專利名稱：一種深溝槽結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別是涉及一種深溝槽制作方法。本發(fā)明還涉及一種深溝槽結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的深溝槽超級(jí)結(jié)工藝中，采用厚N-外延襯底(35um 50um)作為基底材料，通過一次溝槽刻蝕和溝槽填充P型單晶硅外延工藝，形成器件。與對(duì)此厚N-外延襯底進(jìn)行離子注入工藝相比，槽刻蝕和溝槽填充工藝成本更低，但在槽刻蝕和溝槽填充工藝中45umN-外延成本很高，造成超級(jí)結(jié)器件生產(chǎn)成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種深溝槽制作方法，通過兩次溝道填充能避免采用厚N-外延襯底制作超級(jí)結(jié)器件，能降低超級(jí)結(jié)器件生產(chǎn)成本。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的深溝槽制作方法，包括:(I)在N+硅基底上第一次定義溝槽刻蝕區(qū)；(2)進(jìn)行第一次刻蝕制作溝槽；(3)在溝槽中填充P+單晶硅，形成第一溝槽；(4)第二次定義溝槽刻蝕區(qū)；(5)進(jìn)行第二次刻蝕制作溝槽；(6)在第二次刻蝕制作溝槽中填充N-單晶硅，形成第二溝槽；(7)注入制作P阱。進(jìn)一步改進(jìn),實(shí)施步驟(I),采用N+基底電阻率是0.0Olohm.cm至0.05ohm.cm。進(jìn)一步改進(jìn),實(shí)施步驟(3),填充P+單晶娃是硼。進(jìn)一步改進(jìn),實(shí)施步驟(5),填充N-單晶娃是砷。本發(fā)明的深溝槽結(jié)構(gòu)，包括:N+硅基底上部形成有填充P+單晶硅的第一溝槽，第一溝槽上部兩側(cè)形成有P阱，P阱下方具有N+硅基底；填充有N-單晶硅的第二溝槽形成于第一溝槽兩側(cè)，所述第二溝槽與第一溝槽被P阱和N+硅基底隔離。所述第一溝槽和第二溝槽深度為25um至45um。所述第一溝槽具有硼，所述第二溝槽具有砷。本發(fā)明的深溝槽制作方法米用N+襯底(0.0Olohm.cm 0.05ohm.cm),通過兩次溝槽刻蝕和單晶硅填充能避免采用厚N-外延襯底(35um 50um)制作超級(jí)結(jié)器件，能降低超級(jí)結(jié)器件生產(chǎn)成本。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:圖1是本發(fā)明深溝槽結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是本發(fā)明深溝槽制作方法的流程圖。圖3是本發(fā)明制作方法示意圖一，顯示實(shí)施步驟⑴形成的溝槽結(jié)構(gòu)。圖4是本發(fā)明制作方法示意圖二，顯示實(shí)施步驟(2)形成的溝槽結(jié)構(gòu)。圖5是本發(fā)明制作方法示意圖三，顯示實(shí)施步驟(3)形成的溝槽結(jié)構(gòu)。圖6是本發(fā)明制作方法示意圖四，顯示實(shí)施步驟(4)形成的溝槽結(jié)構(gòu)。圖7是本發(fā)明制作方法示意圖五，顯示實(shí)施步驟(5)形成的溝槽結(jié)構(gòu)。圖8是本發(fā)明制作方法示意圖六，顯示實(shí)施步驟(6)形成的溝槽結(jié)構(gòu)。附圖標(biāo)記說明I是N+娃基底2是第一溝槽3是第二溝槽4 是 P 阱
具體實(shí)施例方式如圖1所示，本發(fā)明的深溝槽結(jié)構(gòu)，包括:N+硅基底I上部形成有填充P+單晶硅的第一溝槽2，第一溝槽上部兩側(cè)形成有P阱4，P阱4下方具有N+硅基底I ;填充有N-單晶硅的第二溝槽3形成于第一溝槽2兩側(cè)，所述第二溝槽3與第一溝槽2被P阱4和N+硅基底I隔離，所述第一溝槽和第二溝槽深度為25um，所述第一溝槽具有硼，所述第二溝槽具有砷。如圖2所示，本發(fā)明深溝槽的制作方法，包括:(I)如圖3所示，在N+硅基底I上第一次定義溝槽刻蝕區(qū)；(2)如圖4所示，進(jìn)行第一次刻蝕制作溝槽；(3)如圖5所示，在溝槽中填充P+單晶硅，形成第一溝槽2 ；(4)如圖6所示，第二次定義溝槽刻蝕區(qū)；(5)如圖7所示，進(jìn)行第二次刻蝕制作溝槽；(6)如圖8所示，在第二次刻蝕制作溝槽中填充N-單晶硅，形成第二溝槽3 ； (7)注入制作P阱形成如圖1所示溝槽結(jié)構(gòu)。以上通過具體實(shí)施方式
和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種深溝槽制作方法，其特征是，包括: (1)在N+硅基底上第一次定義溝槽刻蝕區(qū)； (2)進(jìn)行第一次刻蝕制作溝槽； (3)在溝槽中填充P+單晶硅，形成第一溝槽； (4)第二次定義溝槽刻蝕區(qū)； (5)進(jìn)行第二次刻蝕制作溝槽； (6)在第二次刻蝕制作溝槽中填充N-單晶硅，形成第二溝槽； (7)注入制作P阱。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是:實(shí)施步驟(I)，采用N+基底電阻率是0.0Olohm.cm 至 0.05ohm.cm。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是:實(shí)施步驟(3)，填充P+單晶硅是硼。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征是:實(shí)施步驟(5)，填充N-單晶硅是砷。
5.—種如權(quán)利要求1所述制作方法制作的深溝槽結(jié)構(gòu)，其特征是，包括:N+硅基底上部形成有填充P+單晶硅的第一溝槽，第一溝槽上部兩側(cè)形成有P阱，P阱下方具有N+硅基底；填充有N-單晶硅的第二溝槽形成于第一溝槽兩側(cè)，所述第二溝槽與第一溝槽被P阱和N+硅基底隔離。
6.如權(quán)利要求5所述的深溝槽結(jié)構(gòu)，其特征是:所述第一溝槽和第二溝槽深度為25um至 45um。
7.如權(quán)利要求6所述的深溝槽結(jié)構(gòu)，其特征是:所述第一溝槽具有硼，所述第二溝槽具有砷。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種深溝槽制作方法，包括在N+硅基底上第一次定義溝槽刻蝕區(qū)；進(jìn)行第一次刻蝕制作溝槽；在溝槽中填充P+單晶硅，形成第一溝槽；第二次定義溝槽刻蝕區(qū)；進(jìn)行第二次刻蝕制作溝槽；在第二次刻蝕制作溝槽中填充N-單晶硅，形成第二溝槽；注入制作P阱。本發(fā)明還公開了一種深溝槽結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的深溝槽制作方法通過兩次溝道填充能避免采用厚N-外延襯底制作超級(jí)結(jié)器件，能降低超級(jí)結(jié)器件生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L21/336GK103178111SQ20111043362
公開日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2011年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月21日
發(fā)明者王飛, 毛文銘 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司