專利名稱：晶體硅太陽能電池的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的制備方法，屬于晶體硅太陽能電池制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在現(xiàn)有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽能電池中，晶體硅太陽能電池是得到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時晶體硅太陽能電池相比其他類型的太陽能電池，有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機械性能。因此， 晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。研發(fā)高性價比的晶體硅太陽能電池已經(jīng)成為各國光伏企業(yè)的主要研究方向之一?，F(xiàn)有的晶體硅太陽能電池的制備工藝流程包括制絨一擴散一刻邊一去雜質(zhì)玻璃層一鍍設(shè)減反射膜一印刷一燒結(jié)。其中，印刷是指在硅片背面絲網(wǎng)印刷背電極、背電場，在硅片正面絲網(wǎng)印刷正面電極。然而，在正面電極燒結(jié)時，電導(dǎo)性和穿透性難以兼顧；這些因素增加了晶體硅太陽能電池的接觸電阻，損失了晶體硅太陽能電池的電性能，一定程度上降低了晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種晶體硅太陽能電池的制備方法，以降低晶體硅太陽能電池的接觸電阻。為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種晶體硅太陽能電池的制備方法， 包括如下步驟制絨一擴散一刻邊一去雜質(zhì)玻璃層一鍍設(shè)減反射膜一局部去除減反射膜一清洗一印刷一燒結(jié)，即可得到所述晶體硅太陽能電池；
所述局部去除減反射膜采用腐蝕性漿料腐蝕去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；
所述印刷步驟中，使正面電極與硅片正面直接接觸。上文中，利用腐蝕性漿料腐蝕去除減反射膜，使正面電極與硅直接接觸，形成良好的接觸電阻，提高了晶體硅太陽能電池的電性能，有效增加晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。上文中，除了局部去除減反射膜、清洗2步驟之外，其他步驟均可以采用現(xiàn)有技術(shù)。上述技術(shù)方案中，所述減反射膜為氮化硅，所述腐蝕性漿料的主要成分為氟化銨。 所述腐蝕性漿料可以采用現(xiàn)有技術(shù)，只要可以腐蝕去除減反射膜即可。由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點
1.本發(fā)明增加了局部去除減反射膜步驟，使印刷的正面電極與硅直接接觸，形成良好的接觸電阻，提高了晶體硅太陽能電池的電性能，有效增加晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，試驗證明，相比現(xiàn)有的制備工藝，經(jīng)本發(fā)明的方法制備得到的太陽能電池的接觸電阻大大減小，光電轉(zhuǎn)換效率有0.洲左右的絕對提升，取得了意想不到的技術(shù)效果。
2.本發(fā)明的制備方法簡單，易于操作，適合大規(guī)模生產(chǎn)。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步描述 實施例一
一種晶體硅太陽能電池的制備方法，包括如下步驟
(1)將硅片(單晶M156)進行前道化學(xué)預(yù)清洗和絨面腐蝕；
(2)在P型硅片的正面，磷擴散N層；
(3)等離子刻蝕，去除硅片側(cè)面擴散層；
(4)去除磷硅玻璃；
(5)在P型硅片的正面，PECVD沉積氮化硅膜；
(6)使用含有氟化氨的腐蝕性漿料將正面的氮化硅膜層局部去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；
(7)清洗除去腐蝕性漿料；
(8)絲網(wǎng)印刷背電極、背電場和正面電極，并使正面電極與硅片正面直接接觸； (9 )燒結(jié)，得到所述晶體硅太陽能電池。將上述制得的太陽能電池在AMI. 5、光強1000W，溫度25°C條件下測量其電性能參數(shù)，結(jié)果如下
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟制絨一擴散一刻邊一去雜質(zhì)玻璃層一鍍設(shè)減反射膜一局部去除減反射膜一清洗一印刷一燒結(jié)，即可得到所述晶體硅太陽能電池；所述局部去除減反射膜采用腐蝕性漿料腐蝕去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；所述印刷步驟中，使正面電極與硅片正面直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述減反射膜為氮化硅，所述腐蝕性漿料的主要成分為氟化銨。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的制備方法，包括如下步驟制絨—擴散—刻邊—去雜質(zhì)玻璃層—鍍設(shè)減反射膜—局部去除減反射膜—清洗—印刷—燒結(jié)，即可得到所述晶體硅太陽能電池；所述局部去除減反射膜采用腐蝕性漿料腐蝕去除，腐蝕去除的減反射膜的形狀與正面電極的圖案相同；所述印刷步驟中，使正面電極與硅片正面直接接觸。本發(fā)明可使印刷的正面電極與硅直接接觸，形成良好的接觸電阻，提高了晶體硅太陽能電池的電性能，有效增加晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，試驗證明，相比現(xiàn)有的制備工藝，經(jīng)本發(fā)明的方法制備得到的太陽能電池的接觸電阻大大減小，光電轉(zhuǎn)換效率有0.2%左右的絕對提升，取得了意想不到的技術(shù)效果。
文檔編號H01L31/18GK102403409SQ20111037857
公開日2012年4月4日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者黨繼東, 孟祥熙, 徐義勝, 王永偉, 章靈軍, 費正洪, 賈潔靜, 辛國軍 申請人:蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司, 阿特斯(中國)投資有限公司