專利名稱：薄膜太陽能電池模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜太陽能電池模塊。
背景技術(shù)：
正如所預(yù)料的那樣，諸如石油和煤炭的傳統(tǒng)能源資源終將被耗盡，最近，人們對取代傳統(tǒng)能源資源的替代能源的興趣正在逐漸增加。
雖然現(xiàn)今在商業(yè)上使用單晶體硅，該單晶體硅采用硅晶片，但問題是單晶體硅的制造成本昂貴，因此，這種單晶體硅沒有得到廣泛應(yīng)用。
為了解決這個問題，正在積極地進(jìn)行對薄膜太陽能電池的研究。具體地，采用非晶硅(a_S1:H)的薄膜太陽能電池是一種低成本的、用于大面積太陽能電池模塊的技術(shù)，因此正在受到關(guān)注。發(fā)明內(nèi)容
因此，一個目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的上述以及其它的缺陷。
另一目的是提供一種太陽能電池模塊，該太陽能電池模塊包括基板；多個第一電池，所述多個第一電池位于中心區(qū)域中，一個或更多個第一電池包括至少一個光伏單元; 以及多個第二電池，所述第二電池位于所述基板的邊緣區(qū)域中，一個或更多個第二電池包括至少一個光伏單元；其中，在位于同一層的光伏單元當(dāng)中，所述一個或更多個第二電池的所述光伏單元具有比所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元更高的帶隙能量。所述一個或更多個第一電池和所述一個或更多個第二電池可以包括同樣數(shù)量的光伏單元。
所述一個或更多個第一電池與所述一個或更多個第二電池的電壓相對量{(第二電池的電壓)/(第一電池的電壓) }和電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}為100 %到120 %，優(yōu)選的，所述一個或更多個第一電池和所述一個或更多個第二電池的電壓相對量K第二電池的電壓)/(第一電池的電壓)}和電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}為102%到105%。
所述一個或更多個第二電池的電壓高于所述一個或更多個第一電池的電壓，并且所述一個或更多個第二電池的電流高于所述一個或更多個第一電池的電流。
所述一個或更多個第二電池可以位于距所述基板的邊緣4cm以內(nèi)的范圍中。
在同一層中的所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元和所述一個或更多個第二電池的所述光伏單元包括一個或更多個本征半導(dǎo)體層，所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含非晶硅鍺(a-SiGe)，并且，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的錯具有更聞的濃度。
所述一個或更多個第一電池越接近所述邊緣區(qū)域，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層中包含的鍺的濃度越低，并且，所述一個或更多個第一電池越接近所述邊緣區(qū)域，所述一個或更多個第一電池的一個或更多個本征半導(dǎo)體層的帶隙能量越大。
在同一層中的所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元和所述一個或更多個第二電池的所述光伏單元包括一個或更多個本征半導(dǎo)體層，所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含微晶硅(P c-Si)。在這種情形下，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺具有更高的結(jié)晶度(crystallinity),并且,所述一個或更多個第二電池的結(jié)晶度比所述一個或更多個第一電池的結(jié)晶度低7%到10%。
所述薄膜太陽能電池模塊進(jìn)一步包括與所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層相接觸的一個或更多個種子層；以及與所述一個或更多個第二電池的一個或更多個本征半導(dǎo)體層相接觸的一個或更多個種子層，并且，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個種子層具有比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個種子層更高的結(jié)晶度。
根據(jù)一個方面，由于位于所述基板的邊緣區(qū)域中的多個第二電池的光伏單元的帶隙能量高于位于所述基板的中心區(qū)域中的多個第一電池的光伏單元的帶隙能量，因此，第二電池的電壓與第一電池的電壓相比相對增加了，第二電池的電流與第一電池的電流相比相對減少了。
因此，當(dāng)對第一電池的光伏單元的帶隙能量和第二電池的光伏單元的帶隙能量進(jìn)行控制，以使電壓相對量和電流相對量分別變?yōu)?00%或以上且120%或以下時，薄膜太陽能電池的效率提聞了。


所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本申請且構(gòu)成本申請的一部分，附圖例示了本發(fā)明的(多個)實(shí)施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實(shí)施方式的薄膜太陽能電池模塊的平面圖。
圖2是例示電流-電壓(1-V)曲線的曲線圖。
圖3是例示電壓相對量與效率之間的關(guān)系的曲線圖。
圖4是例示電流相對量與效率之間的關(guān)系的曲線圖。
圖5是例示在圖1的薄膜太陽能電池模塊中使用的電池的結(jié)構(gòu)的剖視圖，該圖示出了具有雙結(jié)型光伏單元的電池。
圖6是例示在圖1的薄膜太陽能電池模塊中使用的電池的結(jié)構(gòu)的剖視圖，該圖示出了具有三結(jié)型光伏單元的電池。
圖7是示出光伏單元中包含的鍺(Ge)的濃度與帶隙能量之間的關(guān)系的曲線圖。
圖8是示出根據(jù)在基板中的位置的光伏單元的鍺的濃度的曲線圖。
圖9是示出根據(jù)在基板中的位置的光伏單元的帶隙能量的曲線圖。
圖10是示出在圖1的薄膜太陽能電池模塊中使用的三結(jié)型電池的結(jié)構(gòu)的剖視圖， 該圖示出了具有種子層的電池。
圖11是示出根據(jù)種子層的結(jié)晶度的晶體硅的結(jié)晶度的剖視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，在附圖中例示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的示例。
本文中使用的術(shù)語只是出于描述特定的實(shí)施方式的目的，而并非意圖限制本發(fā)明的范圍。
將參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠完全理解本發(fā)明的概念。然而，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。貫穿本說明書，可以使用相同的附圖標(biāo)記來指代相同的要素。
下文中，貫穿所有附圖，為了清楚地例示出多個層和多個區(qū)域，可能會放大厚度。 當(dāng)一個層、膜、區(qū)域和板“位于”另一個要素“上”時，不僅包括相應(yīng)的要素“直接”位于另一個要素上的情形，而且還可以包括相應(yīng)的要素在中間部分的情形。相反，某一要素“直接”位于另一個要素上的情形表示在中間部分沒有要素。
相反，某一要素“直接”位于另一個要素上的情形表示在中間部分沒有要素。另外，某一要素完全形成在另一個要素上的情形可以包括該要素不僅形成在另一個要素的全部表面(或整個表面)上，而且還形成在另一個要素的邊緣的某些部分處的情形。
下文中，將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的薄 膜太陽能電池模塊。
參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的薄膜太陽能電池模塊10包括基板100以及多個薄膜太陽能電池150，所述多個薄膜太陽能電池150設(shè)置于基板100上。
基板100包括中心區(qū)域Al和邊緣區(qū)域A2，所述邊緣區(qū)域A2位于中心區(qū)域Al的邊緣處，并且多個薄膜太陽能電池200分別位于中心區(qū)域Al和邊緣區(qū)域A2中。
為了簡化描述，下文中，將位于中心區(qū)域Al中的多個薄膜太陽能電池稱為第一電池Cl，并且將位于邊緣區(qū)域A2中的多個薄膜太陽能電池稱為第二電池C2。
通常，在市場上經(jīng)營的是1. 1X1. 3m2、l. 1X1. 4m2,2. 2X2. 6m2的大面積太陽能電池,并且1. 1X1. 3m2和1. 1X1. 4m2的薄膜太陽能電池可以包括100個或更多個電池。
本文的意圖是控制第一電池Cl和第二電池C2的特性，以提高大面積薄膜太陽能電池模塊的效率。在本發(fā)明中，第二電池C2可以是位于距基板的邊緣4cm以內(nèi)的邊緣區(qū)域 A2中的電池，第一電池Cl可以是位于邊緣區(qū)域A2之間的中心區(qū)域Al中的電池。因此，第一電池Cl可以是除第二電池C2之外的其余的電池。
上文中，雖然邊緣區(qū)域A2與基板的邊緣間隔4cm，但是當(dāng)模塊的尺寸增大時，可以增大邊緣區(qū)域A2。
圖2是例示第一電池Cl與第二電池C2的電流-電壓(1-V)曲線的曲線圖。在圖 2中，實(shí)線表示第一電池Cl的電流-電壓曲線，而虛線表示第二電池C2的電流-電壓曲線。
圖3是例示電壓相對量與效率之間的關(guān)系的曲線圖。圖4是例示電流相對量與效率之間的關(guān)系的曲線圖。電壓相對量表示K第二電池的電壓)/(第一電池的電壓)}的百分比，電流相對量表示K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}的百分比。
參照圖3和圖4，當(dāng)電壓相對量和電流相對量分別大于100 %并小于120 %時，可以提高薄膜太陽能電池模塊的效率，并且還可以使模塊的功率最大化。
下文中，將對電壓相對量和電流相對量滿足上述范圍的薄膜太陽能電池模塊進(jìn)行描述。
圖5是例示在圖1的薄膜太陽能電池模塊中使用的電池的結(jié)構(gòu)的剖視圖，該圖示出了具有雙結(jié)型光伏單元的電池。
在該實(shí)施方式中，由于第一電池和第二電池具有相同的結(jié)構(gòu)，因此下文中僅對第一電池的剖面結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。
如圖5所示，第一電池Cl可以包括第一電極110、光伏單元PV、以及第二電極120， 所述第一電極110、光伏單元PV、以及第二電極120在基板100上順序形成。
第一電極110可以由透明導(dǎo)電材料(諸如從由二氧化硅SiO2、氧化鋅AnO或氧化銦錫ITO組成的組中選出的一個)制成。另外，第一電極110可以由混合物制成，在該混合物中，一種或更多種雜質(zhì)與透明導(dǎo)電材料相混合。
位于第一電極110上的光伏單元PV將進(jìn)入基板100的入射面的光轉(zhuǎn)換成電，并且所述光伏單元PV可以是單結(jié)型結(jié)構(gòu)、雙結(jié)型結(jié)構(gòu)和三結(jié)型結(jié)構(gòu)中的一種。在該實(shí)施方式中，將描述雙結(jié)型光伏單元。
該實(shí)施方式的光伏單元PV進(jìn)一步包括第一光伏單元PVl和第二光伏單元PV2，第一光伏單兀PVl位于第一電極110上,第二光伏單兀PV2位于第一光伏單兀PVl與第二電極120之間。
第一光伏單元PVl包括非晶硅a-Si，并且通常吸收諸如近紫外線、紫色光線和藍(lán)色光線的短波段的光。
該第一光伏單元PVl包括第一 P型半導(dǎo)體層PV1-1、第一本征半導(dǎo)體層PV1-2和第一 N型半導(dǎo)體層PV1-3，所述第一 P型半導(dǎo)體層PV1-1、第一本征半導(dǎo)體層PV1-2和第一 N型半導(dǎo)體層PV1-3在第一電極110上順序形成。
通過將包含三價元素雜質(zhì)(諸如硼、鎵和銦)的氣體與包含硅Si的源氣體相混合，可以制成第一 P型半導(dǎo)體層PVl-1。在該實(shí)施方式中，第一 P型半導(dǎo)體層PVl-1可以由 a-Si 或 a_S1: H 制成。
本征半導(dǎo)體層PV1-2用于降低載流子的復(fù)合，并且用于吸收光，其中，諸如電子和空穴的載流子由該本征半導(dǎo)體層PV1-2產(chǎn)生。第一本征半導(dǎo)體層PV1-2可以由a-Si或 a-S1:H制成，并且可以具有約200nm到300nm的厚度。
通過將包含五價元素雜質(zhì)(諸如磷P、砷As和銻Sb)的氣體與包含硅的源氣體相混合，可以制成第一 N型半導(dǎo)體層PV1-3。
該第一光伏單元PVl可以通過諸 如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)的化學(xué)汽相沉積(CVD)制成。
諸如第一光伏單元PVl的第一 P型半導(dǎo)體層PVl-1和第一 N型半導(dǎo)體層PV1-3的半導(dǎo)體層形成P-N結(jié)，所述P-N結(jié)在第一 P型半導(dǎo)體層PVl-1與第一 N型半導(dǎo)體層PV1-3 之間插入第一本征半導(dǎo)體層PV1-2。由于該P(yáng)-N結(jié)所引起的光伏效應(yīng)，從第一本征半導(dǎo)體層 PV1-2產(chǎn)生電子和空穴，該P(yáng)-N結(jié)通過接觸電壓差將電子和空穴彼此分離，并且使電子和空穴沿著不同的方向遷移。
例如，空穴通過第一 P型半導(dǎo)體層PVl-1向第一電極110遷移，并且電子通過第一 N型半導(dǎo)體層PV1-3向第二電極120遷移。
第二光伏單元PV2可以包括微晶硅μ c-Si，并且通?？梢晕諒募t色光線到近紅外線的長波段的光。
第二光伏單元PV2可以包括第二 P型半導(dǎo)體層PV2-1、第二本征半導(dǎo)體層PV2-2和第二 N型半導(dǎo)體層PV2-3，所述第二 P型半導(dǎo)體層PV2-1、第二本征半導(dǎo)體層PV2-2和第二 N型半導(dǎo)體層PV2-3在第一光伏單元PVl的第一 N型半導(dǎo)體層PV1-3上順序形成。與第一光伏單元PVl的情形相同，該第二光伏單元PV2可以通過諸如PECVD的CVD制成。
通過將包含三價元素雜質(zhì)(諸如硼、鎵和銦)的氣體與包含硅的源氣體相混合，可以制成第二 P型半導(dǎo)體層PV2-1。
第二本征半導(dǎo)體層PV2-2用于減少載流子的復(fù)合，并用于吸收光。因此，第二本征半導(dǎo)體層PV2-2通常吸收所施加的長波段的光，并產(chǎn)生電子和空穴。
在該實(shí)施方式中，第二本征半導(dǎo)體層PV2-2可以由微晶硅μ c-Si或摻雜微晶硅 Uc-SiiH制成，并且該第二本征半導(dǎo)體層PV2-2可以比第一本征半導(dǎo)體層PV1-2更厚，以便于充分地吸收長波長的太陽光。
通過將包含五價元素雜質(zhì)(諸如磷P、砷As和銻Sb)的氣體與包含硅的源氣體相混合，可以制成第二 N型半導(dǎo)體層PV2-3。
第二光伏單元PV2的第二 P型半導(dǎo)體層PV2-1和第二 N型半導(dǎo)體層PV2-3形成 P-N結(jié)，所述P-N結(jié)在第二 P型半導(dǎo)體層PV2-1和第二 N型半導(dǎo)體層PV2-3之間插入第二本征半導(dǎo)體層PV2-2中，并且由于該P(yáng)-N結(jié)所引起的光伏效應(yīng)，從第二本征半導(dǎo)體層PV2-2產(chǎn)生電子和空穴?？昭ㄏ虻谝浑姌O110遷移以聚集，電子通過第二 N型半導(dǎo)體層PV2-3向第二電極120遷移以聚集。
位于光伏單元PV上的第二電極120可以由從包括有金Au、銀Ag和鋁Al的組中選出的一種制成，并且該第二電極120可以進(jìn)一步包括反射層，該反射層用于向光伏單元PV 反射未被光伏單元PV吸收的光。
在具有上述電池的薄膜太陽能電池模塊中，第一電池與第二電池的電壓相對量 K第二電池的電壓)/(第一電池的電壓)}和電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}分別滿足100%到120%，優(yōu)選的，第一電池與第二電池的電壓相對量K第二電池的電壓)/(第一電池的電壓)}和電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)} 分別滿足102%到105%。
為了使電壓相對量和電流相對量滿足上述范圍，在該實(shí)施方式中，第一電池Cl的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的帶隙能量和第二電池C2的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的帶隙能量具有不同的量。
詳細(xì)而言，第二電池C2的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的帶隙能量大于第一電池Cl 的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的帶隙能量。因此，第二電池C2的電壓高于第一電池Cl的電壓，第一電池Cl的電流高于第二電池C2的電流。
此處，為了使第二電池C2的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的帶隙能量大于第一電池Cl 的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的帶隙能量，第一電池Cl的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的結(jié)晶度要高于第二電池C2的第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的結(jié)晶度。
采用拉曼(Raman)對第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的結(jié)晶度進(jìn)行測量，下面的表I列出了根據(jù)第二本征半導(dǎo)體層PV2-2的結(jié)晶度的電壓相對量、電流相對量和效率。
表I
權(quán)利要求
1.一種薄膜太陽能電池模塊，該薄膜太陽能電池模塊包括 基板； 多個第一電池，所述多個第一電池位于中心區(qū)域中，一個或更多個第一電池包括至少一個光伏單元；以及 多個第二電池，所述多個第二電池位于所述基板的邊緣區(qū)域中，一個或更多個第二電池包括至少一個光伏單元； 其中，在位于同一層的光伏單元當(dāng)中，所述一個或更多個第二電池的所述光伏單元具有比所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元更高的帶隙能量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池和所述一個或更多個第二電池包括同樣數(shù)量的光伏單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池與所述一個或更多個第二電池的電壓相對量K第二電池的電壓)/(第一電池的電壓)}和電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}為100%到120%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池與所述一個或更多個第二電池的電壓相對量K第二電池的電壓)/(第一電池的電壓)}和電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}為102%到105%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，在位于同一層的光伏單元中，所述一個或更多個第二電池的電壓高于所述一個或更多個第一電池的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，在位于同一層的光伏單元中，所述一個或更多個第一電池的電流高于所述一個或更多個第二電池的電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第二電池位于距所述基板的邊緣4cm以內(nèi)的范圍中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，在同一層中的所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元和所述一個或更多個第二電池的所述光伏單元包括一個或更多個本征半導(dǎo)體層，所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含非晶硅鍺，并且，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺具有更高的濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池越接近所述邊緣區(qū)域，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層中包含的鍺的濃度越低。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池越接近所述邊緣區(qū)域，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層的帶隙能量越大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，在同一層中的所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元和所述一個或更多個第二電池的所述光伏單元包括一個或更多個本征半導(dǎo)體層，所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含微晶硅， 所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺具有更高的結(jié)晶度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第二電池的結(jié)晶度比所述一個或更多個第一電池的結(jié)晶度低7%到10%。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜太陽能電池模塊，該薄膜太陽能電池模塊還進(jìn)一步包括 與所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層相接觸的一個或更多個種子層；以及 與所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層相接觸的一個或更多個種子層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個種子層具有比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個種子層更高的結(jié)晶度。
15.一種薄膜太陽能電池模塊，該薄膜太陽能電池模塊包括 基板； 多個第一電池，所述多個第一電池位于中心區(qū)域中，一個或更多個第一電池包括至少一個光伏單元；以及 多個第二電池，所述多個第二電池位于所述基板的邊緣區(qū)域中，一個或更多個第二電池包括至少一個光伏單元； 其中，所述一個或更多個第一電池與所述一個或更多個第二電池的電壓相對量{(第二電池的電壓)/(第一電池的電壓)}和電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}為 100%到 120%。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池與所述一個或更多個第二電池的所述電壓相對量{(第二電池的電壓)/ (第一電池的電壓)}和所述電流相對量K第一電池的電流)/(第二電池的電流)}為102%到105%。
17.一種薄膜太陽能電池模塊，該薄膜太陽能電池模塊包括 基板； 多個第一電池，所述多個第一電池位于中心區(qū)域中，一個或更多個第一電池包括至少一個光伏單元；以及 多個第二電池，所述多個第二電池位于所述基板的邊緣區(qū)域中，一個或更多個第二電池包括至少一個光伏單元； 其中， 所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元和所述一個或更多個第二電池的光伏單兀在同一層中， 所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層包含的鍺具有更高的結(jié)晶度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第二電池的結(jié)晶度比所述一個或更多個第一電池的結(jié)晶度低7%到10%。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜太陽能電池模塊，該薄膜太陽能電池模塊進(jìn)一步包括 與所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層相接觸的一個或更多個種子層；以及與所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個本征半導(dǎo)體層相接觸的一個或更多個種子層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜太陽能電池模塊，其中，所述一個或更多個第一電池的所述一個或更多個種子層具有比所述一個或更多個第二電池的所述一個或更多個種子層更高的結(jié)晶度。
全文摘要
一種薄膜太陽能電池模塊，該薄膜太陽能電池模塊包括基板；多個第一電池，所述多個第一電池位于中心區(qū)域中，其中一個或更多個第一電池包括至少一個光伏單元；以及多個第二電池，所述多個第二電池位于所述基板的邊緣區(qū)域中，其中一個或更多個第二電池包括至少一個光伏單元。在位于同一層的光伏單元當(dāng)中，所述一個或更多個第二電池的所述光伏單元具有比所述一個或更多個第一電池的所述光伏單元更高的帶隙能量。
文檔編號H01L31/0352GK103000743SQ20111040980
公開日2013年3月27日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月15日
發(fā)明者柳東柱, 李炳璂, 李憲民, 黃先泰, 李圣恩 申請人:Lg電子株式會社