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散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):7229817閱讀:150來源:國(guó)知局
專利名稱:散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),尤指一種可提升散熱裝置內(nèi)部工作流體汽液循環(huán)效率的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
現(xiàn)行電子設(shè)備內(nèi)部為講求高散熱效率已大量選擇熱管、均溫板、環(huán)路熱管、熱交換器等熱傳元件進(jìn)行熱傳導(dǎo)工作。并,該等熱傳元件其熱傳導(dǎo)率是銅、鋁等金屬的數(shù)倍至數(shù)十倍左右而相當(dāng)?shù)膬?yōu)異,因此是作為冷卻用元件而被運(yùn)用于各種熱對(duì)策相關(guān)機(jī)器。從形狀來看,熱管可分成圓管形狀的熱管、扁平形狀及D型形狀的熱管。為了冷卻CPU或其它因執(zhí)行運(yùn)算或工作而產(chǎn)生熱之電子零件等的電子機(jī)器的被冷卻零件,基于容易安裝于被冷卻零件且能獲得寬廣接觸面積的觀點(diǎn),也采用均溫板或扁平型熱管或薄型熱交換器來進(jìn)行散熱。隨著冷卻機(jī)構(gòu)的小型化、省空間化,在使用熱管的冷卻機(jī)構(gòu)的情況,更有嚴(yán)格要求該熱管的極薄型化之必要。所述該等熱傳元件內(nèi)部工作流體欲進(jìn)行汽液循環(huán)時(shí),其內(nèi)部需設(shè)置具有毛細(xì)力之毛細(xì)結(jié)構(gòu)(溝槽、金屬網(wǎng)格體結(jié)構(gòu)、燒結(jié)結(jié)構(gòu)等),使得令工作流體得以順利于該熱傳元件進(jìn)行汽液循環(huán)之工作。若該等熱傳元件需使用于較為窄小之處,則勢(shì)必需制成薄型化,而該內(nèi)部之毛細(xì)結(jié)構(gòu)則將會(huì)是除了熱傳元件本身厚度問題外,令該熱傳組件無法制成薄型化最主要之問題。再者,制成薄型化后之毛細(xì)結(jié)構(gòu)則會(huì)因薄型化后其毛細(xì)力亦下降,影響該熱傳元件之內(nèi)部工作流體汽液循環(huán)效率進(jìn)而令熱傳導(dǎo)效率大幅降低,故習(xí)知技術(shù)具有下列缺點(diǎn)I、熱傳效率不佳2、熱傳元件薄型化有限。

實(shí)用新型內(nèi)容因此,為解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種可提升導(dǎo)熱及散熱效率的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型還提供一種提升薄型化之散熱裝置其內(nèi)部工作流體汽液循環(huán)的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)。為達(dá)上述之目的,本實(shí)用新型提供一散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其包含一散熱單元本體,具有一腔室,所述腔室設(shè)有至少一納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層及一工作流體,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層延伸設(shè)于該腔室內(nèi)壁。所述散熱單元本體為一熱管,該腔室更具有至少一第一區(qū)段及一第二區(qū)段及一第三區(qū)段,所述第一、二、三區(qū)段相互連接,所述納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層是單一或同時(shí)設(shè)置于該第一、二、三區(qū)段其中任一區(qū)段;所述腔室內(nèi)壁為平滑壁面;所述腔室更具有一鍍膜,該鍍膜選擇設(shè)置于所述第一區(qū)段、第二區(qū)段及第三區(qū)段其中任一;[0013]所述散熱單元本體為均溫板及熱管及環(huán)路熱管及熱交換器其中任一;所述腔室內(nèi)壁與該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層間更具有一毛細(xì)結(jié)構(gòu);所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)為燒結(jié)粉末及網(wǎng)格體及纖維體及多孔性結(jié)構(gòu)體及溝槽其中任一。所述腔室更具有一鍍膜,該鍍膜上設(shè)有納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層。所述散熱單元本體為一熱管,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層軸向延伸設(shè)于該熱管之腔室
內(nèi)壁。 所述第二區(qū)段上之納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層分布較密。所述第一區(qū)段或第三區(qū)段之納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層分布較密。所述該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層是由復(fù)數(shù)納米級(jí)線狀體所構(gòu)成,該納米級(jí)線狀體的一端是固結(jié)端被設(shè)置于該腔室內(nèi)壁上,其另一端朝腔室內(nèi)部延伸形成自由端,該自由端為銳狀及鈍狀其中任一。所述該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層是由復(fù)數(shù)納米級(jí)線狀體所構(gòu)成,該納米級(jí)線狀體之一端是固結(jié)端被設(shè)置于該腔室內(nèi)壁上,其另一端朝腔室內(nèi)部延伸形成自由端,該自由端由銳狀及鈍狀二者之交錯(cuò)配置。所述散熱單元本體可為熱管及環(huán)路熱管及平板式熱管及均溫板及熱交換器其中任一。所述納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層可大幅提升該散熱單元本體內(nèi)部工作流體之汽液循環(huán)之效率,并因其結(jié)構(gòu)縝密,令該散熱裝置薄型化時(shí)仍可維持其毛細(xì)力,令散熱單元本體內(nèi)部工作流體得以順利進(jìn)行汽液循環(huán)。

圖I是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例之立體圖;圖2是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例之A-A剖視圖;圖2A是圖2的2A部放大圖;圖3是為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例之剖視圖;圖4是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例之剖視圖;圖5是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例之剖視圖;圖6是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第五實(shí)施例之剖視圖;圖7是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第六實(shí)施例之剖視圖;圖8是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第七實(shí)施例之剖視圖;圖9是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第八實(shí)施例之剖視圖;圖10是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第九實(shí)施例之剖視圖;圖11是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第十實(shí)施例之剖視圖;圖12是本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第十一實(shí)施例之剖視圖。主要元件符號(hào)說明散熱單元本體I腔室11納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111工作流體112[0040]第一區(qū)段113第二區(qū)段114第三區(qū)段115鍍膜2毛細(xì)結(jié)構(gòu)具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型之上述目的及其結(jié)構(gòu)與功能上的特性,將依據(jù)所附圖式之較佳實(shí)施例 予以說明。請(qǐng)參閱圖1、2以及2A,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例之立體及A-A剖視圖,如圖所示,所述散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),包含一散熱單元本體I具有一腔室11,所述腔室11設(shè)有至少一納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111及一工作流體112,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111是完整或局部的延伸設(shè)置于該腔室11內(nèi)壁,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111由復(fù)數(shù)納米級(jí)線狀體所構(gòu)成,該納米級(jí)線狀體之一端為固結(jié)端被設(shè)置于該腔室11內(nèi)壁上,其另一端朝腔室11內(nèi)部延伸形成自由端,該自由端為銳狀及鈍狀其中任一,或銳狀及鈍狀二者之交錯(cuò)配置。所述散熱單元本體I為均溫板及平板式熱管及環(huán)路熱管及熱交換器其中任一,本實(shí)用新型以平板式熱管作為說明但并不引以為限,并所述腔室11內(nèi)壁為平滑壁面。請(qǐng)參閱圖3,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例散熱單元本體I是以熱管作為說明但并不引以為限,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111軸向延伸設(shè)于該熱管之腔室11內(nèi)壁。請(qǐng)參閱圖4,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例散熱單元本體I以熱管作為說明但并不引以為限,所述腔室11更具有至少一第一區(qū)段113及一第二區(qū)段114及一第三區(qū)段115,所述第一、二、三區(qū)段113、114、115相互連接,所述納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111選擇設(shè)置于所述第一區(qū)段113、第二區(qū)段114及第三區(qū)段115其中任一,本實(shí)施例將納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111僅設(shè)置于該第二區(qū)段114,但并不引以為限。請(qǐng)參閱圖5,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第三實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第三實(shí)施例之不同處為所述腔室11更具有一鍍膜2 (具有超親水性及超疏水性之特性),該鍍膜2選擇設(shè)置于所述第一區(qū)段113及第二區(qū)段114及第三區(qū)段115其中任一,本實(shí)施例該鍍膜2是設(shè)置于該第三區(qū)段115。請(qǐng)參閱圖6,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第五實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第四實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第四實(shí)施例之不同處為所述腔室11更具有一鍍膜2,該鍍膜2可被同時(shí)設(shè)置于所述第一區(qū)段113及第三區(qū)段115或其中任一上。請(qǐng)參閱圖7,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第六實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例之不同處為所述腔室11內(nèi)壁與該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111間更具有一毛細(xì)結(jié)構(gòu)3,所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)3為燒結(jié)粉末及網(wǎng)格體及纖維體及多孔性結(jié)構(gòu)體及溝槽其中任一,本實(shí)施例以溝槽作為說明但并不引以為限,所述溝槽凹設(shè)于該腔室11內(nèi)壁,并該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111同時(shí)披附于該溝槽及腔室11內(nèi)壁。請(qǐng)參閱圖8,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第七實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例之不同處為所述腔室11內(nèi)壁與該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111間更具有一鍍膜2。請(qǐng)參閱圖9,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第八實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例之不同處為所述腔室11更具有至少一第一區(qū)段113及一第二區(qū)段114及一第三區(qū)段115,所述第一、二、三區(qū)段113、114、115相互連接,所述第二區(qū)段上之納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111分布較密。請(qǐng)參閱圖10,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第九實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第·一實(shí)施例之不同處為所述腔室11更具有至少一第一區(qū)段113及一第二區(qū)段114及一第三區(qū)段115,所述第一、二、三區(qū)段113、114、115相互連接,所述第一、三區(qū)段113、115或第一、三區(qū)段113、115其中任一區(qū)段上之納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111分布較密。請(qǐng)參閱圖11,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第十實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例之不同處為所述散熱單元本體I為一均溫板,該均溫板之腔室11內(nèi)壁面設(shè)有前述納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111。請(qǐng)參閱圖12,其為本實(shí)用新型之散熱單元之散熱結(jié)構(gòu)第^^一實(shí)施例之剖視圖,如圖所示,本實(shí)施例與前述第十實(shí)施例部分結(jié)構(gòu)相同,故在此將不再贅述,惟本實(shí)施例與前述第十實(shí)施例之不同處為所述均溫板之腔室11內(nèi)壁面與前述納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111間更
具有一鍍膜2。于該熱管及均溫板及平板式熱管及環(huán)路熱管中將其內(nèi)部設(shè)置納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層111可改變?cè)摴ぷ髁黧w112于其內(nèi)部之表面張力,加快回流速度而具有極佳之汽液循環(huán)效率,藉以大幅提升熱傳效能者。
權(quán)利要求1.一種散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,包括 一散熱單元本體,具有一腔室,所述腔室設(shè)有至少一納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層及一工作流體,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層延伸設(shè)于該腔室內(nèi)壁。
2.如權(quán)利要求I所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散熱單元本體為一熱管,該腔室更具有至少一第一區(qū)段及一第二區(qū)段及一第三區(qū)段,所述第一、二、三區(qū)段相互連接,所述納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層是單一或同時(shí)設(shè)置于該第一、二、三區(qū)段其中任一區(qū)段。
3.如權(quán)利要求I所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述腔室內(nèi)壁為平滑壁面。
4.如權(quán)利要求2所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述腔室更具有一鍍膜,該鍍膜選擇設(shè)置于所述第一區(qū)段、第二區(qū)段及第三區(qū)段其中任一。
5.如權(quán)利要求I所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散熱單元本體為均溫 板及熱管及環(huán)路熱管及熱交換器其中任一。
6.如權(quán)利要求I所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述腔室內(nèi)壁與該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層間更具有一毛細(xì)結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述毛細(xì)結(jié)構(gòu)為燒結(jié)粉末及網(wǎng)格體及纖維體及多孔性結(jié)構(gòu)體及溝槽其中任一。
8.如權(quán)利要求2所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述腔室更具有一鍍膜,該鍍膜上設(shè)有納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層。
9.如權(quán)利要求I所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散熱單元本體為一熱管,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層軸向延伸設(shè)于該熱管之腔室內(nèi)壁。
10.如權(quán)利要求2所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述 第二區(qū)段上之納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層分布較密。
11.如權(quán)利要求2所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述 第一區(qū)段或第三區(qū)段之納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層分布較密。
12.如權(quán)利要求I至11任一所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層是由復(fù)數(shù)納米級(jí)線狀體所構(gòu)成,該納米級(jí)線狀體的一端是固結(jié)端被設(shè)置于該腔室內(nèi)壁上,其另一端朝腔室內(nèi)部延伸形成自由端,該自由端為銳狀及鈍狀其中任一。
13.如權(quán)利要求I至11任一所述的散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),其特征在于,所述該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層是由復(fù)數(shù)納米級(jí)線狀體所構(gòu)成,該納米級(jí)線狀體之一端是固結(jié)端被設(shè)置于該腔室內(nèi)壁上,其另一端朝腔室內(nèi)部延伸形成自由端,該自由端由銳狀及鈍狀二者之交錯(cuò)配置。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種散熱單元之散熱結(jié)構(gòu),包含一散熱單元本體,其具有一腔室,所述腔室設(shè)有至少一納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層及一工作流體,該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層設(shè)于該腔室內(nèi)壁,透過于該腔室內(nèi)設(shè)置該納米級(jí)線狀體結(jié)構(gòu)層可大幅提升毛細(xì)現(xiàn)象,進(jìn)而增強(qiáng)散熱裝置內(nèi)部之工作流體之汽液循環(huán)效率,藉以提升熱傳效能者。
文檔編號(hào)H01L23/427GK202747869SQ20112057101
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者楊修維, 林志曄 申請(qǐng)人:奇鋐科技股份有限公司
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