專利名稱：Led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前的大功率LED中，LED包括基座和晶片，晶片固定安裝于基座內(nèi)，晶片上涂敷熒光膠，經(jīng)過烘烤固化后形成LED產(chǎn)品。由于晶片的發(fā)光角較大，為了減少光線浪費，基座一般設(shè)計成包圍在晶片外側(cè)，避免產(chǎn)生漏光。但由于基座本身結(jié)構(gòu)的限制，不論如何設(shè)計基座，都不可避免地存在或多或少的漏光現(xiàn)象，而且由于基座一般采用塑料材料制作，表面一般為深色，因此還存在光吸收的現(xiàn)象。因此在晶片發(fā)光后，由于基座的原故而損耗了大量的光線，使LED的出光效率降低，LED產(chǎn)品的光通量不能得到正常的提升。

實用新型內(nèi)容針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實用新型的目的是提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，它具有可降低因LED基座產(chǎn)生的漏光和光吸收現(xiàn)象發(fā)生，提高LED光通量的優(yōu)點。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案是LED封裝結(jié)構(gòu)，包括帶有電極與熱沉的基座，以及被基座包圍在內(nèi)并焊接于熱沉頂面的LED晶片，所述LED晶片通過金線與電極電連接，所述LED晶片上涂敷有熒光膠，所述基座內(nèi)側(cè)面為傾斜面，所述傾斜面涂敷有納米材料制成的反射層80。優(yōu)選地，所述傾斜面的傾斜角為100 120度。優(yōu)選地，所述傾斜面的傾斜角為110度。優(yōu)選地，所述反射層的厚度為1-3微米。采用上述結(jié)構(gòu)后，本實用新型和現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點是由于將LED基座的內(nèi)表面設(shè)計成傾斜面，并且在傾斜面表面涂敷有納米材料制成的反光層，晶片發(fā)出的光射向傾斜面后，光線全部被反射，因此降低了光吸收和漏光的現(xiàn)象，減少了光損耗；而且由于傾斜面具有傾斜角，光線經(jīng)傾斜面反射后基本上全部向上出射，形成照明需求的光線，使這部分本來會損耗掉的光線也能起到預期的作用，因此本實用新型可以在一定程度上提高 LED產(chǎn)品的出光效率，提高了 LED產(chǎn)品的光通量。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明,

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)剖示意圖。 圖中10、基座； 20、熱沉；
30、電極； 40、LED晶片； 50、金線； 60、熒光膠； 70、傾斜面；80、反射層。
具體實施方式
以下所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不因此而限定本實用新型的保護范圍。實施例，見圖1所示本實用新型是一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括帶有電極30與熱沉20的基座10，以及被基座10包圍在內(nèi)并焊接于熱沉20頂面的LED晶片40，所述LED晶片40通過金線50與電極 30電連接，所述LED晶片40上涂敷有熒光膠60，所述基座10內(nèi)側(cè)面為傾斜面70，所述傾斜面70涂敷有納米材料制成的反射層80。由于將LED基座10的內(nèi)表面設(shè)計成傾斜面70，并且在傾斜面70表面涂敷有納米材料制成的反光層，晶片發(fā)出的光射向傾斜面70后，光線全部被反射，因此降低了光吸收和漏光的現(xiàn)象，減少了光損耗；而且由于傾斜面70具有傾斜角，光線經(jīng)傾斜面70反射后基本上全部向上出射，形成照明需求的光線，使這部分本來會損耗掉的光線也能起到預期的作用，因此本實用新型可以在一定程度上提高LED產(chǎn)品的出光效率，提高了 LED產(chǎn)品的光通量。為了使發(fā)射到傾斜面70上的光線能較好地從基座10內(nèi)反射到外面，所述傾斜面 70的傾斜角為100 120度，這樣光線會經(jīng)過較少地幾次反射就能發(fā)射到基座10外面，甚至經(jīng)過一次反射即可發(fā)射到外面，降低了光線在反射過程中的損耗，優(yōu)選地，所述傾斜面70 的傾斜角為110度，是一個能減少反射次數(shù)的角度。為了使反射層80既能起到很好的反射作用，又不影響到基座10內(nèi)的空間大小，所述反射層80的厚度為1-3微米。本實用新型可以避免因LED基座而產(chǎn)生的漏光和光吸收問題，因此可以提高LED 產(chǎn)品的出光效率和光通量。
權(quán)利要求1.LED封裝結(jié)構(gòu)，包括帶有電極(30)與熱沉00)的基座(10)，以及被基座(10)包圍在內(nèi)并焊接于熱沉00)頂面的LED晶片(40)，所述LED晶片00)通過金線(50)與電極 (30)電連接，所述LED晶片00)上涂敷有熒光膠(60)，其特征在于，所述基座(10)內(nèi)側(cè)面為傾斜面(70)，所述傾斜面(70)涂敷有納米材料制成的反射層(80)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傾斜面(70)的傾斜角為 100 120 度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傾斜面(70)的傾斜角為110度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射層(80)的厚度為1-3 微米。
專利摘要本實用新型公開了一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括帶有電極(30)與熱沉(20)的基座(10)，以及被基座(10)包圍在內(nèi)并焊接于熱沉(20)頂面的LED晶片(40)，所述LED晶片(40)通過金線(50)與電極(30)電連接，所述LED晶片(40)上涂敷有熒光膠(60)，其特征在于，所述基座(10)內(nèi)側(cè)面為傾斜面(70)，所述傾斜面(70)涂敷有納米材料制成的反射層(80)。本實用新型可以避免因LED基座而產(chǎn)生的漏光和光吸收問題，因此可以提高LED產(chǎn)品的出光效率和光通量。
文檔編號H01L33/60GK202183411SQ20112021501
公開日2012年4月4日 申請日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月23日
發(fā)明者金亦君 申請人:奉化市金源電子有限公司