專利名稱：交指電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種應用于空間電子、雷達、衛(wèi)星、公路交通、民航系統(tǒng)、電子對抗等領(lǐng)域的交指電容。
背景技術(shù)：
多層PCB、匪IC、LTCC等多層電路工藝已廣泛應用于空間電子、雷達、衛(wèi)星、公路交通、民航系統(tǒng)、電子對抗等系統(tǒng)中。其中的電容一般需要通過交指電容或MIM電容來實現(xiàn)， 其中交指電容是利用交指條間耦合電場構(gòu)成電容。普通的交指電容并聯(lián)自諧振頻率較低，能夠獲取的容值也很有限。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型旨在解決傳統(tǒng)交指電容并聯(lián)自諧振頻率較低、容值小等技術(shù)問題，以提供具有并聯(lián)自諧振頻率高、容值大等優(yōu)點的交指電容。本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的。本實用新型的交指電容，包括依次疊置的頂敷銅層1、中敷銅層2和底敷銅層3，頂敷銅層1與中敷銅層2之間、中敷銅層2與底敷銅層3之間為絕緣介質(zhì)5 ；頂敷銅層1由上傳輸線、交指部和下傳輸線構(gòu)成，其中交指部由數(shù)對交指條9相對交叉構(gòu)成交指狀，交指條的指尖處為開路端8，交指狀上邊的交指條末端均與呈倒T型的上傳輸線之橫邊相連，交指狀下邊的交指條末端均與T型的下傳輸線之橫邊相連；中敷銅層2對應頂敷銅層1交指部的位置鏤空，對應頂敷銅層1上下開路端位置處設有兩條中敷銅層條帶6，每個開路端與中敷銅層條帶6之間均設有過孔4。本實用新型的交指電容，其中所述的交指狀上邊開路端的連線為與上傳輸線T型橫邊相平行的直線，交指狀下邊開路端的連線為與下傳輸線T型橫邊相平行的直線。本實用新型的交指電容，其中所述的中敷銅層條帶6為缺陷地結(jié)構(gòu)。本實用新型交指電容的有益效果提高了交指電容并聯(lián)自諧振頻率，其容值也有較大提高。

圖1本實用新型的結(jié)構(gòu)原理圖圖2本實用新型的頂敷銅層結(jié)構(gòu)示意圖圖3本實用新型的中敷銅層結(jié)構(gòu)示意圖圖4傳統(tǒng)交指電容的傳輸響應曲線圖5本實用新型交指電容的傳輸響應曲線圖6本實用新型應用于高通濾波器示意圖圖7本實用新型應用于加強低通濾波器的諧波抵制示意圖圖中標號說明
3[0018]1頂敷銅層、2中敷銅層、3底敷銅層、4進孔、5絕緣介質(zhì)、6中敷銅層條帶、7 DGS、8開路端、9交指條
具體實施方式
本實用新型詳細結(jié)構(gòu)、應用原理、作用與功效，參照附圖1-3，通過如下實施方式予以說明。本實用新型的交指電容，包括依次疊置的頂敷銅層1、中敷銅層2和底敷銅層3，頂敷銅層1與中敷銅層2之間、中敷銅層2與底敷銅層3之間為絕緣介質(zhì)5 ；頂敷銅層1由上傳輸線、交指部和下傳輸線構(gòu)成，其中交指部由數(shù)對交指條9相對交叉構(gòu)成交指狀，交指條的指尖處為開路端8，交指狀上邊的交指條末端均與呈倒T型的上傳輸線之橫邊相連，交指狀下邊的交指條末端均與T型的下傳輸線之橫邊相連；中敷銅層2對應頂敷銅層1交指部的位置鏤空，對應頂敷銅層1上下開路端位置處設有兩條中敷銅層條帶6，每個開路端與中敷銅層條帶6之間均設有過孔4。交指狀上邊開路端的連線為與上傳輸線T型橫邊相平行的直線，交指狀下邊開路端的連線為與下傳輸線T型橫邊相平行的直線。本實用新型的交指電容，其中所述的中敷銅層條帶6為缺陷地結(jié)構(gòu)。本實用新型的交指電容實現(xiàn)方法結(jié)合多層電路工藝，通過兩種方法分別來提高容值和自諧振頻率。其一，通過DGS (缺陷地)技術(shù)來增大容值；其二，借助過孔將多個交指條的開路端連接在一起，提高并聯(lián)自諧振頻率的同時增大了有效容值。相比同樣尺寸的傳統(tǒng)交指電容，采用本方法構(gòu)造的交指電容在并聯(lián)自諧振頻率和容值上均有較大提高。參見圖 4和圖5，本實用新型交指電容的傳輸響應曲線明顯優(yōu)于傳統(tǒng)交指電容的傳輸響應曲線。圖6為本實用新型應用于高通濾波器示意圖。圖7中交指電容和蛇形線電感并聯(lián)形成帶阻，為本實用新型應用于加強低通濾波器的諧波抵制示意圖。
權(quán)利要求1.交指電容，其特征在于包括依次疊置的頂敷銅層(1)、中敷銅層(2)和底敷銅層 (3)，頂敷銅層(1)與中敷銅層(2)之間、中敷銅層(2)與底敷銅層(3)之間為絕緣介質(zhì)(5); 頂敷銅層(1)由上傳輸線、交指部和下傳輸線構(gòu)成，其中交指部由數(shù)對交指條(9 )相對交叉構(gòu)成交指狀，交指條的指尖處為開路端(8)，交指狀上邊的交指條末端均與呈倒T型的上傳輸線之橫邊相連，交指狀下邊的交指條末端均與T型的下傳輸線之橫邊相連；中敷銅層(2) 對應頂敷銅層(1)交指部的位置鏤空，對應頂敷銅層(1)上下開路端位置處設有兩條中敷銅層條帶(6)，每個開路端與中敷銅層條帶(6)之間均設有過孔(4)。
2.如權(quán)利要求1所述的交指電容，其特征在于所述的交指狀上邊開路端的連線為與上傳輸線T型橫邊相平行的直線，交指狀下邊開路端的連線為與下傳輸線T型橫邊相平行的直線。
3.如權(quán)利要求1所述的交指電容，其特征在于所述的中敷銅層條帶(6)為缺陷地結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型的交指電容，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決傳統(tǒng)交指電容并聯(lián)自諧振頻率較低、容值小等技術(shù)問題。本實用新型包括依次疊置的頂敷銅層(1)、中敷銅層(2)和底敷銅層(3)，前三者之間夾層為絕緣介質(zhì)(5)；頂敷銅層(1)由上傳輸線、交指部和下傳輸線構(gòu)成，其中交指部由數(shù)對交指條(9)相對交叉構(gòu)成交指狀，交指條的指尖處為開路端(8)，交指狀上邊的交指條末端均與呈倒T型的上傳輸線之橫邊相連，交指狀下邊的交指條末端均與T型的下傳輸線之橫邊相連；中敷銅層(2)對應頂敷銅層(1)交指部的位置鏤空，對應頂敷銅層(1)上下開路端位置處設有兩條中敷銅層條帶(6)，每個開路端與中敷銅層條帶(6)之間均設有過孔(4)。
文檔編號H01G4/005GK202142418SQ20112025749
公開日2012年2月8日 申請日期2011年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月20日
發(fā)明者張文生, 徐克興 申請人:成都九洲迪飛科技有限責任公司