專利名稱：電泳式顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型關(guān)于一種顯示器，特別是指一種電泳式(Electrophoretic Display, EPD)顯示器。
背景技術(shù)：
電泳顯示技術(shù)(Electrophoretic Display，EPD)，是利用電泳動(dòng)原理的顯示器，目前包括有電子墨水(E-ink)及微杯(Microcup)技術(shù)等發(fā)展中的主流技術(shù)。其顯示的工作原理是靠在透明或彩色液體之中的電離子移動(dòng)，帶電粒子在電場(chǎng)中朝向與其本身電荷相反的電極移動(dòng)，經(jīng)過翻轉(zhuǎn)或流動(dòng)的微粒子來使像素變亮或變暗，當(dāng)電場(chǎng)消失，帶電粒子仍然會(huì)保持穩(wěn)定的狀態(tài)，即雙穩(wěn)態(tài)(bi-stability)。此外，電泳顯示器可以采用反射式的顯示方式， 因此不需要背光，基于上述原因，電泳顯示器具有省電的特性，因而漸漸受到大眾的注意。請(qǐng)參閱圖1所示，圖1為現(xiàn)有電泳顯示器的俯視示意圖。電泳顯示器10的結(jié)構(gòu)組成包括一薄膜電晶體陣列(thin film transistor array)基板20、及貼附在該薄膜電晶體陣列基板20上的一層電泳層30 (以虛線表示)，電泳層30中裝填有微杯或電子墨水(未圖示)等。該薄膜電晶體陣列基板20上具有多個(gè)間極驅(qū)動(dòng)器22、多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)器M、多條平行的閘極線(未圖示)及與該些閘極線垂直交錯(cuò)的源極線(未圖示)，該些閘極線與該些源極線交錯(cuò)處定義出多個(gè)像素單元并構(gòu)成一主動(dòng)區(qū)域220。另在該些閘極線與該些源極線交錯(cuò)處各具有一薄膜電晶體(未圖示)以控制電泳層30中的電子墨水或者裝填在微杯內(nèi)的電子墨水的電離子的移動(dòng)。此外，該薄膜電晶體陣列基板20還具有多條靜電(ESD，Electrostatic Discharge)防護(hù)電路25、一共通電極(Vcom)線路沈連接于主動(dòng)區(qū)域220內(nèi)的儲(chǔ)存電容線 (未圖示)。該電泳層30通過共通電極線路沈上的轉(zhuǎn)移墊(Transfer pad) 260電性連接至共通電極線路沈，常用方式為在此轉(zhuǎn)移墊260通過銀膠打點(diǎn)與該電泳層30電性連接，使得共通電位(Vcom)傳遞至該電泳層30。請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為圖1的電泳層裁切的輪廓示意圖。由于該電泳層需在該轉(zhuǎn)移墊260位置與該共通電極線路沈電性連接，因此需將電泳層設(shè)計(jì)如圖2般的裁切。然而， 電泳層的價(jià)格昂貴，做此裁切方式將造成該電泳層30上端的浪費(fèi)，導(dǎo)致成本提高，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力下降。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型的電泳式顯示器，通過在靠近主動(dòng)區(qū)域的共通電極線路開洞的設(shè)計(jì)來解決上述問題。為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型提供電泳式顯示器，所述電泳式顯示器包括一基板，具有一主動(dòng)區(qū)域；多條儲(chǔ)存電容線，平行設(shè)置于所述基板上；一共通電極線路，設(shè)置于所述基板的所述主動(dòng)區(qū)域周圍，并電性連接于所述儲(chǔ)存
3電容線；一電泳層，貼附于所述基板上；以及一絕緣層，形成于所述儲(chǔ)存電容線及所述共通電極線路上，且于所述共通電極線路上開設(shè)有多個(gè)開孔，以暴露出所述共通電極線路，所述電泳層通過所述開孔電性連接于所述共通電極線路。所述電泳層大于所述主動(dòng)區(qū)域，使得所述電泳層覆蓋于所述共通電極線路上；所述電泳層的形狀為一矩形。所述開孔位于所述共通電極線路與所述儲(chǔ)存電容線的交接處；所述電泳層大于所述主動(dòng)區(qū)域，使得所述電泳層覆蓋于所述開孔上。所述電泳式顯示器還包括一導(dǎo)電薄膜，形成于所述絕緣層以及通過所述開孔暴露出所述共通電極線路上；所述共通電極線路通過所述導(dǎo)電薄膜電性連接于所述儲(chǔ)存電容線。所述絕緣層在所述儲(chǔ)存電容線處還開設(shè)有多個(gè)接觸孔以暴露出所述儲(chǔ)存電容線， 使得所述導(dǎo)電薄膜電性連接于所述儲(chǔ)存電容線。所述電泳式顯示器還包括至少一導(dǎo)電膠點(diǎn)，形成于所述導(dǎo)電薄膜與所述電泳層之間；所述導(dǎo)電膠點(diǎn)位于所述開孔上。所述導(dǎo)電膠點(diǎn)位于所述接觸孔上；所述導(dǎo)電膠點(diǎn)電性連接于所述電泳層的一氧化銦錫膜。所述共通電極線路電性連接于各所述儲(chǔ)存電容線的兩端。所述基板還包括多條間極線平行于所述儲(chǔ)存電容線。各所述閘極線的兩端為絕緣地與所述共通電極線路相交。根據(jù)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，通過在該共通電極線路與該些儲(chǔ)存電容線的交接處上的開孔，使得該電泳層可設(shè)計(jì)成略大于該主動(dòng)區(qū)域，特別是一矩形，使得電泳層可完全被利用，增加了電泳層的利用率，解決了現(xiàn)有的問題。

圖1繪示現(xiàn)有電泳顯示器的俯視示意圖。圖2繪示圖1的電泳層裁切的輪廓示意圖。圖3繪示本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的電泳式顯示器的俯視示意圖。圖4繪示圖3的基板局部放大圖。圖5繪示圖4的AA，連線的剖面示意圖。圖6繪示本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的基板局部剖面示意圖。圖7繪示具有圖6的基板的電泳式顯示器局部剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。以下將配合附圖來詳細(xì)說明本實(shí)用新型，其中在不同圖式中相同的元件符號(hào)為代表示相同或相似的元件。請(qǐng)參照?qǐng)D3，圖3為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的電泳式顯示器的俯視示意圖，其中以元件符號(hào)100來代表本實(shí)用新型此較佳實(shí)施例的電泳式顯示器。該電泳式顯示器100包括一基板120、多條閘極線122、多條儲(chǔ)存電容(storage capacitor, CS)線 124、一共通電極線路126、一電泳層130 (以虛線表示)、及一絕緣層(未圖示)。該基板120例如為一薄膜電晶體陣列(TFT array)基板，其材質(zhì)較佳為軟性塑膠或玻璃。該電泳層130中裝填有微杯或電子墨水。同樣地，該基板120上具有多個(gè)閘極驅(qū)動(dòng)器22、多個(gè)源極驅(qū)動(dòng)器M、多條靜電防護(hù)電路25、多條平行的閘極線122及與該些閘極線 122垂直交錯(cuò)的源極線(未圖示)。該些閘極線122與該些源極線交錯(cuò)處定義出多個(gè)像素單元(未圖示)并構(gòu)成一主動(dòng)區(qū)域220。另在該些閘極線122與該些源極線交錯(cuò)處各具有一薄膜電晶體(未圖示)以控制該電泳層130中的電子墨水或者裝填在微杯內(nèi)的電子墨水的電離子的移動(dòng)。該些儲(chǔ)存電容線IM平行設(shè)置于該基板120上，并且與該些閘極線122交替設(shè)置。 較佳地，該些儲(chǔ)存電容線1 與該些閘極線122為相同金屬材質(zhì)，是在同一道光罩制程所形成。該共通電極線路1 設(shè)置于該基板120的該主動(dòng)區(qū)域220周圍。請(qǐng)參照?qǐng)D4及圖5，圖4是圖3的基板局部放大圖、圖5是圖4的AA’連線的剖面示意圖。需注意的是，在靠近該主動(dòng)區(qū)域220的該共通電極線路1 特稱為“內(nèi)包"Vcom線路。在一較佳實(shí)施例中，該些閘極線122為與該共通電極線路1 絕緣地相交，如圖4所示。 具體的說，該共通電極線路126與該些閘極線122位于在不同層，該共通電極線路1 與該些閘極線122之間夾有一絕緣層(未圖示)。請(qǐng)參照?qǐng)D5，在此較佳實(shí)施例中，該共通電極線路1 與該些儲(chǔ)存電容線124也在不同層，該共通電極線路1 與儲(chǔ)存電容線124之間夾有一閘絕緣層(Gate Insulator，GI) 310。該共通電極線路126電性連接于該些儲(chǔ)存電容線124。由于該共通電極線路1 與該些儲(chǔ)存電容線1 位于不同層，因此需要經(jīng)過一跳層(layer-jump)結(jié)構(gòu)，以下將詳細(xì)說明此跳層結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D5，該絕緣層320形成于該些儲(chǔ)存電容線IM及該共通電極線路1 上， 且在該共通電極線路1 上開設(shè)有多個(gè)開孔350，以暴露出該共通電極線路126。在此較佳實(shí)施例中，該絕緣層320為一接觸孔(Contact Hole, CH)層，且該些開孔350位于該共通電極線路1 與該些儲(chǔ)存電容線124的交接處。此外，該電泳式顯示器100進(jìn)一步包括一導(dǎo)電薄膜360，該導(dǎo)電薄膜360形成于該絕緣層320以及通過該些開孔350暴露出該共通電極線路1 上。該導(dǎo)電薄膜360較佳為透明的導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)。為了達(dá)成跳層，該共通電極線路1 通過該導(dǎo)電薄膜360電性連接于該些儲(chǔ)存電容線124。具體來說，該絕緣層320以及上述的閘絕緣層310在該些儲(chǔ)存電容線IM處還開設(shè)有多個(gè)接觸孔(contact hole) 352以暴露出該些儲(chǔ)存電容線124，使得該導(dǎo)電薄膜360 電性連接于該些儲(chǔ)存電容線124。值得一提的是，為了降低該共通電極線路1 與該些儲(chǔ)存電容線1 之間的電阻電容延遲(RC delay)，該共通電極線路126電性連接于各該些儲(chǔ)存電容線124的兩端，如圖3所示。為簡(jiǎn)化起見，在圖4僅顯示該些儲(chǔ)存電容線IM右端與該共通電極線路1 相交與電性連接的狀況，雖未顯示，左端的情況亦同。該電泳層30貼附于該基板120上時(shí)，即可通過該些開孔350電性連接于該共通電極線路126。舉例來說，請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D5，該電泳式顯示器100進(jìn)一步包括至少一導(dǎo)電膠點(diǎn)380，形成于該導(dǎo)電薄膜360與該電泳層130之間，其中該導(dǎo)電膠點(diǎn)380較佳為銀膠。在此較佳實(shí)施例中，該導(dǎo)電膠點(diǎn)380位于該些開孔350位置上。據(jù)此，該電泳層30無須剪裁出對(duì)應(yīng)現(xiàn)有接觸墊260的凸耳，而可設(shè)計(jì)成大于該主動(dòng)區(qū)域220，并使得該電泳層130可覆蓋于該共通電極線路1 上，通過該導(dǎo)電膠點(diǎn)380與該共通電極線路126電性連接。因此，該電泳層130的形狀可為一矩形。然而，該電泳層130還可進(jìn)一步剪裁成略大于該主動(dòng)區(qū)域 220，使得該電泳層130足以覆蓋于該些開孔350上即可，達(dá)到電泳層的最大利用率。然而， 本實(shí)用新型并不限該導(dǎo)電膠點(diǎn)380位于在該些開孔350上的實(shí)施方式，也可位在其他位置， 該導(dǎo)電膠點(diǎn)380只要位于該導(dǎo)電薄膜360上即可通過該接觸孔352，使得該電泳層130電性連接于該些儲(chǔ)存電容線124。請(qǐng)參照?qǐng)D6及圖7，圖6為另一較佳實(shí)施例的基板局部剖面示意圖，圖7為具有圖 6的基板的電泳式顯示器局部剖面示意圖。在另一較佳實(shí)施例中，該共通電極線路1 設(shè)計(jì)成與該些儲(chǔ)存電容線1 位于相同層，即不需經(jīng)過跳線結(jié)構(gòu)(即依靠該導(dǎo)電薄膜360與接觸孔352的儲(chǔ)存電容線124電性連接)，該共通電極線路1 即與該些儲(chǔ)存電容線124電性連接。請(qǐng)參照?qǐng)D7，該電泳層130包括上基板410、一氧化銦錫膜420、多個(gè)微杯結(jié)構(gòu)430、 一下保護(hù)板440。該電泳層130通過該下保護(hù)板440貼附在該薄膜電晶體陣列(TFT array) 基板120上。更進(jìn)一步地說，該下保護(hù)板440貼附在薄膜電晶體121的像素電極1210上。該電泳層130在該共通電極線路1 上的開孔350處的該微杯結(jié)構(gòu)430及部分該下保護(hù)板440被移除，使得位于開孔350上的該導(dǎo)電膠點(diǎn)380電性連接于該電泳層130的該氧化銦錫膜420，以將共通電位(Vcom)從該共通電極線路126導(dǎo)入該電泳層130。在此另一較佳實(shí)施例的另一實(shí)施樣態(tài)中，圖6的該共通電極線路126也可視為該儲(chǔ)存電容線124，其因該共通電極線路126與該儲(chǔ)存電容線IM位于同一層且互相電性連接，因此位于該開孔350上的該導(dǎo)電膠點(diǎn)380也可位于該接觸孔352 (未圖示于圖6)上，與圖6所示的情況類似(即圖6的開孔350取代為接觸孔352)，使得該儲(chǔ)存電容線124與電泳層130的該氧化銦錫膜420電性連接。綜上所述，本實(shí)用新型通過在該共通電極線路1 上的開孔350，使得該電泳層 130僅需可設(shè)計(jì)成略大于該主動(dòng)區(qū)域220 (特別是一矩形)并利用該些開孔350電性連接， 使得電泳層無須裁剪出對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)移墊的凸耳狀，從而增加了電泳層的利用率，解決了電泳層成本提高的問題。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電泳式顯示器，其特征在于，所述電泳式顯示器包括 一基板，具有一主動(dòng)區(qū)域；多條儲(chǔ)存電容線，平行設(shè)置于所述基板上；一共通電極線路，設(shè)置于所述基板的所述主動(dòng)區(qū)域周圍，并電性連接于所述儲(chǔ)存電容線.一入 ，一電泳層，貼附于所述基板上；以及一絕緣層，形成于所述儲(chǔ)存電容線及所述共通電極線路上，且于所述共通電極線路上開設(shè)有多個(gè)開孔，以暴露出所述共通電極線路，所述電泳層通過所述開孔電性連接于所述共通電極線路。
2.如權(quán)利要求1所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述電泳層大于所述主動(dòng)區(qū)域，使得所述電泳層覆蓋于所述共通電極線路上；所述電泳層的形狀為一矩形。
3.如權(quán)利要求1所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述開孔位于所述共通電極線路與所述儲(chǔ)存電容線的交接處；所述電泳層大于所述主動(dòng)區(qū)域，使得所述電泳層覆蓋于所述開孔上。
4.如權(quán)利要求1所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述電泳式顯示器還包括一導(dǎo)電薄膜，形成于所述絕緣層以及通過所述開孔暴露出所述共通電極線路上；所述共通電極線路通過所述導(dǎo)電薄膜電性連接于所述儲(chǔ)存電容線。
5.如權(quán)利要求4所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述絕緣層在所述儲(chǔ)存電容線處還開設(shè)有多個(gè)接觸孔以暴露出所述儲(chǔ)存電容線，使得所述導(dǎo)電薄膜電性連接于所述儲(chǔ)存電容線。
6.如權(quán)利要求5所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述電泳式顯示器還包括至少一導(dǎo)電膠點(diǎn)，形成于所述導(dǎo)電薄膜與所述電泳層之間；所述導(dǎo)電膠點(diǎn)位于所述開孔上。
7.如權(quán)利要求6所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述導(dǎo)電膠點(diǎn)位于所述接觸孔上； 所述導(dǎo)電膠點(diǎn)電性連接于所述電泳層的一氧化銦錫膜。
8.如權(quán)利要求1所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述共通電極線路電性連接于各所述儲(chǔ)存電容線的兩端。
9.如權(quán)利要求8所述的電泳式顯示器，其特征在于，所述基板還包括多條閘極線平行于所述儲(chǔ)存電容線。
10.如權(quán)利要求9所述的電泳式顯示器，其特征在于，各所述閘極線的兩端為絕緣地與所述共通電極線路相交。
專利摘要本實(shí)用新型揭露一種電泳式顯示器，其包括一基板、多條儲(chǔ)存電容線、一共通電極線路、一電泳層及一絕緣層。該基板具有一主動(dòng)區(qū)域，且該些儲(chǔ)存電容線平行設(shè)置于該基板上。該共通電極線路設(shè)置于該基板的該主動(dòng)區(qū)域周圍，并電性連接于該些儲(chǔ)存電容線。該電泳層貼附于該基板上。該絕緣層形成于該些儲(chǔ)存電容線及該共通電極線路上，且于該共通電極線路上開設(shè)有多個(gè)開孔，以暴露出該共通電極線路，其中該電泳層通過該些開孔電性連接于該共通電極線路，使得電泳層可完全被利用，增加了電泳層的利用率。
文檔編號(hào)H01L27/12GK202057938SQ201120070689
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年3月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月17日
發(fā)明者宋偉廉, 王文哲, 王文銓 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司, 深圳華映顯示科技有限公司