專利名稱：氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板200瓦 30dB衰減片。
背景技術(shù)：
衰減片是把大電壓信號(hào)根據(jù)實(shí)際要求衰減到一定的比例倍數(shù)(一般指功率衰減)，達(dá)到安全或理想的電平值，方便測(cè)試工作，尤其在射頻和微波中運(yùn)用廣泛目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無(wú)法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無(wú)法及時(shí)地作出判斷，對(duì)設(shè)備沒(méi)有保護(hù)作用。衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)，對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，對(duì)設(shè)備有保護(hù)作用。衰減片是一種能量消耗元件，功率消耗后變成熱量?？梢韵胂螅牧辖Y(jié)構(gòu)確定后，衰減器的功率容量就確定了，如果讓衰減器承受的功率超過(guò)設(shè)計(jì)的極限值，衰減器就會(huì)被燒毀，所以材料的選擇和線路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，以及尺寸的大小，生產(chǎn)工藝對(duì)功率的影響很大，市場(chǎng)對(duì)環(huán)保和尺寸小型化的要求越來(lái)越高，之前的使用的氧化鈹作為基板材料，不符合環(huán)保的要求.目前國(guó)內(nèi)少有能生產(chǎn)30dB氮化鋁基板衰減片的企業(yè)，有的話也是在100W以上， 100W以上氮化鋁30dB衰減片的幾乎沒(méi)有生產(chǎn)。國(guó)內(nèi)使用多為進(jìn)口。我司已經(jīng)攻克了 150W-30dB衰減片的生產(chǎn)。但是隨著科技的不斷發(fā)展，目前已經(jīng)市場(chǎng)對(duì)衰減片的功率提出了更高的要求。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種尺寸為 9. 55*9. 55*lmm，阻抗?jié)M足50士 1. 5 Ω，駐撥和衰減精度能滿足市場(chǎng)要求的200W_30dB衰減片。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片，其包括一 9. 55*9. 55*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻， 所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路所述衰減電路的輸出端、輸入端分別與一焊盤(pán)連接，本產(chǎn)品基于先進(jìn)的厚膜工藝生產(chǎn)。優(yōu)選的，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)200W-30dB氮化鋁陶瓷衰減片的空白，其駐波和衰減特性都滿足了市場(chǎng)的需求，同時(shí)這種設(shè)計(jì)盡可能增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時(shí)，高溫對(duì)電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。[0009]上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片包括一 9. 55*9. 55*1MM 的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有導(dǎo)線2及電阻R1、R2、R3，電阻R1、R2、R3通過(guò)導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過(guò)銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路的輸入端與一焊盤(pán)5連接，輸出端與一焊盤(pán)6 連接。電阻R1、R2、R3上印刷有玻璃保護(hù)膜3，導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，這樣可對(duì)導(dǎo)線2及電阻R1、R2、R3形成保護(hù)。所有工序都基于先進(jìn)的厚膜工藝生產(chǎn)。該大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為 50士 1. 5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50士 1. 5Ω。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過(guò)電阻Rl、 R3、R2對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。該大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片以9. 55*9. 55*1MM的氮化鋁基板作為基板，該衰減片增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時(shí)，高溫對(duì)電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)線路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，改善了衰減片的性能，通過(guò)控制表面電阻率精確控制每個(gè)電阻的阻值，得到需要的衰減值，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)200W-30dB氮化鋁基板衰減片的空白。以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片，其特征在于其包括一 9. 55*9. 55*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路，所述衰減電路的輸出端、 輸入端分別與一焊盤(pán)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片，其特征在于所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片，其特征在于所述衰減電路采用T型電路結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片，其特征在于所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過(guò)接地銀漿連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大功率氮化鋁陶瓷基板200瓦30dB衰減片，其包括一9.55*9.55*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻連接形成衰減電路。該衰減片增大了的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，避免了在輸出端焊接引線時(shí)，高溫對(duì)電阻的淬傷，避免了因電阻被淬傷，在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。通過(guò)線路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，改善了衰減片的性能，通過(guò)控制表面電阻率精確控制每個(gè)電阻的阻值，得到需要的衰減值，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)200W-30dB氮化鋁基板衰減片的空白。
文檔編號(hào)H01P1/22GK202259638SQ20112035204
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司