專利名稱：一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管及其制備方法，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
GaN材料利用其大的禁帶寬度制作的藍色、綠色、紫外發(fā)光器件和光探測器件，具有極大地發(fā)展空間和廣闊的應(yīng)用市場。GaN基監(jiān)綠光_■極管具有體積小、效率聞和壽命長等優(yōu)點，在交通指示、戶外全色顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。雖然GaN基LED已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，但芯片出光效率低的問題仍沒得到很好解決。其中，影響晶片出光效率的因素主要有以下幾方面1.晶片PN結(jié)的量子結(jié)構(gòu)缺陷，導(dǎo)致部分量子復(fù)合為非輻射復(fù)合；2.晶片上必須安裝供電流通過的電極，而電極一般由不透光的金屬材料制成，影響了部分光線的出射；3.由光的傳播理論,根據(jù)折射定律，當入射角大于arc Sin(Ii1Ai2)時,將發(fā)生全反射，光線將不會射出晶片而消耗在晶片內(nèi)部。O^n2為材料折射率)。目前主要的解決出光效率問題的方法如下1.改變晶片的幾何形狀，以改變光線的出射角度來增加光線的射出；

2.采用芯片倒裝技術(shù)(Flip Chip)；3.在襯底層上增加反射鏡，如金屬鏡反射、分布式布拉格反射鏡(DBR)、ODR介質(zhì)膜，讓光線直接在表面射出，提高發(fā)光效率。電極一般由不透光金屬材料制成，直徑約70-90 ym，在芯片發(fā)光面上占據(jù)了很大一部分面積，這樣使得電極正下方的電流密度非常大，從而大部分光產(chǎn)生于電極下面，加之金屬電極對光的吸收、阻擋，嚴重影響了 LED芯片的發(fā)光效率，為此業(yè)界通常采用引入電流阻擋層的方法來改變電極下的電流積聚。常見的電流阻擋層由一層SiO2薄膜或者一層接觸勢壘高的金屬構(gòu)成，如中國專利CN101510580提供了一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管制作方法，在透明電極與P型半導(dǎo)體材料層之間，陽極金屬焊線層下方的局部位置上，形成有電流阻擋層，利用電流阻擋層減少晶片電極下方的電流積聚，減少電極對光的吸收，此種阻擋層存在以下缺點1、完全阻擋了電流向焊盤下發(fā)光區(qū)的注入，不能有效利用電極下的發(fā)光區(qū)；2、此種電流阻擋層不能有效反射射向電極的光，導(dǎo)致部分光被金屬電極吸收。中國專利CN101969089A提供了一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管制作方法，包括在藍寶石襯底上形成氮化鎵基發(fā)光外延層，在外延層上定義電流阻止區(qū)，并在阻止區(qū)的非摻雜氮化鎵基外延層上鍍一層金屬層做掩膜覆蓋整個電流阻止區(qū)。采用電化學(xué)蝕刻方式將電流阻止區(qū)之外的非摻雜氮化鎵基外延層去除，并去除掩膜。在P型氮化鎵基外延層和非摻雜外延層上制作透明導(dǎo)電層，并在電流阻止區(qū)范圍內(nèi)的導(dǎo)電層上制作P電極。CN 201349018提供了一種電流阻擋層分布于上電極對應(yīng)的發(fā)光二級管制作方法，包括電流阻擋層的形狀與上電極形狀相同，位于上電極的正下方，并且電流阻擋層設(shè)置在導(dǎo)電增透層或電流擴展層或上限值層或有源區(qū)里面，或相鄰的兩層、三層、四層的里面。CN201699049U提供了一種雙電流阻擋層電流輸運結(jié)構(gòu)的薄膜型發(fā)光二級管，包括在上電極下方以及轉(zhuǎn)移襯底上方分別制備上電流阻擋層和下電流阻擋層，且上電流阻擋層和下電流阻擋層在層疊方向的位置相對應(yīng)，這避免了注入電流產(chǎn)生的光子被電極阻擋和吸收，大大提高了有效電流的比列，同時也增加了電流效率，減少了熱的產(chǎn)生。根據(jù)現(xiàn)有公開報道，電流阻擋層能有效擴展電流，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。但通常的電流阻擋層只能避免電流進入P區(qū)后在電極下方對應(yīng)區(qū)域積聚，忽視了降低電極吸光、提升電極下方對應(yīng)區(qū)域的量子阱發(fā)光效率，這些也能有效提升光效，從而改變常規(guī)電流阻擋層存在的不足
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有GaN基發(fā)光二極管外量子效率仍然不高、電極正下方局部位置電流擴展積聚，電極吸光及散熱不好等問題，提出一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管，本發(fā)明還提出一種所述發(fā)光二極管的制備方法。發(fā)明概述本發(fā)明涉及一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管，所述的電流阻擋層是通過在P電極正下方對應(yīng)位置生長一層具有反射作用的電流阻擋層，在電流阻擋層內(nèi)制作圓柱形空洞，并在空洞內(nèi)填充導(dǎo)電材料，這樣能夠有效增強LED的發(fā)光效率，提高其可靠性。該電流阻擋層既能有效反射發(fā)光區(qū)射向電極底部位置的光線，又能改善電流積聚、降低芯片散熱不良的狀況，所述的導(dǎo)電材料為圓柱形ITO導(dǎo)電材料，能避免在電極下方對應(yīng)位置完全不導(dǎo)電現(xiàn)象的發(fā)生，提高發(fā)光區(qū)發(fā)光效率。名詞解釋ITO透明導(dǎo)電材料氧化銦錫(Indium-Tin Oxide)透明導(dǎo)電材料。ODR 介質(zhì)膜全方位反射鏡(Omn1-directional reflector)介質(zhì)膜。真空蒸鍍在真空環(huán)境中，將材料加熱并鍍到基片上稱為真空蒸鍍。磁控濺射技術(shù)利用Ar、O2等氣體在電場和交變磁場的作用下，形成等離子體，等離子體中的粒子在電場中被加速成高能粒子，高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉(zhuǎn)移到基體表面而成膜。ICP 刻蝕感應(yīng)稱合等離子(Inductive Coupled Plasma)刻蝕。發(fā)明詳述本發(fā)明的技術(shù)方案如下—種發(fā)光二極管，包括襯底層上依次是GaN外延層和電流擴展層，所述GaN外延層由下往上依次包括N型GaN半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型GaN半導(dǎo)體層，在電流擴展層上是P電極焊線層，在N型GaN半導(dǎo)體層上是N電極焊線層；在P電極焊線層正下方對應(yīng)位置生長有一層具有反射作用的電流阻擋層，位于P型GaN半導(dǎo)體層和電流擴展層之間，所述的電流阻擋層內(nèi)有圓柱形空洞，在所述圓柱形空洞內(nèi)有ITO透明導(dǎo)電材料。所述電流阻擋層的橫截面積大小與所述的P電極焊線層的大小相同。所述的圓柱形空洞直徑為0. 5-2 ii m,周期為10_20 ii m,所述電流阻擋層內(nèi)有圓柱形空洞的數(shù)量為20-30個。所述的周期為10-20i!m是指相鄰兩個圓柱形空洞之間相距IO-20 u nio所述的電流阻擋層為Ti0、Ti02、Zr02、Si02、SiNx中的任意兩種或多種，按照1/4LED的發(fā)光波長交替生長而成，生長周期為2-3個。以SiO2和TiO2為例，交替生長厚度為X An1的SiO2和厚度為入Mn2的TiO2，通常為2-3對，其中入為LED的發(fā)光波長，A取值范圍為450-470nm, Ii1 是 SiO2 折射率，n2 為 TiO2 折射率。所述的電流擴展層的材質(zhì)是ITO透明導(dǎo)電材料，所述電流阻擋層的厚度小于或等于電流擴展層的厚度。所述的ITO透明導(dǎo)電材料的電阻率為1. 8X 1(T4_4X KT4Q cm。所述的襯底層是藍寶石、硅或碳化硅襯底其中的一種。在襯底層背面設(shè)置有ODR介質(zhì)膜。所述的ODR介質(zhì)膜為自上而下順序為，一層布拉格反射膜系和一層Al膜，所述布拉格反射膜系是交替生長的厚度為、Mn1的SiO2和厚度為\ Mn2的TiO2,生長周期為3_4個，其中入為LED的發(fā)光波長；所述Al膜的厚度為200-600nm。入取值范圍為450_470nm，H1是SiO2折射率，n2為TiO2折射率。本發(fā)明具有電流阻擋層的發(fā)光二極管的制備方法，步驟如下
·
(I)在襯底層上生長GaN外延層在襯底層上自下往上依次生長厚度為
0.5 ii m-6 ii m的摻Si的N型GaN層，其中Si的摻雜濃度范圍是:5X 1017cm_3_5X 1019cm_3,多量子阱(MQWS)發(fā)光層，其中發(fā)光層厚度范圍為10-500nm，厚度為120nm_300nm的摻Mg的P型GaN層，其中Mg摻雜濃度范圍是5X1019cnT3-5 X IO2ciCnT3 ；(2)利用真空蒸鍍或磁控濺射技術(shù)，在P型GaN層上生長電流阻擋層，所述的電流阻擋層為TiO、TiO2, ZrO2, SiO2, SiNx中的任意兩種或多種，按照1/4LED的發(fā)光波長交替生長而成，生長周期為2-3個。以SiO2和TiO2為例，交替生長厚度為\ Mn1的SiO2和厚度為入/4n2的TiO2，通常為2-3對，其中入為LED的發(fā)光波長，A取值范圍為450_470nm，Ii1是SiO2折射率，n2為TiO2折射率。該電流阻擋層的厚度滿足干涉相長，增強反射光強度，有效反射發(fā)光區(qū)射向電極底部的光。(3)通過濕法腐蝕或干法刻蝕方式將電流阻擋層的外形制成與P電極焊線層相對應(yīng)的形狀，并且電流阻擋層上貫通設(shè)置圓柱形空洞，圓柱形空洞直徑為0. 5-2 u m,周期為10-20 iim，所述電流阻擋層內(nèi)有圓柱形空洞的數(shù)量為20-30個。所述的周期為10-20iim是指相鄰兩個圓柱形空洞之間相距10-20 u m。(4)利用真空蒸鍍或磁控濺射技術(shù)，在電流阻擋層的圓柱形空洞內(nèi)填充ITO導(dǎo)電材料，ITO的厚度等于電流阻擋層的厚度；(5)在電流阻擋層的上表面制備一層ITO電流擴展層，所述的ITO電流擴展層厚度大于或等于電流阻擋層的厚度；(6)采用ICP刻蝕、PECVD生長掩蔽膜以及電子束蒸鍍技術(shù)，在電流擴展層上制備P電極焊線層和N電極焊線層，最終制得芯片；(7)將步驟(6)所得的芯片的襯底層背面減薄，并在減薄后的襯底層背面上制備ODR介質(zhì)膜，所述的ODR介質(zhì)膜為自上而下順序為，一層布拉格反射膜系和一層Al膜，所述布拉格反射膜系是交替生長的厚度為X An1的SiO2和厚度為X/如2的TiO2，生長周期為3-4個，其中X為LED的發(fā)光波長。\取值范圍為450-470nm，H1是SiO2折射率，n2為TiO2折射率；所述Al膜的厚度為200-600nm。所述步驟(5)中ITO電流擴展層的厚度為260_500nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于本發(fā)明所述的發(fā)光二極管，通過在P型GaN表面，P電極正下方對應(yīng)的局部位置上制備一層反射膜，有效反射發(fā)光層射向電極下方的光線，反射膜上的電流阻擋層能改善電流在電極下方積聚的現(xiàn)象，具有反射作用的電流阻擋層內(nèi)的圓柱形空洞內(nèi)填充ITO導(dǎo)電材料，可以保證使P電極對應(yīng)的位置下方也有少量的電流通過，這樣既避免電流積聚，又能提高電極下方對應(yīng)位置發(fā)光區(qū)效率對460nm的光反射率達到80%以上，既避免金屬電極對光的吸收，又使光線從其他位置發(fā)射出；同時也很好的解決了 P電極下方對應(yīng)位置結(jié)溫易迅速升高的問題。


圖1為普通藍寶石襯底層GaN基LED芯片切面圖。圖2為普通具有電流阻擋層的GaN基LED芯片切面圖。圖3為GaN外延層上制備具有反射作用的電流阻擋層切面圖。圖4為本發(fā)明所提供的具有電流阻擋層的發(fā)光二極管的切面圖。 圖5是本發(fā)明LED的電流擴展圖示。圖6是無電流阻擋層LED的電流擴展圖示。圖7是具有普通電流 阻擋層LED的電流擴展圖示。圖8是本發(fā)明的電流阻擋層反光圖示。圖9是普通電流阻擋層的反光圖示。在圖1-9中，10、電流擴展層；20、普通電流阻擋層；30、本發(fā)明中的具有反射作用的電流阻擋層；40、本發(fā)明中的具有反射作用的電流阻擋層內(nèi)的ITO圓柱形導(dǎo)電材料；50、形成于N型GaN上的N電極焊線層；60、形成于電流擴展層上的P電極焊線層；70、襯底層、80、GaN外延層；90、0DR介質(zhì)膜；91、被電流阻擋層反射的出射光；92、被P電極焊線層阻擋的出射光。
具體實施例以下結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明做詳細的說明，但不限于此。實施例1、一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管，包括藍寶石襯底層70上依次是GaN外延層80和電流擴展層10，所述GaN外延層80由下往上依次包括N型GaN半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型GaN半導(dǎo)體層，在電流擴展層10上是P電極焊線層60，在N型GaN半導(dǎo)體層上是N電極焊線層50 ;在P電極焊線層60正下方對應(yīng)位置生長有一層具有反射作用的電流阻擋層30，位于P型GaN半導(dǎo)體層和電流擴展層10之間，所述電流阻擋層30的橫截面積大小與所述的P電極焊線層60的大小相同；所述的電流阻擋層30內(nèi)有圓柱形空洞，在所述圓柱形空洞內(nèi)有ITO透明導(dǎo)電材料40，所述的圓柱形空洞直徑為I y m，周期為10 u m，所述電流阻擋層30內(nèi)有圓柱形空洞的數(shù)量為25個。所述的電流阻擋層30為SiO2和TiO2,交替生長厚度為\ Mn1的SiO2和厚度為入/4n2的TiO2，周期為2個，其中\(zhòng)為LED的發(fā)光波長，\取值范圍為450_470nm，Ii1是SiOj/f射率，Ii2STiO2 折射率。所述的電流擴展層10的材質(zhì)是ITO透明導(dǎo)電材料，所述電流阻擋層30的厚度小于或等于電流擴展層10的厚度。所述的ITO透明導(dǎo)電材料的電阻率為2X10_4Q .Ci在襯底層70背面設(shè)置有ODR介質(zhì)膜90，自上而下順序為，一層布拉格反射膜系和一層Al膜，所述布拉格反射膜系是交替生長的厚度為X An1的SiO2和厚度為入/如2的TiO2，生長周期為3個，其中\(zhòng)為LED的發(fā)光波長。\取值范圍為450-470nm，Ii1是SiOj/f射率，n2為TiO2折射率，所述Al膜的厚度為300nm。實施例2、—種實施例1所述發(fā)光二極管的制備方法，步驟如下(I)在襯底層70上生長GaN外延層80 :在襯底層上自下往上依次生長厚度為3 y m的摻Si的N型GaN層，其中Si的摻雜濃度范圍是5X 1017cm_3-5X 1019cm_3，多量子阱(MQWS)發(fā)光層，其中發(fā)光層厚度范圍為200nm，厚度為150nm的摻Mg的P型GaN層，其中Mg摻雜濃度范圍是:5X1019cm_3-5X 102Qcm_3 ；(2)利用真空蒸鍍技術(shù)，在P型GaN層上生長電流阻擋層30，所述的電流阻擋層30為SiO2和TiO2,交替生長厚度為入Mn1的SiO2和厚度為入Mn2的TiO2,生長周期為2個，其中入為LED的發(fā)光波長，A取值范圍為450-470nm，Ii1是SiOj/f射率，Ii2STiO2折射率。該電流阻擋層30的厚度滿足干涉相長，增強反射光強度，有效反射發(fā)光區(qū)射向電極底部的光。

(3)通過濕法腐蝕方式將電流阻擋層30的外形制成與P電極焊線層60相對應(yīng)的形狀，并且電流阻擋層30上貫通設(shè)置圓柱形空洞，圓柱形空洞直徑為Iy m，周期為10 ym，所述電流阻擋層內(nèi)有圓柱形空洞的數(shù)量為25個。(4)利用真空蒸鍍技術(shù)，在電流阻擋層的圓柱形空洞內(nèi)填充ITO導(dǎo)電材料40，ITO的厚度等于電流阻擋層的厚度；(5)在電流阻擋層30的上表面制備一層ITO電流擴展層10，所述的ITO電流擴展層10厚度大于或等于電流阻擋層30的厚度；(6)采用ICP刻蝕、PECVD生長掩蔽膜以及電子束蒸鍍技術(shù)，在電流擴展層10上制備P電極焊線層60和N電極焊線層50，最終制得芯片；(7)將步驟(6)所得的芯片的襯底層70背面減薄，并在減薄后的襯底層70背面上制備ODR介質(zhì)膜90,所述的ODR介質(zhì)膜90為自上而下順序為，一層布拉格反射膜系和一層Al膜，所述布拉格反射膜系是交替生長的厚度為\ Mn1的SiO2和厚度為\ Mn2的TiO2,生長周期為3-4個，其中X為LED的發(fā)光波長。\取值范圍為450-470nm，ni是SiO2折射率，n2為TiO2折射率；所述Al膜的厚度為200-600nm。所述步驟(5)中ITO電流擴展層10的厚度為260_500nm。實施例3、一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管，如實施例1所述，其區(qū)別在于所述的圓柱形空洞直徑為2 Pm，周期為12 Pm，所述電流阻擋層30內(nèi)有圓柱形空洞的數(shù)量為20個。所述的電流阻擋層30為SiO2和TiO2，交替生長厚度為入/4111的5102和厚度為、Mn2的TiO2，周期為3個，其中\(zhòng)為LED的發(fā)光波長，A取值范圍為450_470nm，Ii1是SiO2折射率，n2為TiO2折射率。所述的ITO透明導(dǎo)電材料的電阻率為3X 10_4Q .Cm0在襯底層背面設(shè)置有ODR介質(zhì)膜90，自上而下順序為，一層布拉格反射膜系和一層Al膜，所述布拉格反射膜系是交替生長的厚度為入/4111的5102和厚度為X/4n2的TiO2,生長周期為4個，其中\(zhòng)為LED的發(fā)光波長。\取值范圍為450-470nm，Ii1是SiOjB射率，n2為TiO2折射率，所述Al膜的 厚度為400nm。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括襯底層上依次是GaN外延層和電流擴展層，所述GaN外延層由下往上依次包括N型GaN半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型GaN半導(dǎo)體層，在電流擴展層上是P電極焊線層，在N型GaN半導(dǎo)體層上是N電極焊線層，其特征在于，在P電極焊線層正下方對應(yīng)位置生長有一層具有反射作用的電流阻擋層，位于P型GaN半導(dǎo)體層和電流擴展層之間，所述的電流阻擋層內(nèi)有圓柱形空洞，在所述圓柱形空洞內(nèi)有ITO透明導(dǎo)電材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述電流阻擋層的橫截面積大小與所述的P電極焊線層的大小相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述的圓柱形空洞直徑為0.5-2iim，周期為10-20 iim，所述電流阻擋層內(nèi)有圓柱形空洞的數(shù)量為20-30個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述的電流阻擋層為TiO、TiO2,ZrO2, SiO2, SiNx中的任意兩種或多種，按照1/4LED的發(fā)光波長交替生長而成，生長周期為2-3 個。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述的電流擴展層的材質(zhì)是ITO透明導(dǎo)電材料，所述電流阻擋層的厚度小于或等于電流擴展層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一權(quán)利要求所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述的ITO透明導(dǎo)電材料的電阻率為1. 8X10_4X10_4Q cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述的襯底層是藍寶石、硅或碳化娃襯底其中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，在襯底層背面設(shè)置有ODR介質(zhì)膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述的ODR介質(zhì)膜為自上而下順序為，一層布拉格反射膜系和一層Al膜，所述布拉格反射膜系是交替生長的厚度為X/4ni的SiO2和厚度為\ Mn2的TiO2,生長周期為3-4個，其中X為LED的發(fā)光波長；所述Al膜的厚度為200-600nm。
10.權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制備方法，步驟如下 (1)在襯底層上生長GaN外延層在襯底層上自下往上依次生長厚度為0.5 y m-6 y m的摻Si的N型GaN層，其中Si的摻雜濃度范圍是5X1017Cm_3-5X1019Cm_3，多量子阱發(fā)光層，其中發(fā)光層厚度范圍為10-500nm，厚度為120nm_300nm的摻Mg的P型GaN層，其中Mg摻雜濃度范圍是5 X 1019cnT3-5 X IO2ciCnT3 ； (2)利用真空蒸鍍或磁控濺射技術(shù)，在P型GaN層上生長電流阻擋層，所述的電流阻擋層為TiO、TiO2, ZrO2, SiO2, SiNx中的任意兩種或多種，按照1/4LED的發(fā)光波長交替生長而成，生長周期為2-3個； (3)通過濕法腐蝕或干法刻蝕方式將電流阻擋層的外形制成與P電極焊線層相對應(yīng)的形狀，并且電流阻擋層上貫通設(shè)置圓柱形空洞，空洞直徑為0. 5-2 u m,周期為10-20 u m,所述電流阻擋層內(nèi)有圓柱形空洞的數(shù)量為20-30個； (4)利用真空蒸鍍或磁控濺射技術(shù)，在電流阻擋層的圓柱形空洞內(nèi)填充ITO導(dǎo)電材料，ITO的厚度等于電流阻擋層的厚度； (5)在電流阻擋層的上表面制備一層ITO電流擴展層，所述的ITO電流擴展層厚度大于或等于電流阻擋層的厚度； (6)在電流擴展層上制備P電極焊線層和N電極焊線層，最終制得芯片；(7)將步驟(6)所得的芯片的襯底層背面減薄，并在減薄后的襯底層背面上制備ODR介質(zhì)膜，所述的ODR介質(zhì)膜為自上而下順序為，一層布拉格反射膜系和一層Al膜，所述布拉格反射膜系是交替生長的厚度為、Mn1的SiO2和厚度為\ Mn2的TiO2,生長周期為3_4個，其中、為LED的發(fā)光波長。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制備方法，本發(fā)明所述的發(fā)光二極管，通過在P型GaN表面，P電極正下方對應(yīng)的局部位置上制備一層反射膜，有效反射發(fā)光層射向電極下方的光線，反射膜上的電流阻擋層能改善電流在電極下方積聚的現(xiàn)象，具有反射作用的電流阻擋層內(nèi)的圓柱形空洞內(nèi)填充ITO導(dǎo)電材料，可以保證使P電極對應(yīng)的位置下方也有少量的電流通過，這樣既避免電流積聚，又能提高電極下方對應(yīng)位置發(fā)光區(qū)效率，同時也很好的解決了P電極下方對應(yīng)位置結(jié)溫易迅速升高的問題。
文檔編號H01L33/14GK103066175SQ201110319278
公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
發(fā)明者彭璐, 黃博, 劉存志, 王成新 申請人:山東浪潮華光光電子有限公司