專利名稱：封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種鋰電池保護(hù)電路的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
請參照圖1，圖1為現(xiàn)有的單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的電路圖。目前市面上的單節(jié)鋰電池主要是由單節(jié)鋰電池(或稱為電池芯)加上單節(jié)鋰電池保護(hù)板所組成，而單節(jié)鋰電池保護(hù)板I主要是由電阻Rl、R2、電容Cl以及一顆集成電路10搭配具有第一功率晶體管Ml 與第二功率晶體管M2的芯片焊接在電路板上所組成，如圖1所示。集成電路10的封裝結(jié)構(gòu)11以六個(gè)引腳的小外型晶體管封裝(Small Outline Transistor 26, S0T26)(以下簡稱 S0T26)較為常見。第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2為功率金氧半場效晶體管，第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的封裝結(jié)構(gòu)12以八個(gè)引腳的薄型緊縮小外型封裝 (Thin-Shrink Small Outline Package_8PIN，TSS0P-8)(以下簡稱 TSS0P-8)較為常見。負(fù)載則電性耦接至引腳BATP、BATN以獲得電力。
封裝結(jié)構(gòu)11所封裝的集成電路10與封裝結(jié)構(gòu)12所封裝的第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的耦接方式如下述。集成電路10具有引腳￥0、6冊、00、0(、05。引腳 VCC、GND用以電性耦接鋰電池，而引腳0D、OC分別用以電性耦接功率晶體管Ml、M2的控制端(柵極)。引腳CS用以作為集成電路10的過電流保護(hù)的偵測端。然而，利用將集成電路10與功率晶體管(Ml、M2)分開封裝的封裝方式可能具有較高的制造成本與占用較大的封裝面積等問題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，以提高鋰電池保護(hù)電路的工作穩(wěn)定性與制造合格 率， 并減低封裝及測試成本。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)線架、第二導(dǎo)線架、兩接地引腳、 兩第一引腳、多個(gè)第一導(dǎo)線、多個(gè)第二導(dǎo)線與封裝體。第一導(dǎo)線架用以置放集成電路。第二導(dǎo)線架用以置放第一功率晶體管與第二功率晶體管，且用以電性耦接第一功率晶體管與第二功率晶體管的漏極。兩接地引腳電性耦接至第一導(dǎo)線架，且兩接地引腳彼此相鄰。兩第一引腳用以電性耦接至第二功率晶體管的源極，且兩第一引腳通過導(dǎo)電區(qū)域彼此連接，此導(dǎo)電區(qū)域用以提升兩第一引腳所能負(fù)載的電流。多個(gè)第一導(dǎo)線用以電性耦接于第二功率晶體管的源極與兩第一引腳之間，且用以減少第二功率晶體管的內(nèi)阻值。多個(gè)第二導(dǎo)線用以電性耦接于第一導(dǎo)線架與第一功率晶體管的源極之間，且用以減少第一功率晶體管的內(nèi)阻值。封裝體用以覆蓋該第一導(dǎo)線架、該第二導(dǎo)線架、所述的第一導(dǎo)線、所述的第二導(dǎo)線、該集成電路、該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管，且部分覆蓋該兩接地引腳以及該兩第一引腳。
換句話說，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括一第一導(dǎo)線架，用以置放一集成電路; 一第二導(dǎo)線架，用以置放一第一功率晶體管以及一第二功率晶體管，且用以電性耦接該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管的漏極；兩接地引腳，電性耦接至該第一導(dǎo)線架，該兩接地引腳彼此相鄰；兩第一引腳，用以電性耦接至該第二功率晶體管的源極，該兩第一引腳通過一導(dǎo)電區(qū)域彼此連接，該導(dǎo)電區(qū)域用以提升該兩第一引腳所能負(fù)載的電流；多個(gè)第一導(dǎo)線，用以電性耦接于該第二功率晶體管的源極與該兩第一引腳之間，以減少該第二功率晶體管的內(nèi)阻值；多個(gè)第二導(dǎo)線，用以電性耦接于該第一導(dǎo)線架與該第一功率晶體管的源極之間，以減少該第一功率晶體管的內(nèi)阻值；以及一封裝體，用以覆蓋該第一導(dǎo)線架、該第二導(dǎo)線架、所述的第一導(dǎo)線、所述的第二導(dǎo)線、該集成電路、該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管，且部分覆蓋該兩接地引腳以及該兩第一引腳。
綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的封裝結(jié)構(gòu)有效地精簡現(xiàn)有的單節(jié)鋰電池保護(hù)應(yīng)用電路。借助于將功率晶體管與集成電路封裝在同一封裝結(jié)構(gòu)，可達(dá)到縮減成本的目的。如此，上述封裝結(jié)構(gòu)在市場上能夠更具競爭力。
為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附附圖僅用來說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍作任何的限制。


圖1為現(xiàn)有的單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的電路圖2A是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的集成電路的接觸墊位置的示意圖2B是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及一第二功率晶體管的引腳的俯視圖2C是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及一第二功率晶體管的引腳的背視圖2D是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的透視圖；
圖3是本發(fā)明實(shí)施例的四線式量測的示意圖4A是本發(fā)明另一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及一第二功率晶體管的引腳的俯視圖4B是本發(fā)明另一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的透視圖。
主要元件附圖標(biāo)記說明
11、12、2、4 :封裝結(jié)構(gòu)
R1、R2:電阻
Cl 電容
Ml :第一功率晶體管
M2 :第二功率晶體管
10:集成電路
15:鋰電池
VCC、GND、0D、0C、CS、BATP、BATN、31 34 :引腳
20 :封裝體
101 :第一接觸墊
102 :第二控制接觸墊
103 :第一控制接觸墊
104 :接地接觸墊
105:電源接觸墊
S1、S2:源極
G1、G2:柵極
D12’ 接觸墊
201 :第一導(dǎo)線架
202 :第二導(dǎo)線架
203、204:導(dǎo)電膠
21 27 :第一至第七導(dǎo)線
28 :導(dǎo)線
205:導(dǎo)電區(qū)域
GND’ 接地引腳
VCC ’ 電源引腳
BATN ’ 第一引腳
D12:第二引腳
CS’ 第三引腳
30 :負(fù)載具體實(shí)施方式
封裝結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例
請?jiān)賲⒄請D1，本實(shí)施例將圖1中的集成電路10與第一功率晶體管Ml、第二功率晶體管M2封裝在同一封裝結(jié)構(gòu)中。為便于了解本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)，先說明用于封裝結(jié)構(gòu)的集成電路10與第一功率晶體管Ml、第二功率晶體管M2的引腳及接觸墊。
請同時(shí)參照圖1與圖2A，圖2A是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的集成電路的接觸墊位置的示意圖。在圖2A中的第一接觸墊101即對應(yīng)于集成電路10的引腳CS。第一控制接觸墊103與第二控制接觸墊102分別對應(yīng)于集成電路10的引腳OD與引腳0C。接地接觸墊 104與電源接觸墊105分別對應(yīng)集成電路10的引腳GND與引腳VCC。
請同時(shí)參照圖1與圖2B，圖2B是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及第二功率晶體管的俯視圖。第一功率晶體管Ml的源極SI具有較大的面積，以利大電流通過。相對于第一功率晶體管Ml的源極SI，第一功率晶體管Ml的控制端(即柵極Gl)具有較小的面積。同樣地，第二功率晶體管Ml的源極S2具有的面積也大于柵極G2，以利大電流通過。另外，柵極Gl與柵極G2的位置彼此遠(yuǎn)離。須要注意的是，在制造過程中，第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2通常是連接在一起而成為同一個(gè)芯片。
請同時(shí)參照圖1與圖2C，圖2C是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及第二功率晶體管的接觸墊的背視圖。第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的漏極共享接觸墊D12’，以利于較大的電流通過。
請同時(shí)參照圖1與圖2D，圖2D是本發(fā)明實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的透視圖。本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)2為八個(gè)引腳的薄型緊縮小外型封裝(TSS0P-8)(以下簡稱TSS0P-8)，封裝結(jié)構(gòu)2主要包括第一導(dǎo)線架201、第二導(dǎo)線架202、兩接地引腳GND’、兩第一引腳BATN’、多個(gè)第一導(dǎo)線21、多個(gè)第二導(dǎo)線22與導(dǎo)電膠203、204。另外，封裝結(jié)構(gòu)2更包括兩電源引腳VCC’、 第二引腳D12、第三引腳CS’、第三至第七導(dǎo)線23 27與導(dǎo)線28。
第一導(dǎo)線架201用以置放集成電路10。第二導(dǎo)線架202用以置放第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2，且用以通過接觸墊D12’電性耦接第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管的漏極。第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的置放方式使得柵極Gl與柵極G2是靠近第一導(dǎo)線架201。兩接地引腳GND’電性耦接至第一導(dǎo)線架201，且兩接地引腳 GND’彼此相鄰。兩第一引腳BATN’用以電性耦接至第二功率晶體管M2的源極S2。兩第一引腳BATN’通過導(dǎo)電區(qū)域205彼此連接，此導(dǎo)電區(qū)域205用以提升兩第一引腳BATN’所能負(fù)載的電流。多個(gè)第一導(dǎo)線21用以電性耦接于第二功率晶體管M2的源極S2與兩第一引腳之間BATN。多個(gè)第二導(dǎo)線22用以電性耦接于第一導(dǎo)線架201與第一功率晶體管Ml的源極SI之間。
第二引腳D12電性耦接至第二導(dǎo)線架202。第三引腳CS’用以通過第三導(dǎo)線電性耦接至集成電路10的第一接觸墊101。第四導(dǎo)線24用以電性耦接于集成電路10的第一控制接觸墊103以及第一功率晶體管Ml的柵極Gl之間。第五導(dǎo)線25用以電性耦接于集成電路10的第二控制接觸墊102以及第二功率晶體管M2的柵極G2之間。兩接地引腳GND’ 通過第六導(dǎo)線26電性耦接至集成電路10的接地接觸墊104。兩電源引腳VCC’彼此相鄰且彼此電性耦接(通過導(dǎo)線28)。兩電源引腳VCC’通過第七導(dǎo)線27電性耦接至集成電路的電源接觸墊105。兩接地引腳GND’通過導(dǎo)電膠203電性耦接至第一導(dǎo)線架201。第二引腳 D12通過導(dǎo)電膠204電性耦接至第二導(dǎo)線架202。
另外，封裝結(jié)構(gòu)2更可包括封裝體20，用以覆蓋第一導(dǎo)線架201、第二導(dǎo)線架202、 集成電路10、第一功率晶體管Ml、第二功率晶體管M2以及第一至第七導(dǎo)線21 27。且封裝體20部分覆蓋兩接地引腳GND’、兩電源引腳VCC’以及第一至第三引腳BATN、D12、CS。封裝體20可以固態(tài)模封材料形成，固態(tài)封膜材料主要組成包括環(huán)氧樹脂(Epoxy)、硬化劑、二氧化硅、觸媒等。通常使用的硬化劑為酚醛樹脂，而二氧化硅具有降 低熱膨脹系數(shù)的功用， 且為了模封后的離型常常必需加入少量臘作為離型添加劑，但本發(fā)明并不因此限定。
請同時(shí)參照圖2D與圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施例的四線式量測的示意圖。在封裝結(jié)構(gòu)2中，接地引腳GND’與第一引腳BATN’都各有2個(gè)。如此，在進(jìn)行與大電流相關(guān)的電氣驗(yàn)證時(shí)，可以直接使用四線式量測，例如第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的內(nèi)阻量測。四線式量測在對負(fù)載30進(jìn)行量測時(shí)，負(fù)載30的兩個(gè)端點(diǎn)VIN1、VIN2分別具有兩個(gè)引腳，即引腳31、33與引腳32、34。引腳31、32用以作為輸入引腳。引腳33、34用以作為量測引腳。因?yàn)檩斎胍_與量測引腳彼此分開，使得在有大電流的情況下，因大電流流經(jīng)線阻所產(chǎn)生額外壓降造成量測上的誤差可以被避免，進(jìn)而可以得到更精準(zhǔn)的量測結(jié)果。
再參照圖2D，由于引腳的配置會與第一至第七導(dǎo)線21 27有關(guān)。根據(jù)不同的單節(jié)鋰電池保護(hù)電路與功率金氧半場效晶體管的引腳布局，可以定義出不同的封裝方法，使得具有功率晶體管的單節(jié)鋰電池保護(hù)電路可封入TSS0P8的封裝，本發(fā)明實(shí)施例為其中一種最佳的封裝方式。
封裝結(jié)構(gòu)20的多個(gè)第一導(dǎo)線的數(shù)目與從第一引腳BATN’與接地引腳GND’所看到的內(nèi)阻有關(guān)。為了降低第一引腳BATN’與接地引腳GND’的間的內(nèi)阻，這兩個(gè)引腳的打線方式如圖2D所示的第一至第七導(dǎo)線21 27。另外，連接第一導(dǎo)線架21 (且電性耦接接地引腳GND’)的第二導(dǎo)線22與連接第一引腳BATN’的第一導(dǎo)線21的數(shù)目也可以隨著整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)與導(dǎo)線架的大小來調(diào)整數(shù)目，可從I到數(shù)十根，如此可改善第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的內(nèi)阻。換句話說，多個(gè)第一導(dǎo)線21與多個(gè)第二導(dǎo)線22分別用以減少第一功率晶體管M2與第二功率晶體管Ml的內(nèi)阻值。
再同時(shí)參照圖1與圖2D，在圖2D的封裝結(jié)構(gòu)2中的電流路徑是由接地引腳GND’ 流至多個(gè)第二導(dǎo)線22，再流至第一功率晶體管Ml的控制端(源極SI)。然后，電流會通過第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2所共享的接觸墊D12’由第一功率晶體管Ml流至第二功率晶體管M2。接著，電流由第二功率晶體管M2的源極S2通過多個(gè)第一導(dǎo)線21流至第一引腳BATN’。所以在散熱的考慮上，若將會有大電流流過的引腳借助于導(dǎo)電膠接到導(dǎo)線架，如此便可經(jīng)由導(dǎo)線架來協(xié)助進(jìn)行散熱。
本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)利用導(dǎo)電膠將流過大電流的引腳接到導(dǎo)線架，例如接地引腳GND’利用導(dǎo)電膠203連接第一導(dǎo)線架201，來加強(qiáng)散熱的效果，避免集成電路10過熱而造成功能異?；驌p傷。鋰電池在進(jìn)行充電時(shí)，電流會由接地引腳GND’流至第二引腳D12，再流至第一引腳BATN’。而電池在進(jìn)行放電時(shí)，電流會由第一引腳BATN’流至第二引腳D12， 再流至接地引腳GND’。將功率晶體管的接觸墊D12’與集成電路10的接地端，分別通過導(dǎo)電膠204與導(dǎo)電膠203接到第二導(dǎo)線架202與第一導(dǎo)線架201，如此便可經(jīng)由第二導(dǎo)線架 202與第一導(dǎo)線架201來協(xié)助進(jìn)行散熱。
多個(gè)第一導(dǎo)線21與多個(gè)第二導(dǎo)線22的數(shù)目會影響第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的內(nèi)阻值。為了說明導(dǎo)線數(shù)目對內(nèi)阻值所造成的影響，以下舉例的導(dǎo)線數(shù)量所造成的阻值。由封裝結(jié)構(gòu)的第二引腳D12至接地引腳GND’為量測端所得到的平均電阻值分別為17. 39歐姆(多個(gè)第二導(dǎo)線22為6個(gè)1. 5mils的銅線，Imils等于O. 0254毫米)、 17. 91歐姆(多個(gè)第二導(dǎo)線22為5個(gè)1. 5mils的銅線)、18· 67歐姆(多個(gè)第二導(dǎo)線22為 4個(gè)1. 5mils的銅線)、19. 69歐姆(多個(gè)第二導(dǎo)線22為3個(gè)1. 5mils的銅線)，其中電阻值的標(biāo)準(zhǔn)偏差約O. 3歐姆。由封裝結(jié)構(gòu)的第二引腳D12至第一引腳BATN’為量測端所得到的平均電阻分別為18. 01歐姆(多個(gè)第一導(dǎo)線21為6個(gè)1. 5mils的銅線)、17· 85歐姆(多個(gè)第一導(dǎo)線21為5個(gè)1. 5mils的銅線)、18· 79歐姆(多個(gè)第一導(dǎo)線21為4個(gè)1. 5mils的銅線)、20· 07歐姆(多個(gè)第一導(dǎo)線21為3個(gè)1. 5mils的銅線)。由前述舉例可知，第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的源漏極電阻值隨著導(dǎo)線的數(shù)目增加而減少。換句話說，多個(gè)第一導(dǎo)線21與多個(gè)第二導(dǎo)線22的數(shù)目越多，則內(nèi)阻相對來說越小。另外，為了達(dá)到較低的阻值，多個(gè)第一導(dǎo)線21與多個(gè)第二導(dǎo)線22所使用的銅線的直徑范圍為O. 0381 O. 0508毫米時(shí)較佳。
封裝結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例
請同時(shí)參照圖4A與圖4B，圖4A是本發(fā)明另一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及一第二功率晶體管的引腳的俯視圖。圖4B是本發(fā)明另一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)的透視圖。封裝結(jié)構(gòu)4主要包括第一導(dǎo)線架201、第二導(dǎo)線架202、兩接地引腳GND’、兩第一引腳 BATN’、多個(gè)第一導(dǎo)線21、多個(gè)第二導(dǎo)線22與導(dǎo)電膠203、204。另外，封裝結(jié)構(gòu)4更包括兩電源引腳VCC’、第二引腳D12、第三引腳CS’、第三至第七導(dǎo)線23 27與導(dǎo)線28。
本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)4與前一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)2 (如圖2D所示)大致相同，其差異僅在于圖4A中的第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的源極S1、S2的位置與圖2B 中的柵極G1、G2的位置并非彼此遠(yuǎn)離。另外，柵極G1、G2也可以彼此靠近。然而，柵極G1、 G2的位置決定后，第二導(dǎo)線22的位置不可跨過第四導(dǎo)線24，以減少第二導(dǎo)線22的長度，借此減少電阻值。本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)4的其他部分請參照前一實(shí)施例的說明，不再贅述。、
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，上述的封裝結(jié)構(gòu)有效地精簡現(xiàn)有的單節(jié)鋰電池保護(hù)應(yīng)用電路。且封裝結(jié)構(gòu)方便應(yīng)用四線式量測、功率晶體管的內(nèi)電阻被降低。借助于將功率晶體管與集成電路封裝在同一封裝結(jié)構(gòu)，可達(dá)到縮減成本的目的。如此，上述封裝結(jié)構(gòu)在市場上能夠更具競爭力。
以上所述僅是本發(fā)明的實(shí)施例，其并非用以局限本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一第一導(dǎo)線架，用以置放一集成電路；一第二導(dǎo)線架，用以置放一第一功率晶體管以及一第二功率晶體管，且用以電性耦接該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管的漏極；兩接地引腳，電性耦接至該第一導(dǎo)線架，該兩接地引腳彼此相鄰；兩第一引腳，用以電性耦接至該第二功率晶體管的源極，該兩第一引腳通過一導(dǎo)電區(qū)域彼此連接，該導(dǎo)電區(qū)域用以提升該兩第一引腳所能負(fù)載的電流；多個(gè)第一導(dǎo)線，用以電性耦接于該第二功率晶體管的源極與該兩第一引腳之間，以減少該第二功率晶體管的內(nèi)阻值；多個(gè)第二導(dǎo)線，用以電性耦接于該第一導(dǎo)線架與該第一功率晶體管的源極之間，以減少該第一功率晶體管的內(nèi)阻值；以及一封裝體，用以覆蓋該第一導(dǎo)線架、該第二導(dǎo)線架、所述的第一導(dǎo)線、所述的第二導(dǎo)線、 該集成電路、該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管，且部分覆蓋該兩接地引腳以及該兩第一引腳。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括兩電源引腳；一第二引腳，電性耦接至該第二導(dǎo)線架；以及一第三引腳，用以通過一第三導(dǎo)線電性耦接至該集成電路的一第一接觸墊。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一第四導(dǎo)線，用以電性耦接于該集成電路的一第一控制接觸墊以及該第一功率晶體管的柵極之間；以及一第五導(dǎo)線，用以電性耦接于該集成電路的一第二控制接觸墊以及該第二功率晶體管的柵極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述的第一導(dǎo)線與所述的第二導(dǎo)線的直徑范圍為O. 0381 O. 0508毫米。
5.如權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該兩接地引腳通過一第六導(dǎo)線電性耦接至該集成電路的一接地接觸墊。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該兩電源引腳通過一第七導(dǎo)線電性耦接至該集成電路的一電源接觸墊。
7.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該兩電源引腳彼此相鄰且彼此電性耦接。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該兩接地引腳通過導(dǎo)電膠電性耦接至該第一導(dǎo)線架。
9.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第二引腳通過導(dǎo)電膠電性耦接至該第二導(dǎo)線架。
10.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該封裝結(jié)構(gòu)為八個(gè)引腳的薄型緊縮小外型封裝。
全文摘要
一種封裝結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)線架、第二導(dǎo)線架、兩接地引腳、兩第一引腳、多個(gè)第一導(dǎo)線、多個(gè)第二導(dǎo)線與封裝體；第一導(dǎo)線架用以置放集成電路；第二導(dǎo)線架用以耦接第一功率晶體管與第二功率晶體管的漏極；兩接地引腳彼此相鄰且耦接至第一導(dǎo)線架；兩第一引腳用以耦接第二功率晶體管的源極；兩第一引腳通過可提升負(fù)載電流的導(dǎo)電區(qū)域彼此連接；多個(gè)第一導(dǎo)線用以耦接于第二功率晶體管的源極與第一引腳之間，以減少第二功率晶體管的內(nèi)阻值；多個(gè)第二導(dǎo)線用以耦接于第一導(dǎo)線架與第一功率晶體管的源極之間，以減少第一功率晶體管的內(nèi)阻值。本發(fā)明提供的封裝結(jié)構(gòu)，能提高鋰電池保護(hù)電路的工作穩(wěn)定性與制造合格率，并降低封裝及測試成本。
文檔編號H01L23/31GK103000592SQ20111026925
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者陳國強(qiáng), 容紹泉, 劉振興, 陳宴毅 申請人:富晶電子股份有限公司