專利名稱：大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板 IOOff-IOdB 衰減片。
背景技術(shù)：
目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無法及時(shí)地做出判斷，并對設(shè)備沒有保護(hù)作用。衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，對設(shè)備有保護(hù)作用，但目前國內(nèi)100W-20dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，市場對衰減精度的要求比較高，，當(dāng)衰減精度達(dá)不到要求時(shí)或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號不符合實(shí)際要求。當(dāng)頻段高于2G時(shí)，國內(nèi)的衰減片，其衰減精度更將滿足不了要求。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。目前市場上的衰減片當(dāng)使用頻段高于2G時(shí)，其衰減精度達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。出現(xiàn)上述問題主要是因?yàn)閲鴥?nèi) IOOff-IOdB衰減片的設(shè)計(jì)原因，并且抗高低溫沖擊性能差。當(dāng)完成高低溫沖擊實(shí)驗(yàn)后，阻抗和衰減精度偏出了實(shí)際要求的范圍，這樣就使的衰減精度滿足不了要求。

實(shí)用新型內(nèi)容針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種衰減精度高，能在3G頻段內(nèi)使用大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片，其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。優(yōu)選的，所述衰減電路采用TT型電路結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過低溫銀漿連接。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片增大了電阻面積，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過程中會壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度達(dá)到了 3G以內(nèi)10 士 ldB，駐波滿足市場要求， 從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于3G網(wǎng)絡(luò)。[0013]上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例正面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例背面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例正面與背面連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1、2所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片包括一氮化鋁基板1， 氮化鋁基板1的背面印刷有導(dǎo)體層5，導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板1的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2，銀漿導(dǎo)線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來形成一 TT型結(jié)構(gòu)的衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護(hù)膜3，玻璃保護(hù)膜3 用于保護(hù)電阻Rl、R2、R3、R4、R5。在整個(gè)電路即銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，黑色保護(hù)膜4可對整個(gè)電路進(jìn)行包括，黑色保護(hù)膜4上還可印刷品牌和型號。如圖3所示，銀漿導(dǎo)線2與導(dǎo)體層5通過接地銀漿6連接，這樣整個(gè)電路即可導(dǎo)通。[0019]該大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為 50 士 1. 5 Ω，輸出端和接地端的阻抗為50 士 1. 5Ω。信號從輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過電阻R1， R2，R5，R3，R4對功率的逐步吸收，使輸出端輸出實(shí)際所需要的信號。該大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片增大了 R3、R4面積，并且使電阻R3、 R4和輸出端空出一段距離，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過程中會壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，改善了電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度達(dá)到了 3G 以內(nèi)10士 ldB，駐波滿足市場要求，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于3G網(wǎng)絡(luò)。以上對本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片，其特征在于其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片，其特征在于所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片，其特征在于所述導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片，其特征在于所述衰減電路采用TT型電路結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板IOOW-IOdB衰減片，其特征在于所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過接地銀漿連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片，其包括一氮化鋁基板，氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線連接電阻形成衰減電路，電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-10dB衰減片增大了電阻面積，使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過程中會壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度達(dá)到了3G以內(nèi)10±1dB，駐波滿足市場要求，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于3G網(wǎng)絡(luò)。
文檔編號H01P1/22GK202259626SQ201120335390
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司