專利名稱：一種led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及LED領(lǐng)域,尤其涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)是一種能將電能轉(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)半導體器件，其憑借體積小、能耗少、高亮度、低熱量等優(yōu)點，廣泛應用于顯示器件上。由于工藝所限，傳統(tǒng)的LED封裝結(jié)構(gòu)僅僅只能在基板上用金線焊接單顆LED晶片。由于LED封裝結(jié)構(gòu)本身散熱、固定等要求，其體積一般比較固定，這樣LED封裝結(jié)構(gòu)僅焊接單顆LED晶片就造成了承載空間的浪費，無法滿足器件高度集成的發(fā)展要求。

實用新型內(nèi)容本實用新型實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，以提高LED 封裝結(jié)構(gòu)的集成程度。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型實施例提出了一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、 該基板一側(cè)的多顆倒裝大功率LED晶片、形成于該多顆大功率LED晶片外的熒光膠層，以及在該熒光膠層外壓注形成的透明膠層。進一步地，所述大功率LED晶片底面設(shè)置有正電極及負電極，所述正電極與負電極之間設(shè)置有絕緣層。進一步地，所述大功率LED晶片底面設(shè)置有小面積點狀排布的電極。進一步地，所述基板電極為或方形或圓形電極。進一步地，所述基板一側(cè)形成有2-10顆大功率LED晶片。進一步地，所述熒光膠層與透明膠層均采用硅膠膠體。進一步地，所述基板為金屬基板或陶瓷基板。本實用新型實施例通過提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、該基板一側(cè)的多顆倒裝大功率LED晶片、形成于該多顆大功率LED晶片外的熒光膠層，以及在該熒光膠層外壓注形成的透明膠層，從而LED封裝結(jié)構(gòu)上可集成多顆倒裝大功率LED晶片，以充分利用LED封裝結(jié)構(gòu)的承載空間，進一步提高了 LED封裝結(jié)構(gòu)的功率及光通量，滿足了照明市場高功率 LED的發(fā)展需求；而采用倒裝大功率LED晶片，不需要金線焊接，節(jié)省了金線的開支，縮短了生產(chǎn)周期，提高了生產(chǎn)效率，降低了產(chǎn)品熱阻，增加了可靠性。

圖I是本實用新型實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)圖。圖2是本實用新型實施例的大功率LED晶片2的底面結(jié)構(gòu)圖。圖3是本實用新型另一實施例的大功率LED晶片2的底面結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
[0015]
以下結(jié)合附圖，對本實用新型實施例進行詳細說明。圖I是本實用新型實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)圖，其主要包括基板I、通過共晶焊工藝或固晶方式形成于該基板I 一側(cè)的2-10顆(這個數(shù)量可根據(jù)實際情況確定)倒裝(Flip Chip)大功率LED晶片2、形成于該多顆大功率LED晶片2外的熒光膠層3，以及在該熒光膠層3外壓注形成的透明膠層4。具體地大功率LED晶片2可包括如圖2所示的結(jié)構(gòu)，底面設(shè)置有用于共晶焊的電極5(包括正極及負極)，電極5上一般可采用小面積點狀或正方形、長方形、圓形及其他形狀排布的電極，而電極5之間設(shè)置有絕緣層8。單顆大功率LED晶片2功率可取1-3W，從而整個LED 封裝結(jié)構(gòu)功率可取5W以上。作為一種實施方式，大功率LED晶片可包括如圖3所不的結(jié)構(gòu),底面設(shè)置有正電極 6及負電極7,正電極6與負電極7之間設(shè)置有絕緣層8。另外，熒光膠層3與透明膠層4可均采用硅膠膠體，而基板I可以為金屬基板或陶瓷基板。需要說明的有如下幾點I、在將多顆倒裝大功率LED晶片通過共晶焊工藝形成于基板一側(cè)時，需要準確固晶到相應位置，并保證良品率；2、熒光膠層的涂覆要保證多顆大功率LED晶片發(fā)光光色的一致性；3、多顆大功率LED晶片集成共晶在同一基板上，可實現(xiàn)串、并聯(lián)工作，從而實現(xiàn)多顆大功率LED晶片的集成封裝；4、隨著LED晶片工藝的改進，LED封裝結(jié)構(gòu)上可承載的LED晶片數(shù)量還可以不斷增多；5、多顆大功率LED晶片的集成使得基板電路設(shè)計十分靈活。以上所述是本實用新型的具體實施方式
，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板、該基板一側(cè)的多顆倒裝大功率LED晶片、形成于該多顆大功率LED晶片外的熒光膠層，以及在該熒光膠層外壓注形成的透明膠層。
2.如權(quán)利要求I所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大功率LED晶片底面設(shè)置有正電極及負電極，所述正電極與負電極之間設(shè)置有絕緣層。
3.如權(quán)利要求I所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大功率LED晶片底面設(shè)置有小面積點狀排布的電極。
4.如權(quán)利要求3所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極為或方形或圓形電極。
5.如權(quán)利要求I至4中任一項所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板一側(cè)形成有2-10顆大功率LED晶片。
6.如權(quán)利要求I至4中任一項所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熒光膠層與透明膠層均采用硅膠膠體。
7.如權(quán)利要求I至4中任一項所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為金屬基板或陶瓷基板。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、通過共晶焊工藝或固晶方式形成于該基板一側(cè)的多顆倒裝大功率LED晶片、形成于該多顆大功率LED晶片外的熒光膠層，以及在該熒光膠層外壓注形成的透明膠層，從而LED封裝結(jié)構(gòu)上可集成多顆大功率LED晶片，以充分利用LED封裝結(jié)構(gòu)的承載空間，進一步提高了LED的功率及光通量，滿足了照明市場高功率LED的發(fā)展需求。
文檔編號H01L33/56GK202352672SQ20112045807
公開日2012年7月25日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者萬喜紅, 易胤煒, 羅龍, 雷玉厚 申請人:深圳市天電光電科技有限公司