專(zhuān)利名稱(chēng)：電波強(qiáng)度測(cè)定裝置、使用它的電波強(qiáng)度檢測(cè)器及游戲設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠顯示無(wú)線(xiàn)信號(hào)的電波強(qiáng)度的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。本發(fā)明特別涉及利用變色材料且根據(jù)該無(wú)線(xiàn)信號(hào)的電波強(qiáng)度而改變其顏色的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置、使用該電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的電波強(qiáng)度檢測(cè)器(detector)及游戲設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著電子技術(shù)的發(fā)展及高度信息化社會(huì)的到來(lái)，利用無(wú)線(xiàn)通信的無(wú)線(xiàn)設(shè)備很普遍，其利用于各種領(lǐng)域如軍事、醫(yī)療、通信、教育及交易等。利用電波作為通信介質(zhì)的無(wú)線(xiàn)通信盡量發(fā)揮電波的特性，即能夠立即傳達(dá)信息而不管時(shí)間和距離，它在現(xiàn)代社會(huì)中被認(rèn)為是重要的生活及經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的基礎(chǔ)之一。電波是電磁波的一種，并是在電場(chǎng)和磁場(chǎng)互相交換能量的狀態(tài)下在空間傳播的波。因?yàn)槿庋劭床灰?jiàn)電波，所以人們擔(dān)心從電波利用設(shè)施及無(wú)線(xiàn)設(shè)備中發(fā)射的電波會(huì)影響到人體。因此，被要求制造容易測(cè)定及顯示來(lái)自電波發(fā)送裝置的該電波的電波強(qiáng)度的裝置。作為測(cè)定電波強(qiáng)度的方法，有各種各樣的方法。例如，專(zhuān)利文件1公開(kāi)了使天線(xiàn)、 整流電路和燈連接并根據(jù)燈的亮度而測(cè)定電波強(qiáng)度的電波檢測(cè)裝置。另外，專(zhuān)利文件2公開(kāi)了使天線(xiàn)、蓄電裝置及通知裝置連接并通過(guò)利用該蓄電裝置驅(qū)動(dòng)該通知裝置來(lái)測(cè)定電波強(qiáng)度的電磁波監(jiān)視裝置。下面，參照?qǐng)D38的框圖說(shuō)明專(zhuān)利文件1所記載的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的具體結(jié)構(gòu)。圖38所示的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3800利用天線(xiàn)3810將接收電波3820轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)，并將該感應(yīng)信號(hào)輸入到整流電路3811。整流電路3811對(duì)該感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流，并將電力提供給燈3812。就是說(shuō)，其大小與接收電波3820的強(qiáng)度成比例的電力被提供給燈，因此點(diǎn)亮的燈的亮度反映著電波強(qiáng)度。另外，專(zhuān)利文件2的電磁波監(jiān)視裝置公開(kāi)了利用發(fā)光二極管、放電燈、液晶顯示器作為通知裝置的結(jié)構(gòu)。專(zhuān)利文件1日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2006-23817號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文件2日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2001-165973號(hào)公報(bào)但是，專(zhuān)利文件1的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置具有如下問(wèn)題難以確保充分的電力，以利用來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波使燈點(diǎn)亮，因此不能測(cè)定該微弱電波。另外，專(zhuān)利文件2的電磁波監(jiān)視裝置具有如下問(wèn)題即使能夠確保電力以測(cè)定微弱電波來(lái)驅(qū)動(dòng)作為通知裝置的發(fā)光二極管、放電燈、液晶顯示器，也在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下難以視覺(jué)確認(rèn)通知裝置的點(diǎn)売。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種電波強(qiáng)度測(cè)定裝置，其中能夠測(cè)定微弱電波且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下也可以提高顯示部的可見(jiàn)度。為了解決上述各問(wèn)題，在本發(fā)明中，提供電池作為在電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中用來(lái)提供電力的電源。并且，通過(guò)利用所接收的電波獲得用來(lái)驅(qū)動(dòng)該電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的電源， 來(lái)對(duì)電池充電。當(dāng)因該所接收的電波而獲得的信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，將其電力存儲(chǔ)到電池，而當(dāng)因該所接收的電波而獲得的信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，使用所述電池的發(fā)生電力作為驅(qū)動(dòng)所述電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的電源。另外，本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置使用熱變色材料(也稱(chēng)為溫度變色材料)或電致變色材料(也稱(chēng)為EC材料)作為顯示電波強(qiáng)度的元件，并提供電阻元件或電壓施加端子作為改變?cè)撟兩牧系念伾姆椒?。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置包括用于將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)； 對(duì)該感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以該直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；對(duì)所述直流信號(hào)的電位和電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路；放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以該放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的顯示元件，其中當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路以所述直流信號(hào)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路使用所述電池的電力作為驅(qū)動(dòng)所述放大電路的電源。作為其他方式，本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置包括用于將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；對(duì)該感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以該直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；對(duì)所述直流信號(hào)的電位和電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路；放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以該放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的顯示元件，其中當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路以所述直流信號(hào)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路使用所述電池的電力作為驅(qū)動(dòng)所述放大電路的電源，并且所述顯示元件根據(jù)所述放大電路所放大的直流信號(hào)的大小而改變顏色。作為其他方式，本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置包括用于將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；對(duì)該感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以該直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；對(duì)所述直流信號(hào)的電位和電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路；放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以該放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的顯示元件，其中當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路以所述直流信號(hào)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路使用所述電池的電力作為驅(qū)動(dòng)所述放大電路的電源，并且所述顯示元件由電阻發(fā)熱體、以及熱變色元件構(gòu)成。作為其他方式，本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置包括用于將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；對(duì)該感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以該直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；對(duì)所述直流信號(hào)的電位和電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路；放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以該放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的顯示元件，其中當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路以所述直流信號(hào)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路使用所述電池的電力作為驅(qū)動(dòng)所述放大電路的電源，并且所述顯示元件由電阻發(fā)熱體、以及熱變色元件構(gòu)成，并根據(jù)所述放大電路所放大的直流信號(hào)的大小而改變顏色。另外，本發(fā)明的熱變色元件包含熱致液晶。
作為其他方式，本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置包括用于將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；對(duì)該感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以該直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；對(duì)所述直流信號(hào)的電位和電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路；放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以該放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的顯示元件，其中當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路以所述直流信號(hào)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路使用所述電池的電力作為驅(qū)動(dòng)所述放大電路的電源，并且所述顯示元件由電壓施加元件、以及電致變色元件構(gòu)成。作為其他方式，本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置包括用于將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；對(duì)該感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以該直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；對(duì)所述直流信號(hào)的電位和電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路；放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以該放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的顯示元件，其中當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路以所述直流信號(hào)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，所述控制電路使用所述電池的電力作為驅(qū)動(dòng)所述放大電路的電源，并且所述顯示元件由電壓施加元件、以及電致變色元件構(gòu)成，并根據(jù)所述放大電路所放大的直流信號(hào)的大小而改變顏色。 另外，本發(fā)明的電致變色元件包含金屬氧化物。另外，本發(fā)明的電池是鋰電池、鋰聚合物電池、鋰離子電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、 有機(jī)電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池、或電容器中的任何一種。另外，本發(fā)明的電容器是雙電層電容器。另外，本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器具有上述電波強(qiáng)度測(cè)定裝置，并被貼到物品上來(lái)進(jìn)行電波檢測(cè)。另外，本發(fā)明的游戲設(shè)備使用貼有上述電波強(qiáng)度檢測(cè)器的板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器和電波發(fā)送器，來(lái)以該電波發(fā)送器所發(fā)送的電波改變所述板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器的顏色。注意，在本發(fā)明中，“連接”意味著“電連接”。因此，在本發(fā)明所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)中，除了預(yù)定的連接關(guān)系之外，還可以在其間配置有能夠?qū)崿F(xiàn)電連接的其他元件(例如，開(kāi)關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管等)。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。 再者，本發(fā)明還可以提供如下電波強(qiáng)度測(cè)定裝置即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖2是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖3A至3E是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖4是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖5是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖6是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖7A和7B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖8是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖9是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖10是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖11是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖12是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式1的圖；圖13A和13B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的14A至14C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的15A和15B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的16是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式2的圖；圖17A至17D是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 1的圖
圖18A至18C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 1的圖
圖19A和19B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 1的圖
圖20A和20B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 1的圖
圖21A和21B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 1的圖
圖22k至22C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 2的圖
圖23A至23C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 2的圖
圖MA和24B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 2的圖
圖25A至25C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 3的圖
圖2隊(duì)至26C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 3的圖
圖27A至27C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 3的圖
圖^A和28B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 3的圖
圖^A和29B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖30A和30B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖31A和31B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖32A至32C是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖33A和33B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖;MA和34B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖35A和35B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖36A和36B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 4的圖
圖37A和37B是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施 歹Ij 5的38是說(shuō)明本發(fā)明的課題的圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以通過(guò)多種不同的方式來(lái)實(shí)施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍內(nèi)可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在用來(lái)說(shuō)明實(shí)施方式的所有附圖中，使用共同的附圖標(biāo)記表示同一部分或具有同樣功能的部分，并省略其重復(fù)說(shuō)明。實(shí)施方式1
在本實(shí)施方式中，說(shuō)明本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的結(jié)構(gòu)。圖1是本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的框圖。電波強(qiáng)度測(cè)定裝置100具有天線(xiàn)110、 整流電路111、控制電路112、電池113、放大電路114、以及顯示元件115。注意，為了簡(jiǎn)單地說(shuō)明，將整流電路111、控制電路112及放大電路114總稱(chēng)為信號(hào)處理電路120。圖2是天線(xiàn)110接收來(lái)自電波發(fā)送源301的接收電波302的框圖。在圖2中，天線(xiàn) 110所接收的電波被轉(zhuǎn)換為感應(yīng)信號(hào)，該信號(hào)輸入到整流電路111。整流電路111將感應(yīng)信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)來(lái)輸出它。另外，在圖2中，從整流電路111輸出的直流信號(hào)通過(guò)控制電路112輸入到電池113。注意，整流電路111中的直流信號(hào)的一部分被放大電路114放大， 并輸入到顯示元件115。顯示元件115根據(jù)放大電路114所放大的直流信號(hào)而改變其顏色。如圖4所示，整流電路111例如具有二極管503、二極管504及電容器505。天線(xiàn) 110所接收的感應(yīng)信號(hào)被二極管503及504進(jìn)行半波整流，并被電容器505平滑化。而且， 從整流電路111輸出的被進(jìn)行了半波整流及平滑化了的直流信號(hào)被提供給控制電路112。如圖5所示，控制電路112例如具有二極管604、二極管605、電壓比較電路601、開(kāi)關(guān)602及開(kāi)關(guān)603。電壓比較電路601對(duì)電池113的輸出電位和從整流電路111輸出的直流信號(hào)的電位進(jìn)行比較。當(dāng)從整流電路111輸出的直流信號(hào)的電位充分高于電池113的輸出電位時(shí)， 電壓比較電路601使開(kāi)關(guān)602導(dǎo)通(ON)而使開(kāi)關(guān)603截止(OFF)。其結(jié)果，電流從整流電路111通過(guò)二極管604和開(kāi)關(guān)602流過(guò)電池113。與此相反，當(dāng)從整流電路111輸出的直流信號(hào)的電位不充分高于電池113的輸出電位時(shí)，電壓比較電路601使開(kāi)關(guān)602截止而使開(kāi)關(guān)603導(dǎo)通。此時(shí)，若從整流電路111輸出的直流信號(hào)的電位高于電池113的輸出電位，則電流不流過(guò)二極管605，但是若從整流電路111輸出的直流信號(hào)的電位低于電池113的輸出電位，則電流從電池113通過(guò)開(kāi)關(guān)603和二極管605流過(guò)放大電路114?？刂齐娐房梢圆捎闷渌绞?，而不局限于本實(shí)施方式所示的。作為本說(shuō)明書(shū)所述的開(kāi)關(guān)，可以使用晶體管(例如雙極晶體管、MOS晶體管等)、二極管(例如PN 二極管、PIN 二極管、肖特基二極管、MIM(Metal Insulator Metal 金屬絕緣體金屬)二極管、MIS (Metal Insulator Semiconductor 金屬絕緣體半導(dǎo)體)二極管、二極管連接的晶體管等)、晶體閘流管等?；蛘撸梢允褂媒M合它們的邏輯電路作為開(kāi)關(guān)。圖6表示電壓比較電路601的例子。電壓比較電路601以電阻器701和電阻器702對(duì)從電池113輸出的電壓進(jìn)行電阻分割，并以電阻器703和電阻器704對(duì)從整流電路111輸出的電壓進(jìn)行電阻分割，來(lái)將被分別進(jìn)行了電阻分割的電壓輸入到比較器705。關(guān)于比較器705的輸出，使反相器方式的緩沖器706及緩沖器707串聯(lián)。將緩沖器706的輸出輸入到開(kāi)關(guān)603的控制端子，并將緩沖器 707的輸出輸入到開(kāi)關(guān)602的控制端子，來(lái)控制圖6所示的開(kāi)關(guān)602及603的導(dǎo)通及截止。 注意，當(dāng)輸入到控制端子的信號(hào)為H電平時(shí)，開(kāi)關(guān)602及603導(dǎo)通，而當(dāng)輸入到控制端子的信號(hào)為L(zhǎng)電平時(shí)，開(kāi)關(guān)602及603截止。通過(guò)進(jìn)行電阻分割來(lái)調(diào)整輸入到比較器705的電壓，可以控制當(dāng)從整流電路輸出的電壓比從電池113輸出的電壓高到什么程度時(shí)使開(kāi)關(guān)602導(dǎo)通并使開(kāi)關(guān)603截止。與此同樣，可以控制當(dāng)從整流電路輸出的電壓比從電池113輸出的電壓低到什么程度時(shí)使開(kāi)關(guān) 602截止并使開(kāi)關(guān)603導(dǎo)通。
電壓比較電路601可以采用其他方式，而不局限于本實(shí)施方式所示的。參照?qǐng)D9所示的時(shí)序圖說(shuō)明電壓比較電路的工作。第一波形1001是在圖6中被電阻器701及702進(jìn)行了電阻分割之后的電位變化。第二波形1002是在圖6中被電阻器 703及704進(jìn)行了電阻分割之后的電位變化。在圖6中，第一信號(hào)1010是被比較器705輸出且輸入到緩沖器706的控制信號(hào)。第二信號(hào)1011是在圖6中被緩沖器706輸出且輸入到開(kāi)關(guān)603的控制端子的控制信號(hào)。第三信號(hào)1012是在圖6中被緩沖器707輸出且輸入到開(kāi)關(guān)602的控制端子的控制信號(hào)。注意，為了容易進(jìn)行說(shuō)明，示出從天線(xiàn)110輸入到整流電路111的被進(jìn)行整流之前的信號(hào)作為整流前波形1020(感應(yīng)信號(hào)的波形)。在圖9中，當(dāng)?shù)谝徊ㄐ?001的電位高于第二波形1002的電位，即作為被進(jìn)行整流之前的信號(hào)的整流前波形1020的振幅大時(shí)，第一信號(hào)1010成為高電位電平(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為 H)，第二信號(hào)1011成為低電位電平(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng))，第三信號(hào)1012成為H。因此，輸入有第二信號(hào)1011的L的開(kāi)關(guān)603截止，而輸入有第三信號(hào)1012的H的開(kāi)關(guān)602導(dǎo)通，因而如圖10所示那樣進(jìn)行電池113的充電。將該期間稱(chēng)為充電期間1030，在該期間中，放大電路 114使用從整流電路111輸出的電力。在圖9中，當(dāng)?shù)谝徊ㄐ?001的電位低于第二波形1002的電位，即作為被進(jìn)行整流之前的信號(hào)的整流前波形1020的振幅小時(shí)，第一信號(hào)1010成為L(zhǎng)，第二信號(hào)1011成為H， 第三信號(hào)1012成為L(zhǎng)。因此，輸入有第二信號(hào)1011的H的開(kāi)關(guān)603導(dǎo)通，而輸入有第三信號(hào)1012的L的開(kāi)關(guān)602截止，因而如圖11所示那樣進(jìn)行電池113的放電。將該期間稱(chēng)為放電期間1031，在該期間中，放大電路114使用從電池113輸出的電力。因此，放大電路114不管是充電期間1030還是放電期間1031都可以接受電力供
々A
5 口 ο電池113可以使用鋰離子電池、鋰二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機(jī)電池等的二次電池，但并不局限于此。還可以使用大容量電容器等。注意，充電指的是如下工作電流流入電池113，而將電力存儲(chǔ)在電池113中。具體地說(shuō)，在二次電池中，充電指的是如下工作將輸入到電池113的電能量轉(zhuǎn)換成化學(xué)能量地存儲(chǔ)。與此相反，放電指的是如下工作將電池113中的化學(xué)能量轉(zhuǎn)換成電能量地放出電力。作為可用作本發(fā)明的電池113的大容量電容器，優(yōu)選使用電極的相對(duì)面積大的電容器。優(yōu)選采用使用了活性碳、富勒烯、碳納米管等的比表面積大的電極用材料的雙電層電容器。與電池相比，電容器的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單并容易實(shí)現(xiàn)薄膜化或疊層化。雙電層電容器具有蓄電功能，即使充放電的次數(shù)增加，劣化程度也小，并具有良好的快速充電特性，因此是優(yōu)選的。顯示元件115可以使用包含呈現(xiàn)變色現(xiàn)象的材料如熱變色材料、電致變色材料等的元件，但是并不局限于此。下面，參照?qǐng)D12所示的時(shí)序圖說(shuō)明電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的工作。第一波形1201是在圖2中被整流電路111進(jìn)行整流并輸入到放大電路114的直流信號(hào)的電位變化。第二波形1202是在圖2中從控制電路112輸出并作為電源輸入到放大電路114的信號(hào)的電位變化。第二波形1202與圖9中的第二波形1002相同。第三波形1203是放大電路114放大輸入到圖2所示的放大電路114的第一波形1201來(lái)輸出并輸入到顯示元件115的電壓的電位變化。注意，為了容易進(jìn)行說(shuō)明，示出從天線(xiàn)110輸入到整流電路111的被進(jìn)行整流之前的信號(hào)作為整流前波形1220(感應(yīng)信號(hào)的波形)。另外，將整流前波形1220小的期間稱(chēng)為弱電波期間1221，將整流前波形1220大的期間稱(chēng)為強(qiáng)電波期間1222，并以附圖標(biāo)記1223 表示顯示元件115的最低工作電壓。注意，最低工作電壓指的是顯示元件115以人眼能夠看到的程度改變其顏色的最小電壓。在圖12中，在弱電波期間1221中，第一波形1201如第三波形1203那樣被放大。 與此同樣，在強(qiáng)電波期間1222中，第一波形1201如第三波形1203那樣被放大。此時(shí)，從第一波形1201到第三波形的增加比率(V2ZiV1)稱(chēng)為放大率。放大電路114只要具有在被放大之后的第三波形超過(guò)最低工作電壓1223的放大率，即可。因此，顯示元件115不管是弱電波期間1221還是強(qiáng)電波期間1222都可以工作。
接下來(lái)，圖7A是本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的示意圖。圖7A所示的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置在襯底801上形成有天線(xiàn)810、信號(hào)處理電路811、 電池812、以及顯示元件813。天線(xiàn)810具有連接端子820及連接端子821。天線(xiàn)810的連接端子820及821分別連接到信號(hào)處理電路811。作為包括在信號(hào)處理電路811中的晶體管，可以使用各種晶體管。因此，可以適當(dāng)?shù)厥褂酶鱾€(gè)種類(lèi)的晶體管。使用了以非晶硅或多晶硅為典型的非單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(TFT)、使用半導(dǎo)體襯底或SOI襯底而形成的晶體管、MOS型晶體管、結(jié)式晶體管、雙極晶體管、使用了 &10、a-InGaZnO等的化合物半導(dǎo)體的晶體管、使用了有機(jī)半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管、等等都可以適當(dāng)?shù)厥褂?。另外，非單晶半?dǎo)體膜也可以包含氫或鹵素。作為襯底801，可以采用各種各樣的襯底，而不局限于特定的襯底。因此，例如可以使用單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石材襯底等。 另外，也可以在一個(gè)襯底上形成信號(hào)處理電路811，然后將信號(hào)處理電路811移動(dòng)到另一襯底上并將其配置在另一襯底上。對(duì)天線(xiàn)810的形狀并沒(méi)有特別的限制。如圖3A所示，例如可以在襯底401上的信號(hào)處理電路402周?chē)渲闷瑺钐炀€(xiàn)403。如圖;3B所示，也可以在襯底401上的信號(hào)處理電路 402周?chē)渲眉?xì)天線(xiàn)403。另外，如圖3C所示，可以采用用來(lái)接收高頻電磁波的形狀。如圖 3D所示，可以采用180度全向性的形狀。如圖3E所示，可以采用以棒形狀延伸的形狀。另夕卜，例如還可以采用所謂的偶極天線(xiàn)、環(huán)形天線(xiàn)、八木天線(xiàn)、貼片天線(xiàn)或微小天線(xiàn)等的形狀。注意，為了簡(jiǎn)單地說(shuō)明，相當(dāng)于電池和顯示元件的部分不示在圖3A至3E中。但是， 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置設(shè)置有電池和顯示元件。圖7A所示的天線(xiàn)810可以形成在形成有信號(hào)處理電路811的襯底上，或者，可以形成在與形成有信號(hào)處理電路811的襯底不同的襯底上。作為形成有天線(xiàn)810的襯底，可以采用各種各樣的襯底，而不局限于特定的襯底。因此，例如可以形成在單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石材襯底等上。在將天線(xiàn)810形成在與形成有信號(hào)處理電路811的襯底相同的襯底上的情況下，可以通過(guò)濺射法、CVD法、旋轉(zhuǎn)涂敷法等形成導(dǎo)電膜，并對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案形成來(lái)形成天線(xiàn)810，或者，可以通過(guò)以噴墨法為典型的液滴噴出法或絲網(wǎng)印刷法等形成天線(xiàn)810。在將天線(xiàn)810形成在與形成有信號(hào)處理電路811的襯底不同的襯底上的情況下，也可以通過(guò)如上所述的方法形成天線(xiàn)810，尤其是，優(yōu)選使用絲網(wǎng)印刷法形成天線(xiàn)810。對(duì)連接形成有信號(hào)處理電路的襯底和天線(xiàn)的方法沒(méi)有特別的限制。例如，可以通過(guò)引線(xiàn)鍵合連接或凸塊連接使天線(xiàn)和形成有信號(hào)處理電路的襯底連接，或者，可以將形成有芯片化的信號(hào)處理電路的襯底的一面用作電極來(lái)將它貼在天線(xiàn)上。在這種方法中，可以使用ACF(Anisotropic Conductive Film 各向異性導(dǎo)電膜)來(lái)貼合襯底和天線(xiàn)。天線(xiàn)所需要的長(zhǎng)度根據(jù)用來(lái)接收的頻率而不同。例如，在頻率是2. 45GHz的情況下，當(dāng)設(shè)置半波偶極天線(xiàn)時(shí)，可以將天線(xiàn)的長(zhǎng)度設(shè)定為大約60mm(波長(zhǎng)的1/2)，當(dāng)設(shè)置單極天線(xiàn)時(shí)，可以將天線(xiàn)的長(zhǎng)度設(shè)定為大約30mm(波長(zhǎng)的1/4)。天線(xiàn)也可以具有改變所接收的信號(hào)的頻率的方法。例如，當(dāng)天線(xiàn)為環(huán)形天線(xiàn)時(shí)，如圖8所示，可以由構(gòu)成天線(xiàn)110的天線(xiàn)線(xiàn)圈901和電容器902構(gòu)成諧振電路。另外，雖然在圖7A中將天線(xiàn)810和信號(hào)處理電路811 —起層疊形成在同一襯底上，但是也可以使用外部天線(xiàn)。如圖7A所示，在將天線(xiàn)810和信號(hào)處理電路811 —起層疊形成在同一襯底801上的情況下，優(yōu)選使用微小環(huán)形天線(xiàn)或微小偶極天線(xiàn)等形狀的天線(xiàn)。作為電池812，可以適當(dāng)?shù)厥褂娩囯x子電池、鋰二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機(jī)電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等的二次電池，而并不局限于此。另夕卜，可以使用大容量電容器等。尤其是，鋰離子電池或鋰二次電池的充放電容量大，因此通過(guò)將它們適用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置所具有的電池，可以實(shí)現(xiàn)小型化。另外，也可以通過(guò)使用濺射法形成鋰離子電池的活性物質(zhì)或電解質(zhì)，將電池812形成在形成有信號(hào)處理電路811的襯底上，或者可以將它形成在形成有天線(xiàn)810的襯底上。通過(guò)在形成有信號(hào)處理電路811、天線(xiàn)810的襯底上形成電池812，可以提高成品率。金屬鋰電池使用包含鋰離子的過(guò)渡金屬氧化物、金屬氧化物、金屬硫化物、鐵類(lèi)化合物、導(dǎo)電性聚合物或有機(jī)硫類(lèi)化合物等作為正極活性物質(zhì)，使用鋰(合金)作為負(fù)極活性物質(zhì)，并使用有機(jī)類(lèi)電解液或聚合物電解質(zhì)等作為電解質(zhì)，而可以形成充放電容量更大的電池812。顯示元件813使用包含呈現(xiàn)變色現(xiàn)象的材料如熱變色材料、電致變色材料等的元件，但是并不局限于此。特別是，作為包含熱變色材料的元件(也稱(chēng)為熱變色元件)，優(yōu)選使用包含熱致液晶(也稱(chēng)為熱變色液晶)，尤其是膽留相液晶的元件。該膽留相液晶也可以包含膽留醇油?；妓狨?、膽留醇壬酸酯、膽留醇胺。另外，作為包含上述電致變色材料的元件(也稱(chēng)為電致變色元件)，可以使用包含氧化鎢等的金屬氧化物、以及有關(guān)化合物的元件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的結(jié)構(gòu)不局限于圖7A所示的結(jié)構(gòu)。 例如，如圖7B所示，可以將信號(hào)處理電路811配置在天線(xiàn)810和電池812之間，或者，可以將電池812配置在天線(xiàn)810和信號(hào)處理電路811之間，也可以將天線(xiàn)810配置在電池812 和信號(hào)處理電路811之間。另外，天線(xiàn)810、電池812及信號(hào)處理電路811的面積比例也不局限于圖7A和7B所示的例子。就是說(shuō)，關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置， 當(dāng)從截面看到每個(gè)層時(shí)，天線(xiàn)810、電池812及信號(hào)處理電路811的位置關(guān)系不被限定。另夕卜，可以將天線(xiàn)810和信號(hào)處理電路811分別形成在不同襯底上，或者，可以將天線(xiàn)810、信號(hào)處理電路811及電池812形成在同一襯底上。另外，優(yōu)選將顯示元件813以大面積配置在最上層，以提高可見(jiàn)度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置具有存儲(chǔ)電力的電池，因此不需要更換電池。另外，即使所接收的信號(hào)弱，也可以將電力從電池提供給信號(hào)處理電路，因此可以使電波強(qiáng)度測(cè)定裝置工作來(lái)測(cè)定電波強(qiáng)度。就是說(shuō)，即使信號(hào)弱也可以測(cè)定電波強(qiáng)度，因此可以提高電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的靈敏度，并可以穩(wěn)定地進(jìn)行測(cè)定。若所接收的信號(hào)強(qiáng)，則能夠自動(dòng)地將電力存儲(chǔ)在電池中，因此即使使用者沒(méi)有有意識(shí)地進(jìn)行充電操作也能夠進(jìn)行充電。當(dāng)然，當(dāng)存儲(chǔ)在電池中的電力變小時(shí)，使用者可以容易有意識(shí)地進(jìn)行充電。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，說(shuō)明形成包含熱變色材料的顯示元件的情況。圖13A和1 是本發(fā)明的顯示元件的示意圖。顯示元件2500在遮光襯底2501上形成有電阻發(fā)熱體2502、熱變色材料2503、透明襯底2504、連接端子2510、以及連接端子 2511。連接端子2510或連接端子2511的任一方連接到電源端子，例如連接到實(shí)施方式1 中的放大電路114。連接端子2510或連接端子2511中的不連接到電源端子的一方連接到 GND端子。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示元件的結(jié)構(gòu)不局限于圖13A和1 所示的結(jié)構(gòu)。 例如，在圖13A和13B中，熱變色材料2503配置在電阻發(fā)熱體2502的上層，但是也可以將電阻發(fā)熱體2502配置在熱變色材料2503的上層。電阻發(fā)熱體2502和熱變色材料2503的形狀及面積不局限于圖13A和1 所示的形狀及面積。例如，可以采用梳形狀或凹凸形狀。 電阻發(fā)熱體2502和熱變色材料2503優(yōu)選以盡量大的面積接觸，以提高熱傳遞效率。在本實(shí)施方式中，電阻發(fā)熱體指的是因電力而發(fā)熱的所有元件。根據(jù)從連接端子提供到電阻發(fā)熱體的電力量而使發(fā)熱量變化。另外，作為本實(shí)施方式的電阻發(fā)熱體的材料， 可以適當(dāng)?shù)厥褂酶鞣N物質(zhì)。因此，對(duì)可使用的電阻發(fā)熱體的材料的種類(lèi)沒(méi)有限制。在本實(shí)施方式中，熱變色材料指的是呈現(xiàn)熱變色現(xiàn)象的所有物質(zhì)。熱變色現(xiàn)象是該材料的顏色因熱刺激而可逆地變化的現(xiàn)象。因此，其顏色因從電阻發(fā)熱體2502提供的熱量而變化。就是說(shuō)，其顏色根據(jù)通過(guò)連接端子提供給顯示元件的電力量而變化。另外，作為本實(shí)施方式的顯示元件所包含的熱變色材料，可以適當(dāng)?shù)厥褂酶鞣N物質(zhì)。因此，對(duì)可使用的熱變色材料的種類(lèi)沒(méi)有限制。作為根據(jù)本實(shí)施方式的熱變色材料的一個(gè)例子的膽留相液晶具有因溫度而改變螺旋的扭曲程度的特征。下面，參照?qǐng)D14A至14C.及圖15A和15B說(shuō)明構(gòu)成膽甾相液晶的分子結(jié)構(gòu)、以及膽留相液晶因分子結(jié)構(gòu)變化而改變顏色的原理。如圖14A所示，膽留相液晶優(yōu)選包含膽留醇油酰基碳酸酯，其中碳酸酯基2100之一方結(jié)合到膽甾醇基2101，而其另一方結(jié)合到具有作為直鏈烴基的油?；?102的分子。在圖14A中，示出作為碳酸酯基2100及油?；?102結(jié)合到膽甾醇基2101的化合物的膽甾醇油?；妓狨?，但是還可采用膽留醇胺，該膽留醇胺是膽留醇基2101結(jié)合有圖14B所示的苯甲酸酯基2103代替碳酸酯基2100及油?；?102的化合物，再者，還可以采用膽留醇壬酸酯，該膽留醇壬酸酯是膽留醇基2101結(jié)合有圖14C所示的醇壬酸酯基2104代替碳酸酯基2100及油?；?102的化合物。通過(guò)改變膽留醇油酰基碳酸酯、膽留醇壬酸酯及膽甾醇胺的不同直鏈烴基所構(gòu)成的液晶分子的混合比率，可以改變膽留相液晶的顏色。膽留相液晶具有螺旋狀分子結(jié)構(gòu)，并具有反射入射光的一部分的特性。其反射特性因螺旋的扭曲程度而變化。例如，具有周期P的膽留相液晶分子只有選擇地反射如下波長(zhǎng)在入射光所包含的波長(zhǎng)中，相當(dāng)于λ =η(膽留相液晶分子的折射率)XP的波長(zhǎng)。例如，圖15Α所示的液晶分子2002在透明襯底2000和遮光襯底2001的距離d之間具有相當(dāng)于1/4周期的扭曲，因此只有選擇地反射入射光2003所包含的波長(zhǎng)中的相當(dāng)于λ =ηΧΡ = nX4d的波長(zhǎng)。另外，圖15B所示的液晶分子2002在距離d之間具有相當(dāng)于3/4周期的扭曲，因此只有選擇地反射入射光2003所包含的波長(zhǎng)中的相當(dāng)于λ =nxp = nx4/3d的波長(zhǎng)。人眼能夠看出光的波長(zhǎng)的區(qū)別作為顏色的區(qū)別。因此，由于圖15A所示的反射光 2004和圖15B所示的反射光2004具有不同的波長(zhǎng)，所以視覺(jué)確認(rèn)為不同的顏色。圖15A和15B所示的透明襯底2000是以人眼能夠看作透明襯底的，即可。透明襯底2000更優(yōu)選是透過(guò)所有波長(zhǎng)的襯底。另外，圖15A和15B所示的遮光襯底2001是以人眼能夠看作黑色襯底的，即可。遮光襯底更優(yōu)選是吸收所有波長(zhǎng)的襯底。圖16是作為包含熱變色材料的顯示元件的熱變色元件的截面圖。布線(xiàn)2203a和布線(xiàn)220 設(shè)置在遮光襯底2201上，其中間夾著基底層2202。布線(xiàn)2203a和布線(xiàn)220 通過(guò)分別形成在層間絕緣膜2204和絕緣膜2205中的接觸開(kāi)口部2206和接觸開(kāi)口部2207連接到電阻發(fā)熱體22四。電阻發(fā)熱體22 因流過(guò)接觸開(kāi)口部2206和接觸開(kāi)口部2207之間的電流而發(fā)熱，來(lái)對(duì)熱變色材料2211加熱。布線(xiàn)2203a和布線(xiàn)220 分別連接到圖13A和 13B所示的連接端子。另外，將透明襯底2214配置為與遮光襯底2201相對(duì)。熱變色材料2211設(shè)在遮光襯底2201和透明襯底2214之間。以間隔物2210保持遮光襯底2201和透明襯底2214的間隔。在將熱變色材料2211設(shè)置在遮光襯底2201和透明襯底2214之間之后，以密封材料 2220固定遮光襯底2201和透明襯底2214。注意，遮光襯底2201和透明襯底2214的間隔優(yōu)選盡可能小，這是因?yàn)槿缦戮壒仕⑷氲臒嶙兩牧?211為少量，并且被加熱的熱變色材料2211的熱容量變小，因此顏色能夠迅速變化。在這種顯示元件中，通過(guò)對(duì)電阻發(fā)熱體22 施加電壓，改變提供給熱變色材料 2211的熱量，因此熱變色材料2211的狀態(tài)變化，并且反射光2231的色調(diào)相對(duì)于入射光 2230變化。實(shí)施例1在本實(shí)施例中，參照

上述實(shí)施方式所示的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的制造方法的一個(gè)例子。在本實(shí)施例中，說(shuō)明在電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中使用薄膜晶體管將天線(xiàn)和信號(hào)處理電路設(shè)置在同一襯底上的結(jié)構(gòu)。通過(guò)在襯底上一起形成天線(xiàn)和信號(hào)處理電路，可以實(shí)現(xiàn)小型化，因此是優(yōu)選的。另外，說(shuō)明使用薄膜的二次電池作為信號(hào)處理電路中的電池的例子。當(dāng)然，也可以設(shè)置雙電層電容器等的電容器代替二次電池。首先，在襯底1301的一個(gè)表面上夾著絕緣膜1302形成剝離層1303，接著，層疊形成用作基底膜的絕緣膜1304和半導(dǎo)體膜1305(例如，包含非晶硅的膜)(參照?qǐng)D17A)。注意，絕緣膜1302、剝離層1303、絕緣膜1304、以及半導(dǎo)體膜1305可以連續(xù)形成。襯底1301是選自玻璃襯底、石英襯底、金屬襯底(例如，陶瓷襯底或不銹鋼襯底等)、以及Si襯底等的半導(dǎo)體襯底等的襯底。另外，作為塑料襯底，可以選擇聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、以及丙烯等的襯底。注意，在本工序中，剝離層1303夾著絕緣膜1302地設(shè)置在襯底1301的整個(gè)面上，但是，必要時(shí)，也可以在襯底1301的整個(gè)面上設(shè)置剝離層之后，通過(guò)光刻法有選擇地設(shè)置。作為絕緣膜1302、絕緣膜1304，通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使用如下絕緣材料來(lái)形成氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y > 0)等。例如，當(dāng)將絕緣膜1302、絕緣膜1304作為兩層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選作為第一層絕緣膜形成氮氧化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氧氮化硅膜。此外，也可以作為第一層絕緣膜形成氮化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氧化硅膜。絕緣膜1302用作防止雜質(zhì)元素從襯底1301混入到剝離層1303或形成在其上的元件的阻擋層，而絕緣膜1304用作防止雜質(zhì)元素從襯底1301、 剝離層1303混入到形成在其上的元件的阻擋層。像這樣，通過(guò)形成作為阻擋層發(fā)揮功能的絕緣膜1302、1304可以防止來(lái)自襯底1301的Na等堿金屬和堿土金屬、來(lái)自剝離層1303中的雜質(zhì)元素給形成在其上的元件造成不良影響。注意，在例如使用石英作為襯底1301的情況下，也可以省略絕緣膜1302、1304。作為剝離層1303，可以使用金屬膜或金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)等。作為金屬膜，可以使用由選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、 鋅(Si)、釕(Ru)、銠(1 )、鈀(Pd)、鋨(Os)、以及銥(Ir)中的元素或以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料構(gòu)成的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成。另外，這些材料可以通過(guò)濺射法或各種CVD法如等離子體CVD法等而形成。作為金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)，可以在形成上述金屬膜之后，進(jìn)行在氧氣環(huán)境下或在乂0氣環(huán)境下的等離子體處理、或在氧氣環(huán)境下或在隊(duì)0氣環(huán)境下的加熱處理，以在金屬膜的表面上設(shè)置該金屬膜的氧化物或氧氮化物。例如，在通過(guò)濺射法或CVD法等形成鎢膜作為金屬膜的情況下，對(duì)鎢膜進(jìn)行等離子體處理，可以在鎢膜的表面上形成由鎢氧化物構(gòu)成的金屬氧化膜。此外，在此情況下， 用TOx表示鎢的氧化物，其中X是2至3，存在X是2的情況(WO2)、X是2. 5的情況(W2O5)、 X是2. 75的情況(W4O11)、以及X是3的情況(WO3)等。當(dāng)形成鎢的氧化物時(shí)，對(duì)如上舉出的 X的值沒(méi)有特別的限制，最好根據(jù)蝕刻速率等確定要形成的氧化物。另外，例如，也可以在形成金屬膜(例如，鎢)之后，通過(guò)濺射法在該金屬膜上設(shè)置氧化硅(SiO2)等的絕緣膜的同時(shí)，在金屬膜上形成金屬氧化物(例如，在鎢上形成鎢氧化物)。此外，作為等離子體處理， 例如也可以進(jìn)行上述的高密度等離子體處理。此外，除了金屬氧化膜以外，也可以使用金屬氮化物或金屬氧氮化物。在此情況下，能在氮?dú)猸h(huán)境下或在氮?dú)夂脱鯕猸h(huán)境下對(duì)金屬膜進(jìn)行等離子體處理或加熱處理即可。通過(guò)濺射法、LPCVD法、等離子體CVD法等以25至200nm(優(yōu)選為30至150nm)的厚度形成非晶半導(dǎo)體膜1305。接下來(lái)，對(duì)非晶半導(dǎo)體膜1305照射激光來(lái)進(jìn)行晶化。注意，也可以通過(guò)將激光的照射以及利用RTA或退火爐的熱結(jié)晶法、使用有助于結(jié)晶的金屬元素的熱結(jié)晶法進(jìn)行組合的方法等進(jìn)行非晶半導(dǎo)體膜1305的晶化。之后，將獲得的結(jié)晶半導(dǎo)體膜蝕刻為所希望的形狀來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜130 至1305f，并且覆蓋該半導(dǎo)體膜130 至1305f地形成柵極絕緣膜1306(參照?qǐng)D17B)。作為柵極絕緣膜1306，通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使用如下絕緣材料來(lái)形成氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)、氮氧化硅(SiNxOy) (x > y > 0)等。例如，當(dāng)將柵極絕緣膜1306作為兩層結(jié)構(gòu)時(shí)，優(yōu)選作為第一層絕緣膜形成氧氮化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氮氧化硅膜。此外，也可以作為第一層絕緣膜形成氧化硅膜并且作為第二層絕緣膜形成氮化硅膜。以下簡(jiǎn)單地說(shuō)明結(jié)晶半導(dǎo)體膜130 至1305f的制造工序的一個(gè)例子。首先，通過(guò)等離子體CVD法形成50至60nm厚的非晶半導(dǎo)體膜。接著，將包含作為促進(jìn)晶化的金屬元素的鎳的溶液保持在非晶半導(dǎo)體膜上，接著對(duì)非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行脫氫處理(在500°C下， 一個(gè)小時(shí))和熱結(jié)晶處理(在550°C下，四個(gè)小時(shí))，來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。然后，通過(guò)照射激光且使用光刻法，來(lái)形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜130 至1305f。注意，也可以只通過(guò)照射激光而不進(jìn)行使用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱結(jié)晶，來(lái)使非晶半導(dǎo)體膜晶化。作為用來(lái)晶化的激光振蕩器，可以使用連續(xù)振蕩型的激光束(CW激光束)或脈沖振蕩型的激光束(脈沖激光束)。作為此處可采用的激光束，可以采用從如下激光器的一種或多種激光器中振蕩發(fā)出的激光束，即氣體激光器如Ar激光器、Kr激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等；將在單晶的YAG、YV04、鎂橄欖石(Ife2SiO4)、YA103、GdV04、或者多晶(陶瓷)的YAG、 Y2O3> YVO4, YA103、GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；變石激光器；Ti 藍(lán)寶石激光器；銅蒸氣激光器；或者金蒸氣激光器。通過(guò)照射這種激光束的基波以及這些基波的二次諧波到四次諧波的激光束，由此可以獲得大粒徑的晶體。例如，可以使用NchYVO4激光器 (基波為1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。此時(shí)，需要大約0. 01至100MW/ cm2(優(yōu)選為0. 1至lOMW/cm2)的激光功率密度。而且，以大約10至2000cm/sec的掃描速度照射。注意，將在單晶的YAG、YV04、鎂橄欖石(Ife2SiO4)、YA103> GdV04、或者多晶(陶瓷) 的 YAG J2O3、YVO4、YA103、GdVO4 中添加 Nd、Yb、Cr、T i、Ho、Er、Tm、Ta 之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質(zhì)的激光器、Ar離子激光器、或者Ti 藍(lán)寶石激光器可以進(jìn)行連續(xù)振蕩，可以通過(guò)Q開(kāi)關(guān)動(dòng)作或鎖模等以IOMHz以上的振蕩頻率進(jìn)行脈沖振蕩。當(dāng)使用 IOMHz以上的振蕩頻率來(lái)使激光束振蕩時(shí)，在半導(dǎo)體膜由激光熔化之后并在凝固之前，對(duì)半導(dǎo)體膜照射下一個(gè)脈沖。因此，由于不同于使用振蕩頻率低的脈沖激光的情況，可以在半導(dǎo)體膜中連續(xù)地移動(dòng)固相和液相之間的界面，所以可以獲得沿掃描方向連續(xù)生長(zhǎng)的晶粒。此外，也可以通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體膜130 至1305f進(jìn)行上述高密度等離子體處理來(lái)使其表面氧化或氮化，以形成柵極絕緣膜1306。例如，通過(guò)引入了稀有氣體如He、Ar、Kr、Xe 等與氧、氧化氮(NO2)、氨、氮、氫等的混合氣體的等離子體處理，形成柵極絕緣膜1306。在此情況下，通過(guò)引入微波進(jìn)行等離子體的激發(fā)時(shí)，可以產(chǎn)生低電子溫度且高密度的等離子體。 可以通過(guò)使用由該高密度等離子體產(chǎn)生的氧自由基(有可能含有OH自由基)或氮自由基 (有可能含有NH自由基)，使半導(dǎo)體膜的表面氧化或氮化。通過(guò)使用了上述高密度等離子體的處理，厚度為1至20nm，典型地為5至IOnm的絕緣膜形成于半導(dǎo)體膜上。由于此時(shí)的反應(yīng)為固相反應(yīng)，因此可以使該絕緣膜和半導(dǎo)體膜之間的界面能級(jí)密度極低。由于上述高密度等離子體處理直接使半導(dǎo)體膜(晶體硅或多晶硅)氧化(或氮化)，所以在理想上可以將所形成的絕緣膜的厚度形成為不均勻性極小的狀態(tài)。再者，由于即使在晶體硅的晶粒界面也不會(huì)進(jìn)行強(qiáng)烈的氧化，所以實(shí)現(xiàn)非常優(yōu)選的狀態(tài)。換句話(huà)說(shuō)，通過(guò)在此所示的高密度等離子體處理使半導(dǎo)體膜的表面固相氧化，來(lái)可以形成具有良好的均勻性且界面能級(jí)密度較低的絕緣膜而不會(huì)在晶粒界面中引起異常的氧化反應(yīng)。作為柵極絕緣膜，既可僅僅使用通過(guò)高密度等離子體處理形成的絕緣膜，此外，又可通過(guò)利用了等離子體或熱反應(yīng)的CVD法將氧化硅、氧氮化硅或氮化硅等的絕緣膜堆積或者層疊在所述絕緣膜上。在任意一種情況下，將通過(guò)高密度等離子體形成的絕緣膜包含于柵極絕緣膜的一部分或全部而形成的晶體管，可以減少特性偏差。此外，一邊對(duì)半導(dǎo)體膜照射連續(xù)振蕩激光束或以IOMHz以上的頻率振蕩的激光束，一邊向一個(gè)方向掃描而使該半導(dǎo)體膜晶化而獲得的半導(dǎo)體膜130 至1305f，具有其晶體沿該激光束的掃描方向成長(zhǎng)的特性。當(dāng)使該掃描方向與溝道長(zhǎng)度方向(形成溝道形成區(qū)域時(shí)載流子流動(dòng)的方向)一致地配置晶體管，并且組合上述柵極絕緣層時(shí)，可以獲得特性差異小且電場(chǎng)效應(yīng)遷移率高的薄膜晶體管(TFT)。接著，在柵極絕緣膜1306上層疊形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。在此，第一導(dǎo)電膜通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等以20至IOOnm的厚度而形成。第二導(dǎo)電膜以100至400nm的厚度而形成。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜，采用選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁 (Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等中的元素或以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料而形成?；蛘?，采用摻雜了磷等雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料而形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。作為第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的組合的實(shí)例，可以舉出氮化鉭膜和鎢膜、氮化鎢膜和鎢膜、或者氮化鉬膜和鉬膜等。由于鎢和氮化鉭具有高耐熱性，因此在形成第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜之后，可以進(jìn)行用于熱激活的加熱處理。此外，在不是兩層結(jié)構(gòu)而是三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選采用鉬膜、鋁膜和鉬膜的疊層結(jié)構(gòu)。接著，利用光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，并且進(jìn)行蝕刻處理以形成柵電極和柵極線(xiàn)，從而在半導(dǎo)體膜130 至1305f的上方形成柵電極1307。在此，示出了采用第一導(dǎo)電膜1307a和第二導(dǎo)電膜1307b的疊層結(jié)構(gòu)形成柵電極1307的例子。接著，以柵電極1307為掩模，通過(guò)離子摻雜法或離子注入法對(duì)半導(dǎo)體膜130 至 1305f以低濃度添加賦予η型的雜質(zhì)元素，然后通過(guò)光刻法有選擇地形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，來(lái)以高濃度添加賦予P型的雜質(zhì)元素。作為呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)、 砷(As)等。作為呈現(xiàn)ρ型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)、鎵0 )等。在此，使用磷 (P)作為賦予η型的雜質(zhì)元素，以1 X IO15至1 X IO1Vcm3的濃度有選擇地引入到半導(dǎo)體膜 130 至1305f，以形成呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)區(qū)域1308。此外，使用硼(B)作為賦予ρ型的雜質(zhì)元素，以1\1019至1\102°/側(cè)3的濃度有選擇地引入到半導(dǎo)體膜1305c、1305e，以形成呈現(xiàn) P型的雜質(zhì)區(qū)域1309(參照?qǐng)D17C)。接著，覆蓋柵極絕緣膜1306和柵電極1307地形成絕緣膜。通過(guò)等離子體CVD法或?yàn)R射法等以單層或疊層方式形成含有無(wú)機(jī)材料如硅、硅的氧化物或硅的氮化物的膜、或含有有機(jī)材料如有機(jī)樹(shù)脂等的膜，從而形成絕緣膜。接著，通過(guò)以垂直方向?yàn)橹黧w的各向異性蝕刻有選擇地蝕刻絕緣膜，從而形成與柵電極1307的側(cè)面接觸的絕緣膜1310 (也稱(chēng)為側(cè)壁)。絕緣膜1310用作當(dāng)形成LDD (Lightly Doped drain 輕摻雜漏區(qū))區(qū)域時(shí)的摻雜用的掩模。接著，將通過(guò)光刻法形成的由抗蝕劑構(gòu)成的掩模和柵電極1307及絕緣膜1310用作掩模，來(lái)對(duì)半導(dǎo)體膜1305a、1305b、1305d、1305f以高濃度添加賦予η型的雜質(zhì)元素，以形成呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)區(qū)域1311。在此，使用磷(P)作為賦予η型的雜質(zhì)元素，以IX IO19至 1 X IO2Vcm3的濃度有選擇地引入到半導(dǎo)體膜1305a、1305b、1305d、1305f，以形成呈現(xiàn)比雜質(zhì)區(qū)域1308更高濃度的η型的雜質(zhì)區(qū)域1311。通過(guò)以上工序，形成η溝道型薄膜晶體管1300a、1300b、1300d、1300f和ρ溝道型薄膜晶體管1300c、1300e(參照?qǐng)D17D)。
在η溝道型薄膜晶體管1300a中，溝道形成區(qū)域形成在與柵電極1307重疊的半導(dǎo)體膜1305a的區(qū)域中，形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1311形成在不與柵電極1307及絕緣膜 1310重疊的半導(dǎo)體膜130 的區(qū)域中，而低濃度雜質(zhì)區(qū)域(LDD區(qū)域)形成在與絕緣膜1310 重疊的半導(dǎo)體膜1305a的區(qū)域且溝道形成區(qū)域和雜質(zhì)區(qū)域1311之間。此外，η溝道型薄膜晶體管1300b、1300d、1300f也同樣形成有溝道形成區(qū)域、低濃度雜質(zhì)區(qū)域、以及雜質(zhì)區(qū)域 1311。在ρ溝道型薄膜晶體管1300c中，溝道形成區(qū)域形成在與柵電極1307重疊的半導(dǎo)體膜1305c的區(qū)域中，形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1309形成在不與柵電極1307重疊的半導(dǎo)體膜1305c的區(qū)域中。此外，ρ溝道型薄膜晶體管1300e也同樣形成有溝道形成區(qū)域以及雜質(zhì)區(qū)域1309。注意，這里，雖然在ρ溝道型薄膜晶體管1300c、1300e未設(shè)置LDD區(qū)域， 但是既可采用在P溝道型薄膜晶體管設(shè)置LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)，又可采用在η溝道型薄膜晶體管不設(shè)置LDD區(qū)域的結(jié)構(gòu)。接下來(lái)，以單層或疊層的方式形成絕緣膜以覆蓋半導(dǎo)體膜1305a至1305f、柵電極 1307等，并且在該絕緣膜上形成導(dǎo)電膜1313，以使該導(dǎo)電膜1313與形成薄膜晶體管1300a 至1300f的源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域1309、1311電連接(參照?qǐng)D18A)。絕緣膜通過(guò)CVD法、 濺射法、SOG法、液滴噴出法、絲網(wǎng)印刷法等使用無(wú)機(jī)材料如硅的氧化物或硅的氮化物等、有機(jī)材料如聚酰亞胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯、環(huán)氧等、或者硅氧烷材料等，以單層或疊層的方式形成。在此，以?xún)蓪拥姆绞皆O(shè)置所述絕緣膜，分別形成氮氧化硅膜和氧氮化硅膜作為第一層絕緣膜131 和第二層絕緣膜1312b。此外，導(dǎo)電膜1313可以形成薄膜晶體管1300a 至1300f的源電極或漏電極。注意，優(yōu)選在形成絕緣膜1312a、1312b之前，或者在形成絕緣膜1312a、1312b中的一個(gè)或多個(gè)薄膜之后，進(jìn)行用于恢復(fù)半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性、使添加到半導(dǎo)體膜中的雜質(zhì)元素活性化、或者使半導(dǎo)體膜氫化的加熱處理。作為加熱處理，優(yōu)選適用熱退火法、激光退火法、 或者RTA法等。通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等，使用選自鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳 (Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料以單層或疊層的方式形成導(dǎo)電膜1313。以鋁為主要成分的合金材料例如相當(dāng)于以鋁為主要成分且含有鎳的材料、或者以鋁為主要成分且含有碳和硅中的一方或兩方與鎳的合金材料。作為導(dǎo)電膜1313，例如可以使用由阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)、或者由阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜、氮化鈦膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。注意，阻擋膜相當(dāng)于由鈦、鈦的氮化物、鉬或鉬的氮化物組成的薄膜。因?yàn)殇X或者鋁硅具有電阻低并且價(jià)格低廉的特性，所以作為用于形成導(dǎo)電膜1313的材料最合適。此外，當(dāng)設(shè)置上層和下層的阻擋層時(shí)，可以防止鋁或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外， 當(dāng)形成由高還原性的元素即鈦構(gòu)成的阻擋膜時(shí)，即使在結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有較薄的自然氧化膜，也可以使該自然氧化膜還原，而獲得與結(jié)晶半導(dǎo)體膜之間的良好接觸。接下來(lái)，覆蓋導(dǎo)電膜1313地形成絕緣膜1314，并且在該絕緣膜1314上形成導(dǎo)電膜 1315a、1315b，以分別與形成薄膜晶體管1300a、1300f的源電極或漏電極的導(dǎo)電膜1313電連接。此外，還形成導(dǎo)電膜1316，以使該導(dǎo)電膜1316與形成薄膜晶體管1300b的源電極或漏電極的導(dǎo)電膜1313電連接。注意，導(dǎo)電膜1315a、1315b和導(dǎo)電膜1316也可以由同一材料同時(shí)形成。導(dǎo)電膜131如、131恥和導(dǎo)電膜1316可以使用上述導(dǎo)電膜1313中所示的任何材料形成。接下來(lái)，形成用作天線(xiàn)的導(dǎo)電膜1317，以使該導(dǎo)電膜1317與導(dǎo)電膜1316電連接 (參照?qǐng)D18B)。絕緣膜1314通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成 具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)、氮氧化硅(SiNxOy) (χ > y > 0)等；包含碳的膜如DLC(類(lèi)金剛石碳)等；有機(jī)材料如環(huán)氧、 聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等；或者硅氧烷材料如硅氧烷樹(shù)脂等。注意，硅氧烷材料相當(dāng)于包含Si-O-Si鍵的材料。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的有機(jī)基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基。或者，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機(jī)基以及氟基。導(dǎo)電膜1317通過(guò)CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴噴出法、 分配器法、鍍敷法等使用導(dǎo)電材料形成。導(dǎo)電材料是選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、 金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料，并且以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜1317。例如，在通過(guò)絲網(wǎng)印刷法形成用作天線(xiàn)的導(dǎo)電膜1317的情況下，可以通過(guò)有選擇地印刷將粒徑為幾nm至幾十μ m的導(dǎo)電粒子溶解或分散于有機(jī)樹(shù)脂中而成的導(dǎo)電膏來(lái)設(shè)置導(dǎo)電膜1317。作為導(dǎo)電粒子，可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀 (Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、以及鈦(Ti)等的任何一個(gè)以上的金屬粒子或鹵化銀的微粒、或者分散性納米粒子。作為包含于導(dǎo)電膏的有機(jī)樹(shù)脂，可以使用選自用作金屬粒子的結(jié)合劑、溶齊U、分散劑及覆蓋劑的有機(jī)樹(shù)脂中的一種或多種?？梢缘湫偷嘏e出環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等的有機(jī)樹(shù)脂。此外，在形成導(dǎo)電膜時(shí)，優(yōu)選在擠出導(dǎo)電膏之后進(jìn)行焙燒。例如，在作為導(dǎo)電膏的材料使用以銀為主要成分的微粒(例如粒徑為Inm以上且IOOnm以下)的情況下，可以通過(guò)在150°C至300°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行焙燒來(lái)固化，而獲得導(dǎo)電膜。此外，也可以使用以焊料或無(wú)鉛焊料為主要成分的微粒，在此情況下，優(yōu)選使用粒徑20 μ m以下的微粒。焊料或無(wú)鉛焊料具有低成本等的優(yōu)點(diǎn)。此外，導(dǎo)電膜1315a、1315b在以后的工序中能夠用作與本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置所包括的二次電池電連接的布線(xiàn)。此外，也可以在形成用作天線(xiàn)的導(dǎo)電膜1317時(shí)，以電連接到導(dǎo)電膜1315a、1315b的方式另行形成導(dǎo)電膜，以將該導(dǎo)電膜用作連接到二次電池的布線(xiàn)。接下來(lái)，在覆蓋導(dǎo)電膜1317地形成絕緣膜1318之后，從襯底1301剝離包括薄膜晶體管1300a至1300f、導(dǎo)電膜1317等的層(以下寫(xiě)為“元件形成層1319”)。在此，可以通過(guò)照射激光(例如UV光)在除了薄膜晶體管1300a至1300f以外的區(qū)域中形成開(kāi)口部之后 (參照?qǐng)D18C)，利用物理力從襯底1301剝離元件形成層1319。此外，也可以在從襯底1301 剝離元件形成層1319之前，將蝕刻劑引入到形成的開(kāi)口部中來(lái)有選擇地去除剝離層1303。 作為蝕刻劑，使用含氟化鹵素或鹵素間化合物的氣體或液體。例如，作為含氟化鹵素的氣體使用三氟化氯(ClF3)。于是，元件形成層1319處于從襯底1301剝離的狀態(tài)。注意，剝離層 1303可以部分地殘留而不完全去除。通過(guò)以上方式，可以抑制蝕刻劑的消耗量，并且縮短為去除剝離層所花費(fèi)的處理時(shí)間。此外，也可以在去除剝離層1303之后，在襯底1301上保持元件形成層1319。此外，再次利用剝離了元件形成層1319的襯底1301，由此可以縮減成本。絕緣膜1318通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成 具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)、氮氧化硅(SiNxOy) (χ > y > 0)等；包含碳的膜如DLC (類(lèi)金剛石碳)等；有機(jī)材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等或硅氧烷材料如硅氧烷樹(shù)脂等。在本實(shí)施例中，在通過(guò)激光的照射在元件形成層1319中形成開(kāi)口部之后，將第一片材1320貼合到該元件形成層1319的一個(gè)表面(露出絕緣膜1318的面)，然后從襯底 1301剝離元件形成層1319(參照?qǐng)D19A)。接下來(lái)，將第二片材1321貼合到元件形成層1319的另一個(gè)表面(因剝離而露出的面)，然后進(jìn)行加熱處理和加壓處理中的一方或兩方來(lái)進(jìn)行貼合(參照?qǐng)D19B)。作為第一片材1320、第二片材1321，可以使用熱熔膜等。作為第一片材1320、第二片材1321，也可以使用進(jìn)行了防止靜電等的抗靜電處理的膜(以下寫(xiě)為抗靜電膜)。作為抗靜電膜，可以舉出在樹(shù)脂中分散有抗靜電材料的膜、以及貼有抗靜電材料的膜等。作為設(shè)有抗靜電材料的膜，既可采用單面上設(shè)有抗靜電材料的膜，又可采用雙面上設(shè)有抗靜電材料的膜。再者，既可將單面上設(shè)有抗靜電材料的膜貼到層上并使設(shè)有抗靜電材料的一面置于膜的內(nèi)側(cè)，又可將單面上設(shè)有抗靜電材料的膜貼到層上并使設(shè)有抗靜電材料的一面置于膜的外側(cè)。注意，該抗靜電材料設(shè)在膜的整個(gè)面或一部分上即可。在此，作為抗靜電材料，可以使用金屬、銦和錫的氧化物(ITO)、界面活性劑如兩性界面活性劑、陽(yáng)離子界面活性劑、非離子界面活性劑等。此外，作為抗靜電材料，除了上述以夕卜，還可以使用包含具有羧基和季銨堿作為側(cè)鏈的交聯(lián)共聚物高分子的樹(shù)脂材料等?？梢酝ㄟ^(guò)將這些材料貼在膜上，揉入在膜中，或者涂敷在膜上而形成抗靜電膜。通過(guò)使用抗靜電膜進(jìn)行密封，可以抑制當(dāng)作為商品使用時(shí)來(lái)自外部的靜電等給半導(dǎo)體元件造成的負(fù)面影響。注意，電池通過(guò)將薄膜的二次電池連接到導(dǎo)電膜1315a、1315b而形成，而與二次電池的連接又可在從襯底1301剝離元件形成層1319之前(圖18B或圖18C的階段)進(jìn)行， 又可在從襯底1301剝離元件形成層1319之后(圖19A的階段)進(jìn)行，并且又可在由第一片材及第二片材密封了元件形成層1319之后(圖19B的階段)進(jìn)行。以下，參照?qǐng)D20A和 20B、圖21A和21B說(shuō)明連接形成元件形成層1319和二次電池的一個(gè)例子。在圖18B中，與用作天線(xiàn)的導(dǎo)電膜1317同時(shí)形成分別與導(dǎo)電膜1315a、1315b電連接的導(dǎo)電膜1331a、1331b。接著，在覆蓋導(dǎo)電膜1317、導(dǎo)電膜1331a、1331b地形成絕緣膜 1318之后，形成開(kāi)口部1332a、1332b，以使導(dǎo)電膜1331a、1331b的表面露出。然后，在通過(guò)激光的照射在元件形成層1319中形成開(kāi)口部之后，將第一片材1332貼合到該元件形成層 1319的一個(gè)表面(露出絕緣膜1318的面)，然后從襯底1301剝離元件形成層1319 (參照?qǐng)D 20A)。接下來(lái)，在將第二片材1333貼合到元件形成層1319的另一個(gè)表面(因剝離而露出的面)之后，從第一片材1332剝離元件形成層1319。從而，在此，使用粘合性低的材料作為第一片材1332。接著，有選擇地形成分別通過(guò)開(kāi)口部1332a、1332b電連接到導(dǎo)電膜 1331a、1331b 的導(dǎo)電膜 1334a、1334b (參照?qǐng)D 20B)。
導(dǎo)電膜1334a、1334b通過(guò)CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴噴出法、分配器法、鍍敷法等使用導(dǎo)電材料而形成。使用選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅 (Cu)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料，并且以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜1334a、1334b。注意，在此，表示在從襯底1301剝離元件形成層1319之后，形成導(dǎo)電膜1334a、 1334b的例子，但是也可以在形成導(dǎo)電膜1334a、1334b之后，從襯底1301剝離元件形成層 1319。接下來(lái)，在襯底上形成有多個(gè)元件的情況下，將元件形成層1319按每一個(gè)元件切斷(參照?qǐng)D21A)。切斷可以使用激光照射裝置、切割裝置、劃片裝置等。在此，通過(guò)照射激光，分別切斷形成在一片襯底的多個(gè)元件。接下來(lái)，將切斷的元件與二次電池電連接(參照?qǐng)D21B)。在本實(shí)施例中，作為電池，使用薄膜的二次電池，依次層疊有集電體薄膜、負(fù)極活性物質(zhì)層、固體電解質(zhì)層、正極活性物質(zhì)層、集電體薄膜的薄膜層。導(dǎo)電膜1336a、1336b通過(guò)CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴噴出法、分配器法、鍍敷法等使用導(dǎo)電材料形成。使用選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅 (Cu)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料，并且以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)電膜1336a、1336b。作為導(dǎo)電材料，需要與負(fù)極活性物質(zhì)的緊密性良好且電阻低，尤其是鋁、銅、鎳、釩等很合適。接下來(lái)，詳細(xì)地說(shuō)明薄膜的二次電池的結(jié)構(gòu)。在導(dǎo)電膜1336a上形成負(fù)極活性物質(zhì)層1381。一般使用氧化釩(V2O5)等。接著，在負(fù)極活性物質(zhì)層1381上形成固體電解質(zhì)層1382。一般使用磷酸鋰(Li3PO4)等。接下來(lái)，在固體電解質(zhì)層1382上形成正極活性物質(zhì)層1383。一般使用錳酸鋰(LiMn2O4)等。也可以使用鈷酸鋰(LiCoO2)、鎳酸鋰(LiNiO2) 等。接下來(lái)，在正極活性物質(zhì)層1383上形成成為電極的集電體薄膜1384。作為集電體薄膜 1384，需要與正極活性物質(zhì)層1383的緊密性良好且電阻低，可以使用鋁、銅、鎳、釩等。上述負(fù)極活性物質(zhì)層1381、固體電解質(zhì)層1382、正極活性物質(zhì)層1383、集電體薄膜1384的每個(gè)薄膜層既可使用濺射技術(shù)形成，又可使用蒸發(fā)淀積技術(shù)形成。每個(gè)層厚度優(yōu)選為 0. Ιμ 至 3μ 0接下來(lái)，涂布樹(shù)脂來(lái)形成層間膜1385。然后，蝕刻該層間膜1385以形成接觸孔。 層間膜不局限于樹(shù)脂，也可以為CVD氧化膜等的其他膜，但是，從平坦性的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為樹(shù)脂。此外，也可以使用感光樹(shù)脂而不使用蝕刻來(lái)形成接觸孔。接下來(lái)，在層間膜上形成布線(xiàn)層1386，與導(dǎo)電膜1336b連接，來(lái)確保二次電池的電連接。在此，使設(shè)置在元件形成層1319的導(dǎo)電膜1334a、1334b與預(yù)先分別形成的成為薄膜的二次電池1389的連接端子的導(dǎo)電膜1336a、1336b連接。在此，表示如下情況通過(guò)具有粘接性的材料如各向異性導(dǎo)電膜(ACF)或各向異性導(dǎo)電膏(ACP)等壓合來(lái)電連接，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電膜133 和導(dǎo)電膜1336a的電連接或?qū)щ娔?334b和導(dǎo)電膜1336b的電連接。在此，表示使用具有粘接性的樹(shù)脂1337所包含的導(dǎo)電粒子1338進(jìn)行連接的例子。此外，除了上述以外，還可以使用導(dǎo)電粘合劑如銀膏、銅膏或碳膏等、或者焊接等進(jìn)行連接。注意，晶體管的結(jié)構(gòu)可以采用各種各樣的方式，而不局限于本實(shí)施例中所示的特定結(jié)構(gòu)。例如，也可以采用柵電極的數(shù)量為兩個(gè)以上的多柵極結(jié)構(gòu)。如果采用多柵極結(jié)構(gòu)，則變成溝道區(qū)串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)，從而成為多個(gè)晶體管串聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用多柵極結(jié)構(gòu)，可以降低截止電流、提高晶體管的耐壓性來(lái)改善可靠性，并且實(shí)現(xiàn)當(dāng)在飽和區(qū)域工作時(shí)即使漏-源間電壓改變，漏-源間電流也不怎么改變，可以獲得穩(wěn)定的特性。此外，也可以采用在溝道上下布置柵電極的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用在溝道上下布置柵電極的結(jié)構(gòu)，溝道區(qū)增大，可以增加電流值，并且容易產(chǎn)生耗盡層，從而改善亞閾值擺幅(subthreshold swing ;S值)。 如果在溝道上下布置柵電極，則變成多個(gè)晶體管并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。
此外，可以采用在溝道上布置柵電極的結(jié)構(gòu)、在溝道下布置柵電極的結(jié)構(gòu)、交錯(cuò)結(jié)構(gòu)、反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。也可以將溝道區(qū)分成多個(gè)區(qū)域，或者，可以使多個(gè)溝道區(qū)并聯(lián)連接或串聯(lián)連接。此外，還可以是源電極或漏電極重疊于溝道(或其一部分)。通過(guò)采用源電極或漏電極與溝道(或其一部分)重疊的結(jié)構(gòu)，可以防止在溝道的一部分聚集電荷而其工作變得不穩(wěn)定。此外，也可以具有LDD區(qū)域。通過(guò)設(shè)置LDD區(qū)域，可以降低截止電流，提高晶體管的耐壓性來(lái)改善可靠性，并且實(shí)現(xiàn)當(dāng)在飽和區(qū)域工作時(shí)，即使漏-源電壓改變，漏-源電流也不大改變，可以獲得穩(wěn)定的特性。
本實(shí)施例的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的制造方法可以適用于本說(shuō)明書(shū)所記載的其他實(shí)施例的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。
實(shí)施例2
在本實(shí)施例中，參照

上述實(shí)施方式所示的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的制造方法的一個(gè)例子。在本實(shí)施例中，說(shuō)明在電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中將天線(xiàn)和信號(hào)處理電路設(shè)置在同一襯底上的結(jié)構(gòu)。在同一襯底上，通過(guò)使用在單晶襯底上形成有溝道形成區(qū)域的晶體管來(lái)一起形成天線(xiàn)和信號(hào)處理電路。通過(guò)使用形成在單晶襯底上的晶體管，可以使用晶體管特性的不均勻性低的晶體管來(lái)構(gòu)成電波強(qiáng)度測(cè)定裝置，因此是優(yōu)選的。另外，說(shuō)明使用實(shí)施例 1所述的薄膜二次電池作為信號(hào)處理電路中的電池的例子。
首先，在半導(dǎo)體襯底2300上形成分離元件的區(qū)域2304、2306 (以下也寫(xiě)為區(qū)域2304、2306)(參照?qǐng)D22A)。設(shè)置在半導(dǎo)體襯底2300上的區(qū)域2304、2306都由絕緣膜 2302(也稱(chēng)為場(chǎng)氧化膜)分離。此外，在此，表示使用具有η型導(dǎo)電型的單晶Si襯底作為半導(dǎo)體襯底2300，并且在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2306中設(shè)置ρ阱2307的例子。
此外，作為襯底2300，只要是半導(dǎo)體襯底則并沒(méi)有特別的限制而可以使用。例如， 可以使用具有η型或ρ型導(dǎo)電型的單晶Si襯底、化合物半導(dǎo)體襯底(GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC襯底、藍(lán)寶石襯底、ZnSe襯底等)、通過(guò)貼合法或SIMOX (S印aration by Implanted Oxygen 注氧隔離)法而制造的SOI (絕緣體上硅)襯底等。
對(duì)元件分離區(qū)域2304、2306可以適當(dāng)?shù)厥褂眠x擇氧化法(L0C0S(硅局部氧化) 法)或深溝分離法等。
此外，形成在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2306中的ρ阱2307可以通過(guò)將具有ρ型導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素有選擇地引入到半導(dǎo)體襯底2300而形成。作為呈現(xiàn)ρ型的雜質(zhì)元素，可以使用硼⑶、鋁(Al)、以及鎵(Ga)等。
注意，在本實(shí)施例中，由于使用具有η型導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底作為半導(dǎo)體襯底 2300，所以對(duì)區(qū)域2304沒(méi)有引入雜質(zhì)元素，但是也可以通過(guò)引入呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素而在區(qū)域2304形成η阱。作為呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。另一方面，在使用具有P型導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的情況下，也可以采用如下結(jié)構(gòu)對(duì)區(qū)域2304引入呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素來(lái)形成η阱，而對(duì)區(qū)域2306不進(jìn)行雜質(zhì)元素的引入。接下來(lái)，分別覆蓋區(qū)域2304、2306地形成絕緣膜2332、2334 (參照?qǐng)D22Β)。例如，通過(guò)進(jìn)行熱處理使設(shè)置在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2304、2306的表面氧化， 可以以氧化硅膜形成絕緣膜2332、2334。此外，也可以使用熱氧化法形成氧化硅膜，然后進(jìn)行氮化處理，從而使氧化硅膜的表面氮化，由此以氧化硅膜和具有氧和氮的膜(氧氮化硅膜)的疊層結(jié)構(gòu)形成絕緣膜2332、2334。另外，也可以如上所述那樣使用等離子體處理形成絕緣膜2332、2334。例如，可以對(duì)設(shè)置在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2304、2306的表面通過(guò)高密度等離子體處理進(jìn)行氧化處理或氮化處理，來(lái)形成氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜作為絕緣膜2332、2334。此外， 也可以在通過(guò)高密度等離子體處理對(duì)區(qū)域2304、2306的表面進(jìn)行氧化處理之后，再次進(jìn)行高密度等離子體處理，以進(jìn)行氮化處理。在此情況下，氧化硅膜形成為與區(qū)域2304、2306的表面接觸，氧氮化硅膜形成在該氧化硅膜上，因此，絕緣膜2332、2334成為層疊氧化硅膜和氧氮化硅膜的膜。此外，也可以在通過(guò)熱氧化法在區(qū)域2304、2306的表面上形成氧化硅膜之后，通過(guò)高密度等離子體處理進(jìn)行氧化處理或氮化處理。此外，形成在半導(dǎo)體襯底2300的區(qū)域2304、2306的絕緣膜2332、2334在之后完成的晶體管中用作柵極絕緣膜。接下來(lái)，以覆蓋形成在區(qū)域2304、2306上方的絕緣膜2332、2334的方式形成導(dǎo)電膜(參照?qǐng)D22C)。在此，示出了按順序?qū)盈B導(dǎo)電膜2336和導(dǎo)電膜2338來(lái)形成導(dǎo)電膜的例子。當(dāng)然，導(dǎo)電膜也可以以單層或三層以上的疊層結(jié)構(gòu)形成。作為導(dǎo)電膜2336、2338，可以由選自鉭( )、鎢(W)、鈦(Ti)、· (Mo)、鋁(Al)、銅 (Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料形成。此外，導(dǎo)電膜2336、2338還可以由使這些元素氮化的金屬氮化膜形成。除此之外，導(dǎo)電膜2336、2338還可以由摻雜了磷等雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料形成。在此，使用氮化鉭形成導(dǎo)電膜2336，并且在其上使用鎢層疊形成導(dǎo)電膜2338。此夕卜，除此之外，還可以使用選自氮化鎢、氮化鉬或氮化鈦的單層或疊層膜作為導(dǎo)電膜2336， 并且使用選自鉭、鉬和鈦的單層或疊層膜作為導(dǎo)電膜2338。接下來(lái)，通過(guò)有選擇地蝕刻來(lái)去除層疊設(shè)置的導(dǎo)電膜2336、2338，在區(qū)域2304、 2306上方的一部分殘留導(dǎo)電膜2336、2338，以分別形成柵電極2340、2342 (參照?qǐng)D23A)。接著，通過(guò)覆蓋區(qū)域2304地有選擇地形成抗蝕劑掩模2348，并且使用該抗蝕劑掩模2348、柵電極2342作為掩模對(duì)區(qū)域2306引入雜質(zhì)元素，來(lái)形成雜質(zhì)區(qū)域(參照?qǐng)D23B)。 作為雜質(zhì)元素，使用賦予η型的雜質(zhì)元素或賦予ρ型的雜質(zhì)元素。作為呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作為呈現(xiàn)ρ型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)或鎵 (Ga)等。在此，使用磷(P)作為雜質(zhì)元素。在圖2 中，通過(guò)引入雜質(zhì)元素，在區(qū)域2306中形成形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域 2352和溝道形成區(qū)域2350。接著，通過(guò)覆蓋區(qū)域2306地有選擇地形成抗蝕劑掩模2366，并且使用該抗蝕劑掩模2366、柵電極2340作為掩模對(duì)區(qū)域2304引入雜質(zhì)元素，來(lái)形成雜質(zhì)區(qū)域(參照?qǐng)D23C)。 作為雜質(zhì)元素，使用賦予η型的雜質(zhì)元素或賦予ρ型的雜質(zhì)元素。作為呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作為呈現(xiàn)ρ型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)等。在此，引入具有與在圖23B中引入到區(qū)域2306中的雜質(zhì)元素不同的導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素(例如，硼(B))。結(jié)果，在區(qū)域2304中形成形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域2370和溝道形成區(qū)域2368。接下來(lái)，覆蓋絕緣膜2332、2334、柵電極2340、2342地形成第二絕緣膜2372，并且在該第二絕緣膜2372上形成布線(xiàn)2374，該布線(xiàn)2374與分別形成在區(qū)域2304、2306中的雜質(zhì)區(qū)域2352、2370電連接(參照?qǐng)D24A)。第二絕緣膜2372通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)、氮氧化硅(SiNxOy) (x>y >0)等；包含碳的膜如DLC (類(lèi)金剛石碳)等；有機(jī)材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等；或者硅氧烷材料如硅氧烷樹(shù)脂等。 注意，硅氧烷材料相當(dāng)于包含Si-O-Si鍵的材料。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的有機(jī)基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基?；蛘?，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機(jī)基以及氟基。通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用選自鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳 (Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料以單層或疊層的方式形成布線(xiàn)2374。以鋁為主要成分的合金材料例如相當(dāng)于以鋁為主要成分且含有鎳的材料、或者以鋁為主要成分且含有碳和硅中的一方或兩方與鎳的合金材料。作為布線(xiàn)2374，例如可以使用由阻擋膜、鋁硅 (Al-Si)膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)、或者由阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜、氮化鈦膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。注意，阻擋膜相當(dāng)于由鈦、鈦的氮化物、鉬或鉬的氮化物組成的薄膜。因?yàn)殇X和鋁硅具有電阻低并且價(jià)格低廉的特性，所以作為用于形成布線(xiàn)2374的材料最合適。 此外，當(dāng)設(shè)置上層和下層的阻擋層時(shí)，可以防止鋁或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外，當(dāng)形成由高還原性的元素即鈦構(gòu)成的阻擋膜時(shí)，即使在結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有薄的自然氧化膜，也可以使該自然氧化膜還原，而獲得與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的良好接觸。注意，要附記的是，本發(fā)明的晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于圖示的結(jié)構(gòu)。例如，可采用反交錯(cuò)型結(jié)構(gòu)、鰭式場(chǎng)效晶體管(Fin FET)結(jié)構(gòu)等的晶體管結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，可以抑制隨著晶體管尺寸的微細(xì)化的短溝效應(yīng)，因此這是優(yōu)選的。此外，在本發(fā)明中的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中，其特征在于在信號(hào)處理電路中具有能夠存儲(chǔ)電力的電池。作為電池，優(yōu)選使用雙電層電容器等的電容器、薄膜的二次電池。在本實(shí)施例中，說(shuō)明在本實(shí)施例中所制造的晶體管與薄膜的二次電池的連接。在本實(shí)施例中，二次電池層疊形成在連接到晶體管的布線(xiàn)2374上。二次電池依次層疊有集電體薄膜、負(fù)極活性物質(zhì)層、固體電解質(zhì)層、正極活性物質(zhì)層、集電體薄膜的薄膜層(參照?qǐng)DMB)。因此，兼用作二次電池的集電體薄膜的布線(xiàn)2374的材料需要與負(fù)極活性物質(zhì)的緊密性良好且電阻低，尤其是鋁、銅、鎳、釩等很合適。接下來(lái)，詳細(xì)地說(shuō)明薄膜二次電池的結(jié)構(gòu)。在布線(xiàn)2374上形成負(fù)極活性物質(zhì)層 2391。一般使用氧化釩(V2O5)等。接著，在負(fù)極活性物質(zhì)層2391上形成固體電解質(zhì)層2392。 一般使用磷酸鋰(Li3PO4)等。接下來(lái)，在固體電解質(zhì)層2392上形成正極活性物質(zhì)層2393。 一般使用錳酸鋰(LiMn2O4)等。也可以使用鈷酸鋰(LiCoO2)、鎳酸鋰(LiNiO2)15接下來(lái)，在正極活性物質(zhì)層2393上形成成為電極的集電體薄膜2394。作為集電體薄膜2394，需要與正極活性物質(zhì)層2393的緊密性良好且電阻低，可以使用鋁、銅、鎳、釩等。
上述負(fù)極活性物質(zhì)層2391、固體電解質(zhì)層2392、正極活性物質(zhì)層2393、集電體薄膜2394的每個(gè)薄膜層既可使用濺射技術(shù)形成，又可使用蒸發(fā)淀積技術(shù)形成。此外，每個(gè)層厚度優(yōu)選為0. 1 μ m至3 μ m。
接下來(lái)，涂布樹(shù)脂來(lái)形成層間膜2396。然后，蝕刻該層間膜2396以形成接觸孔。 層間膜不局限于樹(shù)脂，也可以為CVD氧化膜等的其他膜，但是，從平坦性的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為樹(shù)脂。此外，也可以使用感光樹(shù)脂而不使用蝕刻來(lái)形成接觸孔。接下來(lái)，在層間膜2396 上形成布線(xiàn)層2395，與布線(xiàn)2397連接，由此確保二次電池的電連接。
通過(guò)采用如上結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中，可以獲得在單晶襯底上形成晶體管且在其上具有薄膜二次電池的結(jié)構(gòu)。因此，在本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中，可以獲得實(shí)現(xiàn)了極薄化及小型化的柔性。
本實(shí)施例的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的制造方法可以適用于本說(shuō)明書(shū)所記載的其他實(shí)施方式的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。
實(shí)施例3
在本實(shí)施例中，參照

與上述實(shí)施例2不同的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的制造方法。
首先，在襯底沈00上形成絕緣膜。在此，使用具有η型導(dǎo)電型的單晶Si作為襯底 2600,并且在該襯底沈00上形成絕緣膜沈02和絕緣膜沈04 (參照?qǐng)D25Α)。例如，通過(guò)對(duì)襯底沈00進(jìn)行熱處理形成氧化硅(SiOx)作為絕緣膜沈02，并且通過(guò)CVD法在該絕緣膜沈02 上形成氮化硅(SiNx)。
此外，作為襯底沈00，只要是半導(dǎo)體襯底則并沒(méi)有特別的限制而可以使用。例如， 可以使用具有η型或ρ型導(dǎo)電型的單晶Si襯底、化合物半導(dǎo)體襯底(GaAs襯底、InP襯底、GaN襯底、SiC襯底、藍(lán)寶石襯底、ZnSe襯底等)、通過(guò)貼合法或SIMOX (S印aration by Implanted Oxygen 注氧隔離)法而制造的SOI (絕緣體上硅)襯底等。
此外，絕緣膜沈04可以在形成絕緣膜沈02之后，通過(guò)高密度等離子體處理使該絕緣膜沈02氮化來(lái)設(shè)置。注意，設(shè)置在襯底沈00上的絕緣膜可以具有單層或三層以上的疊層結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，在絕緣膜沈04上有選擇地形成抗蝕劑掩模沈06的圖案，并且使用該抗蝕劑掩模沈06作為掩模有選擇地蝕刻，由此在襯底沈00上有選擇地形成凹部2608(參照?qǐng)D 25B)。作為對(duì)襯底沈00、絕緣膜沈02、2604的蝕刻，可以進(jìn)行利用等離子體的干式蝕刻。
接下來(lái)，在去除抗蝕劑掩模沈06的圖案之后，填充形成在襯底沈00中的凹部沈08 地形成絕緣膜沈10(參照?qǐng)D25C)。
絕緣膜沈10通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下絕緣材料而形成氧化硅、氮化硅、 氧氮化硅(SiOxNy) (χ > y > 0)、以及氮氧化硅(SiNxOy) (x > y > 0)等。在此，通過(guò)常壓 CVD法或減壓CVD法使用TEOS (正硅酸乙酯)氣體形成氧化硅膜作為絕緣膜沈10。
接下來(lái)，通過(guò)進(jìn)行研磨處理、拋光處理或CMP (Chemical Mechanical Polishing 化學(xué)機(jī)械拋光)處理，使該襯底沈00的表面露出。在此，通過(guò)使該襯底沈00的表面露出， 在形成于襯底2600上的凹部沈08的絕緣膜沈11之間設(shè)置區(qū)域沈12、2613。注意，絕緣膜 2611是形成于襯底沈00表面上的絕緣膜沈10通過(guò)研磨處理、拋光處理或CMP處理的研磨處理被去除而獲得的。接著，通過(guò)有選擇地引入具有P型導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素，在襯底沈00 的區(qū)域沈13中形成ρ阱沈15(參照?qǐng)D2躺。作為呈現(xiàn)ρ型的雜質(zhì)元素，可以使用硼(B)、鋁(Al)或鎵(Ga)等。在此，將作為雜質(zhì)元素的硼(B)引入到區(qū)域沈13。注意，在本實(shí)施例中，由于使用具有η型導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底作為襯底沈00，所以對(duì)區(qū)域沈12中沒(méi)有引入雜質(zhì)元素，但是也可以通過(guò)引入呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素來(lái)在區(qū)域沈12 中形成η阱。作為呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)、砷(As)等。另一方面，在使用具有ρ型導(dǎo)電型的半導(dǎo)體襯底的情況下，也可以采用如下結(jié)構(gòu) 對(duì)區(qū)域沈12引入呈現(xiàn)η型的雜質(zhì)元素來(lái)形成η阱，而對(duì)區(qū)域沈13不進(jìn)行雜質(zhì)元素的引入。接下來(lái)，在襯底沈00的區(qū)域沈12、2613的表面上分別形成絕緣膜沈32、2634(參照?qǐng)D洸B)。例如，通過(guò)進(jìn)行熱處理使設(shè)置在半導(dǎo)體襯底沈00的區(qū)域沈12、2613的表面氧化， 可以以氧化硅膜形成絕緣膜沈32、2634。此外，也可以通過(guò)熱氧化法形成氧化硅膜，然后進(jìn)行氮化處理，以使氧化硅膜的表面氮化，從而以氧化硅膜和具有氧和氮的膜(氧氮化硅膜) 的疊層結(jié)構(gòu)形成絕緣膜沈32、2634。另外，如上所述，也可以使用等離子體處理形成絕緣膜沈32、2634。例如，可以對(duì)設(shè)置在襯底沈00的區(qū)域沈12、2613的表面通過(guò)高密度等離子體處理進(jìn)行氧化處理或氮化處理，來(lái)形成氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜作為絕緣膜沈32、2634。此外，也可以在通過(guò)高密度等離子體處理對(duì)區(qū)域沈12、2613的表面進(jìn)行氧化處理之后，再次進(jìn)行高密度等離子體處理，以進(jìn)行氮化處理。在此情況下，氧化硅膜形成為與區(qū)域沈12、2613的表面接觸， 氧氮化硅膜形成在該氧化硅膜上，因此，絕緣膜沈32、2634成為層疊氧化硅膜和氧氮化硅膜的膜。此外，也可以在通過(guò)熱氧化法在區(qū)域沈12、2613的表面上形成氧化硅膜之后，通過(guò)高密度等離子體處理進(jìn)行氧化處理或氮化處理。注意，形成在襯底沈00的區(qū)域沈12、2613上的絕緣膜沈32、2634在之后完成的晶
體管中用作柵極絕緣膜。接下來(lái)，以覆蓋絕緣膜沈32、2634的方式形成導(dǎo)電膜(參照?qǐng)D^C)，該絕緣膜 2632,2634形成在設(shè)置于襯底沈00的區(qū)域沈12、2613上方。在此，示出了按順序?qū)盈B導(dǎo)電膜2636和導(dǎo)電膜沈38來(lái)形成導(dǎo)電膜的例子。當(dāng)然，導(dǎo)電膜也可以以單層或三層以上的疊層結(jié)構(gòu)形成。作為導(dǎo)電膜沈36、2638，可以由選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅 (Cu)、鉻(Cr)和鈮(Nb)等中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料形成。此外，導(dǎo)電膜沈36、2638還可以由將這些元素氮化的金屬氮化膜形成。除此之外，導(dǎo)電膜沈36、2638還可以由摻雜了磷等的雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料形成。在此，使用氮化鉭形成導(dǎo)電膜沈36，并且在其上使用鎢層疊形成導(dǎo)電膜沈38。 除此之外，還可以使用選自氮化鉭、氮化鎢、氮化鉬或氮化鈦的單層或疊層膜作為導(dǎo)電膜 2636，并且使用選自鎢、鉭、鉬和鈦的單層或疊層膜作為導(dǎo)電膜沈38。接下來(lái)，通過(guò)有選擇地蝕刻來(lái)去除層疊設(shè)置的導(dǎo)電膜沈36、2638，在襯底沈00的區(qū)域沈12、2613上方的一部分殘留導(dǎo)電膜沈36、2638，以分別形成用作柵電極的導(dǎo)電膜沈40、2642(參照?qǐng)D27Α)。此外，在此，在襯底沈00中，使與導(dǎo)電膜沈40、2642不重疊的區(qū)Jslc 2612,2613的表面露出。
具體而言，有選擇地去除形成在襯底沈00的區(qū)域沈12上且在導(dǎo)電膜沈40下方的絕緣膜沈32中與該導(dǎo)電膜沈40不重疊的部分，以形成為導(dǎo)電膜沈40和絕緣膜沈32的端部大致一致。此外，有選擇地去除形成在襯底沈00的區(qū)域沈13上且在導(dǎo)電膜沈42下方的絕緣膜沈34中與該導(dǎo)電膜沈42不重疊的部分，以形成為導(dǎo)電膜沈42和絕緣膜沈34的端部大致一致。
在此情況下，既可以在形成導(dǎo)電膜沈40、2642的同時(shí)，去除與導(dǎo)電膜沈40及沈42 不重疊的部分的絕緣膜等，又可以在形成導(dǎo)電膜沈40、2642之后使用殘留的抗蝕劑掩?；蛟搶?dǎo)電膜沈40、2642作為掩模，去除與導(dǎo)電膜沈40及沈42不重疊的部分的絕緣膜等。
接著，對(duì)襯底沈00的區(qū)域沈12、2613有選擇地引入雜質(zhì)元素(參照?qǐng)D27B)。在此，對(duì)區(qū)域沈13使用導(dǎo)電膜沈42作為掩模有選擇地引入賦予η型的低濃度的雜質(zhì)元素，而對(duì)區(qū)域沈12使用導(dǎo)電膜沈40作為掩模有選擇地引入賦予ρ型的低濃度的雜質(zhì)元素。作為賦予η型的雜質(zhì)元素，可以使用磷(P)或砷(As)等。作為賦予ρ型的雜質(zhì)元素，可以使用硼⑶、鋁(Al)或鎵(Ga)等。
接下來(lái)，形成與導(dǎo)電膜沈40、2642的側(cè)面接觸的側(cè)壁沈討。具體而言，通過(guò)等離子體CVD法、濺射法等使用含有無(wú)機(jī)材料如硅、硅的氧化物或硅的氮化物的膜、或者含有有機(jī)材料如有機(jī)樹(shù)脂的膜以單層或疊層結(jié)構(gòu)形成側(cè)壁沈討。并且，可以通過(guò)以垂直方向?yàn)橹黧w的各向異性蝕刻來(lái)有選擇地蝕刻絕緣膜，從而將側(cè)壁26Μ形成為與導(dǎo)電膜沈40、2642的側(cè)面接觸。注意，側(cè)壁26Μ用作在形成LDD (輕摻雜漏極)區(qū)域時(shí)的摻雜用掩模。此外，在此，側(cè)壁還形成為與形成在導(dǎo)電膜沈40、2642下方的絕緣膜的側(cè)面接觸。
接著，使用所述側(cè)壁、導(dǎo)電膜沈40、2642作為掩模，對(duì)襯底沈00的區(qū)域沈12、 沈13引入雜質(zhì)元素，來(lái)形成用作源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域(參照?qǐng)D27C)。在此，對(duì)襯底沈00 的區(qū)域沈13使用側(cè)壁、導(dǎo)電膜沈42作為掩模引入高濃度的賦予η型的雜質(zhì)元素，而對(duì)區(qū)域沈12使用側(cè)壁、導(dǎo)電膜沈40作為掩模引入高濃度的賦予ρ型的雜質(zhì)元素。
結(jié)果，在襯底沈00的區(qū)域沈12中形成形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域沈58、形成 LDD區(qū)域的低濃度雜質(zhì)區(qū)域沈60、以及溝道形成區(qū)域沈56。此外，在襯底沈00的區(qū)域沈13 中形成形成源區(qū)或漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)域沈64、形成LDD區(qū)域的低濃度雜質(zhì)區(qū)域沈66、以及溝道形成區(qū)域沈62。
注意，在本實(shí)施例中，在使與導(dǎo)電膜沈40、2642不重疊的襯底沈00的區(qū)域沈12、 沈13露出的狀態(tài)下，引入雜質(zhì)元素。因此，分別形成在襯底沈00的區(qū)域沈12、2613中的溝道形成區(qū)域沈56、2662能夠以與導(dǎo)電膜沈40、2642自對(duì)準(zhǔn)地形成。
接下來(lái)，以覆蓋設(shè)置在襯底沈00的區(qū)域沈12、2613上的絕緣膜和導(dǎo)電膜等的方式形成第二絕緣膜2677，并且在該第二絕緣膜沈77中形成開(kāi)口部沈78(參照?qǐng)D^A)。
第二絕緣膜沈77通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用如下材料的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)而形成具有氧或氮的絕緣膜如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy) (x > y > 0)、氮氧化硅(SiNxOy) (x>y >0)等；包含碳的膜如DLC (類(lèi)金剛石碳)等；有機(jī)材料如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯、丙烯等；或者硅氧烷材料如硅氧烷樹(shù)脂等。 注意，硅氧烷材料相當(dāng)于包含Si-O-Si鍵的材料。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的有機(jī)基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基?；蛘撸鳛槿〈?，也可以使用至少包含氫的有機(jī)基以及氟基。 接下來(lái)，通過(guò)CVD法在開(kāi)口部沈78中形成導(dǎo)電膜沈80，并且在絕緣膜沈77上將導(dǎo)
電膜268 至2682d有選擇地形成為與所述導(dǎo)電膜沈80電連接(參照?qǐng)D^B)。通過(guò)CVD法或?yàn)R射法等使用選自鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳 (Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)中的元素、以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料以單層或疊層的方式形成導(dǎo)電膜沈80、268加至沈82(1。以鋁為主要成分的合金材料例如相當(dāng)于以鋁為主要成分且含有鎳的材料、或者以鋁為主要成分且含有碳和硅中的一方或兩方與鎳的合金材料。作為導(dǎo)電膜沈80、268加至 ^82d，例如可以使用由阻擋膜、鋁硅(Al-Si)膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)、或者由阻擋膜、 鋁硅(Al-Si)膜、氮化鈦(TiN)膜和阻擋膜組成的疊層結(jié)構(gòu)。注意，阻擋膜相當(dāng)于由鈦、鈦的氮化物、鉬或鉬的氮化物組成的薄膜。因?yàn)殇X和鋁硅具有電阻低并且價(jià)格低廉的特性，所以作為用于形成導(dǎo)電膜沈80、268加至的材料最合適。此外，當(dāng)設(shè)置上層和下層的阻擋層時(shí)，可以防止鋁或鋁硅的小丘的產(chǎn)生。此外，當(dāng)形成由高還原性的元素即鈦構(gòu)成的阻擋膜時(shí)，即使在結(jié)晶半導(dǎo)體膜上形成有薄的自然氧化膜，也可以使該自然氧化膜還原，而獲得與結(jié)晶半導(dǎo)體膜的良好接觸。在此，導(dǎo)電膜沈80、268加至沈82(1可以通過(guò)CVD法使鎢(W) 有選擇地生長(zhǎng)來(lái)形成。通過(guò)以上工序，可以獲得形成在襯底沈00的區(qū)域沈12中的ρ型晶體管、以及形成在區(qū)域沈13中的η型晶體管。注意，要附記的是，構(gòu)成本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的結(jié)構(gòu)不局限于圖示的結(jié)構(gòu)。 例如，可以采用反交錯(cuò)型結(jié)構(gòu)、鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)等的晶體管結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，可以抑制隨著晶體管尺寸的微細(xì)化而產(chǎn)生的短溝效應(yīng)，因此這是優(yōu)選的。此外，在本發(fā)明中的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中，其特征在于在信號(hào)處理電路中具有能夠存儲(chǔ)電力的電池。作為電池，優(yōu)選使用雙電層電容器、薄膜的二次電池。在本實(shí)施例中， 說(shuō)明在本實(shí)施例中所制造的晶體管與薄膜的二次電池的連接。在本實(shí)施例中，二次電池層疊形成在連接到晶體管的導(dǎo)電膜上。二次電池依次層疊有集電體薄膜、負(fù)極活性物質(zhì)層、固體電解質(zhì)層、正極活性物質(zhì)層、集電體薄膜的薄膜層(參照?qǐng)D觀(guān)鍆。因此，兼用作二次電池的集電體薄膜的導(dǎo)電膜的材料需要與負(fù)極活性物質(zhì)的緊密性良好且電阻低，尤其是鋁、銅、鎳、釩等很合適。接下來(lái)，詳細(xì)地說(shuō)明薄膜二次電池的結(jié)構(gòu)。在導(dǎo)電膜2682d上形成負(fù)極活性物質(zhì)層沈91。一般使用氧化釩(V2O5)等。接著，在負(fù)極活性物質(zhì)層沈91上形成固體電解質(zhì)層
2692。一般使用磷酸鋰(Li3PO4)等。接下來(lái)，在固體電解質(zhì)層沈92上形成正極活性物質(zhì)層
2693。一般使用錳酸鋰(LiMn2O4)等。也可以使用鈷酸鋰(LiCoO2)、鎳酸鋰(LiNiO2)等。接下來(lái)，在正極活性物質(zhì)層2693上形成成為電極的集電體薄膜沈94。作為集電體薄膜沈94， 需要與正極活性物質(zhì)層2693的粘合性良好且電阻低，可以使用鋁、銅、鎳、釩等。上述負(fù)極活性物質(zhì)層2691、固體電解質(zhì)層2692、正極活性物質(zhì)層沈93、集電體薄膜沈94的每個(gè)薄膜層既可使用濺射技術(shù)形成，又可使用蒸發(fā)淀積技術(shù)形成。此外，每個(gè)層厚度優(yōu)選為0. 1 μ m至3 μ m。接下來(lái)，涂布樹(shù)脂來(lái)形成層間膜沈96。然后，蝕刻該層間膜沈96以形成接觸孔。 層間膜沈96不局限于樹(shù)脂，也可以為CVD氧化膜等的其他膜，但是，從平坦性的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為樹(shù)脂。此外，也可以使用感光樹(shù)脂而不使用蝕刻來(lái)形成接觸孔。接下來(lái)，在層間膜 2696上形成布線(xiàn)層沈95，與布線(xiàn)沈97連接，來(lái)確保薄膜二次電池的電連接。通過(guò)采用如上結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中，可以獲得在單晶襯底上形成晶體管且在其上具有薄膜二次電池的結(jié)構(gòu)。因此，在本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中，可以獲得實(shí)現(xiàn)了極薄化及小型化的柔性。本實(shí)施例的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的制造方法可以適用于本說(shuō)明書(shū)所記載的其他實(shí)施方式的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。實(shí)施例4在本實(shí)施例中，說(shuō)明本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的用途。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置可以用作所謂的如下電波強(qiáng)度檢測(cè)器為了保護(hù)因電波而不正常工作的可能性高的物品如醫(yī)療設(shè)備或起搏器等，而以視覺(jué)方式表現(xiàn)該物品周?chē)母唠姴◤?qiáng)度。在本實(shí)施例中，參照?qǐng)D29A至36B說(shuō)明本發(fā)明的應(yīng)用例子及設(shè)有它的商品例子。圖29A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在管理標(biāo)簽 3000上形成有電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3001。另外，將帶有管理標(biāo)簽的工作人員的ID3002及照片 3003貼在管理標(biāo)簽3000上。如圖29B所示，該管理標(biāo)簽3000例如設(shè)在工作人員穿著的工作服3004上。工作人員攜帶電波強(qiáng)度檢測(cè)器，因此當(dāng)進(jìn)入電波強(qiáng)度明顯高的區(qū)域時(shí)，通過(guò)確認(rèn)電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3001的顏色變化，可以知道電波強(qiáng)度。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，工作人員可以使用圖29A所示的如下電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。圖30A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在貼體3100 上形成有禁止使用發(fā)送電波的裝置的警告標(biāo)記3101、以及電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3102。如圖 30B所示，該貼體3100例如貼到醫(yī)院內(nèi)的醫(yī)療設(shè)備3103上來(lái)使用。電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3102 當(dāng)會(huì)見(jiàn)人及住院患者不關(guān)閉所攜帶的電波發(fā)送裝置的電源地接近時(shí)改變其顏色，以視覺(jué)方式表現(xiàn)警告，來(lái)促使關(guān)閉電波發(fā)送裝置的電源。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，會(huì)見(jiàn)人及住院患者可以使用圖30A所示的如下電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。圖31A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在貼體3200 上形成有禁止使用手機(jī)的警告標(biāo)記3201、以及電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3202。如圖31B所示，該貼體3200例如貼到火車(chē)內(nèi)的優(yōu)先席附近的吊環(huán)3203來(lái)使用。當(dāng)乘客不關(guān)閉手機(jī)3204的電源且手機(jī)3204具有的天線(xiàn)3205發(fā)送電波時(shí)，電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3202接收該電波而改變其顏色，并以視覺(jué)方式表現(xiàn)警告，來(lái)對(duì)乘客促使關(guān)閉手機(jī)的電源。另一方面，攜帶著諸如起搏器等之類(lèi)的因電波而不正常工作的可能性高的物品的人可以從電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的顏色判斷危險(xiǎn)性，來(lái)離開(kāi)電波發(fā)送源。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，乘客可以使用圖31A所示的如下電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。圖32A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在警告燈3300上形成有內(nèi)置了根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的警告標(biāo)記3301。如圖32B所示，該警告燈例如在飛機(jī)3302內(nèi)使用。具體地說(shuō)，如圖32C所示，作為座位3303上的警告燈來(lái)設(shè)置。當(dāng)飛機(jī)起飛和著陸時(shí)，飛機(jī)乘務(wù)員可以通過(guò)確認(rèn)警告燈若周?chē)须姴òl(fā)送源則對(duì)乘客促使注意。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，飛機(jī)乘務(wù)員可以使用圖32A所示的如下電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，該電波強(qiáng)度檢測(cè)器用作設(shè)置在公共交通工具上的安全裝置。
圖33A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在警告燈 3400上形成有內(nèi)置了根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的警告標(biāo)記3401。如圖3 所示，該警告燈例如安裝在電磁烹調(diào)器3402上。當(dāng)電磁烹調(diào)器3402因不正常地工作而輸出危險(xiǎn)的電磁波時(shí)，警告燈改變其顏色來(lái)警告危險(xiǎn)。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，使用者可以使用圖33A所示的如下電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。
圖34A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在顯示部 3405上形成有內(nèi)置了根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的警告標(biāo)記3406。如圖34B所示，該顯示部例如安裝在微波爐3407上。當(dāng)微波爐3407因不正常地工作而輸出危險(xiǎn)的電磁波時(shí)，警告燈改變其顏色來(lái)警告危險(xiǎn)。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，使用者可以使用圖34A所示的電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。
圖35A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在貼體3500 上形成有電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3501。如圖35B所示，該貼體3500例如設(shè)在電腦3502上來(lái)使用。電腦使用者可以因電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3501的顏色變化而知道無(wú)線(xiàn)通信的電波水平的高低。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，使用者可以使用圖35A所示的電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。
圖36A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在板3600 上形成有電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3601。如圖36B所示，該板3600例如貼在電波測(cè)定室3602的內(nèi)壁來(lái)使用。天線(xiàn)設(shè)計(jì)技術(shù)人員使用電腦3603通過(guò)天線(xiàn)3604發(fā)送電波，來(lái)確認(rèn)電波測(cè)定室3602的內(nèi)壁的顏色變化，而可以以視覺(jué)方式觀(guān)察電波強(qiáng)度的分布來(lái)測(cè)定天線(xiàn)3604的性能。本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。因此，使用者可以使用圖36A所示的如下電波強(qiáng)度檢測(cè)器該電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。
如上所述，本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器可以設(shè)在要檢測(cè)電波水平的任何物體(包括活體)上。
本實(shí)施例可以與本發(fā)明的其他實(shí)施方式及實(shí)施例自由地組合。就是說(shuō)，具有本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。
實(shí)施例5
在本實(shí)施例中，說(shuō)明本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的用途。具有本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的電波強(qiáng)度檢測(cè)器可以用作以電波為色彩的所謂的游戲設(shè)備。
在本實(shí)施例中，參照?qǐng)D37A和37B說(shuō)明本發(fā)明的應(yīng)用例子及設(shè)有它的商品例子。
圖37A表示根據(jù)本發(fā)明的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的完成品狀態(tài)的一個(gè)例子。在板3700 上形成有電波強(qiáng)度測(cè)定裝置3701。通過(guò)使用薄型塑料板作為板3700，可以將構(gòu)成電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的晶體管形成在該薄型塑料板上來(lái)加工為曲面形狀。
通過(guò)組合圖37A所示的多個(gè)板3700，如圖37B所示，將本實(shí)施例的游戲設(shè)備形成為板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器3710來(lái)使用，該電波強(qiáng)度檢測(cè)器3710的大小大致與人的身高相同。 使用者3702通過(guò)掄起具有電波發(fā)送器3703的棒3704發(fā)送電波，來(lái)欣賞板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器3710的色彩變化。
另外，關(guān)于使用者的電波發(fā)送，通過(guò)組合內(nèi)置在棒3704中的加速度傳感器或包括麥克風(fēng)等的壓電傳感器等的傳感器來(lái)根據(jù)使用者3702的動(dòng)作而工作，可以提高娛樂(lè)性。在圖37B中，雖然示出棒3704作為具有電波發(fā)送器的物體，但是只要是根據(jù)身體的活動(dòng)而能夠工作的物體，即可，而并不局限于棒形狀。
在本實(shí)施例中，說(shuō)明板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器3710的形狀作為平面形狀，但是還可以采用其他形狀如球面形狀或凹凸面形狀來(lái)欣賞色彩變化。另外，還可以與液晶顯示裝置或發(fā)光裝置組合來(lái)構(gòu)成在視覺(jué)方面上富于變化的游戲設(shè)備。
如上所述，本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置可以設(shè)在要檢測(cè)無(wú)線(xiàn)通信的電波水平的任何物體(包括活體)上。
本實(shí)施例可以與本發(fā)明的其他實(shí)施方式及實(shí)施例自由地組合。就是說(shuō)，具有本發(fā)明的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的電波強(qiáng)度檢測(cè)器能夠測(cè)定來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波，而且即使在環(huán)境光非常強(qiáng)如太陽(yáng)光下的情況下，可見(jiàn)度也良好。
本說(shuō)明書(shū)根據(jù)2006年11月16日在日本專(zhuān)利局受理的日本專(zhuān)利申請(qǐng)編號(hào) 2006-309996而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括配置成將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；配置成對(duì)所述感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以所述直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；配置成對(duì)所述直流信號(hào)的電位和所述電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路； 配置成放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以所述放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的第一元件，其中，所述控制電路配置成當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)將所述電池的電力提供給所述放大電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置是電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一元件是顯示元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述控制電路包括具有加0或^feZnO的晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述天線(xiàn)是從偶極天線(xiàn)、環(huán)形天線(xiàn)、八木天線(xiàn)、貼片天線(xiàn)和微小天線(xiàn)構(gòu)成的組中選擇的天線(xiàn)。
6.一種管理標(biāo)簽，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置、ID和工作人員的照片。
7.一種貼體，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置以及用于警告人們禁止使用發(fā)送電波的第二裝置的警告標(biāo)記。
8.一種警告燈，包括其中包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置的警告標(biāo)記。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一元件的顏色根據(jù)所述放大電路所放大的所述直流信號(hào)的大小而改變。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電池是鋰電池、鋰聚合物電池、鋰離子電池、 鎳氫電池、鎳鎘電池、有機(jī)電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池、或電容器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述電容器是雙電層電容器。
12.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置的電波強(qiáng)度檢測(cè)器，其中該電波強(qiáng)度檢測(cè)器被貼到物品上來(lái)進(jìn)行電波檢測(cè)。
13.一種游戲設(shè)備，其中該游戲設(shè)備包括貼有根據(jù)權(quán)利要求12所述的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器和電波發(fā)送器，并且其中以所述電波發(fā)送器所發(fā)送的電波改變所述板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器的顏色。
14.一種裝置，包括配置成將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；配置成對(duì)所述感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以所述直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；配置成對(duì)所述直流信號(hào)的電位和所述電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路； 配置成放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以所述放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的第一元件，其中，所述控制電路配置成當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)將所述電池的電力提供給所述放大電路，并且，所述第一元件包括電阻發(fā)熱體以及熱變色元件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述裝置是電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述第一元件是顯示元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述控制電路包括具有ZnO或InGaZnO的晶體管。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述天線(xiàn)是從偶極天線(xiàn)、環(huán)形天線(xiàn)、八木天線(xiàn)、 貼片天線(xiàn)和微小天線(xiàn)構(gòu)成的組中選擇的天線(xiàn)。
19.一種管理標(biāo)簽，包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置、ID和工作人員的照片。
20.一種貼體，包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置以及用于警告人們禁止使用發(fā)送電波的第二裝置的警告標(biāo)記。
21.一種警告燈，包括其中包含根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置的警告標(biāo)記。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述第一元件的顏色根據(jù)所述放大電路所放大的所述直流信號(hào)的大小而改變。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述熱變色元件包含熱致液晶。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述電池是鋰電池、鋰聚合物電池、鋰離子電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機(jī)電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池、或電容器。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的裝置，其中所述電容器是雙電層電容器。
26.—種包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置的電波強(qiáng)度檢測(cè)器，其中該電波強(qiáng)度檢測(cè)器被貼到物品上來(lái)進(jìn)行電波檢測(cè)。
27.一種游戲設(shè)備，其中該游戲設(shè)備包括貼有根據(jù)權(quán)利要求沈所述的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器和電波發(fā)送器，并且其中以所述電波發(fā)送器所發(fā)送的電波改變所述板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器的顏色。
28.一種裝置，包括配置成將所接收的電波轉(zhuǎn)換成感應(yīng)信號(hào)的天線(xiàn)；配置成對(duì)所述感應(yīng)信號(hào)進(jìn)行整流來(lái)輸出直流信號(hào)的整流電路；以所述直流信號(hào)進(jìn)行充電的電池；配置成對(duì)所述直流信號(hào)的電位和所述電池的輸出電位進(jìn)行比較的控制電路； 配置成放大所述直流信號(hào)的放大電路；以及以所述放大電路所放大的所述直流信號(hào)工作的第一元件，其中，所述控制電路配置成當(dāng)所述直流信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)充電所述電池，而當(dāng)所述直流信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)將所述電池的電力提供給所述放大電路，并且，所述第一元件包括電壓施加元件以及電致變色元件。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置，其中所述裝置是電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。
30.根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置，其中所述第一元件是顯示元件。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的裝置，其中所述控制電路包括具有ZnO或^feaiO的晶體管。
32.根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置，其中所述天線(xiàn)是從偶極天線(xiàn)、環(huán)形天線(xiàn)、八木天線(xiàn)、貼片天線(xiàn)和微小天線(xiàn)構(gòu)成的組中選擇的天線(xiàn)。
33.一種管理標(biāo)簽，包括根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置、ID和工作人員的照片。
34.一種貼體，包括根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置以及用于警告人們禁止使用發(fā)送電波的第二裝置的警告標(biāo)記。
35.一種警告燈，包括其中包含根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置的警告標(biāo)記。
36.根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置，其中所述第一元件的顏色根據(jù)所述放大電路所放大的所述直流信號(hào)的大小而改變。
37.根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置，其中所述電致變色元件包含金屬氧化物。
38.根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置，其中所述電池是鋰電池、鋰聚合物電池、鋰離子電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機(jī)電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池、或電容ο
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的裝置，其中所述電容器是雙電層電容器。
40.一種包括根據(jù)權(quán)利要求觀(guān)所述的裝置的電波強(qiáng)度檢測(cè)器，其中該電波強(qiáng)度檢測(cè)器被貼到物品上來(lái)進(jìn)行電波檢測(cè)。
41.一種游戲設(shè)備，其中該游戲設(shè)備包括貼有根據(jù)權(quán)利要求40所述的電波強(qiáng)度檢測(cè)器的板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器和電波發(fā)送器，并且其中以所述電波發(fā)送器所發(fā)送的電波改變所述板狀電波強(qiáng)度檢測(cè)器的顏色。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種即使接收來(lái)自遠(yuǎn)處的微弱電波也能夠提高顯示部的可見(jiàn)度的電波強(qiáng)度測(cè)定裝置。本發(fā)明的技術(shù)要點(diǎn)如下提供電池作為在電波強(qiáng)度測(cè)定裝置中用來(lái)提供電力的電源，并通過(guò)利用所接收的電波進(jìn)行電池的充電。當(dāng)因該所接收的電波而獲得的信號(hào)的電位大于所述電池的輸出電位時(shí)，將其電力存儲(chǔ)到電池，而當(dāng)因該所接收的電波而獲得的信號(hào)的電位小于所述電池的輸出電位時(shí)，使用所述電池的發(fā)生電力作為驅(qū)動(dòng)所述電波強(qiáng)度測(cè)定裝置的電源。另外，使用熱變色元件或電致變色元件作為顯示電波強(qiáng)度的元件。
文檔編號(hào)H01Q1/22GK102520261SQ20111032081
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月16日
發(fā)明者傳保洋樹(shù), 宮口厚 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所