專利名稱：利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池的制作方法
利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其目的在于大幅增加太陽(yáng)光入射硅薄膜太陽(yáng)能電池的光捕捉效率，進(jìn)而達(dá)到高效率之硅薄膜太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
由于能源價(jià)格高漲，全球各地皆再尋求替代的綠色能源，硅薄膜太陽(yáng)能電池即是一種將太陽(yáng)光轉(zhuǎn)換成電能的有效率的綠色能源。
目前，業(yè)界大多采用氧化鋅當(dāng)作硅薄膜太陽(yáng)能電池的窗層，但此方式仍有光捕捉效率低的缺點(diǎn)存在，其中造成太陽(yáng)能電池未能有效充分利用太陽(yáng)光，使太陽(yáng)能電池效率降低且價(jià)格過(guò)高，無(wú)法有效普及化應(yīng)用于生活中的一大因素。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要目的系一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，此技術(shù)方法于利用鋅、氧、硼的化合物，由原本ZnO變成ZnO:B，以制造高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其目的在于能夠使入射光通過(guò)ZnO:B時(shí)，可以有效補(bǔ)捉入射光，避免過(guò)多入射光反射或散射，造成效率的損失，至少提升80%，并產(chǎn)生高效率硅薄膜太陽(yáng)能電池。
一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其特征在于，包含了 一透明玻璃基板；一 ZnO:B透明導(dǎo)電層，位于該透明玻璃基板上；一 P層硅薄膜半導(dǎo)體層，位于該ZnO:B透明導(dǎo)電層上；一硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層，位于該P(yáng)層硅薄膜半導(dǎo)體層上； 一 N層硅薄膜半導(dǎo)體層，位于該硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層上；一下透明導(dǎo)電層，位于該N層硅薄膜半導(dǎo)體層上；一外透明玻璃基板，位于該下透明導(dǎo)電層上。
其中，該透明玻璃基板材質(zhì)選用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
其中，該ZnO:B透明導(dǎo)電層，使用鋅、氧、硼的化合物制作之透明導(dǎo)電層，使入射光能大量通過(guò)，并進(jìn)入硅薄膜本質(zhì)層，進(jìn)而提供太陽(yáng)光吸收及提升硅薄膜太陽(yáng)能電池的效率。
其中，該P(yáng)層硅薄膜半導(dǎo)體層，使用PH3形成帶電洞之半導(dǎo)體層。
其中，該硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層，使用氫及甲烷制作本質(zhì)半導(dǎo)體層，使其能夠吸收更多太陽(yáng)入射光，并大幅提升硅薄膜太陽(yáng)能電池的效率。
其中，該N層硅薄膜半導(dǎo)體層，使用TMB及B2H6形成帶電子之半導(dǎo)體層。
與傳統(tǒng)氧化鋅薄膜技術(shù)作比較，本發(fā)明具有的有效效益為本發(fā)明所使用的利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，包含了透明玻璃基板、ZnO:B透明導(dǎo)電層、P層硅薄膜半導(dǎo)體層、硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層、N層硅薄膜半導(dǎo)體層、下透明導(dǎo)電層及外透明玻璃基板。利用新型氧化鋅參雜硼制作的透明導(dǎo)電層，有效提升太陽(yáng)能電池對(duì)入射太陽(yáng)光的捕捉效率，進(jìn)而提高硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收效率，并獲得高效率硅薄膜太陽(yáng)能電池，及降低生產(chǎn)成本達(dá)到符合市場(chǎng)需求的目的。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明，圖1是本發(fā)明之利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池的新型結(jié)構(gòu)圖，主要組件符號(hào)說(shuō)明I…透明玻璃基板2…ZnO:B透明導(dǎo)電層3 "·Ρ層硅薄膜半導(dǎo)體層4…硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層5 "·Ν層娃薄膜半導(dǎo)體層6…下透明導(dǎo)電層7…外透明玻璃基板。
具體實(shí)施方式
茲將本發(fā)明配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下參照?qǐng)D1，是本發(fā)明利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池的新型結(jié)構(gòu)圖，其中包含了透明玻璃基板1、Ζη0:Β透明導(dǎo)電層2、Ρ層硅薄膜半導(dǎo)體層3、硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層4、N層硅薄膜半導(dǎo)體層5、下透明導(dǎo)電層6及外透明玻璃基板7。
為了能夠獲得高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其堆棧依序如下ΖηΟ:Β透明導(dǎo)電層2、Ρ層硅薄膜半導(dǎo)體層3、硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層4及N層硅薄膜半導(dǎo)體層5。當(dāng)太陽(yáng)光照射在PN接面時(shí)，會(huì)有部分原子得到能量，進(jìn)而形成自由電子，而失去電子的原子將會(huì)形成電洞，通過(guò)P型及N型半導(dǎo)體分別吸引電子與電洞，把正電及負(fù)電分離，因此在PN接面的兩端形成一電位差，接著在導(dǎo)電層上接上電路，使電子可以通過(guò)并在PN接面的另一端再次結(jié)合電子與電洞對(duì)，即可利用導(dǎo)線將電能輸出。
因此，本發(fā)明所使用的新型氧化鋅參雜硼透明導(dǎo)電層，其目的在提高太陽(yáng)能電池對(duì)入射太陽(yáng)光的捕捉效率，進(jìn)而提高硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收效率，并獲得高效率硅薄膜太陽(yáng)能電池，及降低生產(chǎn)成本達(dá)到符合市場(chǎng)需求的目的。
以上說(shuō)明，對(duì)本發(fā)明而言只是說(shuō)明性的，非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解， 在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修正、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其目的在于大幅增加太陽(yáng)光入射硅薄膜太陽(yáng)能電池的光捕捉效率，進(jìn)而達(dá)到高效率之硅薄膜太陽(yáng)能電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其中透明玻璃基板材質(zhì)選用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其中該ZnO:B透明導(dǎo)電層，使用鋅、氧、硼的化合物制作之透明導(dǎo)電層，使入射光能大量通過(guò)，并進(jìn)入硅薄膜本質(zhì)層，進(jìn)而提供太陽(yáng)光吸收及提升硅薄膜太陽(yáng)能電池的效率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其中該P(yáng)層硅薄膜半導(dǎo)體層，使用PH3形成帶電洞之半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其中該硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層，使用氫及甲烷制作本質(zhì)半導(dǎo)體層，使其能夠吸收更多太陽(yáng)入射光，并大幅提升硅薄膜太陽(yáng)能電池的效率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其中該N層硅薄膜半導(dǎo)體層，使用TMB及B2H6形成帶電子之半導(dǎo)體層。
全文摘要
本發(fā)明主要目的系一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，此技術(shù)方法于利用鋅、氧、硼的化合物，由原本ZnO變成ZnO:B，以制造高光捕捉效率的硅薄膜太陽(yáng)能電池，其目的在于能夠使入射光通過(guò)ZnO:B時(shí)，可以有效補(bǔ)捉入射光，避免過(guò)多入射光反射或散射，造成效率的損失，至少提升80%，并產(chǎn)生高效率硅薄膜太陽(yáng)能電池。
文檔編號(hào)H01L31/075GK103022162SQ201110282529
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者陳政宏, 劉幼海, 劉吉人 申請(qǐng)人:吉富新能源科技(上海)有限公司