專利名稱：Led元件成型結(jié)構(gòu)及其模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)一種LED元件成型結(jié)構(gòu)及其模組，特別是指一種光電熱采分流式傳導(dǎo)通道的LED元件成型結(jié)構(gòu)及其模組。
背景技術(shù)：
LED是藉由打線或覆晶的半導(dǎo)體封裝技術(shù)將LED晶粒連結(jié)于基板上，而封裝形成 LED個(gè)體元件，應(yīng)用時(shí)將LED個(gè)體元件焊接于系統(tǒng)電路板上通電流而形成燈源。在此LED 的電能轉(zhuǎn)換成光能的過程中，將近80%的能量轉(zhuǎn)變成熱能，這對(duì)近來逐漸提升功率瓦數(shù)的 LED單顆晶粒來說，當(dāng)功率瓦數(shù)逐年提升至目前的1 3瓦(Watt)，未來當(dāng)功率到達(dá)5瓦或甚至往10瓦邁進(jìn)時(shí)，對(duì)于晶?；寮跋到y(tǒng)電路板的散熱要求將會(huì)更加嚴(yán)苛。沒有適當(dāng)散熱考量設(shè)計(jì)的LED封裝結(jié)構(gòu)會(huì)使得高功率LED本身逐漸發(fā)熱，以致于 LED的出光效率降低，導(dǎo)致亮度衰弱(光衰)或者光色改變。目前有以陶瓷基板(ceramics circuit board)作為高功率LED封裝的散熱基板材料的趨勢(shì)，如第1圖所示。陶瓷基板10 是以氧化鋁或氮化鋁作為熱導(dǎo)材料并于基板上鉆孔布建形成上下連結(jié)的金屬薄膜線路12。 此材料雖然具有架構(gòu)穩(wěn)定、金屬線路精準(zhǔn)與適用于高功率LED封裝等優(yōu)點(diǎn)，但高導(dǎo)熱氮化鋁(其熱傳導(dǎo)系數(shù)為MOW/mK)材料價(jià)格是一般氧化鋁(其熱傳導(dǎo)系數(shù)為25W/mK)的10倍以上，成本昂貴，應(yīng)用于LED照明普及化有其困難。有鑒于此，本實(shí)用新型遂針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，提出一種LED元件成型結(jié)構(gòu)及其模組，以有效克服上述的實(shí)用性及高效率散熱等問題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在提供一種LED成型結(jié)構(gòu)及其模組，其應(yīng)用半導(dǎo)體封裝壓模成型的精密先進(jìn)技術(shù)，建造出光、電、熱分流式通道的LED元件成型或模組新結(jié)構(gòu)體。本實(shí)用新型的另一目的在提供一種LED元件成型結(jié)構(gòu)及其模組，其能有效地解決 LED晶粒運(yùn)作時(shí)的升溫效應(yīng)，提高LED晶粒的發(fā)光效率與延長(zhǎng)LED晶粒的壽命。為達(dá)上述的目的，本實(shí)用新型提出一種LED元件成型結(jié)構(gòu)，其包含有一晶粒座金屬導(dǎo)線支架、一陽(yáng)極與一陰極金屬導(dǎo)線支架、一成形膠體與多個(gè)導(dǎo)線。晶粒座金屬導(dǎo)線架上貼設(shè)有至少一 LED晶粒，晶粒座金屬導(dǎo)線架側(cè)邊分別設(shè)有陽(yáng)極與陰極金屬導(dǎo)線架。成形膠體包含有一頂面、一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁。頂面設(shè)置于晶粒座金屬導(dǎo)線架上，頂面形成有一開口，以顯露LED晶粒，開口周圍形成有一反射墻。第一側(cè)壁位于晶粒座金屬導(dǎo)線架與陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架間，以接合晶粒座金屬導(dǎo)線架與陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架。第二側(cè)壁是位于晶粒座金屬導(dǎo)線架與陰極金屬導(dǎo)線架間，以接合晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架。導(dǎo)線將LED 晶粒電氣連接至陽(yáng)極與陰極金屬導(dǎo)線架。實(shí)施時(shí)，該反射墻的內(nèi)側(cè)面為斜面。實(shí)施時(shí)，該斜面上鍍有一反射膜。實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，更包含有一透鏡，其罩設(shè)該LED晶粒與該導(dǎo)線。實(shí)施時(shí)，該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架底面各設(shè)有一絕緣底板。實(shí)施時(shí)，該絕緣底板與該成形膠體為一體成型。實(shí)施時(shí)，該絕緣底板與該成形膠體的材質(zhì)皆為熱固型環(huán)氧化物。實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，更包含有一軟性導(dǎo)熱膠，其設(shè)置于該LED晶粒與該晶粒座金屬導(dǎo)線架間，以將該LED晶粒貼設(shè)于該晶粒座金屬導(dǎo)線架上。實(shí)施時(shí)，該晶粒座金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅，該軟性導(dǎo)熱膠的材質(zhì)為軟性環(huán)氧導(dǎo)熱膠。實(shí)施時(shí)，該晶粒座金屬導(dǎo)線架更形成有一凹槽，以填充該軟性導(dǎo)熱膠。實(shí)施時(shí)，該成形膠體的材質(zhì)為熱固型環(huán)氧化物。實(shí)施時(shí)，該晶粒座金屬導(dǎo)線架、該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅。實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其接合于一散熱片上或電路板的地線上。本實(shí)用新型尚提出一種LED模組，其包含有一散熱鰭片，其表面上貼設(shè)有多個(gè)上述的LED元件成型結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型還提供了一種LED模組，其包含有一散熱鰭片和多個(gè)LED元件成型結(jié)構(gòu)；其中，每一該LED元件成型結(jié)構(gòu)包含有一晶粒座金屬導(dǎo)線架、一陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架、一陰極金屬導(dǎo)線架、一成形膠體和多個(gè)導(dǎo)線；所述多個(gè)LED元件成型結(jié)構(gòu)，其貼設(shè)于該散熱鰭片上；所述晶粒座金屬導(dǎo)線架，其上貼設(shè)有至少一 LED晶粒；所述陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與所述陰極金屬導(dǎo)線架，其分設(shè)于該晶粒座金屬導(dǎo)線架側(cè)邊；所述成形膠體，其包含有一頂面、一第一側(cè)壁和一第二側(cè)壁所述頂面，其設(shè)置于該晶粒座金屬導(dǎo)線架上，該頂面形成有一開口，以顯露該LED 晶粒，該開口周圍形成有一反射墻所述第一側(cè)壁，其位于該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架間，以接合該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架；以及所述第二側(cè)壁，其位于該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架間，以接合該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架；以及所述多個(gè)導(dǎo)線，其將該LED晶粒電氣連接至該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線
^K O實(shí)施時(shí)，該反射墻的內(nèi)側(cè)面為斜面。實(shí)施時(shí)，該斜面上鍍有一反射膜。實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型所述的LED模組，更包含有一透鏡，其罩設(shè)該LED晶粒與該導(dǎo)線。實(shí)施時(shí)，該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架底面各設(shè)有一絕緣底板。實(shí)施時(shí)，該絕緣底板與該成形膠體為一體成型。實(shí)施時(shí)，該絕緣底板與該成形膠體的材質(zhì)皆為熱固型環(huán)氧化物。[0036]實(shí)施時(shí)，本實(shí)用新型所述的LED模組，更包含有一軟性導(dǎo)熱膠，其設(shè)置于該LED晶粒與該晶粒座金屬導(dǎo)線架間，以將該LED晶粒貼設(shè)于該晶粒座金屬導(dǎo)線架上。實(shí)施時(shí)，該晶粒座金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅，該軟性導(dǎo)熱膠的材質(zhì)為軟性環(huán)氧導(dǎo)熱膠。實(shí)施時(shí)，該晶粒座金屬導(dǎo)線架更形成有一凹槽，以填充該軟性導(dǎo)熱膠。實(shí)施時(shí)，該成形膠體的材質(zhì)為熱固型環(huán)氧化物。實(shí)施時(shí)，該晶粒座金屬導(dǎo)線架、該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅。實(shí)施時(shí)，該散熱鰭片與該LED元件成型結(jié)構(gòu)間設(shè)置設(shè)有一導(dǎo)熱接著層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所述的LED成型結(jié)構(gòu)及其模組，其應(yīng)用半導(dǎo)體封裝壓模成型的精密先進(jìn)技術(shù)，建造出光、電、熱分流式通道的LED元件成型或模組新結(jié)構(gòu)體。茲為使貴審查委員對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效更有進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，謹(jǐn)佐以較佳的實(shí)施例圖及配合詳細(xì)的說明，說明如后

圖1為現(xiàn)有LED封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例立體圖。圖3為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的部分元件分解圖。圖4為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的俯視圖。圖5為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的AA’線段的剖視圖。圖6為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的仰視圖。圖7為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)架構(gòu)成LED模組的側(cè)視圖。圖8為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)架構(gòu)成LED模組的俯視圖。圖9為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例側(cè)視圖。附圖標(biāo)記說明10-陶瓷基板；12-金屬薄膜線路；14-LED元件成型結(jié)構(gòu)；16-晶粒座金屬導(dǎo)線架；18-陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架；20-陰極金屬導(dǎo)線架；22-成形膠體；221-頂面； 222-第一側(cè)壁；223-第二側(cè)壁；224-開口 ；225-反射墻；226-絕緣底板；227-絕緣底板； 24-導(dǎo)線；26-LED晶粒；28-透鏡；30-軟性導(dǎo)熱膠；32-凹槽；34-LED模組；36-散熱鰭片； 38-導(dǎo)熱接著層；40-陽(yáng)極接點(diǎn)；42-陰極接點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)一并參閱圖2、圖3、圖4、圖5、圖6，其各為本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的立體圖、部分元件分解圖、俯視圖、AA’線段的剖視圖與仰視圖。如圖所示，本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)14主要包含有一晶粒座金屬導(dǎo)線架 16、一陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18與一陰極金屬導(dǎo)線架20、一成形膠體22與多個(gè)導(dǎo)線24。晶粒座金屬導(dǎo)線架16上貼設(shè)有至少一 LED晶粒26，晶粒座金屬導(dǎo)線架16側(cè)邊設(shè)有陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18與陰極金屬導(dǎo)線架20。成形膠體22是一熱固型環(huán)氧化物應(yīng)用半導(dǎo)體封裝壓模成型的精密先進(jìn)技術(shù)一體成型的。成形膠體22主要包含有一頂面221、一第一側(cè)壁222與一第二側(cè)壁223。頂面221設(shè)置于晶粒座金屬導(dǎo)線架16上，頂面221形成有一開口 224，以顯露LED晶粒沈，開口 2M 周圍形成有一反射墻225，反射墻225的內(nèi)側(cè)面為斜面且斜面上可鍍有一反射膜。第一側(cè)壁 222位于晶粒座金屬導(dǎo)線架16與陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18間，以接合晶粒座金屬導(dǎo)線架16與陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18。第二側(cè)壁223是位于晶粒座金屬導(dǎo)線架16與陰極金屬導(dǎo)線架20間，以接合晶粒座金屬導(dǎo)線架16與該陰極金屬導(dǎo)線架20。成形膠體22的第一側(cè)壁222與第二側(cè)壁223底端向外延伸，以分別在陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18與陰極金屬導(dǎo)線架20底部形成絕緣底板226、227，以電氣隔離未來粘置的系統(tǒng)電路板或散熱片。上述的晶粒座金屬導(dǎo)線架16、陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18與陰極金屬導(dǎo)線架20的材質(zhì)可以為銅或鋼合金42 (Alloy 42)基板。Alloy 42基板的溫度膨脹系數(shù)為4. 3ppm/c0與LED 晶粒底材(藍(lán)寶石A1203)相近，不會(huì)有溫差造成熱應(yīng)力問題，導(dǎo)熱功能也不差(27W/mK)。上述的晶粒座金屬導(dǎo)線架16、陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18、陰極金屬導(dǎo)線架20與成形膠體 22建構(gòu)成一嶄新的高導(dǎo)熱金屬基板架構(gòu)。當(dāng)然LED晶粒底材為硅(Silicon)或銅時(shí)，本結(jié)構(gòu)所選用的金屬基板亦相隨變換因應(yīng)，以兼顧熱導(dǎo)及熱膨脹因素。再者，上述的熱固型環(huán)氧化物內(nèi)更混摻有高熱導(dǎo)粉末填充物以增強(qiáng)其導(dǎo)熱性。舉例來說，環(huán)氧樹脂熱導(dǎo)系數(shù)0.2W/mK可以氮化鋁Q40W/mK)或鋁金屬Q(mào)60W/mK)高熱導(dǎo)粉末為填充物(Filler)以提升熱傳導(dǎo)系數(shù)至2W/mK。此環(huán)氧化物可耐400°C高溫，不因高功率LED操作溫度升高而衰敗。導(dǎo)線M是用以將LED晶粒沈電氣連接至陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架2 與陰極金屬導(dǎo)線架 227。本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)更包含有一透鏡28，以罩設(shè)LED晶粒沈與導(dǎo)線24。 此透鏡觀是以透明硅樹脂二次封膠成型，硅膠宜考慮透光率達(dá)99 %，折射率1. 6為佳，透鏡 24的形狀為半圓形，以達(dá)到最佳光線的聚光效果。本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)更包含有一軟性導(dǎo)熱膠30，其材質(zhì)為環(huán)氧系接合劑充填銀的環(huán)氧樹脂，此軟性導(dǎo)熱膠30設(shè)置于LED晶粒沈與晶粒座金屬導(dǎo)線架16間，以將LED晶粒沈貼設(shè)于晶粒座金屬導(dǎo)線架16上。此外，晶粒座金屬導(dǎo)線架16更可形成有一凹槽32，以填充上述的軟性導(dǎo)熱膠30。環(huán)氧系接合劑充填銀的環(huán)氧樹脂具高熱導(dǎo)系數(shù)30W/ mK，能降低LED晶粒至銅基板的熱阻。高功率LED運(yùn)作時(shí)的升溫是不可避免的，而熱漲冷縮效應(yīng)也是必要的考量，否則本元件成型結(jié)構(gòu)將面臨使用上可靠性的問題，LED晶粒底材(藍(lán)寶石A12CX3)的溫度膨脹系數(shù) CTE (Coefficient of Temperature Expansion)為 6ppm/c0，而導(dǎo)熱個(gè)生佳的f同 CTE 是 16ppm/c0，因溫差造成晶粒與晶粒座金屬導(dǎo)線架介面膨脹差異，將導(dǎo)致LED晶粒受應(yīng)力 (Stress)而產(chǎn)生裂痕，因此介于其間的接合劑采用軟性環(huán)氧接合劑以疏解其熱應(yīng)力，并于晶粒座金屬導(dǎo)線架以化學(xué)蝕刻或機(jī)械沖壓出一凹槽32以填充此軟性接合劑，來緩沖LED晶粒的熱應(yīng)力。如圖5所示，晶粒座金屬導(dǎo)線架16是作為無電氣熱導(dǎo)區(qū)，其除承載LED晶粒沈的任務(wù)外，LED晶粒沈產(chǎn)生的熱量由此熱導(dǎo)區(qū)往下傳導(dǎo)，因此承載LED晶粒沈的晶粒座金屬導(dǎo)線架16面積要大，以擴(kuò)散熱導(dǎo)。本實(shí)用新型采用銅作為晶粒座金屬導(dǎo)線架16時(shí)，銅具優(yōu)良的熱導(dǎo)能力外亦有良好的機(jī)械性能與強(qiáng)度，又具有良好的遮罩(Siielding)性能，由上至下建立一最佳化熱通道(Thermal I^ath)，通道架構(gòu)長(zhǎng)度最短(0.20mm)或更薄，散熱面積可以最大，而其間介面環(huán)節(jié)最少，熱阻(Thermal resistance)可低至1°C /W，適用于未來5 瓦至10瓦高功率LED。而一般以陶瓷基板為架構(gòu)的LED熱阻值為6°C /W，本實(shí)用新型的金屬基板架構(gòu)僅其1/6，熱導(dǎo)效率當(dāng)然更佳。本實(shí)用新型利用精密的壓模成型技術(shù)，建構(gòu)出嶄新的高導(dǎo)熱金屬基板架構(gòu)，同時(shí)分別建構(gòu)晶粒座金屬導(dǎo)線架16作為熱傳通道，陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18、陰極金屬導(dǎo)線架20作為導(dǎo)電通道，反射壁225作為導(dǎo)光通道，各通道呈分流式結(jié)構(gòu)于基板上下左右四方。架構(gòu)中成形膠體22的第一側(cè)壁222與第二側(cè)壁223、反射墻225及絕緣底板2沈、227各具功能成形膠體22的第一側(cè)壁222與第二側(cè)壁223將晶粒座金屬導(dǎo)線架16、陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18、陰極金屬導(dǎo)線架20間做電氣絕緣，因而建立導(dǎo)電通道。反射墻225為一斜面墻，當(dāng)LED晶粒沈發(fā)光光線射至反射墻225，會(huì)將光線反射導(dǎo)向正前方，凝聚發(fā)光角度。反射墻225表面為光凈亮面并可鍍一層銀金屬或光學(xué)薄膜作為反射膜(反射率98%)，以強(qiáng)化光源的導(dǎo)光(Redirection)效果，增加光量度。此環(huán)狀反射墻225可視為一聚光罩杯。因反射墻225導(dǎo)光效果，發(fā)光角度可以縮至90度內(nèi)的導(dǎo)光通道。絕緣底板226、227的形成，致使整體結(jié)構(gòu)體底面無電極的存在，可直接接合至散熱片上或接地到電路板上。建立絕佳的導(dǎo)熱通道。本實(shí)用新型為達(dá)到高熱傳導(dǎo)效果，LED元件成型結(jié)構(gòu)14底面不存在任何電極，為無電性(Neutral)，向下可直接接合到散熱片。打破過往系統(tǒng)電路電子元件走下緣連結(jié)的方式，本實(shí)用新型的導(dǎo)線M電氣連接至陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18與陰極金屬導(dǎo)線架20的表面，因此電路元件走上緣連結(jié)至其他電路元件，導(dǎo)電與導(dǎo)熱是分開的。再者，請(qǐng)參閱圖7和圖8，其是本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)架構(gòu)成LED模組的側(cè)視圖與俯視圖。如圖所示，此LED模組34包含有一散熱鰭片36，其上設(shè)置有一導(dǎo)熱接著層38，以接合多個(gè)上述的LED元件成型結(jié)構(gòu)14。上述的LED元件成型結(jié)構(gòu)14可以串聯(lián)或并聯(lián)方式電氣連接。LED模組34上方兩端各有一陽(yáng)極與一陰極接點(diǎn)40、42以連結(jié)系統(tǒng)電路，達(dá)到上緣走電路，下緣走散熱的新觀念。本實(shí)用新型的LED模組34含散熱鰭片36可以直接固定在燈具或相關(guān)照明系統(tǒng)的機(jī)殼上。請(qǐng)參閱圖9，其是本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例側(cè)視圖。此實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架18與陰極金屬導(dǎo)線架20底部沒有絕緣底板226、 227。以利電路板連結(jié)變化的多用途功能。但是以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍。故即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)范圍所述的特征及精神所為的均等變化或修飾，均應(yīng)包括于本實(shí)用新型的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含有一晶粒座金屬導(dǎo)線架、一陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架、一陰極金屬導(dǎo)線架、一成形膠體和多個(gè)導(dǎo)線，其中所述晶粒座金屬導(dǎo)線架，其上貼設(shè)有至少一 LED晶粒；所述陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與所述陰極金屬導(dǎo)線架，分設(shè)于該晶粒座金屬導(dǎo)線架側(cè)邊；所述成形膠體，其包含有一頂面、一第一側(cè)壁和一第二側(cè)壁所述頂面，其設(shè)置于該晶粒座金屬導(dǎo)線架上，該頂面形成有一開口，以顯露該LED晶粒，該開口周圍形成有一反射墻所述第一側(cè)壁，其位于該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架間，以接合該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架；以及所述第二側(cè)壁，其位于該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架間，以接合該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架；以及所述多個(gè)導(dǎo)線，其將該LED晶粒電氣連接至該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架。
2.如權(quán)利要求1所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射墻的內(nèi)側(cè)面為斜面。
3.如權(quán)利要求2所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該斜面上鍍有一反射膜。
4.如權(quán)利要求1所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，更包含有一透鏡，其罩設(shè)該LED晶粒與該導(dǎo)線。
5.如權(quán)利要求1所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，其特征在于，該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架底面各設(shè)有一絕緣底板。
6.如權(quán)利要求5所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣底板與該成形膠體為一體成型。
7.如權(quán)利要求5所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣底板與該成形膠體的材質(zhì)皆為熱固型環(huán)氧化物。
8.如權(quán)利要求1所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含有一軟性導(dǎo)熱膠，其設(shè)置于該LED晶粒與該晶粒座金屬導(dǎo)線架間，以將該LED晶粒貼設(shè)于該晶粒座金屬導(dǎo)線架上。
9.如權(quán)利要求8所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶粒座金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅，該軟性導(dǎo)熱膠的材質(zhì)為軟性環(huán)氧導(dǎo)熱膠。
10.如權(quán)利要求8所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶粒座金屬導(dǎo)線架更形成有一凹槽，以填充該軟性導(dǎo)熱膠。
11.如權(quán)利要求1所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該成形膠體的材質(zhì)為熱固型環(huán)氧化物。
12.如權(quán)利要求1所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，該晶粒座金屬導(dǎo)線架、該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅。
13.如權(quán)利要求5所述的LED元件成型結(jié)構(gòu)，其特征在于，其接合于一散熱片上或電路板的地線上。
14.一種LED模組，其特征在于，其包含有一散熱鰭片和多個(gè)LED元件成型結(jié)構(gòu)；其中， 每一該LED元件成型結(jié)構(gòu)包含有一晶粒座金屬導(dǎo)線架、一陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架、一陰極金屬導(dǎo)線架、一成形膠體和多個(gè)導(dǎo)線；所述多個(gè)LED元件成型結(jié)構(gòu)，其貼設(shè)于該散熱鰭片上；所述晶粒座金屬導(dǎo)線架，其上貼設(shè)有至少一 LED晶粒；所述陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與所述陰極金屬導(dǎo)線架，其分設(shè)于該晶粒座金屬導(dǎo)線架側(cè)邊； 所述成形膠體，其包含有一頂面、一第一側(cè)壁和一第二側(cè)壁所述頂面，其設(shè)置于該晶粒座金屬導(dǎo)線架上，該頂面形成有一開口，以顯露該LED晶粒，該開口周圍形成有一反射墻所述第一側(cè)壁，其位于該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架間，以接合該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架；以及所述第二側(cè)壁，其位于該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架間，以接合該晶粒座金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架；以及所述多個(gè)導(dǎo)線，其將該LED晶粒電氣連接至該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架。
15.如權(quán)利要求14所述的LED模組，其特征在于，該反射墻的內(nèi)側(cè)面為斜面。
16.如權(quán)利要求15所述的LED模組，其特征在于，該斜面上鍍有一反射膜。
17.如權(quán)利要求14所述的LED模組，其特征在于，更包含有一透鏡，其罩設(shè)該LED晶粒與該導(dǎo)線。
18.如權(quán)利要求14所述的LED模組，其特征在于，該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架底面各設(shè)有一絕緣底板。
19.如權(quán)利要求18所述的LED模組，其特征在于，該絕緣底板與該成形膠體為一體成型。
20.如權(quán)利要求18所述的LED模組，其特征在于，該絕緣底板與該成形膠體的材質(zhì)皆為熱固型環(huán)氧化物。
21.如權(quán)利要求14所述的LED模組，其特征在于，更包含有一軟性導(dǎo)熱膠，其設(shè)置于該 LED晶粒與該晶粒座金屬導(dǎo)線架間，以將該LED晶粒貼設(shè)于該晶粒座金屬導(dǎo)線架上。
22.如權(quán)利要求21所述的LED模組，其特征在于，該晶粒座金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅，該軟性導(dǎo)熱膠的材質(zhì)為軟性環(huán)氧導(dǎo)熱膠。
23.如權(quán)利要求21所述的LED模組，其特征在于，該晶粒座金屬導(dǎo)線架更形成有一凹槽，以填充該軟性導(dǎo)熱膠。
24.如權(quán)利要求14所述的LED模組，其特征在于，該成形膠體的材質(zhì)為熱固型環(huán)氧化物。
25.如權(quán)利要求14所述的LED模組，其特征在于，該晶粒座金屬導(dǎo)線架、該陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架與該陰極金屬導(dǎo)線架的材質(zhì)為銅。
26.如權(quán)利要求14所述的LED模組，其特征在于，該散熱鰭片與該LED元件成型結(jié)構(gòu)間設(shè)置設(shè)有一導(dǎo)熱接著層。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種LED元件成型結(jié)構(gòu)及其模組。本實(shí)用新型的LED元件成型結(jié)構(gòu)包含有一晶粒座金屬導(dǎo)線支架、一陽(yáng)極與一陰極金屬導(dǎo)線支架，以及一成形膠體。晶粒座金屬導(dǎo)線架上貼設(shè)有至少一LED晶粒，側(cè)邊分別設(shè)有陽(yáng)極與陰極金屬導(dǎo)線架。成形膠體包含有一頂面、一第一側(cè)壁與一第二側(cè)壁。頂面設(shè)置于晶粒座金屬導(dǎo)線架上且形成有一開口，以顯露LED晶粒，開口周圍形成有一反射墻。第一側(cè)壁位于晶粒座金屬導(dǎo)線架與陽(yáng)極金屬導(dǎo)線架間，以接合兩者。第二側(cè)壁是位于晶粒座金屬導(dǎo)線架與陰極金屬導(dǎo)線架間，以接合兩者。
文檔編號(hào)H01L33/64GK202189832SQ20112011505
公開日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月19日
發(fā)明者王金賢 申請(qǐng)人:晶揚(yáng)科技股份有限公司