專利名稱：一種刻錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地說，涉及一種半導(dǎo)體器件的刻錄方法。
背景技術(shù)：
隨著半 導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體器件越來越精密，使得人們對工藝誤差的控制難度加大?？啼浿瞥淌前雽?dǎo)體器件制造的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，在刻錄制程中如何獲得更好的關(guān)健尺寸變得越來越重要?，F(xiàn)有技術(shù)中刻錄圖形的方法是首先在晶圓的被蝕刻層表面鍍刻錄膠，且刻錄膠厚度均勻；然后進(jìn)行顯影步驟，如果采用的是正刻錄膠，則曝光區(qū)的刻錄膠被移除掉；然后進(jìn)行蝕刻步驟，在被蝕刻層上蝕刻出需要的電路圖形；最后將剩于的刻錄膠移除。采用現(xiàn)有方法顯影步驟后檢視發(fā)現(xiàn)，圖形關(guān)健尺寸均勻度較好。但是，經(jīng)過蝕刻步驟后檢視發(fā)現(xiàn)，圖形關(guān)鍵尺寸均勻度較差，晶圓中心部分的圖形關(guān)鍵尺寸比邊緣部分的圖形關(guān)鍵尺寸變化小。采用現(xiàn)有的方法，使得蝕刻圖形與所需要的電路圖形相差較多，且由于在晶圓不同位置，圖形失真情況也不一樣，采用傳統(tǒng)方法如光學(xué)趨近校正及曝光機(jī)趨近校正由于其本身的局限也無法使蝕刻圖形達(dá)到要求。有鑒于此，需要提供一種新的刻錄方法以改善上述情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種刻錄方法，該方法包括如下步驟
51、在晶圓的被蝕刻層表面鍍刻錄膠，刻錄膠的厚度從晶圓中心到周邊逐步均勻增
加；
52、刻膠完成后，進(jìn)行曝光；
53、曝光完成后，進(jìn)行顯影；
54、顯影完成后，進(jìn)行蝕刻；
55、蝕刻完成后，移除剩余的刻錄膠。實(shí)施本發(fā)明的刻錄方法，具有以下有益效果通過在晶圓的被腐蝕層表面鍍刻錄膠時(shí)將膠的分布厚度進(jìn)行控制來獲得均勻度較好的電路圖形，讓晶圓各個(gè)位置圖形的失真情況一致，方便采用傳統(tǒng)方法進(jìn)行校正，從而控制性刻圖形的一致性。


圖1是本發(fā)明刻錄方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)中刻錄圖形的方法是首先在晶圓的被蝕刻層表面鍍刻錄膠，且刻錄膠厚度均勻；然后進(jìn)行顯影步驟，如果采用的是正刻錄膠，則曝光區(qū)的刻錄膠被移除掉；然后進(jìn)行蝕刻步驟，在被蝕刻層上蝕刻出需要的電路圖形；最后將剩于的刻錄膠移除。采用現(xiàn)有方法顯影步驟后檢視發(fā)現(xiàn)，圖形關(guān)健尺寸均勻度較好。但是，經(jīng)過蝕刻步驟后檢視發(fā)現(xiàn)， 圖形關(guān)鍵尺寸均勻度較差，晶圓中心部分的圖形關(guān)鍵尺寸比邊緣部分的圖形關(guān)鍵尺寸變化小。采用現(xiàn)有的方法，使得蝕刻圖形與所需要的電路圖形相差較多，且由于在晶圓不同位置，圖形失真情況也不一樣，即使進(jìn)行調(diào)整，也不能達(dá)到很好的效果，因此需要一種更好的刻錄方法來代替。圖1是本發(fā)明刻錄方法的流程圖。如圖所示，該方法包括如下步驟
51、在晶圓的被蝕刻層表面鍍刻錄膠，刻錄膠的厚度從晶圓中心到周邊逐步均勻增
加；
52、刻膠完成后，進(jìn)行曝光；
53、曝光完成后，進(jìn)行顯影；
54、顯影完成后，進(jìn)行蝕刻；
55、蝕刻完成后，移除剩余的刻錄膠。實(shí)施本發(fā)明的電子付費(fèi)方法，具有以下有益效果獲得均勻度較好的電路圖形，且晶圓各個(gè)位置圖形的失真情況一致，方便采用傳統(tǒng)方法進(jìn)行校正，進(jìn)一步控制性刻圖形的一致性。本發(fā)明是通過一些實(shí)施例進(jìn)行描述的，本領(lǐng)域技術(shù)人員知悉，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對這些特征和實(shí)施例進(jìn)行各種改變或等效替換。另外，在本發(fā)明的教導(dǎo)下，可以對這些特征和實(shí)施例進(jìn)行修改以適應(yīng)具體的情況及材料而不會脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明不受此處所公開的具體實(shí)施例的限制，所有落入本申請的權(quán)利要求范圍內(nèi)的實(shí)施例都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1. 一種刻錄方法，其特征在于包括如下步驟，S1、在晶圓的被蝕刻層表面鍍刻錄膠，刻錄膠的厚度從晶圓中心到周邊逐步均勻增加；S2、刻膠完成后，進(jìn)行曝光；S3、曝光完成后，進(jìn)行顯影；S4、顯影完成后，進(jìn)行蝕刻；S5、蝕刻完成后，移除剩余的刻錄膠。
全文摘要
本發(fā)明提供一種刻錄方法，該方法包括如下步驟在晶圓的被蝕刻層表面鍍刻錄膠，刻錄膠的厚度從晶圓中心到周邊逐步均勻增加；刻膠完成后，進(jìn)行曝光；曝光完成后，進(jìn)行顯影；顯影完成后，進(jìn)行蝕刻；蝕刻完成后，移除剩余的刻錄膠。實(shí)施本發(fā)明的刻錄方法，通過在晶圓的被腐蝕層表面鍍刻錄膠時(shí)將膠的分布厚度進(jìn)行控制來獲得均勻度較好的電路圖形，讓晶圓各個(gè)位置圖形的失真情況一致，方便采用傳統(tǒng)方法進(jìn)行校正，從而控制性刻圖形的一致性。
文檔編號H01L21/312GK102306622SQ201110269480
公開日2012年1月4日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者辛麗華 申請人:眾網(wǎng)軟件科技(大連)有限公司