專利名稱：一種半導(dǎo)體加工設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，化學(xué)氣相沉積(CVD，Chemical Vapor Deposition)設(shè)備應(yīng)用十分廣泛，主要用于形成絕緣介質(zhì)層、互聯(lián)層等薄膜。以太陽能電池制造工藝中的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD，Plasma Enhance Chemical Vapor D印osition)設(shè)備為例，包括反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室的腔室壁上設(shè)置有觀察窗，一般為透明石英玻璃窗，通過觀察窗對反應(yīng)腔室內(nèi)部情況進(jìn)行監(jiān)測，例如，監(jiān)測反應(yīng)腔室內(nèi)是否放置了襯底載板。由于工藝進(jìn)行中會生成大量工藝粉塵，而生成的工藝粉塵會由于擴(kuò)散作用漂移到半導(dǎo)體加工設(shè)備反應(yīng)腔室內(nèi)部的各個角落，包括觀察窗的位置。因此，在設(shè)備長時間運(yùn)轉(zhuǎn)后，觀察窗表面就會沉積上大量粉塵，因此，將無法通過觀察窗對反應(yīng)腔室內(nèi)部情況進(jìn)行有效監(jiān)測。這時，通常的處理措施是停機(jī)，更換或擦拭觀察窗，因此使產(chǎn)能的降低。

實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的在于，提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，能夠有效提高產(chǎn)能。為達(dá)到上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案—種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室的腔室壁上設(shè)置有觀察窗，所述反應(yīng)腔室內(nèi)部還設(shè)置有保護(hù)罩，所述保護(hù)罩罩設(shè)于所述觀察窗上；所述保護(hù)罩相對于所述觀察窗的一側(cè)設(shè)置有開口 ；所述保護(hù)罩內(nèi)設(shè)置有將經(jīng)所述觀察窗入射的光從所述開口射出或?qū)⒔?jīng)所述開口入射的光從所述觀察窗射出的第一光學(xué)裝置。本實用新型提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，在反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置了保護(hù)罩以使觀察窗不直接暴露于反應(yīng)腔室中，同時通過保護(hù)罩內(nèi)第一光學(xué)裝置的設(shè)置使反應(yīng)腔室外部的光能夠經(jīng)觀察窗入射至反應(yīng)腔室內(nèi)部，顯然反應(yīng)腔室內(nèi)部的光也能夠經(jīng)觀察窗出射至反應(yīng)腔室外部，因此，既能夠通過觀察窗對反應(yīng)腔室內(nèi)部情況進(jìn)行有效監(jiān)測，同時通過保護(hù)罩對觀察窗進(jìn)行了有效保護(hù)，從而有效避免半導(dǎo)體加工設(shè)備運(yùn)行時觀察窗上的粉塵沉積，明顯延長了觀察窗的使用周期，因此有效提高了產(chǎn)能。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的一種結(jié)構(gòu)示意3[0013]圖2為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的另一種結(jié)構(gòu)示意圖圖3為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的另一種結(jié)構(gòu)示意圖圖4為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的原理示意圖圖5為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的原理示意圖圖6為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的原理示意圖圖7為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的原理示意圖圖8為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的另一種結(jié)構(gòu)示意圖圖9為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的原理示意圖；圖10為本實用新型實施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備的原理示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。 基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。本實用新型提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，如圖1所示，包括反應(yīng)腔室1，反應(yīng)腔室1的腔室壁上設(shè)置有觀察窗2，反應(yīng)腔室1內(nèi)部還設(shè)置有保護(hù)罩3，保護(hù)罩3罩設(shè)于觀察窗2上；保護(hù)罩3相對于觀察窗2的一側(cè)設(shè)置有開口 30 ；保護(hù)罩3內(nèi)設(shè)置有能夠?qū)挠^察窗2入射的光L反射出開口 30或?qū)拈_口 30入射的光反射出觀察窗2的第一光學(xué)裝置400。本實用新型提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，在反應(yīng)腔室1內(nèi)設(shè)置了保護(hù)罩3，保護(hù)罩3使觀察窗2不直接暴露于反應(yīng)腔室1中，有效避免半導(dǎo)體加工設(shè)備運(yùn)行時觀察窗上的粉塵沉積，同時通過保護(hù)罩3內(nèi)第一光學(xué)裝置400的設(shè)置使反應(yīng)腔室1外部的光能夠經(jīng)觀察窗2 入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部，顯然反應(yīng)腔室1內(nèi)部的光也能夠經(jīng)觀察窗2出射至反應(yīng)腔室1外部，因此，既能夠通過觀察窗2對反應(yīng)腔室1內(nèi)部情況進(jìn)行有效監(jiān)測，同時通過保護(hù)罩3對觀察窗2進(jìn)行了有效保護(hù)，從而有效避免半導(dǎo)體加工設(shè)備運(yùn)行時觀察窗2上的粉塵沉積，明顯延長了觀察窗2的使用周期，因此有效提高了產(chǎn)能。需要說明的是，本實施例中的第一光學(xué)裝置400可以為各種光學(xué)元件或光學(xué)元件的組合，如平面鏡、凸面鏡、凹面鏡、透鏡或棱鏡中的一種或幾種，本實用新型對此不作限定。具體的，如圖2所示，在本實用新型的一個實施例中，第一光學(xué)裝置包括第一反射鏡41和第二反射鏡42。本實施例中的半導(dǎo)體加工設(shè)備包括反應(yīng)腔室1，反應(yīng)腔室1的腔室壁上設(shè)置有觀察窗2，反應(yīng)腔室1內(nèi)部還設(shè)置有保護(hù)罩3，其中，保護(hù)罩3罩設(shè)于觀察窗2上， 即保護(hù)罩3將觀察窗2包圍；保護(hù)罩3相對于觀察窗2的一側(cè)設(shè)置有開口 30 ；保護(hù)罩3內(nèi)設(shè)置有第一反射鏡41 和第二反射鏡42，其中，第一反射鏡41相對于觀察窗2設(shè)置，第二反射鏡42相對于第一反射鏡41設(shè)置；反應(yīng)腔室1外部的光線L能夠通過觀察窗2入射至第一反射鏡41，經(jīng)第一反射鏡 41反射后入射至第二反射鏡42，經(jīng)第二反射鏡42反射后，通過保護(hù)罩3的開口 30入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部。當(dāng)然，毋庸置疑的，由于光路具有可逆性，反應(yīng)腔室1內(nèi)部的光線L能夠通過保護(hù)罩3的開口 30入射至第二反射鏡42，經(jīng)第二反射鏡42反射后入射至第一反射鏡41，經(jīng)第一反射鏡41反射后通過觀察窗2射出。本實用新型提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，在反應(yīng)腔室1內(nèi)設(shè)置了保護(hù)罩3，保護(hù)罩3使觀察窗2不直接暴露于反應(yīng)腔室1中，以CVD工藝為例，在半導(dǎo)體工藝過程中，保護(hù)罩2將使觀察窗2與工藝氣體所形成等離子體所隔離，有效避免了半導(dǎo)體加工設(shè)備運(yùn)行時觀察窗 2上的粉塵沉積，同時通過保護(hù)罩3內(nèi)的第一反射鏡41和第二反射鏡42的設(shè)置使反應(yīng)腔室1外部的光能夠經(jīng)觀察窗2入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部，顯然反應(yīng)腔室1內(nèi)部的光也能夠經(jīng)觀察窗2出射至反應(yīng)腔室1外部，因此，既能夠通過觀察窗2對反應(yīng)腔室1內(nèi)部情況進(jìn)行有效監(jiān)測，同時通過保護(hù)罩3對觀察窗2進(jìn)行了有效保護(hù)，從而有效避免半導(dǎo)體加工設(shè)備運(yùn)行時觀察窗2上的粉塵沉積，明顯延長了觀察窗2的使用周期，因此有效提高了產(chǎn)能。由于光路的可逆性，為了敘述簡便，以下主要針對光由反應(yīng)腔室1的外部透過觀察窗2進(jìn)入反應(yīng)腔室1的內(nèi)部的情況對本實施例進(jìn)行說明。其中，第一反射鏡41相對于觀察窗2設(shè)置，具體的，第一反射鏡41以一規(guī)定角度相對于觀察窗2設(shè)置，以保證反應(yīng)腔室1外部的光線通過觀察窗2后入射至第一反射鏡41。 其中，所述規(guī)定角度是指觀察窗2所在平面與第一反射鏡41所在平面的夾角的角度，可選的，該規(guī)定角度在0度至90度之間，例如，該規(guī)定角度為45度。其中，第一反射鏡41和第二反射鏡42相對設(shè)置，但第一反射鏡41和第二反射鏡 42之間的夾角角度不限?？蛇x的，為了使光入射至第一反射鏡41的方向，與經(jīng)第二反射鏡 42反射后的方向一致，第一反射鏡41和第二反射鏡42平行相對設(shè)置。需要說明的是，在本實用新型的其它實施例中，第一反射鏡41與觀察窗2以及第一反射鏡41和第二反射鏡42之間的夾角不限，均可根據(jù)入射光線的方向和/或出射光線的方向要求而設(shè)置。由于工藝粉塵可能會從開口 30進(jìn)入到保護(hù)罩3內(nèi)，為了更好的保護(hù)觀察窗2，避免其表面工藝粉塵的沉積，優(yōu)選的，觀察窗2要與開口 30錯開，例如，本實施例中，開口 30和觀察窗2具有一定的垂直距離。這樣，即使工藝粉塵從開口 30進(jìn)入到保護(hù)罩3內(nèi)，也不易沉積于觀察窗2上。顯然，第一反射鏡41和第二反射鏡42的設(shè)置位置和設(shè)置角度需要滿足光線L從觀察窗2進(jìn)入保護(hù)罩3中，并從開口 30入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部。還需要說明的是，在本實用新型的其它實施例中，保護(hù)罩3內(nèi)所設(shè)置的反射鏡不限于第一反射鏡41和第二反射鏡42，在第一反射鏡41和第二反射鏡42之間，和/或第二反射鏡42和開口 30之間還可設(shè)置有至少一個反射鏡，光線在上述多個反射鏡所組成的光路中傳輸，該光路需滿足光線L從觀察窗2射入，并以規(guī)定方向從開口 30射出即可。例如，可以在保護(hù)罩3內(nèi)的第一反射鏡41和第二反射鏡42之間再設(shè)置兩個反射鏡，使光在經(jīng)過第一反射鏡41后又經(jīng)過兩次反射到達(dá)第二反射鏡42，經(jīng)第二反射鏡42反射后從開口 30入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部。由于在第一反射鏡41和第二反射鏡42之間設(shè)置兩個反射鏡，因此，能夠增大第一反射鏡41和第二反射鏡42之間的距離，即增加了觀察窗 2與開口 30的距離，使觀察窗2被更好的保護(hù)，進(jìn)一步減少工藝粉塵沉積在觀察窗2上，有效提高了產(chǎn)能。[0039]進(jìn)一步的，本實施例中，由于第二反射鏡42與保護(hù)罩3的開口 30相對，經(jīng)過長時間的工藝過程后，第二反射鏡42上與開口 30直接相對的部分也會沉積上工藝粉塵，因此， 優(yōu)選的，為了延長第二反射鏡42的使用周期，進(jìn)一步的提高產(chǎn)能，第二反射鏡42可以可移動的設(shè)置在保護(hù)罩3內(nèi)，從而能夠?qū)⒌诙瓷溏R42上沉積有工藝粉塵的部分移走而將未被工藝粉塵覆蓋的部分移動到與開口 30直接相對處，以使第二反射鏡42繼續(xù)有效使用，延長了第二反射鏡42的使用周期，更加有效的提高了產(chǎn)能?？蛇x的，在第二反射鏡42可移動的設(shè)置在保護(hù)罩3內(nèi)的情況下，為了保證第二反射鏡42能夠可靠接收到第一反射鏡41反射的光線，在本實用新型的另一個實施例中，第一反射鏡41也可以可移動的設(shè)置在保護(hù)罩3內(nèi)，從而能夠配合第二反射鏡42 —起移動，保證第一反射鏡41發(fā)射的光線能被第二反射鏡42所可靠接收，因此，增加了第二反射鏡42的移動范圍，即第二反射鏡42在更大的移動范圍內(nèi)都能使反應(yīng)腔室1外部的光經(jīng)觀察窗2從開口 30入射到反應(yīng)腔室1內(nèi)，亦即增加了第二反射鏡42的有效使用部分。待第二反射鏡 42的整個表面被工藝粉塵覆蓋無法使用后再行開蓋更換，可以大大延長第二反射鏡42的使用周期，減少開蓋次數(shù)，進(jìn)一步提高了產(chǎn)能。進(jìn)一步的，為了盡量降低反應(yīng)腔室1內(nèi)的工藝粉塵對保護(hù)罩3內(nèi)的第二反射鏡42 的影響，優(yōu)選的，保護(hù)罩3的開口 30處還連接有延伸保護(hù)部301。延伸保護(hù)部301具體可以為向反應(yīng)腔室1內(nèi)延伸的一定長度的狹長通道，其長度以不影響半導(dǎo)體加工設(shè)備的正常工作為宜。這樣，反應(yīng)腔室1內(nèi)的工藝粉塵在經(jīng)過延伸保護(hù)部301時就會部分沉積下來，從而減少了沉積在第二反射鏡42上的工藝粉塵，進(jìn)一步延長了第二反射鏡42的使用周期，減少了設(shè)備開蓋次數(shù)，進(jìn)一步提高了產(chǎn)能。需要說明的，本實用新型實施例中，觀察窗的數(shù)目不限，在本實用新型的一個實施例中，半導(dǎo)體加工設(shè)備包括至少一個觀察窗。如圖3所示，圖2所示的實施例的半導(dǎo)體加工設(shè)備還包括設(shè)置于反應(yīng)腔室1外部的探測裝置53，探測裝置53對應(yīng)于觀察窗2設(shè)置；反應(yīng)腔室1內(nèi)部還設(shè)置有第二光學(xué)裝置 500，探測裝置53發(fā)出的光L經(jīng)觀察窗2入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部，并通過反應(yīng)腔室1內(nèi)部的第二光學(xué)裝置500經(jīng)觀察窗2射出，被探測裝置53所接收。其中，第二光學(xué)裝置500可以為平面鏡或其他光學(xué)反射鏡或透鏡等。具體的，如圖4所示，第二光學(xué)裝置500可以設(shè)置在反應(yīng)腔室1的內(nèi)側(cè)壁上，相對于開口 30設(shè)置，這樣當(dāng)反應(yīng)腔室1內(nèi)沒有襯底載板時，探測裝置53發(fā)出的光L經(jīng)觀察窗2 入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部，并通過反應(yīng)腔室1內(nèi)部的第二光學(xué)裝置500經(jīng)觀察窗2射出，被探測裝置53所接收，此時探測裝置53即可獲知反應(yīng)腔室1內(nèi)無襯底載板；如圖5所示，當(dāng)反應(yīng)腔室1內(nèi)部放置有襯底載板6時，由探測裝置53發(fā)出的光L經(jīng)觀察窗2入射至反應(yīng)腔室 1內(nèi)部，并被襯底載板6阻擋，無法到達(dá)第二光學(xué)裝置500，探測裝置53也就無法接收到光 L，此時探測裝置53即可獲知反應(yīng)腔室1內(nèi)有襯底載板6。可選的，如圖6所示，第二光學(xué)裝置500也可以直接設(shè)置于反應(yīng)腔室1內(nèi)的被探測對象上，如襯底載板6上。這樣當(dāng)反應(yīng)腔室1內(nèi)有襯底載板6時，探測裝置53發(fā)出的光L 經(jīng)觀察窗2入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部，并通過反應(yīng)腔室1內(nèi)部的襯底載板6上的第二光學(xué)裝置500經(jīng)觀察窗2射出，被探測裝置53所接收，此時探測裝置53即可獲知反應(yīng)腔室1內(nèi)有襯底載板；可以理解的，如圖7所示，當(dāng)反應(yīng)腔室1內(nèi)無襯底載板時，探測裝置53發(fā)出的光L經(jīng)觀察窗2入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部，此時由于光L沒有經(jīng)過第二光學(xué)裝置而不能被探測裝置53接收，探測裝置53即可獲知反應(yīng)腔室1內(nèi)無襯底載板。下面通過具體實施例對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，前述實施例的所有特征均適用于本實施例。本實施例的半導(dǎo)體加工設(shè)備為CVD設(shè)備，如圖8所示，包括反應(yīng)腔室1，反應(yīng)腔室1的腔室壁上設(shè)置有觀察窗，本實施例中，觀察窗包括彼此對稱設(shè)置的第一觀察窗2-1和第二觀察窗2-2，反應(yīng)腔室1內(nèi)部還設(shè)置有保護(hù)罩3-1和保護(hù)罩3-2 ；其中，保護(hù)罩3-1罩設(shè)于第一觀察窗2-1上，保護(hù)罩3-1相對于第一觀察窗2_1的一側(cè)設(shè)置有開口 30-1，保護(hù)罩3-1內(nèi)設(shè)置有第一反射鏡41-1和第二反射鏡42-1，第一反射鏡41-1以規(guī)定角度45度相對于第一觀察窗2-1設(shè)置，第一反射鏡41-1和第二反射鏡42_1 平行相對設(shè)置；其中，保護(hù)罩3-2罩設(shè)于第二觀察窗2-2上，保護(hù)罩3_2相對于第二觀察窗2_2的一側(cè)設(shè)置有開口 30-2，保護(hù)罩3-2內(nèi)設(shè)置有第一反射鏡41-2和第二反射鏡42-2，第一反射鏡41-2以規(guī)定角度45度相對于觀察窗2-2設(shè)置，第一反射鏡41-2和第二反射鏡42_2平行相對設(shè)置；本實施例還包括設(shè)置于反應(yīng)腔室1外部的光發(fā)射器51和光接收傳感器52，光發(fā)射器51對應(yīng)于第一觀察窗2-1設(shè)置，且光接收傳感器52對應(yīng)于第二觀察窗2-2設(shè)置。如圖9所示，當(dāng)反應(yīng)腔室1內(nèi)部未放置有襯底載板時，光發(fā)射器51發(fā)出的光L能夠通過第一觀察窗2-1入射至第一反射鏡41-1，經(jīng)第一反射鏡41-1反射后入射至第二反射鏡42-1，經(jīng)第二反射鏡42-1反射后，通過開口 30-1入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)部。入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)的光L能夠由開口 30-2進(jìn)入保護(hù)罩3-2，并經(jīng)第二反射鏡42-2和第一反射鏡41_2 的反射從第二觀察窗2-2射出反應(yīng)腔室1，從而被光接收傳感器52所接收，從而光接收傳感器52獲知襯底載板未被放置在反應(yīng)腔室1內(nèi)。如圖10所示，當(dāng)反應(yīng)腔室1內(nèi)部放置有襯底載板6時，入射至反應(yīng)腔室1內(nèi)的光 L在傳向第二觀察窗2-2的過程中會被襯底載板6阻擋，因此光接收傳感器52無法接收到光L，從而獲知襯底載板6被放置在反應(yīng)腔室1內(nèi)。這樣，本實施例利用對稱設(shè)置在反應(yīng)腔室1的腔室壁上的第一觀察窗2-1和第二觀察窗2-2，就能夠監(jiān)測反應(yīng)腔室1內(nèi)襯底載板6 是否被放置于反應(yīng)腔室1內(nèi)。而且，保護(hù)罩3-1使第一觀察窗2-1不直接暴露于反應(yīng)腔室1中，有效避免半導(dǎo)體加工設(shè)備運(yùn)行時第一觀察窗2-1上的粉塵沉積，同理，保護(hù)罩3-2使第二觀察窗2-2不直接暴露于反應(yīng)腔室1中，有效避免半導(dǎo)體加工設(shè)備運(yùn)行時第二觀察窗2-2上的粉塵沉積，因此，既能夠通過第一觀察窗2-1和第二觀察窗2-2對反應(yīng)腔室1內(nèi)部情況進(jìn)行有效監(jiān)測，同時通過保護(hù)罩3-1和保護(hù)罩3-2分別對第一觀察窗2-1和第二觀察窗2-2進(jìn)行了有效保護(hù)， 明顯延長了第一觀察窗2-1和第二觀察窗2-2的使用周期，因此有效提高了產(chǎn)能。需要說明的是，本實施例雖然以等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備為例進(jìn)行說明，但本實用新型不限于此。本實用新型提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備還包括其它化學(xué)氣相沉積設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè)備等。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室的腔室壁上設(shè)置有觀察窗，其特征在于，所述反應(yīng)腔室內(nèi)部還設(shè)置有保護(hù)罩，所述保護(hù)罩罩設(shè)于所述觀察窗上；所述保護(hù)罩相對于所述觀察窗的一側(cè)設(shè)置有開口；所述保護(hù)罩內(nèi)設(shè)置有將經(jīng)所述觀察窗入射的光從所述開口射出或?qū)⒔?jīng)所述開口入射的光從所述觀察窗射出的第一光學(xué)裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述第一光學(xué)裝置包括第一反射鏡和第二反射鏡，所述第一反射鏡相對于所述觀察窗設(shè)置，所述第二反射鏡相對于所述第一反射鏡設(shè)置；所述反應(yīng)腔室外部的光線通過所述觀察窗入射至所述第一反射鏡，經(jīng)所述第一反射鏡反射后入射至所述第二反射鏡，經(jīng)所述第二反射鏡反射后，通過所述保護(hù)罩的開口入射至所述反應(yīng)腔室內(nèi)部；或者，所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的光線通過所述保護(hù)罩的開口入射至所述第二反射鏡，經(jīng)所述第二反射鏡反射后入射至所述第一反射鏡，經(jīng)所述第一反射鏡反射后通過所述觀察窗射出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述第一反射鏡與所述第二反射鏡平行相對設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述第一反射鏡以規(guī)定角度相對于所述觀察窗設(shè)置，所述規(guī)定角度在0度至90度之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述規(guī)定角度為45度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述第二反射鏡可滑動的設(shè)置在所述保護(hù)罩內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述第一反射鏡可滑動的設(shè)置在所述保護(hù)罩內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述開口處連接有延伸保護(hù)部。
9.根據(jù)要求1至8任一項所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工設(shè)備還包括設(shè)置于所述反應(yīng)腔室外部的探測裝置，所述探測裝置對應(yīng)于所述觀察窗設(shè)置；所述反應(yīng)腔室內(nèi)部還設(shè)置有第二光學(xué)裝置，所述探測裝置發(fā)出的光經(jīng)所述觀察窗入射至所述反應(yīng)腔室內(nèi)部，并通過所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的所述第二光學(xué)裝置經(jīng)所述觀察窗射出， 被所述探測裝置所接收。
10.根據(jù)要求1至8任一項所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述觀察窗包括對稱設(shè)置的第一觀察窗和第二觀察窗；所述半導(dǎo)體加工設(shè)備還包括設(shè)置于所述反應(yīng)腔室外部的光發(fā)射器和光接收傳感器， 所述光發(fā)射器對應(yīng)于所述第一觀察窗設(shè)置，且所述光接收傳感器對應(yīng)于所述第二觀察窗設(shè)置；當(dāng)所述反應(yīng)腔室內(nèi)部未放置有襯底載板時，所述光發(fā)射器發(fā)出的光經(jīng)所述第一觀察窗入射至所述反應(yīng)腔室內(nèi)部，并經(jīng)所述第二觀察窗從所述反應(yīng)腔室內(nèi)射出，被所述光接收傳感器所接收。
專利摘要本實用新型公開了一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，為提高產(chǎn)能而設(shè)計。所述半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室的腔室壁上設(shè)置有觀察窗，所述反應(yīng)腔室內(nèi)部還設(shè)置有保護(hù)罩，所述保護(hù)罩罩設(shè)于所述觀察窗上；所述保護(hù)罩相對于所述觀察窗的一側(cè)設(shè)置有開口；所述保護(hù)罩內(nèi)設(shè)置有將經(jīng)所述觀察窗入射的光從所述開口射出或?qū)⒔?jīng)所述開口入射的光從所述觀察窗射出的第一光學(xué)裝置。本實用新型可用于半導(dǎo)體加工設(shè)備中。
文檔編號H01L21/00GK202164352SQ201120195588
公開日2012年3月14日 申請日期2011年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月10日
發(fā)明者賈士亮 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司