專利名稱：一種發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)由于具有壽命長、耗能低等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用于各種領(lǐng)域，尤其隨著其照明性能指標(biāo)的日益大幅度提高，LED在照明領(lǐng)域常用作發(fā)光裝置。其中，以氮化鎵(GaN) 為代表的III-V族化合物半導(dǎo)體由于具有帶隙寬、發(fā)光率高、電子飽和和漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，引起了人們的廣泛關(guān)注。請參照圖1，為現(xiàn)有的一種LED結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，該LED包括圖形化藍(lán)寶石襯底11，該襯底上形成有預(yù)定圖案；依次位于藍(lán)寶石襯底11上的η型半導(dǎo)體層12、多量子阱 (MQW,Multi-Quantum Well)層13和ρ型半導(dǎo)體層14。其中，η型半導(dǎo)體層12通常由n_GaN 構(gòu)成，P型半導(dǎo)體層14通常由p-GaN構(gòu)成。為簡潔起見，圖1中未示出電極，通常圖1所示的結(jié)構(gòu)還包括有連接η型半導(dǎo)體層12的第一電極、和連接ρ型半導(dǎo)體層14的第二電極。第一電極通常與電源負(fù)極連接，第二電極通常與電源正極連接。請參照圖2，圖2為圖1所示的多量子阱層13的剖面示意圖。多量子阱層13通常包括多個(gè)勢壘層131以及被勢壘層131隔開的多個(gè)有源層132。所述有源層也被稱為勢阱層或活性層，所述有源層132的導(dǎo)帶能量和價(jià)帶能量之間的能量帶隙小于勢壘層131的能量帶隙，所述有源層132和勢壘層131均由III-V半導(dǎo)體化合物構(gòu)成。LED在用于發(fā)光時(shí)，將第一電極連接至電源負(fù)極，第二電極連接至電源正極，由于 η型半導(dǎo)體層12與ρ型半導(dǎo)體層14的摻雜類型，η型摻雜的氮化鎵通過外部電壓驅(qū)動(dòng)使電子漂移，P型摻雜的氮化鎵通過外部電壓驅(qū)動(dòng)使空穴漂移，在PN結(jié)正向偏壓下，在PN結(jié)區(qū)附近或阱里，導(dǎo)帶中的高能量的電子落到價(jià)帶與空穴復(fù)合后，多余的能量以光和熱的形式釋放出來。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，用以提高發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供方案如下一種發(fā)光二極管，包括第一半導(dǎo)體層；形成在所述第一半導(dǎo)體層的上表面的第一多量子阱層；形成在所述第一多量子阱層的部分上表面上的第二多量子阱層；第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層形成在所述第二多量子阱層的上表面以及所述第一多量子阱層未被所述第二多量子阱層覆蓋的上表面上，其中，所述第二多量子阱層包括有在層高方向上與所述第二半導(dǎo)體層相接觸的側(cè)面。優(yōu)選地，上述的發(fā)光二極管中，
所述第一半導(dǎo)體層為用于提供第一類型載流子的半導(dǎo)體層；所述第二半導(dǎo)體層為用于提供第二類型載流子的半導(dǎo)體層。優(yōu)選地，上述的發(fā)光二極管中，所述第二多量子阱層由多個(gè)相互分離的多量子阱結(jié)構(gòu)組成。優(yōu)選地，上述的發(fā)光二極管中，所述多個(gè)相互分離的多量子阱結(jié)構(gòu)呈一條狀排列或呈一柱狀排列。。優(yōu)選地，上述的發(fā)光二極管中，所述第一多量子阱層的層厚為2 10nm。優(yōu)選地，上述的發(fā)光二極管中，所述第二多量子阱層的層厚為10 50nm，所述多量子阱結(jié)構(gòu)的寬度為100 700nm，相鄰的多量子阱結(jié)構(gòu)之間的間距為10 50nm。優(yōu)選地，上述的發(fā)光二極管中，還包括襯底，所述第一半導(dǎo)體層沉積在所述襯底之上；與所述第一半導(dǎo)體層連接的第一電極；以及與所述第二半導(dǎo)體層連接的第二電極。本發(fā)明還提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，包括沉積形成第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層的上表面上沉積形成第一多量子阱層；形成第二多量子阱層及沉積第二半導(dǎo)體層，其中，所述第二多量子阱層形成在所述第一多量子阱層的部分上表面，而所述第二半導(dǎo)體層沉積在所述第二多量子阱層的上表面以及所述第一多量子阱層未被所述第二多量子阱層覆蓋的上表面，且所述第二多量子阱層包括有在層高方向上與所述第二半導(dǎo)體層相接觸的側(cè)面。優(yōu)選地，上述的制作方法中，所述形成第二多量子阱層及沉積第二半導(dǎo)體層包括在所述第一多量子阱層的部分上表面上，沉積所述第二半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料；在所述第一多量子阱層的未被所述半導(dǎo)體材料覆蓋的上表面上沉積形成所述第
二多量子阱層；在所述第二多量子阱層和已沉積的所述半導(dǎo)體材料上繼續(xù)沉積所述半導(dǎo)體材料， 以形成所述第二半導(dǎo)體層。優(yōu)選地，上述的制作方法中，所述形成第二多量子阱層及沉積第二半導(dǎo)體層包括在所述第一多量子阱層上沉積所述第二半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料；對已沉積的所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕，以去除所述第一多量子阱層的部分上表面上覆蓋的所述半導(dǎo)體材料，使所述第一多量子阱層的部分上表面裸露；在所述第一多量子阱層裸露的部分上表面上沉積形成所述第二多量子阱層；在所述第二多量子阱層和已沉積的所述半導(dǎo)體材料上繼續(xù)沉積所述半導(dǎo)體材料， 形成所述第二半導(dǎo)體層。從以上所述可以看出，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管及其制造方法，通過增加第二多量子阱層與第二半導(dǎo)體層接觸的側(cè)面，使得空穴或電子能夠由半導(dǎo)體層側(cè)向注入至量子阱，這樣使得空穴更容易到達(dá)底層量子阱，并且載流子在整個(gè)多量子阱中的分布密度也變得均勻，因此本發(fā)明能夠提高載流子的復(fù)合速率，進(jìn)而提高LED的內(nèi)量子效率，改善LED的發(fā)光效率。


圖1為現(xiàn)有的一種LED結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2為圖1所示的多量子阱層13的剖面示意圖；圖3為圖1所示的多量子阱層13的載流子密度的示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的LED的一種剖面結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5A 5E為制造圖4所示LED的第一種制作過程示意圖；圖6A 6F為制造圖4所示LED的第二種制作過程示意圖；圖7A 7D為制造圖4所示LED的第三種制作過程示意圖；圖8A 8E為制造圖4所示LED的第四種制作過程示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供了一種LED及其制造方法，通過改變現(xiàn)有技術(shù)中LED的多量子阱結(jié)構(gòu)， 使之從“一維多量子阱”改變成“二維/三維多量子阱”，使得載流子復(fù)合速率得到提高，從而提高了 LED的內(nèi)量子效率，改善了 LED的發(fā)光效率。以下將結(jié)合附圖，通過具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。本發(fā)明實(shí)施例所述的LED，具體包括第一半導(dǎo)體層；形成在所述第一半導(dǎo)體層的上表面的第一多量子阱層；形成在所述第一多量子阱層的部分上表面上的第二多量子阱層；第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層形成在所述第二多量子阱層的上表面以及所述第一多量子阱層未被所述第二多量子阱層覆蓋的上表面上，其中，所述第二多量子阱層包括有在層高方向上與所述第二半導(dǎo)體層相接觸的側(cè)面。從以上所述可以看出，本發(fā)明實(shí)施例的LED包括兩層多量子阱層，其中第一多量子阱層將第一、第二半導(dǎo)體層隔離，以避免第一、第二半導(dǎo)體層直接接觸所導(dǎo)致的載流子泄露問題；同時(shí)，所述第二多量子阱層是由多個(gè)沿水平方向分離的多量子阱組成，因此本發(fā)明實(shí)施例的第二多量子阱層增加了沿層高方向上與第二半導(dǎo)體接觸的側(cè)面，從而相對于現(xiàn)有技術(shù)的多量子阱層增加了一個(gè)/兩個(gè)維度，因此本實(shí)施例的第一、第二多量子阱層形成了一種二維/三維的多量子阱結(jié)構(gòu)。圖3為現(xiàn)有技術(shù)LED的載流子密度的示意圖，從圖3可以看出，現(xiàn)有技術(shù)的LED中， 與P型半導(dǎo)體層14相鄰的頂層量子阱上的空穴密度非常大，而從頂層量子阱往下的各個(gè)量子阱的空穴密度逐漸降低。類似的，與η型半導(dǎo)體層12相鄰的底層量子阱上的電子密度非常大，而從底層量子阱往上的各個(gè)量子阱的電子密度逐漸降低。即，頂層量子阱空穴密度大，而低層量子阱電子密度大。由于多量子阱中的載流子密度存在上述特點(diǎn)，現(xiàn)有的LED中的載流子復(fù)合速率受到限制，從而嚴(yán)重限制了 LED的內(nèi)量子效率(IQE，Internal Quantum Efficiency)。反觀本發(fā)明實(shí)施例所述的LED，由于第二多量子阱層在層高方向上與第二半導(dǎo)體層發(fā)生接觸，即第二多量子阱層與第二半導(dǎo)體層形成在沿層高方向的接觸面(側(cè)面)。而現(xiàn)有技術(shù)的LED結(jié)構(gòu)中僅包括一層多量子阱層，且該多量子阱層僅能在上表面或下表面與半導(dǎo)體層接觸，因此，相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例的第二多量子阱層除了與第二半導(dǎo)體層接觸的上表面外，還包括有與第二半導(dǎo)體層直接接觸的側(cè)面。由于增加了上述側(cè)面，使得第二半導(dǎo)體層的載流子(如空穴或電子)能夠從側(cè)面注入至量子阱，這就是本發(fā)明實(shí)施例中所述的“側(cè)向注入”。側(cè)向注入使得空穴更容易到達(dá)底層量子阱(以第一半導(dǎo)體層為η型、 第二半導(dǎo)體層為P型為例)，因此本發(fā)明實(shí)施例LED能夠提高載流子復(fù)合速率，并使得載流子在整個(gè)多量子阱中的分布密度變得均勻，達(dá)到提高LED的內(nèi)量子效率，改善LED的發(fā)光效率的目的。本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一半導(dǎo)體層具體可以是用于提供第一類型載流子的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為用于提供第二類型載流子的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。更為具體的，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層為η型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層；或者，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層為η型半導(dǎo)體層。其中η型半導(dǎo)體層可以由n-GaN構(gòu)成，ρ型半導(dǎo)體層可以由p_GaN構(gòu)成。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中，所示LED還可以包括襯底，如圖形化藍(lán)寶石襯底，所述第一半導(dǎo)體層沉積在所述襯底之上；與所述第一半導(dǎo)體層連接的第一電極；以及與所述第二半導(dǎo)體層連接的第二電極。以下結(jié)合圖4所給出的本發(fā)明實(shí)施例的LED的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，對本發(fā)明進(jìn)行更為詳細(xì)的說明。圖4所示的LED，包括圖形化藍(lán)寶石襯底21 ；依次位于藍(lán)寶石襯底21上的n-GaN 層22、第一多量子阱層23、第二多量子阱層M和p-GaN層25。圖4所示的結(jié)構(gòu)還可以包括有連接n-GaN層22的第一電極、和連接ρ-GaN層M的第二電極。第一電極通常與外部的電源負(fù)極連接，第二電極通常與外部的電源正極連接(為簡潔起見，圖4中未示出上述電極)。可以看出，圖4中，第一多量子阱層23將第一、第二半導(dǎo)體層隔離，以避免第一、第二半導(dǎo)體層直接接觸所導(dǎo)致的載流子泄露問題；同時(shí)，第二多量子阱層M是由多個(gè)在水平方向上分離的多量子阱結(jié)構(gòu)組成，因此本發(fā)明實(shí)施例的第二多量子阱層M增加了在層高方向上與第二半導(dǎo)體接觸的側(cè)面Μ1，從而相對于現(xiàn)有技術(shù)的多量子阱層增加了一個(gè)/兩個(gè)維度，因此本實(shí)施例的第一、第二多量子阱層形成了一種二維/三維的多量子阱結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二多量子阱層M中的每個(gè)所述多量子阱結(jié)構(gòu)均包括相同數(shù)量的量子阱，每個(gè)所述多量子阱結(jié)構(gòu)的厚度均相同。本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二多量子阱層M中的多個(gè)相互分離的多量子阱結(jié)構(gòu)呈一條狀排列，也可以呈一柱狀排列。本發(fā)明實(shí)施例還針對圖4還給出了一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)參數(shù)，請參照圖4，所述第一多量子阱層23的層厚T為2 lOnm，所述第二多量子阱層M的層厚H為10 50nm ；所述多量子阱結(jié)構(gòu)的寬度W為100 700nm，相鄰的多量子阱結(jié)構(gòu)之間的間距S為10 50nm。具有上述參數(shù)特征的多量子阱結(jié)構(gòu)，可以看作是一個(gè)量子點(diǎn)，從而具有更好的載流子限制效應(yīng)。采用上述柱狀排列的多量子阱結(jié)構(gòu)能夠形成光子晶體結(jié)構(gòu)，從而提高出光效率。
本發(fā)明實(shí)施例還給出了上述LED的制作方法，具體包括沉積形成第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層的上表面上沉積形成第一多量子阱層；形成第二多量子阱層及沉積第二半導(dǎo)體層，其中，所述第二多量子阱層形成在所述第一多量子阱層的部分上表面，而所述第二半導(dǎo)體層沉積在所述第二多量子阱層的上表面以及所述第一多量子阱層未被所述第二多量子阱層覆蓋的上表面，且所述第二多量子阱層包括有在層高方向上與所述第二半導(dǎo)體層相接觸的側(cè)面。以下結(jié)合附圖，對上述制作方法，通過幾種具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的說明。請參照圖5A 5E，示出了圖4所示LED的第一種制作流程圖，具體為圖5A 沉積作為第一半導(dǎo)體層的n-GaN層22，具體可以沉積在圖形化藍(lán)寶石襯底 21之上。圖5B 在n-GaN層22上沉積第一多量子阱層23。圖5C 在第一多量子阱層23上沉積P-GaN材料，形成一圖案化的p-GaN子層251， P-GaN子層251僅覆蓋第一多量子阱層23的部分上表面，包括多個(gè)呈條狀排列的長條狀凸起。圖5D 在所述長條狀凸起之間形成的溝縫中沉積第二多量子阱層M，從而第二多量子阱層M包括有沿層高方向上的側(cè)面對1，在該側(cè)面241與p-GaN子層251形成接觸。 這里，優(yōu)選地，P-GaN子層251的厚度，與第二多量子阱層M的厚度相同。圖5E 在圖5D中的結(jié)構(gòu)上繼續(xù)沉積p_GaN材料，具體沉積在p_GaN子層251的上表面和第二多量子阱層M的上表面上，從而與P-GaN子層251融合形成p-GaN層M。請參照圖6A 6F，示出了圖3所示LED的第二種制作流程圖，具體包括以下步驟圖6A 沉積作為第一半導(dǎo)體層的n-GaN層22，具體可以沉積在圖形化藍(lán)寶石襯底 21之上。圖6B 在n-GaN層22上沉積第一多量子阱層23。圖6C 在第一多量子阱層23上沉積p-GaN材料，完全覆蓋第一多量子阱層23的上表面，形成一 P-GaN材料層250。圖6D 對所述p-GaN材料層250進(jìn)行刻蝕，使其形成一圖案化的p_GaN子層251， 所述P-GaN子層251僅覆蓋第一多量子阱層23的部分上表面，包括多個(gè)呈條狀排列的長條狀凸起。圖6E 在所述長條狀凸起之間形成的溝縫中沉積第二多量子阱層M，從而第二多量子阱層M包括有沿層高方向上的側(cè)面對1，在該側(cè)面241與p-GaN子層251形成接觸。 這里，優(yōu)選地，P-GaN子層251的厚度，與第二多量子阱層M的厚度相同。圖6F 在圖6D中的結(jié)構(gòu)上繼續(xù)沉積p_GaN材料，具體沉積在p_GaN子層251的上表面和第二多量子阱層M的上表面上，從而與P-GaN子層251融合形成p-GaN層M。請參照圖7A 7D，示出了圖4所示LED的第三種制作流程圖，具體為圖7A 沉積作為第一半導(dǎo)體層的n-GaN層22，具體可以沉積在圖形化藍(lán)寶石襯底 21之上。圖7B 在n-GaN層22上沉積第一多量子阱層23。圖7C 在第一多量子阱層23上沉積圖案化的第二多量子阱層M，第二多量子阱層M僅覆蓋第一多量子阱層23的部分上表面，包括多個(gè)呈條狀排列的長條狀凸起。圖7D 在所述第二多量子阱層M的上表面和第一多量子阱層23的上表面沉積 P-GaN 層 24。請參照圖8A 8E，示出了圖3所示LED的第四種制作流程圖，具體包括以下步驟圖8A 沉積作為第一半導(dǎo)體層的n-GaN層22，具體可以沉積在圖形化藍(lán)寶石襯底 21之上。圖8B 在n-GaN層22上沉積第一多量子阱層23。圖8C 在第一多量子阱層23上繼續(xù)沉積多量子阱層M0，所述多量子阱層240完全覆蓋第一多量子阱層23的上表面。圖8D 對所述多量子阱層240進(jìn)行刻蝕，使其形成一圖案化的第二多量子阱層24， 所述第二多量子阱層M僅覆蓋第一多量子阱層23的部分上表面，包括多個(gè)呈條狀排列的長條狀凸起。圖8E 在所述第二多量子阱層M的上表面和第一多量子阱層23的上表面沉積 P-GaN 層 24。以上所述僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括第一半導(dǎo)體層；形成在所述第一半導(dǎo)體層的上表面的第一多量子阱層； 形成在所述第一多量子阱層的部分上表面上的第二多量子阱層； 第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層形成在所述第二多量子阱層的上表面以及所述第一多量子阱層未被所述第二多量子阱層覆蓋的上表面上，其中，所述第二多量子阱層包括有在層高方向上與所述第二半導(dǎo)體層相接觸的側(cè)面。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層為用于提供第一類型載流子的半導(dǎo)體層； 所述第二半導(dǎo)體層為用于提供第二類型載流子的半導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二多量子阱層由多個(gè)相互分離的多量子阱結(jié)構(gòu)組成。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述多個(gè)相互分離的多量子阱結(jié)構(gòu)呈一條狀排列或呈一柱狀排列。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一多量子阱層的層厚為2 IOnm0
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二多量子阱層的層厚為10 50nm，所述多量子阱結(jié)構(gòu)的寬度為100 700nm，相鄰的多量子阱結(jié)構(gòu)之間的間距為10 50nmo
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括 襯底，所述第一半導(dǎo)體層沉積在所述襯底之上；與所述第一半導(dǎo)體層連接的第一電極；以及與所述第二半導(dǎo)體層連接的第二電極。
8.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括 沉積形成第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層的上表面上沉積形成第一多量子阱層；形成第二多量子阱層及沉積第二半導(dǎo)體層，其中，所述第二多量子阱層形成在所述第一多量子阱層的部分上表面，而所述第二半導(dǎo)體層沉積在所述第二多量子阱層的上表面以及所述第一多量子阱層未被所述第二多量子阱層覆蓋的上表面，且所述第二多量子阱包括有在層高方向上與所述第二半導(dǎo)體層相接觸的側(cè)面。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成第二多量子阱層及沉積第二半導(dǎo)體層包括在所述第一多量子阱層的部分上表面上，沉積所述第二半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料； 在所述第一多量子阱層的未被所述半導(dǎo)體材料覆蓋的上表面上沉積形成所述第二多量子阱層；在所述第二多量子阱層和已沉積的所述半導(dǎo)體材料上繼續(xù)沉積所述半導(dǎo)體材料，以形成所述第二半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成第二多量子阱層及沉積第二半導(dǎo)體層包括在所述第一多量子阱層上沉積所述第二半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體材料； 對已沉積的所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕，以去除所述第一多量子阱層的部分上表面上覆蓋的所述半導(dǎo)體材料，使所述第一多量子阱層的部分上表面裸露；在所述第一多量子阱層裸露的部分上表面上沉積形成所述第二多量子阱層； 在所述第二多量子阱層和已沉積的所述半導(dǎo)體材料上繼續(xù)沉積所述半導(dǎo)體材料，形成所述第二半導(dǎo)體層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管及其制造方法。其中上述發(fā)光二極管包括第一半導(dǎo)體層；沉積所述第一半導(dǎo)體層的上表面的第一多量子阱層；沉積在所述第一多量子阱層的部分上表面上的第二多量子阱層；第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層沉積在所述第二多量子阱層的上表面以及所述第一多量子阱層未被所述第二多量子阱層覆蓋的上表面上，其中，所述第二半導(dǎo)體層包括有在層高方向上與所述第二半導(dǎo)體層相接觸的側(cè)面。本發(fā)明能夠提高載流子的復(fù)合速率，進(jìn)而提高LED的內(nèi)量子效率，改善LED的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/06GK102332516SQ20111027591
公開日2012年1月25日 申請日期2011年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月16日
發(fā)明者高成 申請人:協(xié)鑫光電科技(張家港)有限公司