專利名稱：Dmos器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及ー種DMOS器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體芯片的制造エ藝完成后，通過(guò)電測(cè)試的硅片就需要進(jìn)行單個(gè)芯片的裝配和封裝，這些在最終裝配和封裝中進(jìn)行的エ序，被稱為后道エ序，后道エ序還包括一級(jí)封裝和ニ級(jí)封裝等。其中一級(jí)封裝包括背面減薄、分片、裝架以及引線鍵合等エ藝過(guò)程。在引線鍵合過(guò)程中，需要將芯片表面的金屬壓點(diǎn)與引線框架上或基座上的電極內(nèi)端(也稱為柱)進(jìn)行電性連接，在此之前，對(duì)于DMOS器件，需要先識(shí)別器件的柵區(qū)和源區(qū)，之后，再采用金屬引線將位于器件柵區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)表面的金屬壓點(diǎn)與引線框架或基座上的電極內(nèi)端連接起來(lái)?，F(xiàn)有技術(shù)中對(duì)DMOS器件的柵區(qū)和源區(qū)進(jìn)行識(shí)別的設(shè)備多通過(guò)二者的色差進(jìn)行識(shí)另IJ，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在識(shí)別過(guò)程中，往往出現(xiàn)對(duì)源區(qū)和柵區(qū)識(shí)別不清的問(wèn)題，一旦對(duì)源區(qū)和柵區(qū)識(shí)別不清，則在后續(xù)的引線鍵合過(guò)程的出現(xiàn)連接錯(cuò)誤的可能性就很大，從而導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了ー種DMOS器件及其制造方法，能夠清楚的識(shí)別DMOS器件的柵區(qū)和源區(qū)，從而提高引線鍵合過(guò)程的準(zhǔn)確性。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:ー種DMOS器件制造方法，包括:提供基底，所述基底包括有源區(qū)和位于所述有源區(qū)表面上的層間介質(zhì)ILD層，其中，位于有源區(qū)表面上的ILD層內(nèi)具有鎢塞，所述ILD層表面和所述鎢塞表面平齊；去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料，以使ILD層和所述鎢塞表面具有高度差。優(yōu)選的，去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料后，所述DMOS器件源區(qū)表面上的金屬區(qū)域和柵區(qū)表面上的金屬區(qū)域反光能力不同。優(yōu)選的，去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料的過(guò)程具體為，采用各向異性刻蝕エ藝去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料。
toon] 優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)厚度為1800 A-2200 A。優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)厚度為2000 A。優(yōu)選的，所述各向異性刻蝕エ藝所采用的刻蝕氣體包括CF4、CHF3和氬氣。優(yōu)選的，所述各向異性刻蝕エ藝所采用的刻蝕氣體中CF4的濃度在16sccm_20sccm以內(nèi)，CHF3的濃度在60cm_80cm以內(nèi)，気氣的濃度在80sccm_120sccm以內(nèi)。優(yōu)選的，所述各向異性刻蝕エ藝的刻蝕時(shí)間為60s。優(yōu)選的，還包括:在具有高度差的ILD層和所述鎢塞表面形成金屬層，進(jìn)入金屬互連過(guò)程；
完成金屬互連過(guò)程后，在金屬層上形成壓焊點(diǎn)；進(jìn)行低溫合金エ藝，完成DMOS器件的制作過(guò)程。本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了采用上述方法制作的DMOS器件，所述DMOS器件的ILD層
和鎢塞表面具有高度差。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，通過(guò)在形成鎢塞之后，即進(jìn)行了金屬鎢的化學(xué)機(jī)械研磨后，増加了對(duì)ILD層的回刻過(guò)程，經(jīng)過(guò)此次回刻過(guò)程，使得鎢塞表面和ILD層表面不再齊平，從而使得后續(xù)形成金屬層及壓焊點(diǎn)之后，源區(qū)部位和柵區(qū)部位表面的金屬區(qū)域也不再平齊，由于柵區(qū)的鎢塞數(shù)量與源區(qū)的鎢塞數(shù)量不同，從而使得柵區(qū)表面的金屬區(qū)域的剖面形狀與源區(qū)表面的金屬區(qū)域的剖面形狀不同，進(jìn)而使得柵區(qū)表面的金屬區(qū)域與區(qū)表面的金屬區(qū)域的反光能力不同，使得在進(jìn)行識(shí)別時(shí)，識(shí)別光束打到產(chǎn)品晶片上后，柵區(qū)和源區(qū)存在色差，從而能夠通過(guò)色差清楚的識(shí)別DMOS器件的柵區(qū)和源區(qū)，提高了后續(xù)引線鍵合過(guò)程的準(zhǔn)確性。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中形成鎢塞后的DMOS器件剖面的電子顯微照片；圖2為對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的DMOS器件進(jìn)行識(shí)別時(shí)的電子顯微照片；圖3-圖5為本發(fā)明實(shí)施例一公開(kāi)的DMOS器件制造方法的剖面圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例的方法制作出的DMOS器件的電子顯微照片；圖7為對(duì)本實(shí)施例中的DMOS器件進(jìn)行識(shí)別時(shí)的電子顯微照片。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)部分所述，采用現(xiàn)有技術(shù)中的識(shí)別設(shè)備在對(duì)DMOS器件的柵區(qū)和源區(qū)進(jìn)行識(shí)別時(shí)，往往出現(xiàn)識(shí)別不清的問(wèn)題，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)這種情況的原因是，DMOS器件制作過(guò)程中，在進(jìn)行金屬連線以及形成壓焊點(diǎn)之前，需進(jìn)行兩次化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)，一次是層間介質(zhì)層(ILD層)的CMP，一次是金屬鎢的CMP，在金屬互連過(guò)程，在經(jīng)過(guò)這兩次CMP過(guò)程之后，芯片的表面已經(jīng)變得非常平整了。如圖1所示，圖1為形成鎢塞后的芯片剖面的電子顯微照片，從圖中可以看出位于源區(qū)部位的鎢塞的表面與柵區(qū)表面ILD層表面基本齊平，因此在進(jìn)行識(shí)別時(shí)，識(shí)別的光打到芯片表面后，柵區(qū)和源區(qū)對(duì)光的反射能力相差很小，從而導(dǎo)致通過(guò)色差很難看出源區(qū)和柵區(qū)的區(qū)別，如圖2所示，圖2為進(jìn)行識(shí)別時(shí)芯片的電子顯微照片，從圖中很難區(qū)分出源區(qū)和柵區(qū)。因此，發(fā)明人考慮，如果采用一定的手段使芯片的源區(qū)和柵區(qū)表面的金屬區(qū)域?qū)獾姆瓷淠芰τ兴鶇^(qū)別，在識(shí)別過(guò)程中即可通過(guò)色差來(lái)識(shí)別源區(qū)和柵區(qū)了。由于芯片制作完成后，源區(qū)和柵區(qū)表面均為金屬材質(zhì)的壓焊點(diǎn)，改變金屬表面反光能力的方法包括改變金屬表面的凹凸程度，或者改變金屬表面的高度?；谝陨纤枷耄l(fā)明人考慮，若柵區(qū)和源區(qū)表面的金屬具有一定的高度差，或許使二者的反光能力有所差別?；谏鲜鲅芯康幕A(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例提供了ー種DMOS器件及其制作方法，其中，該方法包括以下步驟:提供基底，所述基底包括位于柵區(qū)表面上的層間介質(zhì)ILD層以及位于源區(qū)表面上的鎢塞，所述ILD層和所述鎢塞表面平齊；去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料，以使ILD層和所述鎢塞表面具有高度差。本發(fā)明實(shí)施例中在形成鎢塞后，増加了對(duì)ILD層的回刻過(guò)程，使得鎢塞表面和ILD層表面不再齊平，從而使得后續(xù)形成金屬層及壓焊點(diǎn)之后，源區(qū)部位和柵區(qū)部位表面的金屬區(qū)域也不再平齊，由于柵區(qū)的鎢塞數(shù)量與源區(qū)的鎢塞數(shù)量不同，從而使得柵區(qū)表面的金屬區(qū)域的剖面形狀與源區(qū)表面的金屬區(qū)域的剖面形狀不同，進(jìn)而使得柵區(qū)表面的金屬區(qū)域與區(qū)表面的金屬區(qū)域的反光能力不同，使得在進(jìn)行識(shí)別時(shí)，識(shí)別光束打到產(chǎn)品晶片上后，柵區(qū)和源區(qū)存在色差，從而能夠通過(guò)色差清楚的識(shí)別DMOS器件的柵區(qū)和源區(qū)，提高了后續(xù)引線鍵合過(guò)程的準(zhǔn)確性。以上是本發(fā)明實(shí)施例的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)的DMOS器件制造方法各步驟的剖面圖如圖3和圖4所示，包括以下步驟:步驟1:提供基底，所述基底包括有源區(qū)和位于所述有源區(qū)表面上的層間介質(zhì)ILD層109，其中，位于有源區(qū)表面上的ILD層內(nèi)具有鎢塞108，所述ILD層109表面和所述鎢塞108表面平齊；需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的基底可以包括半導(dǎo)體元素，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，也可以包括混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、銻化銦、碲化鉛、神化銦、磷化銦、神化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合；也可以是絕緣體上硅(SOI)。此外，半導(dǎo)體基底還可以包括其它的材料，例如外延層或掩埋層的多層結(jié)構(gòu)。雖然在此描述了可以形成基底的材料的幾個(gè)示例，但是可以作為半導(dǎo)體基底的任何材料均落入本發(fā)明的精神和范圍。具體的，如圖3所示，本實(shí)施例中所述基底包括以下結(jié)構(gòu):本體層101，所述本體層包括漏區(qū)(圖中未示出)；位于本體層表面上的外延層102 ；位于外延層102表面內(nèi)的阱區(qū)103以及位于阱區(qū)103內(nèi)的源區(qū)104 ；
位于外延層102表面上的柵區(qū)106,柵區(qū)106被柵介質(zhì)層105 ( 一般為柵氧化層)包圍，所述有源區(qū)包括源區(qū)104和柵區(qū)106 ；位于外延層102表面上的場(chǎng)氧化層110，以隔離器件；位于所述有源區(qū)表面上的層間介質(zhì)ILD層109，其中，位于源區(qū)表面上ILD層109內(nèi)具有鎢塞108，所述ILD層109表面和所述鎢塞108表面平齊。其中，形成以上基底結(jié)構(gòu)的エ藝過(guò)程如下:本實(shí)施例中的外延層102可為采用CVDエ藝在本體層上一次性生長(zhǎng)的N型或P型外延層，外延層的厚度可按照器件的具體應(yīng)用要求確定。本實(shí)施例中的本體層101可為硅襯底。之后，在外延層上生長(zhǎng)ー層薄氧化層作為注入阻擋層(圖中未示出)，注入阻擋層的作用是在進(jìn)行離子注入的過(guò)程中，防止雜質(zhì)原子或離子從外延層的硅中擴(kuò)散出去；所述注入阻擋層可以采用CVD或熱氧化工藝形成。本實(shí)施例中形成阱區(qū)和源區(qū)的過(guò)程如下，先在注入阻擋層上旋涂光刻膠層，為了保證曝光精度，還可在光刻膠層和注入阻擋層之間形成抗反射層(圖中未示出)，以減少不必要的反射；之后采用具有阱區(qū)圖形的掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，在所述光刻膠層上形成阱區(qū)的圖案，之后以具有阱區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜采用離子注入的方式形成阱區(qū)的離子注入層，之后去除光刻膠層，采用熱退火エ藝，對(duì)阱區(qū)的離子注入層進(jìn)行推進(jìn)并激活注入的P型或N型雜質(zhì)，形成阱區(qū)，該步驟的熱退火エ藝也可采用快速熱退火エ藝。同樣的，形成阱區(qū)后，可采用光刻エ藝形成源區(qū)的光刻膠圖案，之后以具有源區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜，采用離子注入的方式形成源區(qū)的離子注入層，之后采用熱退火エ藝推進(jìn)并激活注入的雜質(zhì)，形成阱區(qū)和源區(qū)的エ藝過(guò)程類似，這里不再贅述。形成源區(qū)后，采用光刻和刻蝕エ藝，在阱區(qū)表面內(nèi)柵區(qū)位置形成溝槽，之后，在溝槽表面采用熱氧化工藝形成柵介質(zhì)層105，采用CVD (化學(xué)氣相淀積)、PECVD (等離子體化學(xué)氣相淀積)、HDP (高密度等離子體化學(xué)氣相淀積)或PVD (物理氣相淀積)等エ藝，在溝槽內(nèi)填充柵區(qū)材料，去除溝槽外多余的柵區(qū)材料，使外延層表面齊平，從而形成柵區(qū)106。其中，柵介質(zhì)層材料可以為SrTiO3, HfO2, ZrO2、氧化硅等，本實(shí)施例中優(yōu)選為氧化硅，柵區(qū)材料可以為柵多晶硅或金屬，本實(shí)施例中優(yōu)選為柵多晶硅。需要說(shuō)明的是，以上形成柵區(qū)和源區(qū)的過(guò)程可以互換，即也可以先形成柵區(qū)，后形成源區(qū)，可根據(jù)具體エ藝情況而定，本實(shí)施例中對(duì)此不做過(guò)多限定。形成柵區(qū)106和源區(qū)104后，形成ILD層109和鎢塞108，其過(guò)程如下:在具有柵區(qū)和源區(qū)的襯底表面上形成ILD層，本實(shí)施例中CVD、LPTEOS, PECVD或HDP等方法，形成ILD層，該ILD層材料可為硅玻璃(簡(jiǎn)稱USG)、硼磷硅玻璃(簡(jiǎn)稱BPSG)中的一種或組合。之后，為了保證ILD層表面的平整，再采用CMP等方法將所述ILD層材料進(jìn)行研磨。形成鎢塞108的過(guò)程為:在源區(qū)104和柵區(qū)106上方的ILD層內(nèi)形成通孔，具體的，可采用光刻エ藝和刻蝕エ藝在源區(qū)上方的ILD層內(nèi)形成通孔，之后采用PVDエ藝在所述通孔的底部和側(cè)壁淀積ー薄層金屬鈦，以充當(dāng)鎢與源區(qū)材料(一般為氧化硅)間的黏合剤，之后在金屬鈦的表面淀積氮化鈦，以充當(dāng)金屬鎢的擴(kuò)散阻擋層。在完成金屬鈦和氮化鈦的淀積后，一般需進(jìn)行快速熱退火步驟，以使金屬鈦和氮化鈦表面變得光滑且均勻；之后，可采用化學(xué)氣相淀積的方式在所述通孔內(nèi)填充金屬鎢，之后再采用CMP的方法去除掉通孔外多余的金屬鎢，以形成鎢塞108，該CMP過(guò)程同時(shí)會(huì)去除掉一定厚度的ILD層材料，此次CMP后，鎢塞表面和ILD層表面平齊，如圖1所示，本實(shí)施例中的ILD層和鎢塞的厚度可根據(jù)器件的具體情況而定，本實(shí)施例中不做過(guò)多限定。以上所述的“外延層表面內(nèi)”是指由外延層表面向下延伸的一定深度的區(qū)域，該區(qū)域?qū)儆谕庋訉拥囊徊糠郑凰觥巴庋訉訉颖砻嫔稀笔侵赣赏庋訉颖砻嫦蛏系膮^(qū)域，該區(qū)域不屬于外延層本身。步驟2:如圖4所示，去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料，以使ILD層109和所述鎢塞108表面具有高度差。本實(shí)施例中可采用干法刻蝕中的各向異性刻蝕エ藝去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料，所述預(yù)設(shè)厚度為1800 A-2200 A,即ILD層表面比鎢塞表面低1800A-2200 A的厚度，優(yōu)選的，所述預(yù)設(shè)厚度為2000 K。具體的，所述各向異性刻蝕エ藝所采用的刻蝕氣體包括CF4、CHF3和氬氣，其中，CF4的濃度在16sccm_20sccm以內(nèi)，CHF3的濃度在60sccm_80sccm以內(nèi)，U1氣的濃度在80sccm-120sccm以內(nèi)，所述各向異性刻蝕エ藝的刻蝕時(shí)間為60s。在去掉一定厚度的ILD層材料后，該方法還包括以下步驟:步驟3:如圖5所示，在具有高度差的ILD層和所述鎢塞表面形成金屬層，進(jìn)入金屬互連過(guò)程，并在所述本體層的漏區(qū)濺射金屬，以形成漏極(圖中未示出)；所述金屬層可為三明治結(jié)構(gòu)的金屬層，具體的，先在具有鎢塞的ILD層表面上淀積金屬鈦，作為鎢塞和形成電極的金屬之間的黏合劑，之后在金屬鈦上淀積鋁銅合金，最后在鋁銅合金層上淀積氮化鈦，上述三層金屬薄膜稱為三明治結(jié)構(gòu)。一般情況下，多采用物理氣相淀積的方式形成三明治結(jié)構(gòu)的各金屬層。之后進(jìn)行三明治結(jié)構(gòu)金屬層的光刻和刻蝕步驟，去除源區(qū)和柵區(qū)外的金屬層材料，以在所述柵區(qū)上形成柵極，在所述源區(qū)上形成源扱。進(jìn)行刻蝕之后，一般需進(jìn)行在擴(kuò)散爐內(nèi)進(jìn)行加溫，以降低接觸電阻，期間也可通入氮?dú)?，以保證加溫過(guò)程的安全。完成金屬互連過(guò)程后，在金屬層上形成壓焊點(diǎn)；在金屬層表面上形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋除壓焊點(diǎn)之外的其它金屬層區(qū)域；進(jìn)行低溫合金エ藝，完成DMOS器件的制作過(guò)程。本發(fā)明實(shí)施例中在形成鎢塞后，増加了對(duì)ILD層的回刻過(guò)程，使得鎢塞表面和ILD層表面不再齊平，從而使得后續(xù)形成金屬層及壓焊點(diǎn)之后，源區(qū)部位和柵區(qū)部位表面的金屬區(qū)域也不再平齊，如圖5所示，即柵區(qū)和源區(qū)表面的金屬區(qū)域變得凹凸不平了，由于柵區(qū)的鎢塞數(shù)量與源區(qū)的鎢塞數(shù)量不同，本實(shí)施例中柵區(qū)的鎢塞數(shù)量小于源區(qū)的鎢塞數(shù)量，從而使得柵區(qū)表面的金屬區(qū)域111的剖面形狀與源區(qū)表面的金屬區(qū)域112的剖面形狀不同，進(jìn)而使得柵區(qū)表面的金屬區(qū)域111與源區(qū)表面的金屬區(qū)域112的反光能力不同，使得在進(jìn)行識(shí)別時(shí)，識(shí)別光束打到產(chǎn)品晶片上后，柵區(qū)和源區(qū)存在色差，即可通過(guò)色差清楚的識(shí)別DMOS器件的柵區(qū)和源區(qū)，提高了后續(xù)引線鍵合過(guò)程的準(zhǔn)確性。本實(shí)施例中所述的引線鍵合過(guò)程可采用熱壓鍵合、超聲鍵合、熱超聲球鍵合等エ藝，其中采用的引線可為鋁線、銅線或金線等，本實(shí)施例對(duì)后續(xù)封裝エ藝不做具體限定。本發(fā)明另一實(shí)施例公開(kāi)了ー種采用以上實(shí)施例所述的方法制作的DMOS器件，具體的，該DMOS器件包括:有源區(qū)和位于所述有源區(qū)表面上的層間介質(zhì)ILD層，其中，位于源區(qū)表面上的ILD層內(nèi)具有鎢塞，ILD層和鎢塞表面具有高度差。如圖6所示，為采用本發(fā)明實(shí)施例的方法制作出的DMOS器件在進(jìn)行ILD的回刻后的顯微照片，從圖中可以看出位于柵區(qū)表面的金屬區(qū)域與區(qū)表面的金屬區(qū)域的反光能カ不同，因此在進(jìn)行識(shí)別時(shí)，識(shí)別的光打到芯片表面后，柵區(qū)和源區(qū)會(huì)出現(xiàn)色差，從而可以通過(guò)色差識(shí)別源區(qū)和柵區(qū)，如圖7所示，圖7為對(duì)本實(shí)施例中的DMOS器件進(jìn)行識(shí)別時(shí)的電子顯微照片，從圖中很容易分辨出源區(qū)I和柵區(qū)2。本說(shuō)明書(shū)中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種DMOS器件制造方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底包括有源區(qū)和位于所述有源區(qū)表面上的層間介質(zhì)ILD層，其中，位于有源區(qū)表面上的ILD層內(nèi)具有鎢塞，所述ILD層表面和所述鎢塞表面平齊； 去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料，以使ILD層和所述鎢塞表面具有高度差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料后，所述DMOS器件源區(qū)表面上的金屬區(qū)域和柵區(qū)表面上的金屬區(qū)域反光能力不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料的過(guò)程具體為，采用各向異性刻蝕エ藝去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度為1800A-2200 A0
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)厚度為2000A。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述各向異性刻蝕エ藝所采用的刻蝕氣體包括CF4、CHF3和氬氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述各向異性刻蝕エ藝所采用的刻蝕氣體中CF4的濃度在16sccm-20sccm以內(nèi)，CHF3的濃度在60cm_80cm以內(nèi)，氬氣的濃度在80sccm_120sccm以內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述各向異性刻蝕エ藝的刻蝕時(shí)間為60s。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，還包括: 在具有高度差的ILD層和所述鎢塞表面形成金屬層，進(jìn)入金屬互連過(guò)程； 完成金屬互連過(guò)程后，在金屬層上形成壓焊點(diǎn)； 進(jìn)行低溫合金エ藝，完成DMOS器件的制作過(guò)程。
10.一種采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的方法制作的DMOS器件，其特征在干，所述DMOS器件的ILD層和鎢塞表面具有高度差。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種DMOS器件制造方法，包括提供基底，包括有源區(qū)和位于有源區(qū)表面上的層間介質(zhì)ILD層，其中，位于有源區(qū)表面上的ILD層內(nèi)具有鎢塞，所述ILD層表面和所述鎢塞表面平齊；去除掉預(yù)設(shè)厚度的ILD層材料，以使ILD層和所述鎢塞表面具有高度差。本發(fā)明通過(guò)在形成鎢塞之后，增加了對(duì)ILD層的回刻過(guò)程，使得鎢塞表面和ILD層表面不再齊平，從而使源區(qū)部位和柵區(qū)部位表面的金屬區(qū)域也不再平齊，使得柵區(qū)表面的金屬區(qū)域與區(qū)表面的金屬區(qū)域的反光能力不同，在進(jìn)行識(shí)別時(shí)，識(shí)別光束打到產(chǎn)品晶片上后，柵區(qū)和源區(qū)存在色差，從而能夠通過(guò)色差清楚的識(shí)別DMOS器件的柵區(qū)和源區(qū)，提高了后續(xù)引線鍵合過(guò)程的準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)H01L29/78GK103094111SQ201110338198
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
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