專利名稱：改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種是一種運用在雙結(jié)薄膜太陽能電池的新技術(shù)。在雙結(jié)的接面上多加上一道制程，形成良好的穿隧效應(yīng)，使雙結(jié)薄膜太陽能電池效率達(dá)到加成效果，以增加太陽能電池發(fā)電效率。
背景技術(shù)：
由于現(xiàn)在太陽能產(chǎn)業(yè)為了有效提升太陽能電池效率，紛紛由單結(jié)太陽能電池轉(zhuǎn)成雙結(jié)太陽能電池。而雙結(jié)太陽能電池在串聯(lián)兩個電池時，其接面扮演相當(dāng)重要的角色，若無良好的穿隧結(jié)產(chǎn)生，兩個太陽能電池堆棧在一起將無法有加乘效果，所以能在此接面產(chǎn)生 良好的穿隧結(jié)，將可大大提升太陽能電池之效率，增加其產(chǎn)業(yè)競爭力。發(fā)明說明
本發(fā)明主要是適用于雙結(jié)薄膜太陽能電池之接面處，利用透明氧化層本身內(nèi)部現(xiàn)有之缺陷，而這些缺陷會提高電子電洞復(fù)合的機(jī)率，有效阻止在雙結(jié)接面上載子分離形成反向的內(nèi)建電場，獲得良好的雙結(jié)薄膜太陽能電池的穿隧結(jié)，若是第二層薄膜太陽能電池為結(jié)晶性結(jié)構(gòu)，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉積結(jié)晶之質(zhì)量，大大提升薄膜太陽能電池之效能。具體實施方法
吾將本發(fā)明搭配附圖，詳細(xì)說明如下圖1為本發(fā)明改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)之制程示意圖，由圖中可得知，先于基板(I)上先后鍍制電極(2)和一單結(jié)薄膜太陽能電池(3)，之后在鍍制完成的太陽能電池表面上，再鍍制一層透明氧化層，在此接面形成一些額外的缺陷層(4)，之后再鍍制上第二層薄膜太陽能電池(5)和電極(6)，即完成有良好穿隧結(jié)之高效能雙結(jié)薄膜太陽能電池。圖2為本發(fā)明改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)之內(nèi)建電場圖，由圖可得知，在第一(3)、二(5)層薄膜太陽能電池內(nèi)部所形成之內(nèi)建電場方向(7)是一樣的，但在雙結(jié)接面上，因為第一層N型薄膜層(3-1)與第二層P型薄膜層(5-1)容易形成反方向之內(nèi)建電場，將影響載子的傳遞，在此接面加鍍制一層透明氧化層⑷制程，可有效抵制反巷內(nèi)建電場形成，同時也因為此層為透明薄膜層，并不會影響光行進(jìn)，有效提升雙結(jié)薄膜太陽能電池之效率，增加太陽能產(chǎn)業(yè)進(jìn)爭能力。以上說明，對本發(fā)明而言只是說明性的，非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修正、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。


下面為結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)一步說明圖1為本發(fā)明改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)之制程示意圖。圖2為本發(fā)明改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)之內(nèi)建電場圖。圖標(biāo)主要符號說明1…基板2…電極3…第一層薄膜太陽能電池3-1.第一層薄膜太陽能電池之P型薄膜層4…透明氧化層5…第二層薄膜太陽能電池5-1.第二層薄膜太陽能電池之N型薄膜 層6…電極7…內(nèi)建電場方向。
權(quán)利要求
1.本發(fā)明主要是適用于雙結(jié)薄膜太陽能電池之接面處，利用透明氧化層本身內(nèi)部現(xiàn)有之缺陷，而這些缺陷會提高電子電洞復(fù)合的機(jī)率，有效阻止在雙結(jié)接面上載子分離形成反向的內(nèi)建電場，獲得良好的雙結(jié)薄膜太陽能電池的穿隧結(jié)，若是第二層薄膜太陽能電池為結(jié)晶性結(jié)構(gòu)，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉積結(jié)晶之質(zhì)量，大大提升薄膜太陽能電池之效能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所敘述的一種改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)，皆適用于N-1-P(N-P)或P-1-N(P-N)型薄膜太陽能電池，只要為雙結(jié)太陽能電池，運用此技術(shù)，皆屬于本發(fā)明之權(quán)利要求。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所敘述的一種改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)，在雙結(jié)接面鍍制一層透明氧化層，在此接面形成一些額外的缺陷層，有效阻止載子分離形成反向的內(nèi)建電場，同時也因為此層為透明薄膜層，并不會影響光行進(jìn)。
全文摘要
本發(fā)明為改善穿隧效應(yīng)之高效率雙結(jié)薄膜太陽能電池技術(shù)，主要是適用于雙結(jié)薄膜太陽能電池之接面處，利用透明氧化層本身內(nèi)部現(xiàn)有之缺陷，而這些缺陷會提高電子電洞復(fù)合的機(jī)率，有效阻止在雙結(jié)接面上載子分離形成反向的內(nèi)建電場，獲得良好的雙結(jié)薄膜太陽能電池的穿隧結(jié)，若是第二層薄膜太陽能電池為結(jié)晶性結(jié)構(gòu)，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉積結(jié)晶之質(zhì)量，大大提升薄膜太陽能電池之效能。
文檔編號H01L31/18GK103022224SQ20111028236
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者簡唯倫, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司