專利名稱：三層金屬復(fù)合焊片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種用于將電子元件、半導(dǎo)體芯片與引線端焊接在一起的金屬復(fù)合焊片。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，諸如半導(dǎo)體芯片的微電子元件與引線端的連接大都采用壓接方式連接，這種結(jié)構(gòu)不能保證接觸的可靠性，不適用于具有較高可靠等級的產(chǎn)品的微電子封裝。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種具有高可靠性的三層金屬復(fù)合焊片， 以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的微電子元件與引線端接觸不可靠的缺陷。本實用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種三層金屬復(fù)合焊片，由三層金屬結(jié)構(gòu)復(fù)合構(gòu)成，第一層和第三層均為銀銅錫合金片，第二層為熔接設(shè)置在所述第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片之間的銀片，所述銀片分別與第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片的接合面相互熔接
在一起。進一步地，所述第二層的銀片的厚度為20 25微米。進一步地，所述第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片的厚度均為 10 12. 5微米。本實用新型所述的金屬復(fù)合焊片用于玻璃封裝二極管的芯片焊接，以及微電子元件、半導(dǎo)體芯片與引線端之間的焊接，其焊接牢固，結(jié)構(gòu)簡單合理，提高了微電子元件封裝的可靠性，適用于具有較高可靠等級的產(chǎn)品的封裝。

圖1為本實用新型側(cè)面剖視圖；附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下1、銀片，2、銀銅錫合金片。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。如圖1所示，本實用新型實施例所述的三層金屬復(fù)合焊片，由三層金屬結(jié)構(gòu)復(fù)合構(gòu)成，第一層(外表層)和第三層(外表層)均為銀銅錫合金片2，第二層(中間層)為熔接設(shè)置在所述第一層的銀銅錫合金片2和第三層的銀銅錫合金片2之間的銀片1，所述銀片1 分別與第一層的銀銅錫合金片2和第三層的銀銅錫合金片2的接合面相互熔接在一起。所述第二層的銀片1的厚度為20 25 μ m。所述第一層的銀銅錫合金片2和第三層的銀銅錫合金片2的厚度均為10 12. 5μπι。上下兩層銀銅錫合金片2的厚度之和約等于中間銀片1的厚度。在制造該焊片的過程中，操作人員可通過調(diào)整銀銅錫合金片2中三種金屬的混合比例來控制它的熔化溫度。本實用新型所述的金屬復(fù)合焊片在玻璃封裝二極管的芯片焊接，以及微電子元件、半導(dǎo)體芯片與引線端之間的焊接時，焊接牢固，提高了微電子元件封裝的可靠性，適用于具有較高可靠等級的產(chǎn)品的封裝。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種三層金屬復(fù)合焊片，其特征在于由三層金屬結(jié)構(gòu)復(fù)合構(gòu)成，第一層和第三層均為銀銅錫合金片，第二層為熔接設(shè)置在所述第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片之間的銀片，所述銀片分別與第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片的接合面相互熔接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層金屬復(fù)合焊片，其特征在于所述銀片的厚度為20 25 微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三層金屬復(fù)合焊片，其特征在于所述第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片的厚度均為10 12. 5微米。
專利摘要本實用新型涉及一種應(yīng)用于微電子封裝技術(shù)的三層金屬復(fù)合焊片，該復(fù)合焊片由三層金屬結(jié)構(gòu)復(fù)合構(gòu)成，第一層和第三層均為銀銅錫合金片，第二層為熔接設(shè)置在第一層銀銅錫合金片和第三層銀銅錫合金片之間的銀片，銀片分別與第一層的銀銅錫合金片和第三層的銀銅錫合金片的接合面相互熔接在一起。本實用新型所述的金屬復(fù)合焊片用于玻璃封裝二極管的芯片焊接，和微電子元件、半導(dǎo)體芯片與引線端之間的焊接，焊接牢固，提高了微電子元件封裝的可靠性。
文檔編號H01L23/488GK202240181SQ20112033636
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者劉海龍, 吳立強, 孫勇, 官巖, 彭磊, 徐懷建, 李艷如, 林德健, 林雄輝, 武斌, 熊盛陽, 王騰研, 趙彥飛, 鄔文浩 申請人:中國運載火箭技術(shù)研究院, 北京市半導(dǎo)體器件六廠, 吳文俊, 張柏生, 陳文卿