專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管憑借其高光效、低能耗、無污染等優(yōu)點(diǎn)，已得到了廣泛應(yīng)用，大有取代傳統(tǒng)光源的趨勢。
通常，在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造過程中，通過在發(fā)光二極管芯片上覆蓋一封裝體以保護(hù)該發(fā)光二極管芯片。一般通過點(diǎn)膠的方式將液態(tài)封裝體注入到發(fā)光二極管芯片上，再通過擠壓定型使封裝體的頂面平整，而后使封裝體凝固成型。然而，由于液態(tài)封裝體凝固為固態(tài)封裝體之后，封裝體的頂面很可能會是向內(nèi)凹陷的曲面，這與預(yù)先設(shè)定的平面有較大的偏差，并且還無法對其做出調(diào)整，導(dǎo)致發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效果不佳，良率下降。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種可提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的良品率的制造方法。
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟步驟一，提供基板；步驟二，設(shè)置發(fā)光二極管芯片于基板上；步驟三，在基板上形成封裝體，該封裝體覆蓋于發(fā)光二極管芯片之上；步驟四，利用工具將封裝體的頂面平整為平面。
上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法中，通過工具將封裝體的頂面研磨為平面，保證了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效果，進(jìn)而有效提高制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的良品率。
下面參照附圖，結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
圖2示出了圖1中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟。
圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖4示出了本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟。
主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟步驟一，提供基板；步驟二，設(shè)置發(fā)光二極管芯片于基板上；步驟三，在基板上形成封裝體，該封裝體覆蓋于發(fā)光二極管芯片上；步驟四，利用工具將封裝體的頂面平整為平面。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于步驟三之前還包括在所述基板上形成有反射杯，該反射杯的中央形成容置部，所述發(fā)光二極管芯片容置于該容置部內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述封裝體填充于所述容置部內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述封裝體填滿所述容置部，且該封裝體的頂部高出所述反射杯。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于平整后的封裝體的頂面與反射杯的頂面齊平。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在步驟三之前， 還包括在所述基板兩側(cè)分別設(shè)置有擋板，所述擋板與基板共同圍設(shè)成容置部，所述發(fā)光二極管芯片容置于該容置部內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述封裝體填充于所述容置部內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述封裝體填滿所述容置部，且該封裝體的頂部高出所述擋板。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于平整后的封裝體的頂面與擋板的頂面齊平。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述步驟四為利用研磨工具將封裝體的頂面研磨為平面。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟步驟一，提供基板；步驟二，設(shè)置發(fā)光二極管芯片于基板上；步驟三，在基板上形成封裝體，該封裝體覆蓋于發(fā)光二極管芯片之上；步驟四，利用工具將封裝體的頂面平整為平面。采用本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，利用工具將封裝體的頂面平整為平面，保證了發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光強(qiáng)度，進(jìn)而有效提高制造發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的良品率。
文檔編號H01L33/00GK103000768SQ20111026739
公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
發(fā)明者林新強(qiáng), 曾文良 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司