專利名稱：電子組件之抗硫化構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)于一種電子組件之抗硫化構(gòu)造，特別是指提供電子組件之抗硫化作用可以更為確實(shí)。
背景技術(shù)：
習(xí)見芯片電阻，系于陶瓷基板的兩側(cè)下方及上方分別印刷有一電極，在基板的表面上再印刷一電阻，使電阻的兩端分別連接至電極的局部表面，構(gòu)成導(dǎo)通，電阻的上端表面
則以一保護(hù)層覆蓋。而，由于該形成在基板上的電極，一般多采用銀膠材料，由于銀的金屬特性使其容易與外在環(huán)境的硫化物化合變成硫化銀，致使電極在受到硫化侵蝕下時(shí)，導(dǎo)致電極功能降低，進(jìn)而影響整體芯片電阻的可靠質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容因此，本創(chuàng)作旨在提供一種電子組件之抗硫化構(gòu)造，系使設(shè)置于基板上的電子功能組件，可以被安全地覆蓋保護(hù)，而能確實(shí)避免和外部環(huán)境的硫化物接觸。依本創(chuàng)作之電子組件之抗硫化構(gòu)造，進(jìn)一步系在電阻、電感、電容、保險(xiǎn)絲、保護(hù)組件或感測(cè)組件等電子功能組件的上方，除了設(shè)有第一保護(hù)層外，復(fù)設(shè)有具抗硫效果之抗硫?qū)?，以及，設(shè)有用以將第一保護(hù)層接觸界面完全罩覆之第二保護(hù)層，由此提升抗硫作用，為本創(chuàng)作之次一目的。為此本創(chuàng)作提供一種電子組件之抗硫化構(gòu)造，其特征在于包括有一基板，基板的底面兩端分別設(shè)有一背面電極，基板的上方表面兩端分別被覆一導(dǎo)電層及側(cè)電極保護(hù)層， 兩導(dǎo)電層之間設(shè)有一迭于導(dǎo)電層上端之電子功能組件；復(fù)設(shè)有二抗硫?qū)?，分別蓋覆至二導(dǎo)電層之局部上方；并且，設(shè)有一可將電子功能組件，以及將電子功能組件和抗硫?qū)酉嘟佑|界面完全覆蓋之保護(hù)層。為便貴審查委員對(duì)本創(chuàng)作之目的、形狀、構(gòu)造裝置特征及其功效，有進(jìn)一步的認(rèn)識(shí)與了解，茲舉實(shí)施例配合圖式，詳細(xì)說明如下

圖1為本創(chuàng)作之整體剖面圖。圖2A 21為本創(chuàng)作之制作流程平面示意圖。圖3A 31為配合上述圖2A 21于相對(duì)位置之縱剖面示意圖。1 基板4:電子功能組件5:第一保護(hù)層7 第二保護(hù)層21、22:背面電極[0016]30:側(cè)電極保護(hù)層31、32:導(dǎo)電層61、62:抗硫?qū)?1 前側(cè)邊12 后側(cè)邊13、14:側(cè)邊51、52、53:屏蔽層
具體實(shí)施方式
本創(chuàng)作之電子組件之抗硫化構(gòu)造，如圖1所示，包括有一基板1，基板1可選用陶瓷基板、氮化鋁基板、硅基板或玻璃基板，基板1的底面兩端分別設(shè)有一背面電極21、22，基板1的上方表面兩端分別被覆一導(dǎo)電層31、32，導(dǎo)電層 31、32可選用銀膠、鈀銀合金、電鍍銅、銅合金或鈀合金；基板1的兩側(cè)再各被覆一側(cè)電極保護(hù)層30 ；一電子功能組件4，系迭設(shè)于兩導(dǎo)電層31、32之間，該電子功能組件4可為電阻、電感、電容、保險(xiǎn)絲、保護(hù)組件或感測(cè)組件；電子功能組件4的上方被覆第一保護(hù)層5 ；二抗硫?qū)?1、62，系分別蓋覆至導(dǎo)電層31、32之局部上方，該抗硫?qū)?1、62可選用鈀或鈀合金(Pd/Pd alloy)、金或金合金(Au/Au alloy)、鉻或鉻合金(Cr/Cr alloy)、鎳或鎳合金(Ni/Ni alloy)、鈦或鈦合金(Ti/Ti alloy)；以及一第二保護(hù)層7，系用以覆蓋至第一保護(hù)層5的上方，并將第一保護(hù)層5和兩抗硫?qū)?1、62相接觸的界面予以覆蓋。藉由上述多層保護(hù)的結(jié)構(gòu)，電子組件的抗硫化效果可以大幅提升，能有效避免電子功能組件因?yàn)殡姌O遭到硫化而影響其質(zhì)量可靠度。有關(guān)本創(chuàng)作之電子組件之抗硫化構(gòu)造，其制造流程茲配合圖式說明如下1.先在基板1的底面兩端分別被覆一背面電極21、22，兩背面電極21、22覆蓋的范圍及(或未及)于基板1的前側(cè)邊11、后側(cè)邊12以及兩側(cè)邊13、14(如圖2A、3A所示)；2.再于基板1的上方表面兩端分別被覆一導(dǎo)電層31、32，兩導(dǎo)電層31、32覆蓋的范圍未及(或及)于基板1的前側(cè)邊11、后側(cè)邊12，而及于基板1的兩側(cè)邊13、14(如圖 2BJB所示)；3.在基板1的兩側(cè)各被覆一側(cè)電極保護(hù)層30，該側(cè)電極保護(hù)層30包覆局部導(dǎo)電 M 31,32的上方、基板側(cè)邊及背面電極21、22(如圖2C、3C所示)；4.在兩導(dǎo)電層31、32之間設(shè)置一電子功能組件4，該電子功能組件4可為電阻、電感、電容、保險(xiǎn)絲、保護(hù)組件或感測(cè)組件；電子功能組件4系迭設(shè)于兩導(dǎo)電層31、32之局部表面的上方(如圖2D、3D所示)；5.在電子功能組件4的上方被覆第一保護(hù)層5，該第一保護(hù)層5主要為電子功能組件保護(hù)層(如圖2E、3E所示)；6.以樹脂或其它聚合物材料組成之多數(shù)屏蔽罩51、52、53，利用間隔方式分別覆蓋在導(dǎo)電層31、32和第一保護(hù)層5的上方；其中，屏蔽罩51、52僅罩覆局部導(dǎo)電層31、32和基板側(cè)端接觸的部位；而屏蔽罩53則為較大面積，則完全罩覆第一保護(hù)層5 (如圖2F、3F所示)；7.接著，在基板1的上方，在未被屏蔽罩51、52、53罩覆的部位，被覆抗硫?qū)?1、 62，使抗硫?qū)?1、62蓋覆至二導(dǎo)電層31、32之局部上方(如圖2G、3G所示)；8.再以化學(xué)藥液或溶劑將屏蔽罩51、52、53完全去除，顯露出導(dǎo)電層31、32和基板側(cè)端接觸的部位，以及第一保護(hù)層5 (如圖2H、3H所示)；9.最后，以一第二保護(hù)層7將顯露的第一保護(hù)層5，第一保護(hù)層5和導(dǎo)電層31、32 接觸的部位，予以完全罩覆(如圖21、31所示)。上述本創(chuàng)作之電子組件之抗硫化構(gòu)造，其可實(shí)施于單一獨(dú)立組件，或者，亦可先實(shí)施于數(shù)組組件，然后再切割為單一獨(dú)立組件。 又，上述本創(chuàng)作之電子組件之抗硫化構(gòu)造，其導(dǎo)電層31、32可以被覆在基板1之上方表面的左右兩端，或者，亦可被覆在其表面的上下兩端，導(dǎo)電層31、32之間再迭設(shè)電子功能組件4。綜上所述，本創(chuàng)作之電子組件之抗硫化構(gòu)造，確實(shí)具有新穎性及進(jìn)步性之功效，其并未見諸公開使用，合于專利法之規(guī)定，懇請(qǐng)賜準(zhǔn)專利，實(shí)為德便。需陳明者，以上所述乃是本創(chuàng)作較佳具體的實(shí)施例，若依本創(chuàng)作之構(gòu)想所作之改變，其產(chǎn)生之功能作用仍未超出說明書與圖示所涵蓋之精神時(shí)，均應(yīng)在本創(chuàng)作之范圍內(nèi)，合予陳明。
權(quán)利要求1.一種電子組件之抗硫化構(gòu)造，其特征在于包括有一基板，基板的底面兩端分別設(shè)有一背面電極，基板的上方表面兩端分別被覆一導(dǎo)電層及側(cè)電極保護(hù)層，兩導(dǎo)電層之間設(shè)有一迭于導(dǎo)電層上端之電子功能組件；復(fù)設(shè)有二抗硫?qū)?，分別蓋覆至二導(dǎo)電層之局部上方； 并且，設(shè)有一可將電子功能組件，以及將電子功能組件和抗硫?qū)酉嘟佑|界面完全覆蓋之保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的電子組件之抗硫化構(gòu)造，其特征在于其中所述基板可選用陶瓷基板、氮化鋁基板、硅基板或玻璃基板。
3.如權(quán)利要求1所述的電子組件之抗硫化構(gòu)造，其特征在于其中所述抗硫?qū)拥牟牧峡蔀殁Z或鈀合金、金或金合金、鉻或鉻合金、鎳或鎳合金、鈦或鈦合金。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的電子組件之抗硫化構(gòu)造，其特征在于其中所述電子功能組件可為電阻、電感、電容、保險(xiǎn)絲、保護(hù)組件或感測(cè)組件。
5.如權(quán)利要求4所述的電子組件之抗硫化構(gòu)造，其特征在于其中所述電子功能組件的上方，設(shè)有一電子功能組件保護(hù)層。
6.如權(quán)利要求5所述的電子組件之抗硫化構(gòu)造，其特征在于其中所述導(dǎo)電層，可被覆在基板表面的左右兩端和/或上下兩端。
專利摘要一種電子組件之抗硫化構(gòu)造，系于一基板的底面兩端分別設(shè)有背面電極，基板的上方兩端分別被覆一導(dǎo)電層，于兩導(dǎo)電層之間設(shè)有一功能組件，該功能組件的上方被覆第一保護(hù)層；復(fù)于兩導(dǎo)電層的局部表面上方各設(shè)置一抗硫?qū)?，以及，設(shè)有可將功能組件和局部抗硫?qū)痈采w之第二保護(hù)層；藉此構(gòu)成強(qiáng)化電子組件之抗硫作用。
文檔編號(hào)H01L23/12GK202205728SQ20112023117
公開日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者曹茂松, 江財(cái)寶 申請(qǐng)人:大毅科技股份有限公司