來構(gòu)成散熱部lid。另外，在第三實(shí)施方式中，對將連接部311c的端部向上方(圖13的C2方向)折彎的例子進(jìn)行了說明，但在本發(fā)明中，也可以將連接部311c的端部區(qū)域向下方(Cl方向)折彎來構(gòu)成連接部。另外，在第二實(shí)施方式中，折彎連接部將散熱部向上方延伸，但在本發(fā)明中，也可以折彎散熱部將散熱部向折彎的方向延伸。另外，在第七實(shí)施方式的變形例中，對在具有引線端子711的引線框架(平面部401)的表面上將引線端子712 715橫著排列配置在同一面上的例子進(jìn)行了說明，但在本發(fā)明中，例如，也可以將引線端子714和715進(jìn)一步層疊在引線端子712和713之上。由此，因?yàn)槎鄠€(gè)引線端子不是在半導(dǎo)體激光器件的寬度方向延展配置，所以能夠減小3波長半導(dǎo)體激光器件的寬度。另外，在上述各實(shí)施方式中，對在基部10形成有向前方突出的基座部IOb的例子進(jìn)行了說明，但在本發(fā)明中，也可以基部10具有基座部IOb不突出的大致圓板狀的形狀。另外，在第一 第十一實(shí)施方式中，對嵌合基部和蓋部來密封封裝50的例子進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限于此。作為參考例，也可以在基部不覆蓋蓋部地構(gòu)成半導(dǎo)體激光器件。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，包括 半導(dǎo)體發(fā)光元件；和 密封所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝， 所述封裝包括安裝所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的基部和被安裝在所述基部的、覆蓋所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的蓋部， 所述基部和所述蓋部中的至少任意一者由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述蓋部由所述混合物形成，具有向外部透射從所述半導(dǎo)體發(fā)光元件射出的光的光透射部， 所述樹脂具有透光性， 所述氣體吸收劑混入到構(gòu)成所述光透射部以外的所述蓋部的所述混合物中。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述氣體吸收劑是合成沸石、硅膠和活性炭中的至少任意一個(gè)。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 在由所述混合物形成的所述基部和所述蓋部中的至少任意一個(gè)的表面，形成有氣體屏障層。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 還包括安裝在所述基部的、在同一平面上配置的多個(gè)引線端子；和與載置所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的元件設(shè)置部一體地形成的散熱部， 所述散熱部配置在多個(gè)弓I線端子的外側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述散熱部配置在所述同一平面上。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述散熱部和所述元件設(shè)置部由從所述基部的前表面?zhèn)认蚝蟊砻鎮(zhèn)妊由斓倪B接部連接， 所述散熱部和所述連接部的連接區(qū)域配置在所述基部的后表面?zhèn)取?br> 8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述連接區(qū)域的至少一部分從所述基部的后表面露出。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述散熱部配置在所述蓋部的外側(cè)。
10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述散熱部在所述基部的兩側(cè)中的至少一側(cè)被配置在所述多個(gè)引線端子的外側(cè)。
11.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述引線端子包括安裝在所述基部的后表面的第一引線端子， 所述元件設(shè)置部與所述第一引線端子一體地形成。
12.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述弓I線端子包括安裝在所述基部的后表面的第二引線端子， 所述元件設(shè)置部和所述第二弓I線端子配置在不同的平面上。
13.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于所述連接部和所述散熱部的至少一部分是彎曲的。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述連接部和所述散熱部的至少一部分被彎曲到與所述基部的后表面平行的方向。
15.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述散熱部的寬度比所述引線端子的寬度大。
16.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述樹脂具有伸縮性， 所述半導(dǎo)體發(fā)光元件通過所述基部與所述蓋部嵌合而被密封。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述基部和所述蓋部都由所述樹脂和所述氣體吸收劑的混合物形成， 被混入到構(gòu)成所述蓋部的樹脂的所述氣體吸收劑相對于所述樹脂的比例，比被混入到構(gòu)成所述基部的樹脂的所述氣體吸收劑相對于所述樹脂的比例小。
18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于 所述基部具有從所述基部的后表面?zhèn)认蚯氨砻鎮(zhèn)热デ岸俗兗?xì)的外圓周面， 所述蓋部嵌合在所述基部的前端變細(xì)的所述外圓周面。
19.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，包括 形成基部和蓋部的工序； 將半導(dǎo)體發(fā)光元件安裝在所述基部的工序；和 通過嵌合所述基部和所述蓋部來密封所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的工序， 形成所述基部和所述蓋部的工序包括通過使樹脂和氣體吸收劑的混合物成型來形成所述基部和所述蓋部中的至少任意一個(gè)的工序。
20.一種光學(xué)裝置，其特征在于，包括 包括半導(dǎo)體發(fā)光元件和密封所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝的半導(dǎo)體發(fā)光器件；和 控制所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的出射光的光學(xué)系統(tǒng)， 所述封裝具有安裝所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的基部和安裝在所述基部的、覆蓋所述半導(dǎo)體發(fā)光元件的蓋部， 所述基部和所述蓋部中的至少任意一者由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成。
全文摘要
能夠得到一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其能夠抑制半導(dǎo)體發(fā)光元件劣化，并且能夠抑制封裝的尺寸增大。該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體發(fā)光元件和密封半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝，封裝包括安裝半導(dǎo)體發(fā)光元件的基部；和安裝在基部、覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件的蓋部，基部和蓋部中的至少任意一個(gè)由樹脂和氣體吸收劑的混合物形成。
文檔編號(hào)H01S5/022GK102782967SQ20118000851
公開日2012年11月14日 申請日期2011年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者林伸彥, 畑雅幸 申請人:三洋電機(jī)株式會(huì)社