專利名稱：基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種延遲線結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線。
背景技術(shù)：
延遲線廣泛應(yīng)用在相控陣?yán)走_、衛(wèi)星通訊以及各種高精度測試儀器中，這些系統(tǒng)均可以通過對延遲時間的精確控制來改變相位、距離等參數(shù)，從而實現(xiàn)系統(tǒng)功能。微帶延遲線具有頻帶覆蓋范圍寬、尺寸小、損耗小、色散特性弱、經(jīng)濟可靠等特點，在高頻短延遲系統(tǒng)中具有不可比擬的性能和優(yōu)勢。帶狀線由于其特有的無模式色散特性，在對群延時波動等要求較高的系統(tǒng)尤其重要。然而目前實現(xiàn)帶狀線的方式由于工藝等原因，無法完全實現(xiàn)理論上的無模式色散特性。 替代其結(jié)構(gòu)的方式有很多，比如兩塊微帶板疊加的方式，用螺釘或者其他物理固定的方法來構(gòu)成帶狀線，這種方式存在的缺點有易產(chǎn)生板間縫隙，導(dǎo)致電氣性能不可控；無法添加其他功能電路，實現(xiàn)較復(fù)雜的單片帶狀線系統(tǒng)等。也有使用微帶線上添加相同介電常數(shù)的無銅基片覆蓋的方式，這種方式同樣存在上述缺點，且不易于加工和具體實施。缺陷地結(jié)構(gòu)(DGS)的概念由C. S. Kim等在2000年提出，這種結(jié)構(gòu)與電磁帶隙 (DCS)結(jié)構(gòu)類似，也是通過在微帶線的地上蝕刻圖形得以實現(xiàn)，常見的蝕刻圖形有啞鈴型、 螺旋形和H形，與EBG相比，DCS采用的蝕刻單元數(shù)量少、單元的等效電路易于提取，因而在設(shè)計中，不需要考慮單元間距等陣列因素，簡單易行。但是目前，還沒有見到將該種缺陷地結(jié)構(gòu)應(yīng)用于微帶延遲線領(lǐng)域的相關(guān)報道。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，相比于常規(guī)的微帶延遲線，具有尺寸小、插損小、精度高、可靠性高的優(yōu)點。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的 該基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，包括
微帶延遲線結(jié)構(gòu)，包括介質(zhì)板，所述介質(zhì)板的正面為任意結(jié)構(gòu)的左手延遲線或左右手復(fù)合結(jié)構(gòu)延遲線，所述介質(zhì)板的背面為去掉了部分本體的金屬面，去掉的部分與正面延遲線相匹配構(gòu)成的缺陷地結(jié)構(gòu)等效于并聯(lián)電感；
射頻接頭，設(shè)置于微帶延遲線兩側(cè)，且與微帶延遲線結(jié)構(gòu)電連接。進一步，還包括殼體，該殼體為內(nèi)凹的長方體金屬外殼，用于封閉整個微帶延遲線，所述射頻接頭安裝于殼體上；
進一步，所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)通過非金屬化螺釘孔進行固定和背面良好接地； 進一步，所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)上所有裸露的金屬均采用鍍金處理； 進一步，所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)的金屬面的厚度厚度為0. 035-0. 08mm ； 進一步，所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)使用導(dǎo)電膠固定在介質(zhì)板上。本發(fā)明的有益效果是傳統(tǒng)的微帶延遲線由于工藝、精度等問題，導(dǎo)致很難適用于對精度要求較高的系統(tǒng)，比如高精密儀器和大型相控陣?yán)走_等，本發(fā)明通過采用基于缺陷地和左手延遲線的微帶延遲線結(jié)構(gòu)，充分利用了左手延遲線或左右手復(fù)合延遲線的高時延低插損特性，以及缺陷地結(jié)構(gòu)的易實現(xiàn)、易調(diào)諧和易加工的特性，相比于常規(guī)的微帶延遲線，具有尺寸小、插損小、精度高、可靠性高的優(yōu)點。本發(fā)明的其他優(yōu)點、目標(biāo)和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進行闡述，并且在某種程度上，基于對下文的考察研究對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可以從本發(fā)明的實踐中得到教導(dǎo)。本發(fā)明的目標(biāo)和其他優(yōu)點可以通過下面的說明書和權(quán)利要求書來實現(xiàn)和獲得。


為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的詳細描述，其中
圖1為缺陷地左手延遲線結(jié)構(gòu)圖； 圖2為微帶延遲線結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為發(fā)明的的裝配示意圖。
具體實施例方式
以下將參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細的描述。應(yīng)當(dāng)理解，優(yōu)選實施例僅為了說明本發(fā)明，而不是為了限制本發(fā)明的保護范圍。如圖所示，基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線包括微帶延遲線結(jié)構(gòu)和射頻接頭；其中微帶延遲線結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)板，介質(zhì)板的正面為任意結(jié)構(gòu)的左手延遲線或左右手復(fù)合結(jié)構(gòu)延遲線電路，介質(zhì)板的背面為去掉了部分本體的金屬面，去掉的部分與正面延遲線相匹配構(gòu)成的缺陷地結(jié)構(gòu)等效于并聯(lián)電感；實踐過程中，介質(zhì)板可以采用目前在電路板制作領(lǐng)域中常用的一些板材。射頻接頭設(shè)置于微帶延遲線兩側(cè)，且與微帶延遲線結(jié)構(gòu)電連接。為了便于安裝以及對延遲線結(jié)構(gòu)起到保護作用，本發(fā)明還包括一個殼體，該殼體為內(nèi)凹的長方體金屬外殼，用于封閉整個微帶延遲線電路板，射頻接頭安裝于殼體上。本實施例中，外殼的內(nèi)腔結(jié)構(gòu)應(yīng)與微帶延遲線結(jié)構(gòu)緊密配合且無明顯縫隙；使用的射頻接頭為微帶線接頭，內(nèi)針為扁平狀；單片多層微帶板盲槽處所露電極，且與外殼上射頻接頭的內(nèi)針緊密配合，無明顯間距；多層微帶板的上表面與蓋板內(nèi)表面的間距應(yīng)滿足電磁兼容效應(yīng)。作為進一步的改進，微帶延遲線結(jié)構(gòu)通過非金屬化螺釘進行固定和背面良好接地，且微帶延遲線結(jié)構(gòu)上所有裸露的金屬均采用鍍金處理，微帶延遲線的金屬面的厚度為 0. 035mm。非金屬化螺釘孔的位置需要滿足不與中間延遲線電路交叉，且留有一定間距，多個螺釘孔需與電路板中心對稱排列。作為進一步的改進，所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)使用導(dǎo)電膠固定在介質(zhì)板上，本實施例中，介質(zhì)板采用一塊rogers5880金屬介質(zhì)板。在缺陷地的位置粘接時應(yīng)防止導(dǎo)電膠溢出至缺陷地內(nèi)。
延遲線電路需使用IE3D或者ADS等電磁仿真軟件得到最優(yōu)結(jié)果，單根延遲線采用常規(guī)的左右手符合傳輸線結(jié)構(gòu)，以更好的配合缺陷地結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)。最后說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，其特征在于包括微帶延遲線結(jié)構(gòu)，包括介質(zhì)板，所述介質(zhì)板的正面為任意結(jié)構(gòu)的左手延遲線或左右手復(fù)合結(jié)構(gòu)延遲線，所述介質(zhì)板的背面為去掉了部分本體的金屬面，去掉的部分與正面延遲線相匹配構(gòu)成的缺陷地結(jié)構(gòu)等效于并聯(lián)電感；射頻接頭，設(shè)置于微帶延遲線兩側(cè)，且與微帶延遲線結(jié)構(gòu)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，其特征在于還包括殼體，該殼體為防電磁干擾的內(nèi)凹的長方體金屬外殼，用于封閉整個微帶延遲線結(jié)構(gòu)，所述射頻接頭安裝于殼體上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，其特征在于所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)通過非金屬化螺釘孔進行固定和背面良好接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，其特征在于所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)上所有裸露的金屬均采用鍍金處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，其特征在于所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)的金屬面的厚度為0. 035-0. 08mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，其特征在于所述微帶延遲線結(jié)構(gòu)使用導(dǎo)電膠固定在介質(zhì)板上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于缺陷地結(jié)構(gòu)的微帶延遲線，包括微帶延遲線結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)板，所述介質(zhì)板的正面為任意結(jié)構(gòu)的左手延遲線或左右手復(fù)合結(jié)構(gòu)延遲線，所述介質(zhì)板的背面為去掉了部分本體的金屬面，去掉的部分與正面延遲線相匹配構(gòu)成的缺陷地結(jié)構(gòu)等效于并聯(lián)電感；還包括設(shè)置于電路板兩側(cè)的電極，以及設(shè)置于微帶延遲線兩側(cè)且與微帶延遲線電連接的射頻接頭，本發(fā)明充分利用了左手或左右手延遲線的高時延低插損特性，以及缺陷地結(jié)構(gòu)的易實現(xiàn)、易調(diào)諧和易加工的特性，相比于常規(guī)的微帶延遲線，具有尺寸小、插損小、精度高、可靠性高的優(yōu)點。
文檔編號H01P9/04GK102496768SQ20111044131
公開日2012年6月13日 申請日期2011年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月26日
發(fā)明者呂翼, 唐盤良, 張龍, 朱勇, 李偉, 董姝 申請人:中國電子科技集團公司第二十六研究所