專利名稱：雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種是一種運(yùn)用在雙結(jié)薄膜太陽能電池的新技術(shù)。在雙結(jié)的接面上進(jìn)行表面處理，形成良好的穿隧結(jié)(tunnel junction),以增加太陽能電池發(fā)電效率。
背景技術(shù)：
由于現(xiàn)在太陽能產(chǎn)業(yè)為了有效提升太陽能電池效率，紛紛由單結(jié)太陽能電池轉(zhuǎn)成雙結(jié)太陽能電池。而雙結(jié)太陽能電池在串聯(lián)兩個(gè)電池時(shí)，其接面扮演相當(dāng)重要的角色，若無良好的穿隧結(jié)產(chǎn)生，兩個(gè)太陽能電池堆棧在一起將無法有加乘效果，所以能在此接面產(chǎn)生良好的穿隧結(jié)，將可大大提升太陽能電池之效率，增加其產(chǎn)業(yè)競爭力。發(fā)明說明 本發(fā)明主要是采用氫氣電漿轟擊機(jī)制，在雙結(jié)薄膜太陽能電池接面進(jìn)行表面轟擊，在此接面形成一些額外的缺陷，而這些缺陷會(huì)提高電子電洞復(fù)合的機(jī)率，有效阻止載子分離形成反向的內(nèi)建電場，獲得良好的雙結(jié)薄膜太陽能電池的穿隧結(jié)，若是第二層薄膜太陽能電池為結(jié)晶性結(jié)構(gòu)，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉積結(jié)晶之質(zhì)量，大大提升薄膜太陽能電池之效能。具體實(shí)施方法
吾將本發(fā)明搭配附圖，詳細(xì)說明如下
圖1為本發(fā)明雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)之制程示意圖，由圖中可得知，先于基板(I)上先后鍍制電極(2)和一單結(jié)薄膜太陽能電池(3)，之后在以鍍制完成的太陽能電池表面上，使用氫氣電漿進(jìn)行表面轟擊處理，在此接面形成一些額外的缺陷層，之后再鍍制上第二層薄膜太陽能電池(5)和電極(6)，即完成有良好穿隧結(jié)之高效能雙結(jié)薄膜太陽能電池。圖2為本發(fā)明雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)之內(nèi)建電場圖，由圖可得知，在第一(3)、二(5)層薄膜太陽能電池內(nèi)部所形成之內(nèi)建電場方向(7)是一樣的,但在雙結(jié)接面上，因?yàn)榈谝粚覰型薄膜層(3-1)與第二層P型薄膜層(5-1)容易形成反方向之內(nèi)建電場，將影響載子的傳遞，在此接面加上一道氫氣電漿表面處理(4)制程，可有效抵制反巷內(nèi)建電場形成，有效提升雙結(jié)薄膜太陽能電池之效率，增加太陽能產(chǎn)業(yè)進(jìn)爭能力。以上說明，對(duì)本發(fā)明而言只是說明性的，非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修正、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。


下面為結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。圖1為本發(fā)明雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)之制程示意圖。圖2為本發(fā)明雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)之內(nèi)建電場圖。圖標(biāo)主要符號(hào)說明1…基板2…電極3…第一層薄膜太陽能電池3-1.第一層薄膜太陽能電池之P型薄膜層4…氫氣電衆(zhòng)轟擊層5…第二層薄膜太陽能電池5-1.第二層薄膜太陽能電池之N型薄膜層6…電極7…內(nèi)建電場方向。
權(quán)利要求
1.本發(fā)明主要是采用氫氣電漿轟擊機(jī)制，在雙結(jié)薄膜太陽能電池接面進(jìn)行表面轟擊，在此接面形成一些額外的缺陷，而這些缺陷會(huì)提高電子電洞復(fù)合的機(jī)率，有效阻止載子分離形成反向的內(nèi)建電場，獲得良好的雙結(jié)薄膜太陽能電池的穿隧結(jié)，若是第二層薄膜太陽能電池為結(jié)晶性結(jié)構(gòu)，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉積結(jié)晶之質(zhì)量，大大提升薄膜太陽能電池之效能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所敘述的一種雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)，皆適用于N-1-P(N-P)或P-1-N(P-N)型薄膜太陽能電池，只要為雙結(jié)太陽能電池，運(yùn)用此技術(shù)，皆屬于本發(fā)明之權(quán)利要求。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所敘述的一種雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)，使用氫氣電漿進(jìn)行表面轟擊處理，在此接面形成一些額外的缺陷層，有效阻止載子分離形成反向的內(nèi)建電場。
全文摘要
本發(fā)明為雙結(jié)薄膜太陽能電池接面表面處理之技術(shù)，主要是采用氫氣電漿轟擊機(jī)制，在雙結(jié)薄膜太陽能電池接面進(jìn)行表面轟擊，在此接面形成一些額外的缺陷，而這些缺陷會(huì)提高電子電洞復(fù)合的機(jī)率，有效阻止載子分離形成反向的內(nèi)建電場，獲得良好的雙結(jié)薄膜太陽能電池的穿隧結(jié)，若是第二層薄膜太陽能電池為結(jié)晶性結(jié)構(gòu)，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉積結(jié)晶之質(zhì)量，大大提升薄膜太陽能電池之效能。
文檔編號(hào)H01L31/18GK103022223SQ20111028234
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者簡唯倫, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司