專利名稱：氣體供給裝置、處理裝置、處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于對基板供給處理氣體的氣體供給裝置、具備該氣體供給裝置的處理裝置、使用了氣體供給裝置的處理方法以及存儲介質。
背景技術：
當前，使用氣體噴淋頭作為面向進行CVD (chemical vapor exposition)及蝕刻等的裝置的氣體供給裝置。該氣體噴淋頭被制成扁平的圓柱形狀，使從設于上部的氣體導入口供給的氣體在內部的擴散空間中擴散，從形成于下面的多個孔中以噴淋狀進行供給。作為供給多種處理氣體的氣體噴淋頭，存在有在一個系統(tǒng)的氣體流路的途中混合多種處理氣體后進行供給的所謂前混合方式的氣體噴淋頭和針對多種氣體分別地設置氣體流路進行供給的后混合方式的氣體噴淋頭。另一方面，作為成膜方法還已知有如下的所謂ALD (Atomic Layer Deposition), 即，將多種處理氣體的供給例如分為2個步驟，交替地執(zhí)行供給第一處理氣體的第一步驟、 供給第二處理氣體的第二步驟，而依次層疊這些處理氣體的反應產物，從而進行成膜。由于噴頭內的氣體流路復雜且狹窄，因此流導低，氣體的置換性差。由此在ALD 的情況下，為了避免在時間上前后供給的多種處理氣體在噴頭內部相互混合而產生反應產物，使用上述的后混合型的噴頭。圖17是表示上述氣體噴淋頭的一例的縱剖側面的圖。該氣體噴淋頭1形成將各個扁平的圓形的噴淋平板11、主體部12、基座構件13等多個構件接合的層疊結構。從第一氣體供給管14A供給的第一氣體向形成于主體部12與基座構件13之間的氣體擴散空間15A 擴散而向第一噴出口 16A供給。從第二氣體供給管14B供給的第二氣體向形成于主體構件12與噴淋平板11之間的氣體擴散空間15B擴散而向第二噴出口 16B供給。像這樣，第一氣體及第二氣體就不會在氣體噴淋頭1內相互混合，而是分別地從噴出口 16A、16B中分別噴出。但是，在ALD的過程中，在切換從氣體噴淋頭1供給的處理氣體的種類時，需要如下的工序，即，在開始后面的處理氣體的供給之前供給沖洗氣體，將殘留于進行成膜的處理氣氛內的處理氣體完全地排除(沖洗)。為了提高生產率，該處理氣體的切換期間的供給沖洗氣體的工序的時間優(yōu)選盡可能得短。但是，在該氣體噴淋頭1中，由于如前所述，流路中的氣體的流導低，因此如果供給沖洗氣體的時間短，則有可能在氣體擴散空間15A、15B的角落中殘留處理氣體。如果像這樣在先前供給的處理氣體殘留于噴頭內的狀態(tài)下供給后面的處理氣體， 則該殘留氣體就會向晶片的處理空間流出。其結果是，先前供給的處理氣體與后面供給的處理氣體在氣體噴淋頭1的表面反應而附著堆積物。其結果是，成為導致顆粒污染的要因， 反應產物作為顆粒直接附著于晶片上，有可能無法正常地進行晶片W的成膜處理。所以，沖洗的時間不能太短，從而造成難以提高生產率的狀況。另外，由于在上述的ALD、CVD、等離子體蝕刻處理等中將晶片加熱到規(guī)定的溫度， 因此晶片W的周圍的處理空間被加熱。所以，作為構成氣體噴淋頭1的材質，有時優(yōu)選使用將熱膨脹率小的SiC和鋁混合的材質或陶瓷等材質來構成。但是，如上所述，氣體噴淋頭具有復雜的層疊結構，需要形成微細的流路。特別是需要在噴淋平板11中穿設多個孔，對于上述各材質很難實施此種微細的加工。由此還有難以制造噴淋平板11、可以用于制造的材質受到限制的問題。而且，在日本特開平7-22323中，記載了用于將各種氣體從向下方擴展的流路分別供給的氣相生長裝置。但是，在日本特開平7-22323中，沒有記載將氣體相互置換時產生的上述問題的解決方法。專利文獻1 日本特開平7-2232
發(fā)明內容
本發(fā)明是考慮到此種情況而完成的，其目的在于，提供一種在對基板供給氣體進行氣體處理時可以高速地進行其內部的流路中的氣體的置換的氣體供給裝置、具備該氣體供給裝置的處理裝置、使用了該氣體供給裝置的處理方法以及存儲介質。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其與處理容器內的基板對置地配置，用于向上述基板供給氣體來進行氣體處理，其特征在于，具備主體部，其具有氣體流通空間，上述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端，并且以近似圓錐形構成，使上述氣體從上述縮徑端側向上述擴徑端側流通；氣體導入口，其設于上述主體部中的上述氣體流通空間的上述縮徑端側， 用于將上述氣體導入到上述氣體流通空間；多個劃分構件，其設于上述主體部的上述氣體流通空間內，將上述氣體流通空間以同心圓狀劃分，一個劃分構件的逐漸擴展程度大于在徑向內側相鄰的劃分構件的逐漸擴展程度。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，在上述主體部中的上述氣體流通空間的上游側，形成沿上述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路，上述氣體導入口設于上述氣體導入路的上游側。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，上述劃分構件由從上述主體部的內周面向徑向內方延伸的支承構件支承。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，利用上述劃分構件將上述氣體流通空間劃分為多個流路，各上述流路被設定為，徑向內側的流路的流導小于徑向外側的流路的流導。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，在上述氣體流通空間的徑向的中心區(qū)域，設有用于使氣體不流向上述中心區(qū)域的氣流控制構件。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，在上述氣體導入路內，設有分隔構件，其將上述氣體導入路沿徑向分隔為內側區(qū)域和外側區(qū)域，并且形成有用于使向上述內側區(qū)域供給的氣體向上述外側區(qū)域擴散的多個開口部，來自上述氣體導入口的氣體供給向上述內側區(qū)域。
本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，上述分隔構件與上述劃分構件的上游端連接。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其與處理容器內的基板對置地配置，用于向上述基板供給氣體來進行氣體處理，其特征在于，具備主體部，其具有氣體流通空間，上述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端，并且以近似圓錐形構成，使上述氣體從上述縮徑端側向上述擴徑端側流通；氣體導入口，其設于上述主體部中的上述氣體流通空間的上述縮徑端側， 用于使上述氣體導入到上述氣體流通空間；多個劃分構件，其設于上述主體部的上述氣體流通空間內，用于沿圓周方向劃分上述氣體流通空間。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，在上述主體部中的上述氣體流通空間的上游側，形成沿上述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路，上述氣體導入口設于上述氣體導入路的上游側。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，上述多個劃分構件如下構成，S卩，來自上述氣體流通空間的上述擴徑端的上述氣體在形成沿上述主體部的圓周方向旋轉的渦流的同時噴出。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，上述劃分構件從上述氣體流通空間的中心沿徑向延伸。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，上述劃分構件在上述氣體流通空間中從上述縮徑端設置到上述擴徑端。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其與處理容器內的基板對置地配置，用于向上述基板供給氣體來進行氣體處理，其特征在于，具備主體部，其具有用于使上述氣體流通的氣體流通空間；氣體導入口，其設于上述主體部中的上述氣體流通空間的上游端側，用于將上述氣體導入到上述氣體流通空間；板狀構件，其設于上述主體部的上述氣體流通空間的下游端側，具有以同心圓狀開口的多個狹縫，該多個狹縫用于將向上述氣體流通空間供給的上述氣體向上述基板供給。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，在上述主體部中的上述氣體流通空間的上游側，形成沿上述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路，上述氣體導入口設于上述氣體導入路的上游側。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，上述狹縫被制成，隨著從上述板狀構件的中心部接近周緣部，其開口寬度變大。本發(fā)明提供一種氣體供給裝置，其特征在于，在上述主體部中設有調溫機構。本發(fā)明提供一種處理裝置，其特征在于，具備用于載放基板的載放臺、在內部設有上述載放臺的處理容器、與上述載放臺對置地設置而向上述處理容器內供給用于處理上述基板的處理氣體的氣體供給裝置、將上述處理容器內排氣的排氣機構，上述氣體供給裝置具備主體部，其具有氣體流通空間，上述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端，并且以近似圓錐形構成，使上述氣體從上述縮徑端側向上述擴徑端側流通；氣體導入口，其設于上述主體部中的上述氣體流通空間的上述縮徑端側，用于將上述氣體導入到上述氣體流通空間；多個劃分構件，其設于上述主體部的上述氣體流通空間內，將上述氣體流通空間以同心圓狀劃分，一個劃分構件的逐漸擴展程度大于在徑向內側相鄰的劃分構件的逐漸擴展程度。
本發(fā)明提供一種處理裝置，其特征在于，還具備多條處理氣體用流路，其與上述氣體供給裝置的上述氣體導入口連接，用于分別供給多種處理氣體；沖洗用氣體流路，其與上述氣體供給裝置的上述氣體導入口連接，供給沖洗用的惰性氣體；氣體供給設備，其控制上述多條處理氣體用流路及上述沖洗用氣體流路中的氣體的供給；控制部，其按照依次并且循環(huán)地供給上述多種處理氣體，并且在一種處理氣體的供給步驟與另一種處理氣體的供給步驟之間，進行上述惰性氣體的供給步驟的方式，控制上述氣體供給設備，在上述基板的表面依次層疊由上述多種處理氣體的反應產物構成的層而形成薄膜。本發(fā)明提供一種處理方法，其特征在于，具備將基板載放在處理容器的內部的載放臺上的工序；從與上述載放臺對置地設置的氣體供給裝置，向上述處理容器內供給用于處理上述基板的氣體的工序；將上述處理容器內排氣的工序，上述氣體供給裝置具備主體部，其具有氣體流通空間，上述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端，并且以近似圓錐形構成，使上述氣體從上述縮徑端側向上述擴徑端側流通；氣體導入口，其設于上述主體部中的上述氣體流通空間的上述縮徑端側，用于將上述氣體導入到上述氣體流通空間；多個劃分構件，其設于上述主體部的上述氣體流通空間內，將上述氣體流通空間以同心圓狀劃分， 一個劃分構件的逐漸擴展程度大于在徑向內側相鄰的劃分構件的逐漸擴展程度。本發(fā)明提供一種處理方法，其特征在于，上述供給處理氣體的工序具有依次并且循環(huán)地供給多種處理氣體，并且在一種處理氣體的供給步驟與另一種處理氣體的供給步驟之間，進行惰性氣體的供給步驟的工序，在上述基板的表面依次層疊由上述多種處理氣體的反應產物構成的層而形成薄膜。本發(fā)明提供一種存儲介質，是存放有在處理方法中使用的、并在計算機上運行的計算機程序的存儲介質，其特征在于，上述處理方法具備將基板載放在處理容器的內部的載放臺上的工序；從與上述載放臺對置地設置的氣體供給裝置，向上述處理容器內供給用于處理基板的氣體的工序；將上述處理容器內排氣的工序，上述氣體供給裝置具備主體部，其具有氣體流通空間，上述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端，并且以近似圓錐形構成，使上述氣體從上述縮徑端側向上述擴徑端側流通；氣體導入口，其設于上述主體部中的上述氣體流通空間的上述縮徑端側，用于將上述氣體導入到上述氣體流通空間；多個劃分構件，其設于上述主體部的上述氣體流通空間內，將上述氣體流通空間以同心圓狀劃分，一個劃分構件的逐漸擴展程度大于在徑向內側相鄰的劃分構件的逐漸擴展程度。根據(jù)本發(fā)明，可以增大供給到基板之前的氣體的流路的流導，可以迅速地進行氣體流通空間中的氣體的置換。另外，本發(fā)明的氣體供給裝置由于不是像以往那樣需要對各段的構件進行精密而復雜的加工的結構，因此容易制造。另外，由此還具有可以使用的材質的選擇的自由度大的優(yōu)點。另外，在使用該氣體供給裝置采用被稱作所謂的ALD等依次循環(huán)地供給多種處理氣體而進行成膜的方式的情況下，由于可以高速地進行用沖洗氣體對氣體供給裝置內的氣體的置換，因此可以有助于生產率的提高。


圖1是具備本發(fā)明的氣體供給裝置即氣體供給部的第一實施方式的成膜裝置的縱剖面圖。圖2是上述氣體供給部的縱剖面圖。
圖3是上述氣體供給部的橫剖面圖。圖4是上述氣體供給部的縱剖面立體圖。圖5是從下面?zhèn)瓤吹降纳鲜鰵怏w供給部的立體圖。圖6是表示上述氣體供給部的氣體流通空間中的渦流的圖。圖7(a) (d)是使用上述成膜裝置進行的ALD過程的工序圖。圖8(a) (C)是表示上述氣體供給部的第一變形例的說明圖。圖9(a) (b)是表示上述氣體供給部的第二變形例的說明圖。圖10(a) (b)是表示上述氣體供給部的第三變形例的說明圖。圖11(a) (c)是表示上述氣體供給部的第二實施方式的說明圖。圖12是表示上述氣體供給部的第三實施方式的縱剖面立體圖。圖13 (a) (b)是表示上述第三實施方式的氣體供給部的下側的仰視圖及下側立體圖。圖14是表示上述氣體供給部的氣體導入口周邊的結構的縱剖面立體圖。圖15(a) (b)是表示評價試驗的模擬中的處理空間的氣體濃度分布的圖。圖16是評價試驗的模擬中所用的氣體流路的模型的立體圖。圖17是以往的氣體噴淋頭的縱剖面圖。
具體實施例方式(第一實施方式)首先，邊參照圖1，邊對作為本發(fā)明的實施方式的成膜裝置2的整體構成進行說明。本實施方式的成膜裝置2具備如下的功能，即，例如使用含有鍶(Sr)的原料氣體 (以下稱作Sr原料氣體)作為第一處理氣體，使用含有鈦(Ti)的原料氣體(以下稱作Ti原料氣體)作為第二處理氣體，使這些氣體與作為第三處理氣體的屬于氧化氣體的臭氧(O3) 氣體反應，利用ALD過程，在作為基板的半導體晶片(以下記作晶片)W表面形成作為高電介質材料的鈦酸鍶(SrTiO3、以下簡記為ST0)的薄膜。成膜裝置2具備處理容器21。在處理容器21內，設有用于水平地載放晶片W的載放臺22。在載放臺22內，設有構成晶片W的調溫機構的加熱器22a。此外在載放臺22中， 設有利用升降機構22b自由升降的3根升降銷釘22c(為了方便僅圖示了 2根)。借助該升降銷釘22c在成膜裝置2的外部的未圖示的晶片搬送機構與載放臺22之間進行晶片W的交接。在處理容器21的底部連接著排氣管23的一端側。在該排氣管23的另一端側連接著由真空泵等構成的排氣機構對。排氣機構M具有未圖示的壓力調整機構，由此就可以接收來自后述的控制部3A的控制信號，在成膜處理中將處理容器21內的壓力維持為規(guī)定的壓力。另外，在處理容器21的側壁中，形成有利用門閥G開閉的搬送口 25。圖中S是載放于載放臺22上的晶片W的周圍的處理空間。在處理容器21的上部，與載放于載放臺22上的晶片W對置地設有構成本發(fā)明的氣體供給裝置的氣體供給部3。對于該氣體供給部3，邊參照其縱剖側面圖即圖2至圖4邊進行說明。
氣體供給部3具有側面看以倒T字形制成的主體部31。S卩，對于主體部31來說， 其下部側以扁平的大直徑的圓柱形狀制成，其上部側以小直徑的圓柱形狀制成。在主體部 31的內部，形成有從上方側朝向下方側的氣體流通空間32。氣體流通空間32被以從上方側朝向下方側擴展的近似圓錐形狀構成。在主體部31的氣體流通空間32內，從該氣體流通空間32的縮徑端3 側直至擴徑端32b側，設有劃分構件41 46。各劃分構件41 46以隨著從上述縮徑端3 側接近擴徑端32b側直徑逐漸擴大的筒狀構成。劃分構件41 46具有相互不同的直徑，被依照劃分構件41、42、43、44、45、46的順序沿氣體流通空間32的徑向從內側向外側配置。另外，劃分構件41 46將該氣體流通空間32以同心圓狀劃分，形成氣體流路51 57。這里，劃分構件41 46中的一個劃分構件的逐漸擴展程度(相對于氣體流通空間32的軸向的角度的大小)大于在徑向內側相鄰的劃分構件的逐漸擴展程度。即，在將劃分構件41 46根據(jù)逐漸擴展程度的大小起依次排列的情況下，則為劃分構件46 >劃分構件45 >劃分構件44 >劃分構件43 >劃分構件42 >劃分構件41。圖3是圖2的A-A箭頭方向視剖面圖，圖5是從下方側看到的主體部31的立體圖。 如這些圖中所示，劃分構件41 46在其上端、下端處分別由多個支承構件48、49支承。支承構件48、49分別從主體部31的內周面33朝向劃分構件41側，在氣體流通空間32中沿徑向延伸。即，支承構件48、49分別從內側的劃分構件41朝向主體部31的內周面33成輻射狀展開。該支承構件48、49除了具有支承劃分構件41 46的作用以外，還具有如下的作用，即，將例如設于主體部31中的調溫機構、如加熱器34等的熱向劃分構件41 46傳遞，防止處理氣體在劃分構件41 46表面被冷卻而在該表面產生成膜。另外，如圖3所示，加熱器34例如被按照包圍氣體流通空間32及劃分構件41 46的方式設于主體部31中。需要說明的是，為了圖示的方便，圖4中省略了支承構件48、 49的顯示。如圖2及圖4所示，在主體部31中的氣體流通空間32的上游側，按沿該氣體流通空間32的軸向延伸的方式形成氣體導入路35。在氣體導入路35的側壁中，設有用于經由該氣體導入路35向氣體流通空間32供給氣體的氣體導入口 61a、61b、62a、62b、63a、63b。 氣體導入口 61a、6h、63a被從上方朝向下方以該順序形成，另外氣體導入口 61b、62b、6;3b 被從上方朝向下方以該順序形成。各氣體導入口 61a 63a、61b 6 例如如圖4所示，其垂直剖面為圓形，具有朝向主體部31側方開口的孔。另外，圖2中在將與X軸、Y軸相互正交的方向(即垂直于紙面的方向)設為前后方向的情況下，氣體導入口 61a 63a與氣體導入口 61b 6 被相互沿前后錯開地配置。從這些氣體導入口 61a 63a及61b 63b供給的氣體如圖6所示， 在氣體導入路35中在形成沿圓周方向旋轉的渦流的同時流向下方。另外，在圖4中，主體部31的氣體導入路35的高度hi例如為80mm，從氣體流通空間32的縮徑端3 到劃分構件41 46的上端的高度h2例如為20mm。從劃分構件41 46的上端到下端的高度h3例如為30mm。另外，氣體流通空間32的擴徑端32b的直徑R例如為300mm。如圖1及圖2所示，在各氣體導入口 61a 63a及61b 63b處連接有用于供給各種氣體的氣體供給管線71 73。S卩，氣體導入口 61a、61b連接著Sr原料氣體供給管線71，氣體導入口 6h、62b連接著Ti原料氣體供給管線72，氣體導入口 63a、6;3b連接著臭氧氣體供給管線73。Sr原料氣體供給管線71被與Sr原料供給源7A連接，在該供給源7A中，例如貯留有Sr (THD) 2 (雙(四甲基庚二酮酸)鍶)或Sr (Me5Cp) 2 (雙(五甲基環(huán)戊二烯基)鍶)等液體Sr原料。該Sr原料向供給管線擠出，由未圖示的氣化器氣化而將Sr原料氣體向Sr 原料氣體供給管線71供給。Ti原料氣體供給管線72被與Ti原料供給源7B連接，在該供給源7B中，例如貯留有Ti (OiPr) 2 (THD) 2 ( 二異丙氧基雙(四甲基庚二酸)鈦)或Ti (OiPr)(四異丙氧基鈦) 等Ti原料，與Sr原料的情況相同，供給利用未圖示的氣化器氣化了的Ti原料氣體。臭氧氣體供給管線73例如與臭氧氣體供給源7C連接。另外，Sr原料氣體供給管線71、Ti原料氣體供給管線72、臭氧氣體供給管線73分別在路徑的途中分支而與Ar (氬) 氣體供給源7D連接，從而可以與各個處理氣體一起將Ar氣體向各氣體導入口 61a 63a 及61b 63b供給。另外，氣體導入路35的上游端3 在主體部31的上部開口而形成氣體導入口 64。 在該氣體導入口 64，連接著氣體供給管線74的一端。氣體供給管線74的另一端與上述Ar 氣體供給源7D連接。該氣體供給管線74通過向氣體流通空間32供給Ar氣體，促進氣體流通空間32中的氣體的流動，在后述的成膜處理工序中有效地進行利用從氣體導入口 61a 63a、61b 6 供給的處理氣體的成膜，具有在沖洗工序中縮短沖洗所需的時間的作用。將來自該氣體供給管線74的Ar氣體稱作反向氣體(counter-gas)。在各氣體供給管線71 74中夾設有由閥、流量計等構成的流量控制設備組75、 76，基于來自后述的控制部3A的指示控制各種氣體的供給定時及供給量。在該成膜裝置2中，設有例如由計算機構成的控制部3A，該控制部3A具備程序。 在該程序中按照從控制部3A向成膜裝置2的各部發(fā)送控制信號而使晶片W的處理進行的方式施加命令(各步驟)。該程序(也包括涉及處理參數(shù)的輸入操作或顯示的程序)存放于計算機存儲介質中，例如由軟盤、CD、硬盤、MO (光磁盤)等構成的存儲部:3B中而安裝于控制部3A中。接下來對使用成膜裝置2在晶片W上形成STO的過程進行說明。首先經由搬送口 25利用外部的晶片搬送機構將晶片W搬入到處理容器21內。然后，借助升降銷釘22c，將晶片W載放于載放臺22上。接下來將晶片W加熱到規(guī)定的溫度，并且將處理容器21內真空排氣而設為規(guī)定的壓力。借助ALD過程的STO的成膜處理是基于圖7 (a) 圖7 (d)所示的氣體供給順序執(zhí)行的。圖7(a) 圖7(c)的各圖中所示的空白的柱表示來自各氣體供給管線71 73的處理氣體(Sr原料氣體、Ti原料氣體、臭氧氣體)的供給量。另外，圖7(a) 圖7(d)的用陰影斜線涂滿的柱表示來自各氣體供給管線71 74的Ar氣體的供給量。如圖7 (a)所示，首先從Sr原料氣體供給管線71將Sr原料氣體及Ar氣體經由氣體導入路35向氣體流通空間32供給，從氣體供給管線74將Ar氣體經由氣體導入路35向氣體流通空間32供給(Sr原料氣體供給工序)。另外，此時，如圖7(b)、圖7(c)所示，為了防止Sr原料氣體流入各氣體導入口內而成膜，從Ti原料氣體供給管線72及臭氧氣體供給管線73也向氣體導入路35流入少量的Ar氣體。而且，在Ti原料氣體的供給工序、臭氧氣體的供給工序中也基于相同的理由從不用于成膜的氣體的導入口供給Ar氣體。這些向氣體導入路35供給的Sr原料氣體及Ar氣體如上所述，在形成沿主體部31 的圓周方向旋轉的渦流的同時經氣體導入路35流向下游，流入氣體流通空間32。此后，這些氣體如圖2中箭頭所示，分散到由劃分構件41 46劃分的氣體流路51 57中而向晶片W表面供給，構成Sr原料氣體的分子吸附于晶片W上。剩余的Sr原料氣體及Ar氣體被利用排氣管23排氣而從處理空間S中除去。如果經過了規(guī)定時間，在晶片W上形成Sr原料氣體的吸附層，則停止各氣體的供給，從Sr原料氣體供給管線71及氣體供給管線74作為沖洗氣體供給Ar氣體，沖洗殘存于處理容器21內及氣體供給部3內的Sr原料氣體(Sr原料氣體沖洗工序)。另外，此時如圖7(b)及圖7(c)所示，為了防止Sr原料氣體流入各氣體導入口內而與各處理氣體反應， 與Sr原料氣體供給工序相同，從Ti原料氣體供給管線72及臭氧氣體供給管線73中也向氣體導入路35流入少量的Ar氣體。而且，在Ti原料氣體的供給工序后及臭氧氣體的供給工序后的各沖洗工序中，也是基于相同的理由從各導入口供給Ar氣體。如果將Ar氣體供給了規(guī)定的時間而結束Sr原料氣體的沖洗，則如圖7(b)及圖 7 (d)所示，從Ti原料氣體供給管線72向氣體導入路35供給Ti原料氣體及Ar氣體，從氣體供給管線74向氣體導入路35供給Ar氣體(Ti原料氣體供給工序)。這些向氣體導入路35供給的Ti原料氣體及Ar氣體與上述的Sr原料氣體供給工序中的Sr原料氣體及Ar 氣體相同，流經氣體流通空間32而向晶片W供給，在晶片W表面吸附構成Ti原料氣體的分子。剩余的Ti原料氣體及Ar氣體被利用排氣管23從處理容器21中除去。如果經過規(guī)定時間，在晶片W上形成Ti原料氣體的吸附層，則停止各氣體的供給， 如圖7(b)及圖7(d)所示從Ti原料氣體供給管線72及反向氣體供給管線74作為沖洗氣體供給Ar氣體，沖洗殘存于處理容器21內及氣體供給部3內的Ti原料氣體(Ti原料氣體沖洗工序)。如果將Ar氣體供給了規(guī)定的時間而結束Ti原料氣體的沖洗，則如圖7 (c)及圖 7 (d)所示，從臭氧氣體供給管線73向氣體導入路35供給臭氧氣體及Ar氣體，從氣體供給管線74向氣體導入路35供給Ar氣體(臭氧氣體供給工序)。這些向氣體導入路35供給的臭氧氣體及Ar氣體與上述的Sr原料氣體供給工序中的Sr原料氣體及Ar氣體相同，流經氣體流通空間32向晶片W供給。此后，利用載放臺22的加熱器22a的熱，臭氧氣體與已經吸附于晶片W的表面的原料氣體的分子反應，形成STO的分子層。在經過規(guī)定時間后，停止臭氧氣體及Ar氣體的供給，如圖7(c)及圖7(d)所示，從臭氧氣體供給管線73、反向氣體供給管線74供給Ar氣體作為沖洗氣體，沖洗殘存于處理容器21內及氣體供給部3內部的臭氧氣體(臭氧氣體沖洗工序)。如圖7(a) 圖7(d)所示，如果將以上說明的6個工序設為1個循環(huán)，則將該循環(huán)反復進行預先確定的次數(shù)，例如100次，將STO的分子層多層化，完成具備規(guī)定膜厚的STO 膜的成膜。此后停止結束了成膜的各種氣體供給，將處理容器21內的壓力恢復到真空排氣前的狀態(tài)后，以與搬入時相反的路徑利用外部的搬送機構將晶片W搬出，結束一連串的成
膜動作。在上述的成膜裝置2中，由于是從在近似圓錐形的氣體流通空間32的縮徑端3 側與氣體供給管線71 73連接的各氣體導入口 61a 63a、61b 6 及64導入各氣體，使該氣體沿著劃分構件41 46經氣體流通空間32進行流通，向晶片W供給，因此可以增大向晶片W供給前的氣體的流路的流導(氣體的流動容易度)，上述劃分構件41 46的逐漸擴展程度隨著接近外側而變大，并以同心圓狀設置。所以，在如上所述的ALD過程中，可以在向氣體流通空間32供給包含Sr原料氣體、Ti原料氣體或臭氧氣體的處理氣體后，高速地向晶片W供給。另外，可以在供給各原料氣體后，高速地進行置換為Ar氣體的沖洗處理。由此，就可以實現(xiàn)生產率的提高。氣體供給部3由于不具有像上述的氣體噴淋頭那樣需要精密而復雜的加工的結構，因此與氣體噴淋頭相比容易制造。作為構成主體部31或劃分構件41 46的材料，例如可以使用鋁、SiC與鋁的混合物、或陶瓷等。像這樣，就會有可用于氣體供給部3的制造的材質的自由度大的優(yōu)點。另外，例如通過選擇加工性容易的鋁等材質，就可以與過程中所需的氣體的種類的數(shù)目對應地容易地進行氣體導入口的追加或刪除。接下來，在參照圖8(a)的同時，對氣體供給部3的第一變形例進行說明。而且，以下的說明中，對于與上述的實施方式相同地形成的部位使用與該實施方式相同的符號而省略其說明。圖8(a)所示的變形例中，在劃分構件41的內側設有棒狀的氣流控制構件81。利用該氣流控制構件81，使得氣體不會流向氣體流通空間32的徑向的中心區(qū)域。通過在近似圓錐形的氣體流通空間32中，在容易被供給氣體的徑向的中心側設置此種氣流控制構件 81，就可以向晶片W整體均勻地供給氣體，提高面內的處理的均勻性。圖8(b)是氣流控制構件的立體圖，圖8(c)是氣體供給部3的下面?zhèn)鹊臍饬骺刂茦嫾?1的周邊的立體圖。雖然在圖8(b)中為了圖示的方便省略了顯示，然而支承構件48、 49向劃分構件41的內側延伸，支承著氣流控制構件81。另外，圖9(a)表示氣體供給部3的第二變形例。在該第二變形例中，在劃分構件 41的內側，設有將上端堵塞的筒狀的劃分構件(氣流控制構件)82。這樣，就會如上所述， 使得氣體不會流向氣體流通空間32的徑向的中心區(qū)域，向晶片W整體均勻地供給氣體，提高面內的處理的均勻性。圖9(b)是劃分構件82的立體圖。劃分構件82與氣流控制構件 81相同由向氣體流通空間32的徑向內側延伸的支承構件48、49支承，然而為了圖示的方便，在圖9(b)中省略其顯示。另外，例如在該圖8(a)及圖9(a)中所示的氣體供給部3中，除了設置氣流控制構件81或劃分構件82以外，為了提高晶片W的面內的處理的均勻，也可以還調整各劃分構件 41 46的傾角或間隔以及氣流控制構件81及劃分構件82的形狀。優(yōu)選利用該設置，使得在氣體流路51 57中隨著從主體部31的徑向內側接近外側，其流導逐漸變大。即，在將氣體流路51 57依照流導大的順序排列的情況下，優(yōu)選按照流路57 >流路56 >流路55 >流路M >流路53 >流路52 >流路51的方式構成。利用該設置，就可以將氣體向晶片 W的面內均勻地供給，在晶片W的面內進行均勻的成膜處理。另外，在第一實施方式中，也可以通過調整劃分構件41 46的傾角或間隔，使得各氣體流路51 57的流導如上所述地隨著接近徑向的外側而逐漸變大，實現(xiàn)氣體的供給的均勻化。另外，在第一實施方式及其各變形例中也可以增減配置于氣體流通空間32中的劃分構件的數(shù)目來實現(xiàn)氣體的供給的均勻化。接下來，在圖10(a)中表示了作為氣體供給部的第三變形例的氣體供給部9。在該
12氣體供給部9中，在氣體導入路35內設有將該氣體導入路35沿徑向分隔為內側區(qū)域92和外側區(qū)域93的分隔構件91。在氣體流通空間32中設有與劃分構件41相同地構成的劃分構件94。如圖10(b)所示，分隔構件91的下端91a與劃分構件94的上游端9 連接。氣體導入口 61a 63a被按照向內側區(qū)域92供給各氣體的方式構成，在上述分隔構件91的側壁中設有用于使供給到內側區(qū)域92的氣體向外側區(qū)域93擴散的多個開口部 95。所以，來自氣體導入口 61a 63a的氣體首先向內側區(qū)域92供給，其后從內側區(qū)域92 穿過多個開口部95向外側區(qū)域93擴散。由于即使像這樣構成氣體供給部，也不需要像氣體噴淋頭那樣使氣體通過復雜而微細的流路，因此可以獲得與第一實施方式的例子相同的效果。(第二實施方式)接下來，在參照圖11(a)的同時，對構成上述成膜裝置2的氣體供給部的氣體供給裝置的第二實施方式進行說明。雖然圖11 (a)所示的氣體供給部100與氣體供給部3相同地構成，然而在氣體流通空間32中未設置上述劃分構件41 46，取代它們的是按照將氣體流通空間32沿圓周方向劃分的方式設置的板狀的劃分構件103 106。各劃分構件103 106從氣體流通空間 32的中心朝向主體部31的內周面33沿徑向延伸。例如各劃分構件103 106的一端由上述內周面33支承，另一端由設于上述徑向的中心的支承構件107支承。圖11 (c)是這些劃分構件103 106及支承構件107的立體圖。如圖11(a)中箭頭所示，在從各氣體導入口 61a 63a及61b 6 中噴出氣體時，與第一實施方式相同，從各氣體導入口供給的氣體在形成沿主體部31的圓周方向旋轉的渦流的同時，流向氣體流通空間32的擴徑端32b。該氣體被劃分構件103 106導引將其渦流從上述擴徑端32b朝向晶片W噴出。圖11(b)是表示像這樣被供給氣體時的晶片W 的上面的圖，箭頭表示氣體的流動。即使是第二實施方式的構成，與氣體噴淋頭相比由于也不需要使氣體穿過復雜而微細的流路，因此可以抑制氣體流通空間32中的氣體的流導的降低，所以可以獲得與第一實施方式相同的效果。另外，優(yōu)選如上所述按照將形成渦流的氣體從氣體流通空間32的擴徑端32b向晶片W供給的方式來構成劃分構件103 106，利用該設置，均勻性高地向晶片W整體供給氣體。為了形成上述渦流，優(yōu)選將各劃分構件103 106在分別以水平軸為中心傾斜的狀態(tài)下支承。該情況下，劃分構件103 106的繞水平軸的角度可以適當?shù)卦O定。另外，雖然在該例中將劃分構件103 106設于氣體流通空間32的擴徑端32b，然而也可以從擴徑端32b延伸至縮徑端3 而形成。另外，為了可以向晶片W均勻地供給氣體，劃分構件的數(shù)目并不限于4條，可以適當?shù)卦O定。(第三實施方式)接下來，對構成上述成膜裝置2的氣體供給部的氣體供給裝置的第三實施方式進行說明。在參照作為本實施方式的剖面立體圖的圖12的同時，以與氣體供給部3的差異點為中心進行說明。圖12所示的氣體供給部110的主體部120以扁平的圓形構成。另外，在主體部120中，取代下側被擴大了直徑的氣體流通空間32，而形成圓板狀的氣體流通空間121。此外，在氣體流通空間121內未設置劃分構件41 46，而在氣體流通空間121的下游端121a 側設有板狀構件111。在板狀構件111中以同心圓狀開設有沿圓周方向一分為四的環(huán)狀的狹縫112。圖 13(a)是板狀構件111的仰視圖，圖13(b)是從氣體供給部110的下側看到的板狀構件111 的立體圖。狹縫112從板狀構件111的中心朝向周緣開設，在該例中有14條。形成于最中心側的2條狹縫112的寬度為2mm，形成于其外側的7條狹縫112的寬度為3mm，形成于其更外側的3條狹縫112的寬度為4mm，形成于其外側的最周緣側的2條狹縫112的寬度為5mm。像這樣按照使狹縫112的寬度隨著接近板狀構件111的周緣逐漸變大的方式構成，此外形成在板狀構件111的中心部未形成開口部的構成。利用該設置，與第一實施方式相同可以提高氣體供給部110的徑向的周緣側的氣體的流導，向晶片W整體均勻地供給氣體，提高晶片W的面內的處理的均勻性。而且，圖13(a)中，構成形成于板狀構件111的最外側的狹縫112的周緣的圓的直徑Ll的長度例如為300mm。另外，沿圓周方向相鄰的狹縫112之間的距離L2例如為7mm。圖14是表示氣體導入路35及其周邊部的結構的圖，在該例中為了可以與其他的實施方式相同在氣體導入路35中形成渦流，在4個方向設有用于導入Sr氣體、Ti氣體及 O3氣體的氣體導入口(由于附圖表示的是剖面形狀，因此僅在3個方向表示出導入氣體的口)。圖14中，氣體導入口 61c、62c、63c分別與氣體導入口 61a、6^i、63a相同地形成為Sr 氣體、Ti氣體、O3氣體的導入路。另外，未圖示的各氣體導入口與這些氣體導入口 61c、62c、 63c對置地設置。這些用于導入Sr氣體、Ti氣體及O3氣體的各氣體導入口的直徑例如為 4mm，用于導入Ar氣體的氣體導入口 64的直徑例如為12mm。另外，從主體部120的上面到氣體流通空間121的上面的高度h4例如為30mm，以 h5表示的氣體流通空間121的高度例如為5mm，板狀構件111的厚度h6例如為5mm，晶片W 表面與板狀構件111的下面的距離h7例如為10mm。由于在該第三實施方式的氣體供給部110中，也不需要使氣體穿過與圖17所示的以往的氣體噴淋頭相比復雜而微細的流路，因此可以抑制氣體流通空間32中的氣體的流導的降低。所以，可以獲得與第一實施方式相同的效果。雖然上述第一、第二及第三實施方式是對將本發(fā)明的氣體供給裝置應用于成膜裝置中的例子加以表示，然而作為該氣體供給裝置也可以應用于如下的等離子體蝕刻裝置，即，向基板供給氣體而使該氣體等離子體化，對基板進行蝕刻。另外，作為成膜裝置也不限于像上述那樣進行將不同的處理氣體以規(guī)定的循環(huán)斷續(xù)地向基板供給的ALD過程的裝置，也可以應用于將處理氣體連續(xù)地向晶片W供給而連續(xù)地進行成膜的CVD裝置。另外，雖然作為基板以半導體晶片為例進行了說明，然而并不限定于此，對于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等也可以應用本發(fā)明。(評價試驗1)為了確認上述的第一實施方式的氣體供給部3的效果，進行利用計算機的模擬， 隨著從氣體導入起的時間的經過研究了從氣體供給部3的各氣體導入口 61a 63a、6Ib 6 及64向氣體流通空間32供給的氣體在該流通空間32內及晶片W表面的濃度分布。作為該模擬的條件，從氣體導入口 61a、61b，不是供給Sr氣體與Ar氣體的混合氣體，而是供給C7H8氣體與Ar氣體的混合氣體。來自氣體導入口 61a 63a及61b 63b的氣體供給量為250mL/min(sccm)，來自氣體導入口 64的供給量為500mL/min (sccm)。另外，在向氣體導入口 61a及61b供給的氣體當中，C7H8氣體的百分率、Ar氣體的百分率分別為27%、72%。 另外，將晶片W及其周圍的處理空間的溫度設為230°C，在氣體供給時在晶片W的外周從該晶片W中心朝向徑向地進行排氣，將處理空間S內的壓力設定為達到451^。依照上述的實施方式的Sr原料氣體供給工序進行從各氣體導入口供給氣體的模擬，研究了取代Sr氣體而供給的C7H8氣體的分布，其結果是，在氣體噴出后0. 05秒C7H8氣體就擴展到整個氣體流通空間32及晶片W表面，在0. 1秒后整個氣體空間32及晶片W表面的C7H8氣體的濃度僅有極微少的達到7. 5%的區(qū)域，除此以外都達到9%，整體上大致均勻。其后，依照上述的實施方式的Sr原料氣體沖洗工序進行C7H8氣體的沖洗的模擬， 其結果是，在沖洗氣體(Ar氣體)噴出后0. 15秒后在整個氣體流通空間32及晶片W表面 C7H8氣體的濃度變?yōu)榧s0%，完成了沖洗。圖15 (a)表示如上所述地供給C7H8氣體0. 1秒后的處理空間S中的濃度分布的模擬，是將該處理空間S中的氣體濃度分布用等濃度線劃分顯示的圖。如該圖所示，可以獲得大致均勻的C7H8氣體的分布。而且，實際的模擬結果是利用計算機繪圖分層顯示濃度分布地以彩色畫面輸出，然而為了圖示的方便，圖15(a)及后述的圖15(b)中表示出概略的濃度分布。所以，圖15(a) (b)中實際上濃度分布并非是分散的，而是意味著在這些圖中在以等濃度線劃分的區(qū)域間存在著陡峭的濃度梯度。接下來對于以往的氣體噴淋頭同樣地進行了 Sr原料氣體供給工序、Sr原料氣體沖洗工序的模擬。其中，氣體與氣體供給部3的模擬的情況相同，取代Sr氣體而使用了 C7H8 氣體。其結果是，在原料氣體供給工序中在氣體供給后經過0. 1秒后晶片W表面中心部的 C7H8氣體濃度為19%，周緣部的C7H8氣體濃度為8%，濃度差很大。圖15(b)對于該模擬結果，與圖15(a)相同地將氣體濃度分布用等濃度線劃分顯示，此外為了圖示的方便，在處理空間S中對表示規(guī)定的濃度的部分使用點或線等表示。涂黑的區(qū)域的C7H8氣體濃度為19%， 沿一個方向加上了實線的斜線的區(qū)域的C7H8氣體濃度為13%。以網(wǎng)狀加上了斜線的區(qū)域的C7H8氣體濃度為8%，加上了點的區(qū)域的C7H8氣體濃度為6%。另外，加上了虛線的斜線的區(qū)域的C7H8氣體濃度小于19%而大于13%。此外，未加上點或線的區(qū)域的C7H8氣體濃度小于13%而大于8%。此外1.0秒后的模擬結果也是相同的濃度差。另外，在Sr原料氣體沖洗工序中，也是在氣體供給后經過1. 0秒后，在噴頭內存在C7H8氣體的濃度高的部位。由該模擬的結果說明，本發(fā)明的氣體供給部3與以往的氣體噴淋頭相比可以均勻性高地向晶片W的面內供給氣體，另外可以快速地進行沖洗。而且，在這些評價試驗中％表示體積百分比濃度。(評價試驗2)與評價試驗1相同地進行對氣體供給部3的臭氧氣體供給工序的模擬，研究了臭氧氣體的流通空間32內及晶片W的表面的濃度分布。其結果是，在噴出氣體0.05秒后流通空間32內及晶片W的表面的濃度分布就幾乎達到均勻。該濃度分布達到均勻前的速度是足以進行ALD過程的速度，可以認為該氣體供給部3在ALD過程中是有效的。(評價試驗3)接下來與評價試驗1相同地依照Sr原料氣體供給工序及Sr原料氣體沖洗工序從
15各氣體導入口供給氣體，進行了研究C7H8氣體的分布的模擬。但是，設定為不從氣體導入口 64進行作為反向氣體的Ar氣體的供給。其結果是，在Sr原料氣體供給工序中，當從氣體供給起經過0. 1秒時，C7H8氣體就大致均勻，在氣體流通空間32內及晶片W的表面中濃度最高處為11%，濃度最低處為10%，達到10%的區(qū)域所占的比例比評價試驗1中濃度低的區(qū)域所占的比例大。在接下來的Sr原料氣體沖洗工序中，氣體供給后0. 15秒后，在濃度最高的區(qū)域為0. 01%，在濃度最低的區(qū)域中為0. 001%。如評價試驗1中所示，由于在從氣體導入口 64中供給Ar氣體的情況下，在0. 15秒后沖洗就已經完成，因此根據(jù)該評價試驗3和評價試驗1的結果可知，從實現(xiàn)晶片面內的氣體供給的均勻化及沖洗工序的高速化的方面考慮，優(yōu)選進行來自氣體導入口 64的反向氣體供給。(評價試驗4)接下來在模擬中設定不具有劃分構件41 46的氣體供給部3，與評價試驗1相同地依照Sr原料氣體供給工序及Sr原料氣體沖洗工序進行從各氣體導入口供給氣體的模擬。其結果是，在Sr原料氣體供給工序中C7H8氣體的分布與評價試驗1相同，然而在Sr原料氣體沖洗工序中，在從沖洗氣體供給起經過0. 15秒后，晶片W的周緣部的C7H8氣體的濃度為0. 02%，晶片W的中心部的C7H8氣體的濃度為0. 001%，其差值與評價試驗1的結果相比較大。所以說明，劃分構件41 46具有使氣體均勻地置換的作用。(評價試驗5)接下來在模擬中，設定圖16所示的、沿徑向分割為四分之一的氣體供給部110 的流路的模型，與評價試驗1相同地依照Sr原料氣體供給工序及Sr原料氣體沖洗工序進行從各氣體導入口供給氣體的模擬。但是，設定為從氣體導入口 61a及61c以500mL/ min(sccm)供給C7H8氣體與Ar氣體的混合氣體。該混合氣體中的甲苯的流量為0. Ig/分鐘，另外晶片W及其周圍的處理空間的溫度設為200°C。將來自氣體導入口 64的Ar的氣體流量設定為500mL/min (sccm)，設定為從氣體導入口 6h、62c合計供給500mL/min (sccm) 的Ar氣體。對于其他的氣體導入口，在該模擬中不加以設定。此后，研究了處理空間S中的甲苯氣體的分布。模擬的結果是，在氣體噴出后0. 1秒甲苯氣體就擴展到整個處理空間S，濃度為 4%，在整個處理空間S中均勻。比較該結果與評價試驗1的以往的噴頭的結構的模擬結果可知，該氣體供給部110可以均勻性高地、高速地向晶片W的面內供給氣體。
權利要求
1.一種氣體供給裝置，與處理容器內的基板對置地配置，用于向所述基板供給氣體來進行氣體處理，其特征在于，具備主體部，其具有用于使所述氣體流通的氣體流通空間；氣體導入口，其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的上游端側，用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間；板狀構件，其設于所述主體部的所述氣體流通空間的下游端側，具有用于將向所述氣體流通空間供給的所述氣體向所述基板供給的以同心圓狀開口的多個狹縫。
2.根據(jù)權利要求1所述的氣體供給裝置，其特征在于，在所述主體部中的所述氣體流通空間的上游側，形成沿所述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路，所述氣體導入口設于所述氣體導入路的上游側。
3.根據(jù)權利要求1所述的氣體供給裝置，其特征在于，所述狹縫按照隨著從所述板狀構件的中心部接近周緣部，其開口寬度變大的方式形成。
4.一種處理裝置，其特征在于，具備用于載放基板的載放臺；在內部設有所述載放臺的處理容器；與所述載放臺對置地設置，向所述處理容器內供給用于處理所述基板的處理氣體的氣體供給裝置；及將所述處理容器內排氣的排氣機構，所述氣體供給裝置具備主體部，其具有用于使所述氣體流通的氣體流通空間；氣體導入口，其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的上游端側，用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間；板狀構件，其設于所述主體部的所述氣體流通空間的下游端側，具有用于將向所述氣體流通空間供給的所述氣體向所述基板供給的以同心圓狀開口的多個狹縫。
5.根據(jù)權利要求4所述的處理裝置，其特征在于，還具備多條處理氣體用流路，其與所述氣體供給裝置的所述氣體導入口連接，用于分別供給多種處理氣體；沖洗用氣體流路，其與所述氣體供給裝置的所述氣體導入口連接，供給沖洗用的惰性氣體；氣體供給設備，其控制所述多條處理氣體用流路及所述沖洗用氣體流路中的氣體的供控制部，其按照依次并且循環(huán)地供給所述多種處理氣體，并且在一種處理氣體的供給步驟與另一種處理氣體的供給步驟之間，進行所述惰性氣體的供給步驟的方式，控制所述氣體供給設備，在所述基板的表面依次層疊由所述多種處理氣體的反應產物構成的層而形成薄膜。
6. 一種氣體供給裝置，與處理容器內的基板對置地配置，用于向所述基板供給氣體來進行氣體處理，其特征在于， 具備主體部，其具有氣體流通空間，所述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端，并且以近似圓錐形構成，使所述氣體從所述縮徑端側向所述擴徑端側流通；氣體導入口，其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的所述縮徑端側，用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間；多個劃分構件，其設于所述主體部的所述氣體流通空間內，用于將所述氣體流通空間沿圓周方向劃分。
7.根據(jù)權利要求6所述的氣體供給裝置，其特征在于，在所述主體部中的所述氣體流通空間的上游側，形成沿所述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路，所述氣體導入口設于所述氣體導入路的上游側。
8.根據(jù)權利要求6所述的氣體供給裝置，其特征在于，所述多個劃分構件如下構成， 即，邊使來自所述氣體流通空間的所述擴徑端的所述氣體形成沿所述主體部的圓周方向旋轉的渦流邊噴出。
9.根據(jù)權利要求6所述的氣體供給裝置，其特征在于，所述劃分構件從所述氣體流通空間的中心沿徑向延伸。
10.根據(jù)權利要求6所述的氣體供給裝置，其特征在于，所述劃分構件在所述氣體流通空間中從所述縮徑端延至所述擴徑端而設置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種氣體供給裝置(3)，具備主體部(31)，其具有用于使氣體從縮徑端(32a)側向擴徑端(32b)側流通的近似圓錐形的氣體流通空間(32)；氣體導入口(61a～63a、61b～63b)，其設于氣體流通空間(32)的縮徑端(32a)側，用于將氣體向氣體流通空間(32)導入；多個劃分構件(41～46)，其設于氣體流通空間(32)內，將氣體流通空間(32)以同心圓狀劃分。一個劃分構件(42～46)的逐漸擴展程度大于在徑向內側相鄰的劃分構件(41～45)的逐漸擴展程度。利用該設置，與以往的氣體噴淋頭相比可以增大氣體供給裝置內部的氣體流路中的流導，使該氣體流路中的氣體的置換性提高。
文檔編號H01L21/205GK102339745SQ20111027604
公開日2012年2月1日 申請日期2009年3月23日 優(yōu)先權日2008年3月27日
發(fā)明者津田榮之輔 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社