專利名稱：發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種發(fā)光結(jié)構(gòu)，尤其是涉及ー種發(fā)光結(jié)構(gòu)具有至少兩個發(fā)光單元及用 以連接此些發(fā)光単元的電性連接。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管陣列電性串聯(lián)或并聯(lián)數(shù)個發(fā)光二極管。ニ極管間通過溝槽或槽孔達成 電性分離。為了連接彼此分離的ニ極管可以使用金屬線或薄膜跨越ニ極管間的溝槽。然而， 由于溝槽的高深寬比(aspect ratio)使得金屬線或薄膜在制造過程中易于損壞。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明的一實施例揭露ー種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其至少包含一第一単元、 一第二単元、ー溝槽介于第一単元及第ニ単元之間，并具有一第一側(cè)壁及ー較該第一側(cè)壁 陡峭的第二側(cè)壁；及一電性連接設(shè)置于第一側(cè)壁之上。本發(fā)明的另ー實施例揭露ー種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其至少包含一第一単元、一第二単元、一 溝槽介于第一単元及第ニ単元之間、及一電性連接。此電性連接具有一連接部及一橋接部。 橋接部設(shè)置于溝槽上并較連接部寬。本發(fā)明的又一實施例揭露ー種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其至少包含一第一単元、一第二単元、一 溝槽介于第一単元及第ニ単元之間、一絕緣層設(shè)置于溝槽之上并暴露出溝槽附近的部分第 一単元、及一電性連接接觸此溝槽附近的部分第一単元與第二単元。


圖1為本發(fā)明一實施例的剖視圖，繪示兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的連接；圖2為本發(fā)明一實施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的上視圖；圖3為本發(fā)明ー實施例的溝槽填充示意圖；圖4為本發(fā)明一實施例的一位于溝槽上的電性連接的上視圖；圖5為本發(fā)明另ー實施例的電性連接的上視圖，此電性連接位于一介于兩個發(fā)光 結(jié)構(gòu)單元間的溝槽上方；圖6為本發(fā)明一實施例的剖視圖，其繪示發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的連接；圖7為本發(fā)明一實施例的數(shù)個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的剖視圖；圖8A 圖8F為本發(fā)明一實施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的制造示意圖；及圖9為本發(fā)明一實施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的剖視圖。主要元件符號說明1 發(fā)光結(jié)構(gòu)單元 22b 上方電性連接2發(fā)光結(jié)構(gòu)單元ぬ 溝槽3 發(fā)光結(jié)構(gòu)單元 24 發(fā)光結(jié)構(gòu)單元4 發(fā)光結(jié)構(gòu)單元 25 發(fā)光結(jié)構(gòu)單元
IOA左發(fā)光結(jié)構(gòu)單元25a橋接部
IOB右發(fā)光結(jié)構(gòu)單元25b連接部
IlA下方層26發(fā)光結(jié)構(gòu)單元
IlB下方層27下方層
12Α上方層28上方層
12Β上方層29平臺區(qū)域
13Α發(fā)光接面30共同基板
13Β發(fā)光接面31發(fā)光區(qū)
14Α電流分散層41基板
14Β電流分散層42第一半導(dǎo)體層
15溝槽43活性層
16第一絕緣層44第二半導(dǎo)體層
17第二絕緣層45凹部
18電性連接46溝槽
19保護層47絕緣層
20電流網(wǎng)絡(luò)48導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
21絕緣層49a第一電極
22a下方電性連接49b第二電極
具體實施例方式圖1顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的剖視圖，繪示兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的連接。左發(fā)光結(jié)構(gòu)單元IOA及右發(fā)光結(jié)構(gòu)單元IOB分別包含一下方層(11A、11B)、一上方層(12A、12B)、 一位于下方層(IlAUlB)及上方層(12A、12B)間的發(fā)光接面(13A、1 )、及一電流分散層 (14A、14B)。上述各層利用外延生長或接合技術(shù)依序形成于一基板(未顯示)上，其中結(jié)合技術(shù)是如金屬接合、擴散接合、膠體結(jié)合等。左發(fā)光結(jié)構(gòu)單元IOA與右發(fā)光結(jié)構(gòu)單元IOB可以被一共同基板或彼此獨立的基板所支撐，且為溝槽15電性分離。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元IOA及IOB可以共同地形成于單一塊狀基板之上，塊狀基板是如藍寶石、GaAs、Si、金屬、玻璃、或PCB?；蛘吒鱾€發(fā)光結(jié)構(gòu)單元形成于彼此獨立的塊狀基板之上，塊狀基板的材料如前所述。然而，利用機械器具、有機材料、金屬材料、或前述選項的結(jié)合，各個塊狀基板可以再整合在一起。溝槽15可以達到、進入、或穿過基板或發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的任何層。溝槽15的剖面包含至少一個導(dǎo)角及/或至少一個切角。導(dǎo)角及/或切角可以形成在單層或多層上。例如，如圖所示，導(dǎo)角及/或切角可以形成在下方層IlA及/或下方層IlB上。然而，導(dǎo)角及/或切角也可以形成在上方層及下方層二者上。導(dǎo)角的半徑R以不小于Iym為佳。切角可以具有相同或相異的斜角長度Lbev^再者，溝槽的側(cè)壁自下方層的底面起呈現(xiàn)大于80度的傾斜。例如，如圖所示，側(cè)壁與下方層的底面間的夾角θ小于80度、70度、60度、50度、或40度。夾角θ也可以落于特定范圍內(nèi)，如80度 70度、70度 60度、60度 40度。此外，溝槽的多個側(cè)壁可以具有相近或不同的傾斜角度。例如，一個側(cè)壁的傾斜角度介于50度 40度，而另一個側(cè)壁的傾斜角度介于60度 50度。若一或多個側(cè)壁呈現(xiàn)傾斜狀態(tài)，溝槽會形成一梯形剖面，此梯形具有一高度、一長邊、及一平行于長邊的短邊。此高度接近下方層的厚度或下方層與上方層的總厚度。例如，高度介于Iym 10 μπκ長邊的長度介于3 ym 100 μπκ短邊的長度介于Iym 40μπκ長邊與短邊的比例介于3 1 1.5 1。具體而言，高度介于4 μ m 9 μ m、長邊的長度介于5 μ m 40 μ m、短邊的長度介于2. 5 μ m 20 μ m。為了在發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間建立電通道，可使一電性連接18跨越溝槽15并電性連接下方層11A、下方層11B、上方層12A、及上方層12B中分屬不同單元的任意兩層。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間可通過跨接下方層IlA及上方層12B形成串聯(lián)，或者，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間可通過跨接上方層12A及上方層12B形成并聯(lián)。為了避免電性連接18與其他層接觸，可以提供一第一絕緣層16于溝槽15及接近溝槽開口附近的部分區(qū)域，如下方層IlA及/或下方層IlB的側(cè)壁、溝槽15的邊緣、上方層 12A及/或上方層12B的側(cè)壁、上方層12A及/或上方層12B的上表面、及/或電流分散層 14A及/或電流分散層14B的下表面。此外，一第二絕緣層17更可以選擇性地形成于第一絕緣層16及電性連接18之間。第二絕緣層17可以用以填充第一絕緣層16及電性連接18 間的空區(qū)域、填充第一絕緣層16上的空隙、平坦化第一絕緣層16的外表面、填充溝槽15、形成一用以放置電性連接18的平面、覆蓋未被第一絕緣層16遮蔽的區(qū)域、強化ESD保護、及 /或支撐電性連接18。第一絕緣層16可以具有銳角邊緣，而設(shè)置于第一絕緣層16上的層因此可以平順地覆蓋位于第一絕緣層16邊緣上的落差。此邊緣上的斜度可以減緩應(yīng)力集中于落差上方的疊層。此銳角可以小于90度、80度、70度、60度、或50度。除第一絕緣層16外，第二絕緣層17也可以具有銳角的邊緣。再者，為保護電性連接18被氧化、腐蝕、及/或損傷，可以形成保護層19于電性連接18上。保護層19不僅可以覆蓋電性連接18的外表面更可以覆蓋外表面以外的區(qū)域。 具體而言，保護層19可以形成在第二絕緣層17、電流分散層14A、電流分散層14B、上方層 12A、上方層12B、下方層IlA及/或下方層IlB的任一面上。圖2顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的上視圖。附圖中，四個矩形發(fā)光結(jié)構(gòu)單元1、2、3、4以陣列方式排列。然而，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的形狀、數(shù)量、及配置僅為例示，并不限制本發(fā)明的實施及變化。發(fā)光結(jié)構(gòu)單元1、2、3、4被溝槽15在側(cè)向分開。電性連接18可以由一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元(如發(fā)光結(jié)構(gòu)單元3)跨越溝槽15連接至另一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元(如發(fā)光結(jié)構(gòu)單元4)，并將此兩個單元間形成串聯(lián)或并聯(lián)。如斷面AA’所示，其上未形成電性連接18的溝槽15(例如，介于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元1及4之間)具有較陡峭的側(cè)壁，因此，在溝槽15旁的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元存在較多的體積。相反地，如斷面BB’所示，其上形成有電性連接18的溝槽15(例如，介于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元3及4之間)與斷面AA’的側(cè)壁相較具有較不陡峭的側(cè)壁。于一實施例中， 部分發(fā)光結(jié)構(gòu)單元被移除以形成具有階梯狀及/或傾斜側(cè)壁的溝槽。換言之，此溝槽具有倒梯形或擬似倒梯形的斷面。例如，形成溝槽的方法可以選用濕蝕刻、干蝕刻、激光加工、鉆石切割、及前述方式的任意組合。一般而言，側(cè)壁越陡峭，加工時間越短。此外，較不陡峭的側(cè)壁可以形成在全部長度的溝槽Lfull或部分長度的溝槽Lpartial 上(如圖2所示)。全部長度的溝槽Lfull在此處的定義是溝槽的長度接近發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的寬度；部分長度的溝槽Lpartial的定義是溝槽長度小于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的寬度。例如，Lpartial是介于10 μ m 100 μ m、發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的寬度是介于100 μ m 1000 μ m、Lpartial與發(fā)光結(jié)構(gòu)單元寬度的比例是介于1 2 1 10。再者，電性連接18更可以與一電流網(wǎng)絡(luò)20相連接。通過電流網(wǎng)絡(luò)20電流可以由遠離電性連接18之處流入或流向遠離電性連接18之處，如圖2所示。圖3顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的溝槽填充示意圖。于步驟(1)中，絕緣層21及下方電性連接2 依序提供予形成于兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元M、25間的溝槽23之上。絕緣層21 可以隔離下方電性連接2 使其不與發(fā)光結(jié)構(gòu)單元24、25接觸。下方電性連接2 可以電性連接兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元對、25。下方電性連接2 可以通過沉積及蝕刻工法形成。由于溝槽23在一個斷面上呈現(xiàn)漸縮(tapered)的狀態(tài)，使得下方電性連接2 的傾斜部分通常比平坦部分薄，也因此容易在后續(xù)制作工藝中遭到損壞。為了強化下方電性連接22a的傾斜部分，于下方電性連接2 之上再提供一上方電性連接22b。上方電性連接22b尤以提供在傾斜部分上方或溝槽23內(nèi)部為佳，如步驟( 所示。圖4顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的一位于溝槽上的電性連接的上視圖。電性連接25 具有位于溝槽23上方的橋接部25a與兩個連接部25b。各連接部25b與發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈的陽極或負極電性相連。橋接部2 具有BB斷面；連接部2 具有AA斷面。BB斷面的寬度大于AA斷面，但是為了使流經(jīng)斷面的電流維持恒定或平穩(wěn)，兩個斷面具有相同或接近的面積。例如，橋接部25a的寬度介于5 μ m 50 μ m ；連接部25b的寬度介于3 μ m 15 μ m ； 其二者的厚度接近8 μ m。然而，依據(jù)使用者的需求或?qū)嶋H的制作工藝，此兩個斷面也可以有不同的面積。橋接部2 可以在基本的電性連接制作工藝之后再形成。例如，可以先在溝槽23及發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈的特定區(qū)域上沉積金屬，將電性連接25形成在具有傾斜側(cè)壁的溝槽23之上。但是，沉積在溝槽23的傾斜側(cè)壁上的金屬通常比沉積在發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈上的金屬薄，而使得橫跨兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的沉積金屬具有數(shù)個斷面面積。為了增加溝槽23上金屬的體積或斷面面積，利用額外的沉積步驟在較薄的金屬沉積區(qū)域上形成前述的橋接部 25a。然而，溝槽23上的電性連接25的體積或斷面面積也可以利用其他方式增加，例如，將一或多個補助物件接合在較薄的電性連接部分，以及沉積其他材料。補助物件是如金屬、陶瓷等。此外，較厚的電性連接部分更可以減薄至與溝槽23上方部分的厚度相近的水準。圖5顯示依據(jù)本發(fā)明另一實施例的電性連接25的上視圖，此電性連接25位于一介于兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的溝槽23上方。各個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈包括下方層27及上方層觀。上方層觀的面積小于下方層27。下方層27具有一環(huán)繞上方層觀的平臺區(qū)域四。發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈可以自位于上方層觀中或介于上方層觀與下方層27間的發(fā)光層中發(fā)射光線。若發(fā)光層位于上方層觀之中，上方層觀可以包括P型半導(dǎo)體層與η型半導(dǎo)體層，而發(fā)光層位于此P型及η型半導(dǎo)體層之間。下方層27可以包括用以承載上方層觀的載體。上方層觀可通過外延方式形成于下方層27之上，或者通過膠體接合、金屬接合、擴散接合、或共熔接合(eutectic bonding)的方式與下方層27相結(jié)合。若發(fā)光層位于上方層觀與下方層27之間，上方層觀與下方層27中之一者可以包括ρ型半導(dǎo)體層，而另一者則可以包括η型半導(dǎo)體層。為了于發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間建立電流通道，一電性連接25提供在兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈上。如圖所示，電性連接25的一端設(shè)置于上方層觀上，另一端設(shè)置于下方層27上。然而，電性連接25的兩端也可以設(shè)置于兩個上方層28或兩個下方層27之上。電性連接25可以利用金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、或前述材料的任意組合進行建構(gòu)。若電性連接25使用較金屬有更高透明度的金屬氧化物，被電性連接25遮擋的出光區(qū)域會更少。金屬氧化物如 ΙΤΟ、ΙΖ0、及 CTOo圖6顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的剖視圖，繪示發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的連接。各個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈包括上方層觀及下方層27。上方層觀及下方層27是利用外延成長方式及/ 或結(jié)合技術(shù)形成于共同基板30之上。結(jié)合技術(shù)包括但不限于金屬接合、共熔接合、膠體結(jié)合、及擴散接合。一發(fā)光區(qū)31位于上方層觀及下方層27之間。當(dāng)施加一偏壓于上方層觀與下方層27時，發(fā)光區(qū)31可以產(chǎn)生光。發(fā)光區(qū)31的光是等向性地發(fā)射。兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈被溝槽23分開。若兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈彼此串聯(lián)，絕緣層 21形成在溝槽23上以使得電性連接25接觸一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈的上方層觀及另一發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈的下方層27。于一實施例中，絕緣層21不僅暴露出下方層27的上表面更暴露出下方層27的部分側(cè)壁。下方層27暴露的側(cè)壁可以增加電性連接25與下方層27間的接觸面積，也因此可以降低電流密度。圖7顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的數(shù)個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的剖視圖。數(shù)個發(fā)光結(jié)構(gòu)單元 26被基板30支撐。兩個相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈被溝槽23分隔。在本實施例中，溝槽23 呈現(xiàn)梯形，具有較窄的上方開口與較寬的底面。靠近溝槽23的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈因此具有大于90度的底切(undercut)側(cè)壁，如圖所示。換言之，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元沈具有倒梯形的外觀。若發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26可以由倒梯形的中間部、中心部、或上部發(fā)光，通過底切側(cè)壁可以使得往下移動的光線離開發(fā)光結(jié)構(gòu)單元26。梯形溝槽可以通過蝕刻方式形成。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，發(fā)光結(jié)構(gòu)單元可以至少包括一第一電性層(例如，上方層)、一轉(zhuǎn)換單元(例如，發(fā)光區(qū))、及一第二電性層(例如，下方層)。各個第一電性層及第二電性層具有一單層或多層的群組(多層指二或更多層)。兩個分別位于第一電性層及第二電性層上的單層或多層的群組具有不同的極性或不同的摻雜物。例如，第一電性層是P 型半導(dǎo)體層，第二電性層是η型半導(dǎo)體層。設(shè)置于第一電性層與第二電性層間的轉(zhuǎn)換單元是光能與電能可以被轉(zhuǎn)換或被誘發(fā)轉(zhuǎn)換的區(qū)域。電能可轉(zhuǎn)換為光能者是如發(fā)光二極管、液晶顯示器、與有機二極管。光能可被轉(zhuǎn)換為電能者是如太陽能電池、及光電二極管。就發(fā)光二極管而言，轉(zhuǎn)換后光的發(fā)光頻譜可以通過改變發(fā)光二極管中一層或多層的物理或化學(xué)配置進行調(diào)整。發(fā)光二極管的組成材料是如磷化鋁鎵銦(AWaInP)系列、 氮化鋁鎵銦(AKialnN)系列、氧化鋅(SiO)系列等。轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)是如單異質(zhì)結(jié)構(gòu) (single heterostructure ;SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure ;DH)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure ；DDH)、或多層量子講(multi-quantum well ； MQW)。再者，調(diào)整量子阱的對數(shù)也可以改變發(fā)光波長。基板是用以成長或承載發(fā)光結(jié)構(gòu)單元，適用的材料包含但不限于鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、銦化磷(InP)、藍寶石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、鋁酸鋰(LiA102)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、玻璃、鉆石、CVD鉆石、與類鉆碳(Diamond-Like Carbon ；DLC)等。此外，基板也可為復(fù)合材料、或上述各種材料的組合。圖8A 圖8F顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的制造示意圖。首先，參考圖8A，提供基板41。基板41的材料可以為硅、碳化硅、藍寶石、砷化物、磷化物、氧化鋅、 及氧化鎂。然后，在基板41上形成第一半導(dǎo)體層42、活性層43、及第二半導(dǎo)體層44。第一半導(dǎo)體層42是第一電性的外延層。第二半導(dǎo)體層44是第二電性的外延層。第一半導(dǎo)體層 42與第二半導(dǎo)體層44的材料包括但不限于含銦的氮化物半導(dǎo)體、含鋁的氮化物半導(dǎo)體、及含鎵的氮化物半導(dǎo)體?；钚詫?3的材料包括但不限于氮化銦鎵、磷化鋁鎵銦、氮化鋁鎵、砷化鋁鎵、及砷化銦鎵。參考圖8B 圖8D，實施一多階式圖案化制作工藝。首先，定義第二半導(dǎo)體層44的第一區(qū)域，再通過光刻及蝕刻技術(shù)在第二半導(dǎo)體層44上形成凹部45。然后，如圖8C所示， 實施第二蝕刻制作工藝以去除第二半導(dǎo)體層44的部分與活性層43的部分直至第一半導(dǎo)體層42暴露出一表面。最后，如圖8D所示，實施第三圖案化制作工藝，利用光刻及蝕刻技術(shù)形成溝槽46以劃分第一半導(dǎo)體層42。通過此多階式圖案化制作工藝，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)是被階梯狀側(cè)壁分開，如圖8D所示。參考圖8E，再形成一絕緣層47于兩個分開的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)40之間以覆蓋相鄰發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的階梯狀側(cè)壁。其中，絕緣層47是由介電材料所構(gòu)成，介電材料是如氮化硅、氧化硅、氧化鋁、及前述材料的組合。然后，如圖8F所示，形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)48于絕緣結(jié)構(gòu)47之上以使左側(cè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一半導(dǎo)體層42及右側(cè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體層43電性串聯(lián)。此外，第一電極49a及第二電極49b可以形成在與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)48相同或不同的制作工藝中。除了上述的圖案化制作工藝，階梯狀側(cè)壁也可以利用灰階光掩模(gray tone mask)或半色階光掩模(half tone mask)形成。利用存在于單一光掩模上的不同開孔率， 階梯狀側(cè)壁也可以在一次曝光中形成。參考圖9，通過此階梯狀側(cè)壁結(jié)構(gòu)，不同入射角的光線(如箭頭所指)因為可以經(jīng)由不同角度離開發(fā)光二極管的側(cè)壁而更容易被摘出。所以發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的光摘出效率可以得到提升。此外，由于階梯狀側(cè)壁的平緩坡度，覆蓋于發(fā)光二極管上的絕緣層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的輪廓可以更加均勻。以上各附圖與說明雖僅分別對應(yīng)特定實施例，然而，各個實施例中所說明或揭露的元件、實施方式、設(shè)計準則、及技術(shù)原理除在彼此顯相沖突、矛盾、或難以共同實施之外， 吾人當(dāng)可依其所需任意參照、交換、搭配、協(xié)調(diào)、或合并。雖然本發(fā)明已說明如上，然而其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實施順序、或使用的材料與制作工藝方法。對于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，皆不脫本發(fā)明的精神與范圍。
8
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包含第一單元； 第二單元；溝槽，介于該第一單元及該第二單元之間，并具有第一側(cè)壁及較該第一側(cè)壁陡峭的第二側(cè)壁；及電性連接，設(shè)置于該第一側(cè)壁之上。
2.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，還包含電流網(wǎng)絡(luò)，連接至該電性連接。
3.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，還包含第三單元及第四單元，該第三單元及第四單元被該溝槽分開。
4.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，還包含第三單元，該第二側(cè)壁設(shè)置于該第三單元之上。
5.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該電性連接不位于該第二側(cè)壁之上。
6.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該第一側(cè)壁短于該第二側(cè)壁。
7.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該第一單元及該第二單元串聯(lián)或并聯(lián)。
8.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該溝槽具有一倒梯形或一近似倒梯形的截面。
9.如權(quán)利要求1的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該第一側(cè)壁設(shè)置于該溝槽的全長度或部分長度之
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其至少包含一第一單元、一第二單元、一溝槽介于第一單元及第二單元之間，并具有一第一側(cè)壁及一較第一側(cè)壁陡峭的第二側(cè)壁；及一電性連接設(shè)置于第一側(cè)壁之上。
文檔編號H01L27/15GK102403330SQ201110269318
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月13日
發(fā)明者劉欣茂, 姚久琳, 柯淙凱, 沈建賦, 洪詳竣, 王心盈, 許生杰, 郭得山, 鐘健凱, 陳昭興, 黃建富 申請人:晶元光電股份有限公司