專利名稱：一種減弱電磁輻射的防雷引下線的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及防直接雷擊的裝置，具體涉及一種防直接雷擊使用的引下線。
背景技術(shù)：
目前，建筑物最基本的防雷要求就是防直接雷擊，而防直接雷擊的主要措施就是使用接傘器、引下線、接地網(wǎng)等設備。然而，既有的引下線多采用的Φ10的鋼材構(gòu)成，雷電流泄放入地時產(chǎn)生的電磁場能量就全部輻射出去了，周邊的電子設備都會淹沒在強烈的電磁場輻射中，給設備造成損壞，尤其是離引下線較近的電子設備更為強烈。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，電磁輻射對設備的危害成為最主要的因素。因而有必要對現(xiàn)有技術(shù)進行改造，減弱雷擊時電磁輻射的能量，保護建筑物內(nèi)的信息設備。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種能減弱電磁輻射的防雷引下線。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案一種減弱電磁輻射的防雷引下線，包括泄流導體，還包括屏蔽圈、支撐所述泄流導體和屏蔽圈的絕緣層。作為優(yōu)化選擇，所述泄流導體由截面積大于300mm2的單股或多股導體制成。作為優(yōu)化選擇，所述絕緣層由發(fā)泡塑料制成。作為優(yōu)化選擇，所述屏蔽圈由紫銅制成。作為優(yōu)化方案，還可設第一內(nèi)護層，所述第一內(nèi)護層套在泄流導體上。作為優(yōu)化方案，還可設第二內(nèi)護層，所述第二內(nèi)護層套在絕緣層上。作為優(yōu)化選擇，所述第一內(nèi)護層和第二內(nèi)護層采用韌性好的絕緣材料制成，厚度控制在Imm以內(nèi)。作為優(yōu)化方案，還可設外護層，所述外護層套在屏蔽圈上。作為優(yōu)化選擇，所述外護層為聚乙烯護套。本實用新型的有益效果是屏蔽圈將通過泄流導體放入地的雷電流產(chǎn)生的電磁輻射屏蔽，讓電磁場的能量不輻射出去，使引下線不會產(chǎn)生空間電磁污染，有效保護周邊的電子設備。

圖1為本實用新型一種減弱電磁輻射的防雷引下線的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例子對本實用新型一種減弱電磁輻射的防雷引下線作進一步詳細的描述。[0016]請參照圖1，本實用新型一種減弱電磁輻射的防雷引下線包括泄流導體1、屏蔽圈 5、支撐在泄流導體1和屏蔽圈5之間的間隙的絕緣層3。所述泄流導體1是由截面積大于 300mm2的單股或多股導體制成的。所述屏蔽圈5由紫銅制成，厚度為0. 5mm。所述絕緣層3 由發(fā)泡塑料制成。防止彎曲或撞擊時整體絕緣強度的損壞，在泄流導體1上套上第一內(nèi)護層2，所述第一內(nèi)護層2由韌性好的絕緣材料構(gòu)成，厚度控制在Imm以內(nèi)。為進一步防止彎曲或撞擊時整體絕緣強度的損壞，在絕緣層3上套上第二內(nèi)護層 4，所述第二內(nèi)護層4由韌性好的絕緣材料構(gòu)成，厚度控制在Imm以內(nèi)。為保護屏蔽圈5，在屏蔽圈5上套上外護層6，所述外護層6是由聚氯乙烯制成的護套。對于本領域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應該屬于本實用新型權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種減弱電磁輻射的防雷引下線，包括泄流導體，其特征在于還包括屏蔽圈、支撐所述泄流導體和屏蔽圈的絕緣層。
2.如權(quán)利要求1所述的減弱電磁輻射的防雷引下線，其特征在于所述泄流導體為截面積大于300mm2的金屬導體。
3.如權(quán)利要求1所述的減弱電磁輻射的防雷引下線，其特征在于所述絕緣層為發(fā)泡塑料層。
4.如權(quán)利要求1所述的減弱電磁輻射的防雷引下線，其特征在于所述屏蔽圈為紫銅屏蔽圈。
5.如權(quán)利要求1所述的減弱電磁輻射的防雷引下線，其特征在于還包括第一內(nèi)護層， 所述第一內(nèi)護層套在泄流導體上。
6.如權(quán)利要求5所述的減弱電磁輻射的防雷引下線，其特征在于還包括第二內(nèi)護層， 所述第二內(nèi)護層套在絕緣層上。
7.如權(quán)利1至6任意一項所述的減弱電磁輻射的防雷引下線，其特征在于還包括外護層，所述外護層套在屏蔽圈上。
8.如權(quán)利要求7所述的減弱電磁輻射的防雷引下線，其特征在于所述外護層為聚乙烯護套。
專利摘要本實用新型涉及防直接雷擊使用的引下線，包括泄流導體、屏蔽圈、支撐于泄流導體和屏蔽圈間的絕緣層，所述泄流導體為銅導體，所述屏蔽圈為紫銅屏蔽圈，所述絕緣層為發(fā)泡塑料層，為防止彎曲或撞擊時整體絕緣強度的損壞，還在泄流導體上套上第一內(nèi)護層，在絕緣層上套上第二內(nèi)護層。本實用新型的引下線的屏蔽圈能夠?qū)⑼ㄟ^泄流導體放入地的雷電流產(chǎn)生的電磁輻射屏蔽，讓電磁場的能量不輻射出去，使引下線不會產(chǎn)生空間電磁污染，有效保護周邊的電子設備。
文檔編號H01R4/66GK201994436SQ20112007726
公開日2011年9月28日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月22日
發(fā)明者張遠鵬 申請人:廣州華煒科技有限公司