專利名稱：一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種樣品臺(tái)，尤其是一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)。
技術(shù)背景在ICP用于圖形制作工藝時(shí)，因GaN與藍(lán)寶石兩種材料都難刻蝕，必須用高密度的等離子沖擊材料表面，材料的溫度不易散發(fā)，傳統(tǒng)的機(jī)器都采用SIC材料制作載片樣品盤，因SIC材料導(dǎo)熱性好，化學(xué)性能溫度。但SIC材料不易獲得，價(jià)格昂貴。本專利利用價(jià)格低廉易獲取的石英材料，通過對(duì)載片盤的精心設(shè)計(jì)，克服了石英材料固有的脆性缺點(diǎn)，使其達(dá)到散熱性能好，機(jī)械強(qiáng)度高的特殊要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)，該樣品臺(tái)包括石英盤，石英盤的周邊有一個(gè)加強(qiáng)環(huán)，加強(qiáng)環(huán)寬度為5-8mm，厚度為3-6_。石英盤的中心為樣品承載區(qū)，樣品承載區(qū)厚度范圍為O. 5-4毫米。樣品承載區(qū)設(shè)有一個(gè)取片圓與之對(duì)應(yīng)。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于樣品臺(tái)制作材料使用石英材料替代傳統(tǒng)的碳化硅或石墨材料，在優(yōu)化樣品臺(tái)性能的同時(shí)，有效的降低了樣品臺(tái)的材料成本。，此環(huán)有效的增強(qiáng)了石英樣品臺(tái)的機(jī)械強(qiáng)度，方便樣品臺(tái)的安裝和卸載，延長(zhǎng)樣品臺(tái)的使用壽命。同時(shí)此環(huán)的橫斷面設(shè)計(jì)成各種形狀，改善真空腔體內(nèi)的氣流場(chǎng)，提升刻蝕工藝的均勻性。

圖I為本實(shí)用新型用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型邊沿剖視圖；圖3為本樣品臺(tái)的放片位與取片位剖視圖。I一加強(qiáng)環(huán) 2—樣品承載區(qū)3—取片圓。
具體實(shí)施方式
一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)，本樣品臺(tái)最多可以承載27片直徑為2英寸的外延片，外延片樣品承載區(qū)分為三圈，由內(nèi)而外，每圈可以承載的外延片數(shù)目依次為3片，9片，15片，三個(gè)圈的直徑由內(nèi)而外，依次為60. 35厘米，320厘米，330厘米。每個(gè)外延片樣品承載區(qū)有一個(gè)取片圓與之對(duì)應(yīng)，此圓的作用為方便鑷子或其他取片工具切入外延片與樣品承載區(qū)之間的縫隙進(jìn)行取片，其直徑為14_。[0011]圖2為本樣品臺(tái)周邊部分的側(cè)面剖視圖的放大圖。樣品臺(tái)周邊高出部分為樣品臺(tái)的加強(qiáng)環(huán)，低洼部分為樣品承載圓，此環(huán)有效的增強(qiáng)了石英樣品臺(tái)的機(jī)械強(qiáng)度，方便樣品臺(tái)的安裝和卸載，延長(zhǎng)樣品臺(tái)的使用壽命。同時(shí)此環(huán)的橫斷面設(shè)計(jì)成各種形狀，改善真空腔體內(nèi)的氣流場(chǎng)，提升刻蝕工藝的均勻性。加強(qiáng)環(huán)的橫斷面設(shè)計(jì)為梯形，高度為3. 5mm，頂部寬度3mm,底部寬度5mm。 圖3為本樣品臺(tái)的片位剖視圖。其中樣品放置區(qū)5厚度為2mm，樣品取片區(qū)4厚度為I. 85_，其他區(qū)域即未有樣品承載區(qū)或取片圓3的區(qū)域，其厚度為2. 5_。如此設(shè)計(jì)，其厚度最為合適外延片的放置和方便取片的過程。
權(quán)利要求1.一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)，其特征在于該樣品臺(tái)包括石英盤，石英盤的周邊有一個(gè)加強(qiáng)環(huán)，石英盤的中心為樣品承載區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)，其特征在于樣品承載區(qū)設(shè)有一個(gè)取片圓與之對(duì)應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)，其特征在于加強(qiáng)環(huán)寬度為5-8mm ,厚度為3_6mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)，其特征在于樣品承載區(qū)厚度范圍為O. 5-4毫米。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種用于感應(yīng)離子耦合刻蝕機(jī)承載被刻蝕外延片的樣品臺(tái)，該樣品臺(tái)包括石英盤，石英盤的周邊有一個(gè)加強(qiáng)環(huán)，石英盤的中心為樣品承載區(qū)。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于樣品臺(tái)制作材料使用石英材料替代傳統(tǒng)的碳化硅或石墨材料，在優(yōu)化樣品臺(tái)性能的同時(shí)，有效的降低了樣品臺(tái)的材料成本。此環(huán)有效的增強(qiáng)了石英樣品臺(tái)的機(jī)械強(qiáng)度，方便樣品臺(tái)的安裝和卸載，延長(zhǎng)樣品臺(tái)的使用壽命。同時(shí)此環(huán)的橫斷面設(shè)計(jì)成各種形狀，改善真空腔體內(nèi)的氣流場(chǎng)，提升刻蝕工藝的均勻性。
文檔編號(hào)H01L21/687GK202363440SQ201120414928
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2011年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月27日
發(fā)明者曹躍飛, 李文兵 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司