專利名稱：薄膜晶體管基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠應(yīng)用于諸如液晶顯示器的顯示器件的薄膜晶體管基板，尤其涉及采用激光使有源層結(jié)晶的薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管被廣泛用作諸如液晶顯示器的顯示器件的開關(guān)裝置。薄膜晶體管包括柵極、有源層、以及源極和漏扱，并且根據(jù)電極的設(shè)置可以分為交錯(cuò)結(jié)構(gòu) ^staggered structure)禾[!共面結(jié)構(gòu)、copianar structure; 0在交錯(cuò)結(jié)構(gòu)中，柵極和源/漏極針對有源層的朝上和朝下設(shè)置，而在共面結(jié)構(gòu)中， 柵極和源/漏極設(shè)置于同一平面上。根據(jù)形成溝道的方法，交錯(cuò)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管可以分為背溝道刻蝕(back channel etched :BCE)型薄膜晶體管和刻蝕阻擋(etch stopper :ES)型薄膜晶體管。在背溝道刻蝕型薄膜晶體管中，半導(dǎo)體層的溝道區(qū)在形成源極和漏極的刻蝕エ藝期間被刻蝕，在這種情況下，可能發(fā)生有源層被過度刻蝕的問題。另ー方面，在刻蝕阻擋型薄膜晶體管中，由于在半導(dǎo)體層上形成刻蝕阻擋，因此在形成源極和漏極的刻蝕エ藝期間不會對半導(dǎo)體層的溝道區(qū)進(jìn)行刻蝕，因而不必?fù)?dān)心有源層會被過度刻蝕。同吋，在刻蝕阻擋型薄膜晶體管的制造中，提供了ー種利用激光使有源層結(jié)晶的方法。下面將參照附圖來描述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的刻蝕阻擋型薄膜晶體管(下文稱為“薄膜晶體管”)。圖Ia到圖Ie是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)通過利用激光使有源層結(jié)晶來制造薄膜晶體管基板的エ藝步驟的截面視圖。首先，如圖Ia所示，柵極20形成在基板10上，并且柵絕緣膜25形成在基板的包括柵極20的整個(gè)表面上。接著，如圖Ib所示，在將有源層30a、刻蝕阻擋層40a和熱傳遞層45依次沉積在柵絕緣層25上之后，用激光照射以使有源層30a結(jié)晶。熱傳遞層45吸收激光的能量井向有源層30a傳遞所吸收的能量。更具體的，由于在激光直接照射有源層30a的情況下，有源層30a不能很好的吸收能量，所以利用易于吸收激光能量的金屬材料來向有源層30a傳遞能量。刻蝕阻擋層40a能夠在后面的刻蝕エ藝期間作為阻擋，并且也能夠防止構(gòu)成熱傳遞層的金屬和構(gòu)成有源層30a的硅材料在激光照射期間發(fā)生反應(yīng)。接著，如圖Ic所示，在熱傳遞層45被去除之后，對刻蝕阻擋層40a進(jìn)行構(gòu)圖以形成預(yù)定的刻蝕阻擋40。
接著，如圖Id所示，歐姆接觸層50a和源/漏極層60a被依次沉積在基板的包括刻蝕阻擋40的整個(gè)表面上。然后，如圖Ie所示，對源/漏極層60a進(jìn)行構(gòu)圖以形成源極62和漏極64，并以源極62和漏極64作為掩模對有源層30a和歐姆接觸層50a進(jìn)行刻蝕以形成預(yù)定圖案的歐姆接觸層50和有源層30。由于在源極62的左側(cè)區(qū)域和漏極64的右側(cè)區(qū)域沒有形成刻蝕阻擋40，因此歐姆接觸層50a和有源層30a —起被刻蝕。然而，由于在源極62和漏極64之間的溝道區(qū)形成有刻蝕阻擋40，因此只有歐姆接觸層50a被刻蝕。但是，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的前述薄膜晶體管有如下的問題如果在圖Ib的エ藝期間照射激光，柵極20會產(chǎn)生很強(qiáng)的應(yīng)力，因此在柵極20上形成的柵絕緣膜25會出現(xiàn)裂紋。為了解決上述問題，可以以較薄的厚度形成柵極20。然而，在這種情況下，會發(fā)生柵極20的電阻増大，并且薄膜晶體管的電流特性可能惡化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致カ于基本消除由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的ー個(gè)或更多個(gè)問題的ー種薄膜晶體管基板及其制造方法。本發(fā)明的ー個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供ー種薄膜晶體管基板及其制造方法，其中，柵極以較薄的厚度形成，以防止當(dāng)激光照射時(shí)柵極上所形成的柵絕緣膜出現(xiàn)裂紋，并在不増加?xùn)艠O電阻的情況下改善薄膜晶體管的電流特性。本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及特征將在以下的說明書中部分地進(jìn)行闡述，并且對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說在研究下文后將部分地變得明顯，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐來了解。本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過書面的說明書及權(quán)利要求書及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里所具體實(shí)施和廣泛描述的，ー種薄膜晶體管基板包括選通線和數(shù)據(jù)線，該選通線和數(shù)據(jù)線設(shè)置在基板上， 彼此交叉；柵扱，該柵極在選通線下方與選通線連接；有源層，該有源層形成在柵極上；刻蝕阻擋，該刻蝕阻擋形成在有源層上；歐姆接觸層，該歐姆接觸層形成在刻蝕阻擋上；源極和漏扱，該源極和漏極形成在歐姆接觸層上；以及像素電極，該像素電極與漏極連接。在本發(fā)明的另ー個(gè)方面，ー種薄膜晶體管基板的制造方法包括以下步驟在基板上形成柵極，并在柵極上形成選通線；在選通線上形成柵絕緣膜，在柵絕緣膜上形成有源層，并在有源層上形成刻蝕阻擋層；在刻蝕阻擋層上形成熱傳遞層，并通過激光照射使有源層結(jié)晶；在利用熱傳遞層作為掩模對刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕之后，去除熱傳遞層；在基板的包括刻蝕阻擋層的整個(gè)表面上形成歐姆接觸層，并在歐姆接觸層上形成源/漏極層；對有源層、刻蝕阻擋層、歐姆接觸層和源/漏極層進(jìn)行構(gòu)圖，來形成預(yù)定圖案的有源層、刻蝕阻擋、歐姆接觸層、源極和漏極；以及當(dāng)在基板的包括源極和漏極的整個(gè)表面上形成鈍化膜之后，形成與漏極相連接的像素電極。應(yīng)該理解，對本發(fā)明的前述概述和以下詳述都是示例性和解釋性的，并_在提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)ー步的解釋。


附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進(jìn)ー步理解，并結(jié)合到本申請中且構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的(多個(gè))實(shí)施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖Ia到圖Ie是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)通過利用激光使有源層結(jié)晶來制造薄膜晶體管基板的エ藝步驟的截面視圖；圖加是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面視圖，以及圖2b 是沿圖加的I-I線截取的截面視圖；圖3a到31是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的制造薄膜晶體管基板的方法的エ藝步驟的截面視圖；圖如是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面視圖，以及圖4b 是沿圖如的I-I線截取的截面視圖；以及圖fe到證是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的制造薄膜晶體管基板的方法的エ藝步驟的截面視圖。
具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，在附圖中例示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的示例。盡可能地在全部附圖中用相同的標(biāo)號代表相同或類似部件。圖加是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面視圖，以及圖2b 是沿圖加的I-I線截取的截面視圖。如圖加所示，選通線120和數(shù)據(jù)線170形成在基板100上，彼此交叉。柵極110連接至選通線120。柵極110與選通線120形成于不同的層，更具體的， 柵極110形成在選通線120的下面。源極172連接至數(shù)據(jù)線170，漏極174被形成為與源極172相対，并且與源極172 間隔開預(yù)定的間隔。源極172從數(shù)據(jù)線170分叉出。由于在源極172和漏極174彼此間隔開的溝道區(qū)形成有刻蝕阻擋150，因此防止了形成于刻蝕阻擋150下方的有源層被刻蝕。像素電極190連接至漏極174。像素電極190通過預(yù)設(shè)的接觸孔H與漏極174連接。將參照圖2b來描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面結(jié)構(gòu)。柵極110形成在基板100上，并且選通線120形成在柵極110上。選通線120形成在柵極110
的一端。柵絕緣膜130形成在基板的包括選通線120的整個(gè)表面上。有源層140形成在柵絕緣膜130上。盡管有源層140在柵極110上方與柵極110 交疊，但有源層140不與選通線120交疊。接著，如圖北所示，對受光照的光刻膠層200a進(jìn)行顯影以形成光刻膠圖案200。如果光刻膠層200a被顯影，對應(yīng)于半色調(diào)掩模250的非透光區(qū)251的光刻膠層原樣保留，對應(yīng)于半色調(diào)掩模250的半透光區(qū)253的光刻膠層部分地保留，對應(yīng)于半色調(diào)掩模250的透光區(qū)255的光刻膠層被完全去除。接著，如圖3c所示，利用光刻膠圖案200作為掩模對柵極層1 IOa和選通線層120a 進(jìn)行刻蝕。結(jié)果，形成柵極110圖案。然后，如圖3d所示，對光刻膠圖案200進(jìn)行灰化。結(jié)果，光刻膠圖案200的寬度和高度減小，因此僅有對應(yīng)于半色調(diào)掩模250的非透光區(qū)251的部分得以保留。接著，如圖3e所示，在利用灰化的光刻膠圖案200作為掩模對選通線120a進(jìn)行另外的刻蝕之后，光刻膠圖案被剝除。結(jié)果，形成選通線120圖案。如上所述，可以通過基于圖3a到圖加的半色調(diào)掩模エ藝(第一掩模エ藝)以不同的圖案在基板100上形成柵極110和選通線120。然而，本發(fā)明不限于上述エ藝，并且在通過掩模エ藝在基板100上對柵極110進(jìn)行構(gòu)圖之后，可以通過另外的掩模エ藝對選通線 120進(jìn)行構(gòu)圖。在本說明書中，“掩模エ藝”表示一系列エ藝，該一系列エ藝包括沉積用于圖案的材料層，在該材料層上沉積光刻膠層，通過利用掩模對光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影來形成光刻膠圖案，通過利用光刻膠圖案對材料層進(jìn)行刻蝕來形成預(yù)定圖案，以及剝除光刻膠圖案。接著，如圖3f所示，在選通線120上形成柵絕緣膜130，在柵絕緣膜130上形成有源層140a，并且在有源層140a上形成刻蝕阻擋層150a。如圖3g所示，在刻蝕阻擋層150a上形成熱傳遞層300之后，通過激光照射使有源層140a結(jié)晶?？梢詫⒓t外激光用做激光。由于有源層140a最后是以預(yù)定圖案形成的，因此不要求通過照射激光應(yīng)當(dāng)將有源層140a完全結(jié)晶，而是考慮到最后的圖案僅將有源層140a的預(yù)定區(qū)域結(jié)晶。因此，考慮到有源層140a的結(jié)晶區(qū)域而對用于向有源層140a傳遞激光的能量的熱傳遞層300進(jìn)行構(gòu)圖。此外，如果將激光照射到選通線120，由于選通線120產(chǎn)生的應(yīng)力，在選通線120上形成的柵絕緣膜130中可能會出現(xiàn)裂紋，因此要求不將激光照射到選通線120上。因此，優(yōu)選的將熱傳遞層300構(gòu)圖為不與選通線120交疊。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于考慮柵極110的位置而將紅外激光照射到柵極110， 柵極Iio較薄的形成，以防止形成在柵極110上的柵絕緣膜130中出現(xiàn)裂紋。由于紅外激光沒有照射到選通線120，因此選通線120較厚的形成，以防止柵極110的電阻増大。利用前述的掩模エ藝(第二掩模エ藝)可以進(jìn)行對熱傳遞層300構(gòu)圖的エ藝，以考慮有源層140a的結(jié)晶區(qū)域而不與選通線120交疊。熱傳遞層300可以由金屬制成，該金屬例如為鉬。接著，如圖池所示，在去除熱傳遞層300之后，對刻蝕阻擋層150a進(jìn)行構(gòu)圖，以形成預(yù)定的刻蝕阻擋150?？梢岳们笆龅难谀％ㄋ?第三掩模エ藝)對刻蝕阻擋150進(jìn)行構(gòu)圖。接著，如圖3i所示，在基板的包括刻蝕阻擋150的整個(gè)表面上形成歐姆接觸層 160a,并且在歐姆接觸層160a上形成源極172和漏極174。通過利用前述掩模ェ藝(第四掩模ェ藝)可以對源極172和漏極174進(jìn)行構(gòu)圖， 以彼此間隔開預(yù)定的間隔。
接著，如圖3j所示，利用源極172和漏極174作為掩模對有源層140a和歐姆接觸層160a進(jìn)行刻蝕。在這種情況下，盡管歐姆接觸層160a和有源層140a在沒有形成刻蝕阻擋150的區(qū)域一起被刻蝕，但是在形成有刻蝕阻擋150的溝道區(qū)僅歐姆接觸層160a被刻蝕，由此形成預(yù)定的歐姆接觸層160圖案和預(yù)定的有源層140圖案。接著，如圖3k所示，在基板的包括源極172和漏極174的整個(gè)表面上形成鈍化膜 180，并在鈍化膜中形成接觸孔H，以露出漏極174?？梢岳们笆鲅谀％ㄋ?第五掩模エ藝)進(jìn)行在鈍化膜180中形成接觸孔H的エ藝。接著，如圖31所示，在鈍化膜180上形成像素電極190。對像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以使像素電極190通過接觸孔H與漏極174相連接，可以利用前述掩模エ藝(第六掩模エ藝)進(jìn)行形成像素電極190的圖案的エ藝。同時(shí)，應(yīng)注意的是，通過包括一次半色調(diào)掩模エ藝的總共六個(gè)掩模エ藝來制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的薄膜晶體管基板。掩模エ藝的問題在于普遍需要昂貴的掩模， 使成本増加，并且エ藝步驟復(fù)雜，使生產(chǎn)率降低。以下將對根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式的能夠減少掩模エ藝次數(shù)的薄膜晶體管基板以及其制造方法進(jìn)行描述。圖如是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的平面視圖，以及圖4b 是沿圖如的I-I線截取的截面視圖。如圖如所示，選通線120和數(shù)據(jù)線170形成在基板100上，彼此交叉。柵極110連接至選通線120，并且形成在選通線120下面。源極172連接至數(shù)據(jù)線170，漏極174被形成為與源極172相対，并且與源極172 隔開預(yù)定的間隔。源極172從數(shù)據(jù)線170分叉出?？涛g阻擋150形成于源極172和漏極174彼此間隔開的溝道區(qū)?？涛g阻擋150形成在源極172和漏極174的下方，刻蝕阻擋150的寬度W與源極 172和漏極174的寬度相同。此外，由于刻蝕阻擋150設(shè)置有第一接觸孔Hl和第二接觸孔 H2，刻蝕阻擋150下面的有源層通過第一接觸孔Hl和第二接觸孔H2而露出來。參照稍后將描述的截面結(jié)構(gòu)和エ藝步驟，可更易于理解刻蝕阻擋150的這種結(jié)構(gòu)。像素電極190連接至漏極174。像素電極190通過第三接觸孔H3與漏極174連接。將參照圖4b描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板的截面結(jié)構(gòu)。柵極 110形成在基板100上，并且選通線120形成在柵極110上。選通線120形成于柵極110的
一立面。柵絕緣膜130形成在基板的包括選通線120的整個(gè)表面上，并且有源層140形成在柵絕緣膜130上。盡管有源層140在柵極110上方與柵極110交疊，但有源層140不與選通線120交疊。刻蝕阻擋150形成在有源層140上。由于刻蝕阻擋150設(shè)置有第一接觸孔Hl和第二接觸孔H2，有源層140的預(yù)定區(qū)域通過第一接觸孔Hl和第二接觸孔H2露出。歐姆接觸層160形成在刻蝕阻擋150上。在溝道區(qū)不形成歐姆接觸層160，并且歐姆接觸層160通過第一接觸孔Hl和第二接觸孔H2與有源層140相連接。源極172和漏極174形成在歐姆接觸層160之上。源極172形成在通過第一接觸孔Hl與有源層140相連接的歐姆接觸層160上，并且漏極174形成在通過第二接觸孔H2 與有源層140相連接的歐姆接觸層160上。在平面結(jié)構(gòu)中，源極172和漏極174的整個(gè)圖案與歐姆接觸層160的圖案相同。此外，除了有源層140額外地形成在源極172和漏極174之間的溝道區(qū)之外，有源層140以與歐姆接觸層160的圖案相同的圖案來形成。鈍化膜180形成在源極172和漏極174上。由于鈍化膜180設(shè)置有第三接觸孔 H3，因此漏極174的預(yù)定區(qū)域通過第三接觸孔H3而露出。鈍化膜180可以由無機(jī)膜或有機(jī)膜的單層膜制成，或者可以由無機(jī)膜和/或有機(jī)膜的多層膜制成。通過第三接觸孔H3與漏極174連接的像素電極190形成在鈍化膜180上。以與第一實(shí)施方式相同的方式，在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，由于柵極110較薄地形成，選通線120作為與柵極層110不同的層較厚地形成，因此可以解決在激光照射期間柵絕緣膜130中出現(xiàn)裂紋的問題，并且可以降低柵極110的電阻。下面將描述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的制造薄膜晶體管基板的方法。圖fe到證是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的制造薄膜晶體管基板的方法的エ藝步驟的截面視圖，并與圖如的I-I線的截面對應(yīng)。首先，如圖fe所示，在基板100上對柵極110進(jìn)行構(gòu)圖，并且在柵極110上對選通線120進(jìn)行構(gòu)圖?？梢杂门c根據(jù)第一實(shí)施方式的方法相同的方法形成柵極110和選通線120。換句話說，可以利用如圖3a至圖加所示的半色調(diào)掩模エ藝(第一掩模エ藝)對柵極110和選通線120進(jìn)行構(gòu)圖。接著，如圖恥所示，在選通線120上形成柵絕緣膜130，在柵絕緣膜130上形成有源層140a，并且在有源層140a上形成刻蝕阻擋層150a。如圖5c所示，在刻蝕阻擋層150a上形成熱傳遞層300之后，通過激光照射使有源層140a結(jié)晶。以與第一實(shí)施方式相同的方式，不要求有源層140a應(yīng)當(dāng)完全結(jié)晶，而是考慮到最后的圖案僅將有源層140a的預(yù)定區(qū)域結(jié)晶。因此，考慮到有源層140a的結(jié)晶區(qū)域，對熱傳遞層300進(jìn)行構(gòu)圖。此外，要求激光不應(yīng)當(dāng)照射到選通線120上，以防止柵絕緣膜130中出現(xiàn)裂紋。因此，熱傳遞層300被構(gòu)圖為不與選通線120交疊。此外，如同將從以下エ藝了解到的一祥，熱傳遞層300用作用于形成刻蝕阻擋圖案的掩模。為此，熱傳遞層300被構(gòu)圖為具有第一狹縫hi和第二狹縫h2。如上所述，盡管熱傳遞層300設(shè)置有第一狹縫hi和第二狹縫h2，但是如果適當(dāng)控制狹縫hi和h2的尺寸， 激光的能量可以被傳遞到狹縫hi和h2下方的有源層140a，因此，在有源層140a的結(jié)晶方面是沒有問題的?？梢酝ㄟ^使用金屬(如鉬)的前述掩模ェ藝(第二掩模ェ藝)形成前述熱傳遞層 300。
接著，如圖5d所示，在利用熱傳遞層300作為掩模對熱傳遞層300下方的刻蝕阻擋層150a進(jìn)行刻蝕之后，熱傳遞層300被去除。結(jié)果，形成具有對應(yīng)于第一狹縫hi的第一接觸孔Hl和對應(yīng)于第二狹縫h2的第二接觸孔H2的刻蝕阻擋層150a。接著，如圖ぉ所示，在基板的包括刻蝕阻擋150a的整個(gè)表面上形成歐姆接觸層 160a之后，在歐姆接觸層160a上形成源/漏極層170a，并在源/漏極層170a上形成光刻膠層200a，通過采用半色調(diào)掩模250將光照射到光刻膠層200a上。半色調(diào)掩模250包括光不能透過的非透光區(qū)251、光部分地透過的半透光區(qū)253和光完全透過的透光區(qū)255。接著，如圖5f所示，對受光照的光刻膠層200a進(jìn)行顯影，以形成光刻膠圖案200。如果光刻膠層200a被顯影，對應(yīng)于半色調(diào)掩模250的非透光區(qū)251的光刻膠層原樣保留，對應(yīng)于半色調(diào)掩模250的半透光區(qū)253的光刻膠層部分地保留，對應(yīng)于半色調(diào)掩模 250的透光區(qū)255的光刻膠層被完全被去除。接著，如圖5g所示，利用光刻膠圖案200作為掩模對有源層140a、刻蝕阻擋層 150a、歐姆接觸層160a和源/漏極層170a進(jìn)行刻蝕。結(jié)果，形成有源層140圖案和刻蝕阻擋150圖案。然后，如圖證所示，對光刻膠圖案200進(jìn)行灰化。結(jié)果，光刻膠圖案200的寬度和高度減小，因此僅有對應(yīng)于半色調(diào)掩模250的非透光區(qū)251的部分得以保留。接著，如圖5i所示，在利用灰化的光刻膠圖案200作為掩模對源/漏極層170a和歐姆接觸層160a進(jìn)行另外的刻蝕之后，光刻膠圖案200被剝除。結(jié)果，形成歐姆接觸層160 圖案、源極172圖案和漏極174圖案。如上所述，可以通過基于圖k到圖5i的半色調(diào)掩模エ藝(第三掩模エ藝)對有源層140、刻蝕阻擋150、歐姆接觸層160、源極172和漏極174進(jìn)行構(gòu)圖。接著，如圖5j所示，在基板的包括源極172和漏極174的整個(gè)表面上形成鈍化膜 180，并且在鈍化膜180中形成第三接觸孔H3，以露出漏極174?？梢岳们笆鲅谀％ㄋ?第四掩模エ藝)進(jìn)行在鈍化膜180中形成第三接觸孔H3 的エ藝。接著，如圖證所示，在鈍化膜180上形成像素電極190。對像素電極190進(jìn)行構(gòu)圖，以使像素電極190通過第三接觸孔H3與漏極174相連接，利用前述掩模エ藝(第五掩模エ藝)進(jìn)行形成像素電極190的圖案的エ藝。應(yīng)注意的是，通過包括兩次半色調(diào)掩模エ藝的總共五個(gè)掩模エ藝來制造根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的薄膜晶體管基板。在這種情況下，與第一實(shí)施方式相比，減少了一次掩模エ藝，因此可以降低成本并提高生產(chǎn)率。另外，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，由于利用半色調(diào)掩模對有源層140、刻蝕阻擋 150、歐姆接觸層160、源極172和漏極174進(jìn)行構(gòu)圖，可以使薄膜晶體管的整個(gè)區(qū)域最小化， 因此可以增大顯示器的開ロ率。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得以下有益效果。由于柵極和選通線形成為彼此不同的各自的層，受激光照射的柵極以較薄的厚度形成，不受激光照射的選通線以較厚的厚度形成，因此可以防止在激光照射期間在柵絕緣膜中出現(xiàn)裂紋，并且可以防止柵極的電阻増大。
此外，由于將向有源層傳遞激光的能量的熱傳遞層用作掩模用于形成刻蝕阻擋圖案，因此可以減少掩模エ藝的次數(shù)，由此可以降低成本并可以提高生產(chǎn)率。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以對本發(fā)明做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明_在涵蓋本發(fā)明的落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.ー種薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板包括選通線和數(shù)據(jù)線，該選通線和數(shù)據(jù)線設(shè)置在基板上，彼此交叉； 柵極，該柵極在所述選通線下方與所述選通線連接； 有源層，該有源層形成在所述柵極上； 刻蝕阻擋，該刻蝕阻擋形成在所述有源層上； 歐姆接觸層，該歐姆接觸層形成在所述刻蝕阻擋上； 源極和漏扱，該源極和漏極形成在所述歐姆接觸層上；以及像素電極，該像素電極與所述漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述柵極被形成為具有比所述選通線的厚度薄的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述有源層被形成為與所述選通線不交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述刻蝕阻擋設(shè)置有第一接觸孔和第二接觸孔以露出所述有源層的預(yù)定區(qū)域，并且所述歐姆接觸層通過所述第一接觸孔和所述第二接觸孔與所述有源層連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述刻蝕阻擋被形成為具有與所述源極和漏極寬度相同的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述歐姆接觸層被形成為與所述源極和漏極的圖案相同的圖案。
7.ー種薄膜晶體管基板的制造方法，該方法包括以下步驟 在基板上形成柵極，并在所述柵極上形成選通線；在所述選通線上形成柵絕緣膜，在所述柵絕緣膜上形成有源層，并在所述有源層上形成刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上形成熱傳遞層，并通過激光照射使所述有源層結(jié)晶； 在利用所述熱傳遞層作為掩模對所述刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕之后，去除所述熱傳遞層； 在所述基板的包括所述刻蝕阻擋層的整個(gè)表面上形成歐姆接觸層，并在所述歐姆接觸層上形成源/漏極層；對所述有源層、所述刻蝕阻擋層、所述歐姆接觸層和所述源/漏極層進(jìn)行構(gòu)圖，來形成預(yù)定圖案的所述有源層、刻蝕阻擋、所述歐姆接觸層、源極和漏極；以及當(dāng)在所述基板的包括所述源極和所述漏極的整個(gè)表面上形成鈍化膜之后，形成與所述漏極相連接的像素電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述熱傳遞層被形成為與所述選通線不交疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述熱傳遞層被構(gòu)圖為具有第一狹縫和第二狹縫，并且利用所述熱傳遞層作為掩模對所述刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕的步驟包括形成具有對應(yīng)于所述第一狹縫的第一接觸孔和對應(yīng)于所述第二狹縫的第二接觸孔的刻蝕阻擋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，利用半色調(diào)掩模ェ藝進(jìn)行形成預(yù)定圖案的所述有源層、所述刻蝕阻擋、所述歐姆接觸層、所述源極和所述漏極的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管基板及其制造方法，其中該薄膜晶體管包括選通線和數(shù)據(jù)線，該選通線和數(shù)據(jù)線設(shè)置在基板上，彼此交叉；柵極，該柵極在所述選通線下方與所述選通線連接；有源層，該有源層形成在所述柵極上；刻蝕阻擋，該刻蝕阻擋形成在所述有源層上；歐姆接觸層，該歐姆接觸層形成在所述刻蝕阻擋上；源極和漏極，該源極和漏極形成在所述歐姆接觸層上；以及像素電極，該像素電極與所述漏極連接。本發(fā)明可以防止在激光照射期間在柵絕緣膜中出現(xiàn)裂紋，并且可以防止柵極電阻的增大。
文檔編號H01L21/77GK102569307SQ20111039692
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者金杞泰 申請人:樂金顯示有限公司