專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法，尤其涉及將色純度提高的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著信息通信工業(yè)的急速發(fā)展，顯示裝置的使用急增，最近對能夠滿足低功耗、輕型、薄型、高分辨率條件的顯示裝置產(chǎn)生了需求。針對這種需求，開發(fā)出了例如具有多個金屬排線和發(fā)光器件的液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display)或有機(jī)發(fā)光顯示裝置(Organic Light Emitting Display)等多種顯不裝置
發(fā)明內(nèi)容
如液晶顯示裝置、有機(jī)發(fā)光顯示裝置等顯示裝置中可以含有有機(jī)化合物，而當(dāng)這種有機(jī)化合物露出于水分和/或氧中時，可能會被劣化。不僅是有機(jī)化合物，形成于基板上的金屬排線由活性高的金屬所形成時，若被露出于水分和/或氧中，則也會被氧化，從而會形成不良像素。為了保護(hù)顯示裝置的組成要素，可以在發(fā)光器件上設(shè)置封裝裝置。另外，在現(xiàn)有的顯示裝置中，各個像素發(fā)出與紅色R、綠色G、藍(lán)色B相當(dāng)?shù)念伾尸F(xiàn)顏色的各個光的波長越接近各自顏色的固有波長，可以實(shí)現(xiàn)更為準(zhǔn)確的顏色。例如，針對紅色光R，在波長中心峰值區(qū)域的波長的比率越高、即在630nm區(qū)域的波長的比率越高，可以實(shí)現(xiàn)色純度更高的紅色。因此，雖然公開有以實(shí)現(xiàn)高的色純度為目的使用共振結(jié)構(gòu)來強(qiáng)化中心峰值的光或者控制發(fā)光器件的光量等多種方法，但是實(shí)際上對色純度的改善不夠充分。對此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有未增加費(fèi)用的情況下可以實(shí)現(xiàn)高色純度的結(jié)構(gòu)的顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種色純度高且對透射率以及根據(jù)透射率的亮度不產(chǎn)生影響的顯示裝置。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題并不限于如上所述的技術(shù)問題，并且本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通過下述的說明應(yīng)當(dāng)明確得知未提及的其他技術(shù)問題。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置包括下部基板、形成于所述下部基板上且包含多個像素的發(fā)光器件、間隔設(shè)置于所述發(fā)光器件的上部且被密封劑得以密封的上部基板、填充于所述發(fā)光器件和所述上部基板之間的填充物質(zhì)、以及形成于所述下部基板和所述上部基板之間以選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置包括下部基板、形成于所述下部基板上且包含分別由多個子像素構(gòu)成的多個像素的發(fā)光器件、間隔設(shè)置于所述發(fā)光器件的上部且被密封劑得以密封的上部基板、填充于所述發(fā)光器件和所述上部基板之間的填充物質(zhì)、以及形成于所述下部基板和所述上部基板之間以選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光層，其中，所述多個子像素包括分別發(fā)出紅、綠、藍(lán)顏色的子像素，所述吸光層形成于與所述各個子像素相對應(yīng)的位置，且所述吸光層以所述各個子像素為單位吸收不同波長區(qū)域的光的物質(zhì)構(gòu)成。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法包括在下部基板上形成發(fā)光器件、提供填充物質(zhì)并將選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)混合、在所述發(fā)光器件上填充所述填充物質(zhì)、在所述下部基板的一部分上涂布密封劑、以及提供與所述密封劑貼緊而得以密封黏貼的上部基板。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法包括在下部基板上形成包括多個像素的發(fā)光器件、將所述填充物質(zhì)填充于所述發(fā)光器件上、將密封劑涂布于所述下部基板的一部分上、在上部基板的一面上形成選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光層、以及將所述上部基板與密封劑貼緊密封，其中，形成所述吸光層的步驟包括將吸光物質(zhì)分散及溶 解于溶劑中、以及將所述吸光物質(zhì)涂覆于所述上部基板的一面。針對其他實(shí)施例的具體說明包括于具體實(shí)施方式
和說明書附圖中。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，至少具有如下的效果。即，本發(fā)明提供的顯示裝置通過向填充于上部基板和下部基板之間的填充物質(zhì)中分散了吸收特定波長的光的吸光物質(zhì)，在維持透明度與亮度的情況下可以提高色純度。并且，根據(jù)本發(fā)明提供的顯示裝置所具有的結(jié)構(gòu)，由于直接使用現(xiàn)有的發(fā)光器件，因此在未大幅增加費(fèi)用的情況下可以簡單地提高色純度。本發(fā)明的效果并不限于根據(jù)上述的示例性說明所公開的內(nèi)容，并且其它多種效果已包含于說明書中。


圖I為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖；圖2為示例性地顯示圖I的發(fā)光器件200的構(gòu)成的截面圖；圖3a和圖3b為以圖I的發(fā)光器件200所發(fā)出的光的各個顏色為單位顯示波長分布的示意圖；圖4a為顯示圖I的發(fā)光器件所發(fā)出的紅色光R通過填充物質(zhì)400之后的波長分布的示意圖；圖4b為顯示圖I的發(fā)光器件所發(fā)出的綠色光G通過填充物質(zhì)400之后的波長分布的示意圖；圖4c為顯示圖I的發(fā)光器件所發(fā)出的藍(lán)色光B通過填充物質(zhì)400之后的波長分布的示意圖；圖5為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖；圖6為放大顯示圖5的A區(qū)域的截面圖；圖7為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的流程圖；圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的流程圖。附圖標(biāo)記說明100 :下部基板200 :發(fā)光器件300 :密封劑400 :填充物質(zhì)500:上部基板600:吸光層
具體實(shí)施例方式參照附圖和下述的詳細(xì)實(shí)施例，就能了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)、特征以及實(shí)現(xiàn)該優(yōu)點(diǎn)和特征的方法。然而，本發(fā)明并不局限于下面所公開的實(shí)施例，并且將會以多種不同的形態(tài)得以實(shí)施。提供本說明書中的實(shí)施例的目的在于，僅為了使公開的本發(fā)明更加完整，使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠完整地理解發(fā)明的范圍。本發(fā)明所要保護(hù)的范圍應(yīng)根據(jù)權(quán)利要求書的范圍而定。為了便于說明，可能放大示出附圖中組成要素的尺寸以及相對尺寸。針對在說明書中描述的實(shí)施例，將參照如平面圖以及截面圖等本發(fā)明的理想化簡要示意圖進(jìn)行說明。因此，根據(jù)制造技術(shù)和/或允許的誤差等，示意圖的形態(tài)可能會有所變化。所示，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于所圖示的特定形態(tài)，然而其可以包括根據(jù)制造工藝而所有改變的形態(tài)。從而，附圖中所示出的區(qū)域具有概括的屬性，附圖中所示出的區(qū)域的形狀僅用于示出器件區(qū)域的特定形態(tài)，其并不得用于限制發(fā)明的范圍。下面，參考圖I和圖2，對根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置進(jìn)行說明。根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置包括下部基板100 ;形成于所述下部基板100上的發(fā)光器件200 ;間隔設(shè)置 于所述發(fā)光器件200的上部且通過密封劑300得以密封的上部基板500 ;填充于所述發(fā)光器件200和所述上部基板500之間的填充物質(zhì)400 ；以及形成于所述下部基板和所述上部基板之間以選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)。下部基板100可以由以SiOJt為主成分的透明的玻璃材質(zhì)形成。并且，下部基板100可以由透明的塑料形成。形成下部基板100的塑料可以包括絕緣性有機(jī)物。作為所述絕緣性有機(jī)物例子，可以有聚醚砜(polyethersulphone,簡稱為PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,簡稱為PAR)、聚醚酰亞胺(polyetherimide,簡稱為PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,簡稱為PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,簡稱為 PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,簡稱為PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亞胺(polyimide)、聚碳酸脂(PC)、三醋酸纖維素(TAC)、醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate,簡稱為CAP)或者這些物質(zhì)的組合。若為朝下部基板100方向呈現(xiàn)圖像的背面發(fā)光型顯示裝置時，則需要以透明的材質(zhì)形成下部基板100。但是若為朝與下部基板100方向的相反的方向呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型顯示裝置時，則不需要以透明的材質(zhì)形成下部基板100。例如，正面發(fā)光型顯示裝置的情況下，下部基板100還可以由不透明的金屬形成。若以金屬形成下部基板100時，下部基板100可以包括選自鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鑰以及不銹鋼(SUS)的一種以上，但并不限于此。下部基板100還可以由金屬薄片形成。發(fā)光器件200形成于下部基板100上。發(fā)光器件200根據(jù)由驅(qū)動電路施加的驅(qū)動信號控制各個像素的薄膜晶體管以發(fā)出光，從而可以顯示所需的圖像。如上所述，發(fā)光器件200可區(qū)分為朝下部基板100方向傳播所發(fā)出的光的背面發(fā)光型顯示裝置以及朝上部基板500方向傳播所發(fā)出的光的正面發(fā)光型顯示裝置，上述的所有類型的發(fā)光器件200都可以適用于根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置。發(fā)光器件200可以包括液晶，所述液晶通過形成于各個像素的薄膜晶體管所施加的電場而被驅(qū)動。另外，發(fā)光器件200可以為有機(jī)發(fā)光層進(jìn)行自發(fā)光的有機(jī)發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光層通過形成于各個像素的薄膜晶體管所形成的電場而進(jìn)行自發(fā)光。此時，發(fā)光器件200可以包括多個有機(jī)發(fā)光體，所述多個有機(jī)發(fā)光體以矩陣方式連接于多個掃描線以及數(shù)據(jù)線之間以限定各個像素。在無源矩陣(passive matrix)方式的情況下，在掃描線以及數(shù)據(jù)線之間可以以矩陣方式連接有各個有機(jī)發(fā)光體；在有源矩陣(active matrix)方式的情況下,不僅在掃描線以及數(shù)據(jù)線之間以矩陣方式連接有各個有機(jī)發(fā)光體，而且還可以包括用于控制有機(jī)發(fā)光體的動作的薄膜晶體管、以及用于 維持信號的電容器(capacitor)。接著，參考圖2對構(gòu)成本實(shí)施例的發(fā)光器件200為正面發(fā)光型有機(jī)發(fā)光器件時的例子進(jìn)行說明，但是其并不以限定本發(fā)明發(fā)光器件200的種類為目的。根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光器件200可以為在下部基板100上依次層疊有緩沖層202、半導(dǎo)體層204、柵絕緣膜206、柵電極210、第一層間絕緣膜212、源/漏電極214、第二層間絕緣膜216以及像素限定膜220的結(jié)構(gòu)，但是并不限于此。所述組成要素可以形成于下部基板100的整個表面(whole surface)或者僅形成于下部基板100的一部分以形成薄膜晶體管或者電容器。首先，如上所述，下部基板100可以由以SiOJt為主成分的透明的玻璃材質(zhì)形成，可以包括透明的塑料或者絕緣性有機(jī)物。若為朝下部基板100的反方向呈現(xiàn)圖像的正面發(fā)光型時，則不需要以透明的材質(zhì)形成下部基板100。但是為了便于說明，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置將以正面發(fā)光型顯示裝置為例進(jìn)行說明，但是其不得限制本發(fā)明所要保護(hù)的范圍。緩沖層202形成于下部基板100的上部?？梢詾榱讼虏炕?00的平坦性以及使下部基板100免受于雜質(zhì)滲透的影響而形成緩沖層202。緩沖層202可以為硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或者硅氮氧化物膜(SiOxNy)的單層結(jié)構(gòu)或它們的多層結(jié)構(gòu)。緩沖層202上可以形成有半導(dǎo)體層204。半導(dǎo)體層204可以為由所熟知的多種半導(dǎo)體組成物質(zhì)所形成的層。例如，半導(dǎo)體層204可以包括硅(Si)。具體為，半導(dǎo)體層204可以由非晶硅(a-Si)層或者多晶硅(p-Si)層形成。除此之外，半導(dǎo)體層204還可以由鍺(Ge)、鎵磷(GaP)、鎵砷(GaAs)、招砷(AlAs)等構(gòu)成,但并不限于此。并且，半導(dǎo)體層204可以為對其一部分摻雜P型或者N型雜質(zhì)的形態(tài)。在一些實(shí)施例中，可以對構(gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層204中的一部分摻雜有雜質(zhì)以使其呈現(xiàn)出可以顯示半導(dǎo)體特性；可以對構(gòu)成電容器的半導(dǎo)體層204的全部進(jìn)行摻雜以使其成為導(dǎo)體，從而構(gòu)成電極。柵絕緣膜206形成于半導(dǎo)體層204上以覆蓋半導(dǎo)體層204，并且可以使半導(dǎo)體層204與柵電極210絕緣。與緩沖層202相同，柵絕緣膜206可以為硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、硅氮氧化物膜(SiOxNy)的單層結(jié)構(gòu)或者它們的多層結(jié)構(gòu)。柵絕緣膜206可以由與緩沖層202相同的材料形成，也可以由不同的材質(zhì)形成。柵電極210可以形成于柵絕緣膜206上。柵電極210通過施加?xùn)判盘?，可以以各個像素為單位控制發(fā)光。柵電極210可以為如鋁(Al)的單層結(jié)構(gòu)或者鉻-鋁(Cr-Al)、鑰-鋁(Mo-Al)、鋁-釹(Al-Nd)等鋁合金的單層結(jié)構(gòu)，還可以為在鉻(Cr)、鈦(Ti)、鑰(Mo)合金上層疊有鋁合金的多層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，在柵電極210的下部還可以包括有透明電極208。透明電極208可以由透明導(dǎo)電性物質(zhì)，如碳納米管(Carbon Nano Tube)或者金屬納米線(Metal NanoWire)等物質(zhì)構(gòu)成,還可以由如ITO和/或IZO等金屬氧化物構(gòu)成。例如在本實(shí)施例中，薄膜晶體管可以層疊有由ITO構(gòu)成的透明電極208以及連續(xù)層疊在其上部的具有鑰-鋁-鑰(Mo-Al-Mo)三重結(jié)構(gòu)的柵電極210。透明電極208不僅形成于薄膜晶體管區(qū)域，還可以以預(yù)定的寬度形成于電容器區(qū)域和發(fā)光部。柵電極210上可以形成有第一層間絕緣膜212。第一層間絕緣膜212起到將柵電極210與源/漏電極214電絕緣的作用。與緩沖層202相同，第一層間絕緣膜212可以形成為硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、硅氮氧化物膜(SiOxNy)的單層結(jié)構(gòu)或者它們的多層結(jié)構(gòu)。第一層間絕緣膜212可以形成有用于形成源/漏電極214的接觸孔。源/漏電極214形成于第一層間絕緣膜212上，可以通過接觸孔與半導(dǎo)體層204 電連接。源/漏電極214可以由選自鑰(Mo)、鉻(Cr)、鎢(W)、鑰鎢(MoW)、鋁(Al)、鋁-釹(Al-Nd)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、銅(Cu)、鑰合金(Mo alloy)、招合金(Al alloy)、以及銅合金(Cu alloy)中的一種以上形成，也可以形成為鑰-鋁-鑰(Mo-AI-Mo)的三重層結(jié)構(gòu)或者鈦-鋁-鈦(Ti-Al-Ti)的三重層結(jié)構(gòu)。第二層間絕緣膜216可以形成于源/漏電極214的上部。第二層間絕緣膜216使源/漏電極214與像素電極218電絕緣，其中，可以在部分第二層間絕緣膜216上形成有接觸孔以使部分源/漏電極214與部分像素電極218電連接。第二層間絕緣膜216可以由與第一層間絕緣膜212相同的材質(zhì)形成。例如，第二層間絕緣膜216可以形成為硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、硅氮氧化物膜(SiOxNy)的單層結(jié)構(gòu)或者它們的多層結(jié)構(gòu)。像素電極218可以形成于第二層間絕緣膜216上部，通過形成于第二層間絕緣膜216的接觸孔，可以與部分源/漏電極214電連接。如下所述，像素電極218與公共電極224形成電場且分別向有機(jī)發(fā)光層222注入電子和空穴，由所注入的空穴和電子相結(jié)合的激子(exiton)從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光。像素限定膜220可以形成于第二層間絕緣膜216上。像素限定膜220可以形成于整個下部基板100上以覆蓋薄膜晶體管與電容器。像素限定膜220可以通過使部分或者整個像素電極218向外部露出以定義像素區(qū)域。像素限定膜220可以由無機(jī)物形成，例如硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、硅氮氧化物膜(SiOxNy)的單層結(jié)構(gòu)或者它們的多層結(jié)構(gòu)。有機(jī)發(fā)光層222可以形成于像素電極218上。根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光層222可以將空穴注入層(Hole Injecting Layer,簡稱為HIL)、空穴傳輸層(Hole TransportingLayer,簡稱為HTL)、發(fā)光層(Emitting Layer,簡稱為EML)、電子傳輸層(ElectronTransporting Layer,簡稱為 ETL)以及電子注入層(Electron Injecting Layer,簡稱為EU)依次層疊而成。如上所述，從空穴注入層注入的空穴(hole)與從電子注入層注入的電子(electron)在發(fā)光層相結(jié)合以發(fā)出光。在正面發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況下，所發(fā)出的光向圖2的上方向發(fā)出，即可以使得所發(fā)出的光通過上部的公共電極224、填充物質(zhì)400以及上部基板500朝向外部。 在本實(shí)施例中，像素電極218為空穴注入電極、即陽電極，公共電極224為電子注入電極、即陰電極。但是本實(shí)施例并不限于此，根據(jù)顯示裝置的驅(qū)動方法，還可以為像素電極218變?yōu)殛帢O、公共電極224變?yōu)殛枠O。并且，在本實(shí)施例的顯示裝置中，為了使發(fā)光器件200向上部基板500方向發(fā)出光，還可以將反射型電極用作像素電極218、將透射型或者半透射型電極用作公共電極224。有機(jī)發(fā)光層222還可以包括輔助空穴傳輸層以便于將空穴可以傳輸?shù)桨l(fā)光層，空穴注入層可以由與空穴傳輸層相同的物質(zhì)構(gòu)成。公共電極224沉積于有機(jī)發(fā)光層222上部，可以由如銅(Cu)或者銀(Ag)等金屬構(gòu)成，但是并不限于此。如上所述，公共電極224與形成于有機(jī)發(fā)光層222下部的陽電極、 即與像素電極218形成電場，以使有機(jī)發(fā)光層222可以發(fā)光。公共電極224的上部還可以具有對作為內(nèi)部組成要素的有機(jī)發(fā)光層222和公共電極224進(jìn)行保護(hù)的封蓋(capping)層(未圖示)。封蓋層保護(hù)公共電極224免受于外部氣體的影響，從而可以防止氧化。對封蓋層的材質(zhì)沒有限制，封蓋層可以由有機(jī)物構(gòu)成。如上所述，發(fā)光器件200通過層疊多個層以向正面或者背面發(fā)光，從而可以實(shí)現(xiàn)像素的功能。參考圖I及圖2，在發(fā)光器件200的上部還可以包括有填充物質(zhì)400。填充物質(zhì)400設(shè)置于下部基板100和上部基板500之間，以填充下部基板100和上部基板500之間的間隔的空間。依此，填充物質(zhì)400通過填充下部基板100和上部基板500之間空的空間，從而可以提高顯示裝置的機(jī)械強(qiáng)度。即，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的內(nèi)部由填充物質(zhì)400填充，從而可以提高對外部沖擊的耐久性。填充物質(zhì)400可以包括光固化性環(huán)氧類物質(zhì)或者丙烯酸酯類物質(zhì)中的一種以上物質(zhì)。并且，填充物質(zhì)400中可以包括有將由發(fā)光器件200所發(fā)出的光中預(yù)定波段的光選擇性地吸收的吸光物質(zhì)，但是并不限于此，吸光物質(zhì)可以設(shè)置在下部基板100和上部基板500之間的任意位置。即，吸光物質(zhì)可以選擇性地形成于作為實(shí)際發(fā)光區(qū)域的、與形成于下部基板100上的多個像素相對應(yīng)的位置上，或者在正面發(fā)光型顯示裝置的情況下，吸光物質(zhì)還可以涂布于上部基板500的一面以形成吸光層。除此之外，吸光物質(zhì)還可以混合涂布于下部基板100或者上部基板500內(nèi)，從而可以與下部基板100或者上部基板500形成為一體。并且，通過選擇性地沉積吸光物質(zhì)，以使其與由有機(jī)發(fā)光層222所包含的發(fā)光層相鄰，從而可以將色純度提高至最大。下面，本實(shí)施例中以吸光物質(zhì)包括于填充物質(zhì)400為假設(shè)條件而進(jìn)行說明，但其目的僅在于便于說明，并不是用以限定本發(fā)明所要保護(hù)的范圍。發(fā)光器件200的結(jié)構(gòu)可以為，發(fā)出白色光之后，基于以各個子像素為單位具有的不同顏色的彩色濾光片以實(shí)現(xiàn)所需的顏色；或者，發(fā)光器件200的各個子像素獨(dú)立地發(fā)出三原色。此時，為了提高由發(fā)光器件200發(fā)出的紅色光R、綠色光G以及藍(lán)色光B的色純度，通過包括吸光物質(zhì)可以提高各個發(fā)光顏色的色純度，其中，所述吸光物質(zhì)選擇性地吸收除了各個發(fā)光顏色的波長區(qū)域之外的剩余區(qū)域的光。參考圖3a至圖4c，對填充物質(zhì)400與吸光物質(zhì)進(jìn)行詳細(xì)說明。
再次參考圖I，填充物質(zhì)400的上部形成有上部基板500，通過密封劑300封裝下部基板100和上部基板500。密封劑300設(shè)置于下部基板100和上部基板500的邊緣之間，從而可以使下部基板100與上部基板500互相貼緊密封。密封劑300可以包括低透濕有機(jī)物。上部基板500可以由與下部基板100相同的物質(zhì)形成，尤其如本實(shí)施例等正面發(fā)光型顯示裝置的情況下，上部基板500由透明的材質(zhì)形成，從而可以使由發(fā)光器件200發(fā)出的光向外部通過。下面，參考圖3a至圖4c，對根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的填充物質(zhì)400以及吸光物質(zhì)進(jìn)行說明。圖3a和圖3b為以圖I的發(fā)光器件200所發(fā)出的光的各個顏色為單位顯示波長分布的示意圖，圖4a為顯示圖I的發(fā)光器件所發(fā)出的紅色光R通過填充物質(zhì)400之后的波長分布的示意圖，圖4b為顯示圖I的發(fā)光器件所發(fā)出的綠色光G通過填充物質(zhì)400之后的波長分布的示意圖，圖4c為顯示圖I的發(fā)光器件所發(fā)出的藍(lán)色光B通過填充物 質(zhì)400之后的波長分布的示意圖。圖3a和圖3b示出了以發(fā)光器件200所發(fā)出的光的各個顏色為單位的波長分布與峰值的位置。由發(fā)光器件200發(fā)出的紅色光R在630nm的波段中顯示最大峰值，大部分紅色光R的波長屬于6IOnm至650nm范圍內(nèi)。由發(fā)光器件200發(fā)出的綠色光G在550nm的波段中顯示最大峰值，大部分綠色光G的波長屬于530nm至570nm范圍內(nèi)。由發(fā)光器件200發(fā)出的藍(lán)色光B在450nm的波段中顯不最大峰值,大部分藍(lán)色光B的波長屬于430nm至470nm范圍內(nèi)。如上所述，由發(fā)光器件200發(fā)出并發(fā)射的光以各個顏色為單位具有固有波長。在本說明書中，色純度是指所發(fā)出的光與各個不同顏色的固有波長的接近程度。例如，紅色光R的固有波長、即最大峰值為630nm，因此由發(fā)光器件200發(fā)出的紅色光R的波長分布越接近630nm、則色純度越高,紅色光R的波長分布越遠(yuǎn)離630nm、則色純度越低。由于色純度低的時候不能正確地實(shí)現(xiàn)各個像素的顏色，因此無法顯示所需的圖像或者可能會顯示失真圖像，進(jìn)而需要提高色純度。如圖3a所示，紅色光R、綠色光G以及藍(lán)色光B除了包括具有最大峰值的波長的光之外，還包括遠(yuǎn)離最大峰值的其他波長的光，因此在混合有其他波長的光的前提下很難精確地實(shí)現(xiàn)所需的各顏色。如圖3b所示，使色純度惡化的鄰近波長區(qū)域的光，即區(qū)域Pl、區(qū)域P2、區(qū)域P3、區(qū)域P4的光可以與部分紅色光R、綠色光G以及藍(lán)色光B混合。從而，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置通過將吸光物質(zhì)混合于填充物質(zhì)400，從而可以提高色純度，其中，所述吸光物質(zhì)可以對在由發(fā)光器件200發(fā)出的光所包括的混合波長區(qū)域的光，即區(qū)域P1、區(qū)域P2、區(qū)域P3、區(qū)域P4的光進(jìn)行選擇性吸收。具體為，如圖4a所示，可以比較由發(fā)光器件200發(fā)出的紅色光R的波長分布變化和經(jīng)由填充物質(zhì)400之后紅色光R’的波長分布變化。畫斜線的區(qū)域顯示紅色光R通過包括于填充物質(zhì)400的吸光物質(zhì)而被吸光物質(zhì)所吸收的光的量。即，吸收570nm至590nm的波長區(qū)域RA的光的吸光物質(zhì)通過吸收630nm之外的、即紅色光固有的波長之外的剩余區(qū)域的波長的光，可以提高經(jīng)由填充物質(zhì)400之后的紅色光R’的色純度。將與紅色光R的色純度相關(guān)的570nm至590nm波段的光進(jìn)行吸收的吸光物質(zhì)可以包括酞菁(cyanine)類物質(zhì)、吩噻嗪(phenothiazine)類物質(zhì)、氮雜卩卜啉(Azaporphyrin)類物質(zhì)、亞甲基卩比咯(pyrromethene)類物質(zhì)中的一種以上。酞菁類物質(zhì)可以包括D0DCI(3,3' -diethy loxadicarbocyanine iodide)、DQOCI (1，3 1 -diethyl-4, 2 1 -quinolyoxacarbocyanide iodide)、DQTCI (I,3' -diethyl-4, 2' -quinoIylthiacarbocyanine iodide)。如圖4b所示，可以對比由發(fā)光器件200發(fā)出的綠色光G的波長分布變化和經(jīng)由填充物質(zhì)400之后綠色光G’的波長分布變化。畫斜線的區(qū)域顯示綠色光G通過包括于填充物質(zhì)400的吸光物質(zhì)而被吸光物質(zhì)所吸收的光的量。即，吸收490nm附近的波長區(qū)域GA光的吸光物質(zhì)通過吸收550nm之外的、即綠色光固有的波長之外的剩余區(qū)域的波長的光，可以提高經(jīng)由填充物質(zhì)400之后的綠色光G’的色純度。 將與綠色光G的色純度相關(guān)的490nm附近波段的光進(jìn)行吸收的吸光物質(zhì)可以包括亞甲基卩比咯(pyrromethene)類物質(zhì)。如圖4c所示，可以對比由發(fā)光器件200發(fā)出的藍(lán)色光B的波長分布變化和經(jīng)由填充物質(zhì)400之后藍(lán)色光B’的波長分布變化。畫斜線的區(qū)域顯示藍(lán)色光B通過包括于填充物質(zhì)400的吸光物質(zhì)而被吸光物質(zhì)所吸收的光的量。即，吸收400nm至410nm附近的波長區(qū)域BA光的吸光物質(zhì)通過吸收450nm之外的、即藍(lán)色光固有的波長之外的剩余區(qū)域的波長的光，可以提高經(jīng)由填充物質(zhì)400之后的藍(lán)色光B’的色純度。將與藍(lán)色光B的色純度相關(guān)的410nm附近波段的光進(jìn)行吸收的吸光物質(zhì)可以包括卟啉(porphyrin)類物質(zhì)。根據(jù)本實(shí)施例的填充物質(zhì)400可以包括如上所述的吸光物質(zhì)中的一種以上物質(zhì)。如上所述，通過將選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)分散于填充物質(zhì)400，從而由發(fā)光器件200發(fā)出的光經(jīng)由填充物質(zhì)400之后除各個不同的顏色所固有的波長區(qū)域之外的光會被吸收，進(jìn)而可以提供既維持透明度和亮度又提高色純度的顯示裝置。并且根據(jù)所提供的顯示裝置具有的結(jié)構(gòu)，由于可以直接使用現(xiàn)有的發(fā)光器件200，因此在沒有大幅增加費(fèi)用的情況下可以簡單地提高色純度。下面，參考圖5和圖6，對根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置進(jìn)行說明。圖5為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖，圖6為放大顯示圖5的A區(qū)域的截面圖。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置包括下部基板100 ;形成于所述下部基板100上且包括多個像素的發(fā)光器件200 ;間隔設(shè)置于所述發(fā)光器件200的上部且通過密封劑300得以密封的上部基板500 ;填充于所述發(fā)光器件200和所述上部基板500之間的填充物質(zhì)400 ；以及形成于所述下部基板100和所述上部基板500之間以選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光層600，其中，所述多個像素包括分別發(fā)出紅、綠、藍(lán)顏色的子像素，所述吸光層600形成于與所述各個子像素相對應(yīng)的位置，并且所述吸光層600由以所述各個子像素為單位吸收不同波長區(qū)域的光的物質(zhì)構(gòu)成。如圖5所示，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置的構(gòu)成與在前述實(shí)施例中所說明的類似，其區(qū)別點(diǎn)在于，未將吸光物質(zhì)混合以及分散于填充物質(zhì)400,而是構(gòu)成額外的吸光層600。
圖5所示的實(shí)例中，可以將吸光層600涂覆于上部基板500的一面，但是并不限于此，可以形成于由發(fā)光器件200所發(fā)射的光的傳播方向上的預(yù)定地點(diǎn)。如前述的實(shí)施例所述，吸光層600可以包括選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)。具體為，吸光層600可以包括吸收410nm波長區(qū)域的光的卟啉類物質(zhì)、吸收490nm波長區(qū)域的光的亞甲基吡咯類物質(zhì)、或者吸收580nm波長區(qū)域的光的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的一種以上物質(zhì)。如圖6所示，第一吸光層600a、第二吸光層600b以及第三吸光層600c可以僅選擇性地形成于與多個像素相對應(yīng)的位置，可以僅選擇性地形成于與子像素R、G、B相對應(yīng)的位置。各個像素可以分別包括紅、綠以及藍(lán)顏色的三個子像素，吸光層形成于與所述各個子像素R、G、B相對應(yīng)的位置，即第一吸光層600a、第二吸光層600b以及第三吸光層600c形成于與所述各個子像素R、G、B相對應(yīng)的位置，并且吸光層可以由以所述各個子像素為單 位吸收不同波長區(qū)域的光的物質(zhì)構(gòu)成。在與發(fā)出紅色光R的發(fā)光器件200a的上部相對應(yīng)的位置上形成有第一吸光層600a，第一吸光層600a可以包括將紅色光最大峰值的鄰近波長區(qū)域的光予以吸收的吸光物質(zhì)，第二吸光層600b可以包括將綠色光最大峰值的鄰近波長區(qū)域的光予以吸收的吸光物質(zhì)，第三吸光層600c可以包括將藍(lán)色光最大峰值的鄰近波長區(qū)域的光予以吸收的吸光物質(zhì)?？梢酝ㄟ^吸收各個顏色的最大峰值的鄰近波長區(qū)域的光來提高最大峰值的光的比例，從而可以提高色純度，由此可以提高顯示裝置的顏色再現(xiàn)率。在與發(fā)出紅色光的子像素相對應(yīng)的位置上形成的第一吸光層600a可以包括將580nm波長區(qū)域的光吸收的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的一種以上。在與發(fā)出綠色光的子像素相對應(yīng)的位置上形成的第二吸光層600b可以包括將490nm波長區(qū)域的光吸收的亞甲基吡咯類物質(zhì)。在與發(fā)出藍(lán)色光的子像素相對應(yīng)的位置上形成的第三吸光層600c可以包括將410nm波長區(qū)域的光吸收的卟啉類物質(zhì)。下面，參考圖7和圖8，對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的制造方法進(jìn)行說明。圖7為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的流程圖，圖8為顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的流程圖。根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法包括步驟S110、在下部基板上形成發(fā)光器件；步驟S120、提供填充物質(zhì)并將選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)混合；步驟S130、在所述發(fā)光器件上填充所述填充物質(zhì)；步驟S140、在所述下部基板的一部分上涂布密封劑；以及步驟S150、提供與所述密封劑貼緊而得以密封黏貼的上部基板。首先，步驟S110、在下部基板上形成發(fā)光器件。如上所述，發(fā)光器件可以包括通過形成于各個像素的薄膜晶體管施加的電場被驅(qū)動的液晶。另外，發(fā)光器件可以為根據(jù)通過形成于各個像素的薄膜晶體管所形成的電場而使得有機(jī)發(fā)光層自發(fā)光的有機(jī)發(fā)光器件。此時，發(fā)光器件可以包括以矩陣方式連接于多個掃描線與數(shù)據(jù)線之間以限定各個像素的多個有機(jī)發(fā)光體。
可以在下部基板上依次層疊緩沖層、半導(dǎo)體層、柵絕緣膜、柵電極、第一層間絕緣膜、源/漏電極、第二層間絕緣膜、像素電極、像素限定膜、有機(jī)發(fā)光層以及公共電極以構(gòu)成發(fā)光器件，但是并不限于此。其次，步驟S120、提供填充物質(zhì)并將選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)混合。如上所述，吸光物質(zhì)可以包括將410nm波長區(qū)域的光吸收的卟啉類物質(zhì)、將490nm波長區(qū)域的光吸收的亞甲基吡咯類物質(zhì)、或者將580nm波長區(qū)域的光吸收的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的一種以上物質(zhì)。將吸光物質(zhì)混合的步驟為將吸光物質(zhì)分散及溶解于溶劑中之后，可以將吸光物質(zhì)與填充物質(zhì)混合，為了最小化對填充物質(zhì)的透射率的影響，可以將吸光物質(zhì)溶解于如包含顆粒直徑IOOnm以下的顏料的有機(jī)溶劑或者乙醇(alcohol)等有機(jī)溶劑中。再次，步驟S130、在發(fā)光器件上填充填充物質(zhì)。作為將填充物質(zhì)填充于發(fā)光器件上 的方法可以使用公知的多種方法,例如可以使用印刷法、ODF法、滴涂(dispensing)、噴墨法(ink jet)等。再次，步驟S140、在下部基板的一部分上涂布密封劑；步驟S150、提供與密封劑貼緊而得以密封黏貼的上部基板以結(jié)束封裝工序。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法包括步驟S210、在下部基板上形成包含多個像素的發(fā)光器件；步驟S220、將所述填充物質(zhì)填充于所述發(fā)光器件上；步驟S230、在所述下部基板的一部分上涂布密封劑；步驟S240、在上部基板的一面上形成選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光層；步驟S250、將所述上部基板與密封劑貼緊以進(jìn)行密封。根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置的制造方法與根據(jù)前述實(shí)施例的制造方法類似，其區(qū)別點(diǎn)在于，在上部基板的一面上除填充物質(zhì)外額外地形成選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光層。步驟S240，即形成吸光層的步驟可以包括將吸光物質(zhì)分散及溶解于溶劑中的步驟；以及將溶解有吸光物質(zhì)的溶劑涂布于上部基板的一面上的步驟。作為將吸光物質(zhì)涂覆 于上部基板以形成吸光層的方法可以使用公知的工序，例如旋涂、噴涂、印刷法、滴涂法、噴墨印刷法等。另外，在步驟S240中，即在形成吸光層的步驟中，可以在與多個像素相對應(yīng)的一部分位置上形成吸光物質(zhì)，多個像素可以包括分別發(fā)出紅色光、綠色光以及藍(lán)色光的子像素。另外，在步驟S240中，即在形成吸光層的步驟中，吸光層形成于與各個子像素相對應(yīng)的位置，并且其可以包括以各個子像素為單位吸收不同波長區(qū)域的光的吸光物質(zhì)。形成吸光層的吸光物質(zhì)可以包括將410nm波長區(qū)域的光吸收的卟啉類物質(zhì)、將490nm波長區(qū)域的光吸收的亞甲基吡咯類物質(zhì)、或者將580nm波長區(qū)域的光吸收的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的一種以上物質(zhì)。以上，參考附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說明，然而本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施例，本發(fā)明能夠以多種不同的形態(tài)實(shí)施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)?shù)弥诓恍薷谋景l(fā)明的技術(shù)思想或者必要特征的情況下，能夠以其他具體形態(tài)實(shí)施。因此，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)?shù)弥诒菊f明書中公開的實(shí)施例僅僅是各個方面的示例性的實(shí)施例，而不是對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 下部基板； 發(fā)光器件，形成于所述下部基板上，且包含多個像素； 上部基板，間隔設(shè)置于所述發(fā)光器件的上部且通過密封劑得以密封； 填充物質(zhì)，填充于所述發(fā)光器件和所述上部基板之間；以及 吸光物質(zhì)，形成于所述下部基板和所述上部基板之間以選擇性地吸收預(yù)定波段的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中， 所述吸光物質(zhì)混合于所述填充物質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中， 所述吸光物質(zhì)形成干與所述多個像素相對應(yīng)的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中， 所述吸光物質(zhì)涂覆于所述上部基板的一面。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中， 所述吸光物質(zhì)包括將410nm波長區(qū)域的光予以吸收的卟啉類物質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中， 所述吸光物質(zhì)包括將490nm波長區(qū)域的光予以吸收的亞甲基吡咯類物質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中， 所述吸光物質(zhì)包括將580nm波長區(qū)域的光予以吸收的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的ー種以上。
8.一種顯示裝置，包括 下部基板； 發(fā)光器件，形成于所述下部基板上，且包含分別由多個子像素構(gòu)成的多個像素； 上部基板，間隔設(shè)置于所述發(fā)光器件的上部，且通過密封劑得以密封； 填充物質(zhì)，填充于所述發(fā)光器件和所述上部基板之間；以及 吸光層，形成于所述下部基板和所述上部基板之間以選擇性地吸收預(yù)定波段的光； 其中，所述多個子像素包括分別發(fā)出紅、綠、藍(lán)顏色的子像素，所述吸光層形成干與所述各個子像素相對應(yīng)的位置，且所述吸光層由以所述各個子像素為單位吸收不同波長區(qū)域的光的物質(zhì)構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，所述吸光層包括 吸收410nm波長區(qū)域的光的卟啉類物質(zhì)， 吸收490nm波長區(qū)域的光的亞甲基吡咯類物質(zhì)，或者 吸收580nm波長區(qū)域的光的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的ー種以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，形成于與發(fā)出所述紅顏色的子像素相對應(yīng)的位置上的所述吸光層包括 吸收580nm波長區(qū)域的光的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的ー種以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，形成于與發(fā)出所述綠顏色的子像素相對應(yīng)的位置上的所述吸光層包括吸收490nm波長區(qū)域的光的亞甲基吡咯類物質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，形成于與發(fā)出所述藍(lán)顏色的子像素相對應(yīng)的位置上的所述吸光層包括 吸收410nm波長區(qū)域的光的卟啉類物質(zhì)。
13.一種顯示裝置的制造方法，包括 在下部基板上形成發(fā)光器件； 提供填充物質(zhì)并將選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)混合； 在所述發(fā)光器件上填充所述填充物質(zhì)； 在所述下部基板的一部分上涂布密封劑；以及 提供與所述密封劑貼上而得以密封黏貼的上部基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述吸光物質(zhì)包括 吸收410nm波長區(qū)域的光的卟啉類物質(zhì)， 吸收490nm波長區(qū)域的光的亞甲基吡咯類物質(zhì)，或者 吸收580nm波長區(qū)域的光的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯類物質(zhì)中的ー種以上。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其中，將所述吸光物質(zhì)混合的步驟為 將所述吸光物質(zhì)分散及溶解于溶劑中之后，將所述吸光物質(zhì)和填充物質(zhì)混合。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述溶劑為 包含顆粒直徑IOOnm以下的顏料的有機(jī)溶剤。
17.一種顯示裝置的制造方法，包括 在下部基板上形成包含多個像素的發(fā)光器件； 將填充物質(zhì)填充于所述發(fā)光器件上； 將密封劑涂布于所述下部基板的一部分上； 在上部基板的一面上形成選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光層；以及 將所述上部基板和密封劑貼紫，以進(jìn)行密封； 其中，形成所述吸光層的步驟包括 將吸光物質(zhì)分散及溶解于溶劑中；以及 將溶解有所述吸光物質(zhì)的所述溶劑涂覆于所述上部基板的一面。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置的制造方法，其中， 形成所述吸光層的步驟為將所述吸光物質(zhì)形成干與所述多個像素相對應(yīng)的一部分位置上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置的制造方法，其中， 所述多個像素分別包括紅、綠、藍(lán)顏色的子像素； 形成所述吸光層的步驟為 將所述吸光層形成干與各個子像素相對應(yīng)的位置上，其中， 以所述各個子像素為單位涂覆吸收不同波長區(qū)域的光的所述吸光物質(zhì)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置的制造方法，其中，所述吸光物質(zhì)包括 吸收410nm波長區(qū)域的光的卟啉類物質(zhì)，吸收490nm波長區(qū)域的光的亞甲基吡咯類物質(zhì)，或者 吸收580nm波長區(qū)域的光的酞菁類物質(zhì)、吩噻嗪類物質(zhì)、氮雜卟啉類物質(zhì)、亞甲基吡咯 類物質(zhì)中的ー種以上。
全文摘要
提供了顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括下部基板，形成于所述下部基板上且包含多個像素的發(fā)光器件；間隔設(shè)置于所述發(fā)光器件的上部且被密封劑得以密封的上部基板；填充于所述發(fā)光器件和所述上部基板之間的填充物質(zhì)；以及形成于所述下部基板和所述上部基板之間以選擇性地吸收預(yù)定波段的光的吸光物質(zhì)。
文檔編號H01L27/32GK102760386SQ20111030928
公開日2012年10月31日 申請日期2011年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月25日
發(fā)明者宋英宇, 崔鎮(zhèn)百, 李嬊和, 李浚九, 李鐘赫, 鄭知泳, 金元鐘 申請人:三星移動顯示器株式會社