專利名稱：應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，尤其涉及一種應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)(Stress Proximity Technology, SPT)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)過程中晶體管的尺寸不斷縮小，晶體管元件工作需要的電壓和電流不斷降低，晶體管開關(guān)的速度也隨之加快，隨之對半導(dǎo)體工藝各方面要求大幅提高。為提高半導(dǎo)體器件的性能，為提高CMOS晶體管等半導(dǎo)體器件的性能，業(yè)界引入應(yīng)力記憶技術(shù)。應(yīng)力記憶技術(shù)通過在半導(dǎo)體襯底的溝道中引入應(yīng)力，以使半導(dǎo)體器件的性能得到 改善，通過應(yīng)力改善器件性能的工藝已經(jīng)成為半導(dǎo)體領(lǐng)域常見的技術(shù)手段?，F(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)力記憶技術(shù)包括在半導(dǎo)體器件上方沉積應(yīng)力層(例如氮化層等)，接著，進(jìn)行高溫退火工藝以使應(yīng)力被記憶在半導(dǎo)體器件上，在應(yīng)力被記憶在柵極多晶硅或擴(kuò)散區(qū)或半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)后去除應(yīng)力層。從而運(yùn)用應(yīng)力改變半導(dǎo)體襯底的晶格結(jié)構(gòu)，從而改進(jìn)電子或空穴的遷移率，提高了器件整體的性能。尤其CMOS晶體管中的NMOS晶體管，應(yīng)力記憶技術(shù)在縱向方向上施加應(yīng)力(即壓應(yīng)力時)，可以提聞NMOS晶體管的電子遷移率，提聞NMOS晶體管驅(qū)動電流(Idrive)，進(jìn)而提高NMOS晶體管的性能。為了能夠更好地產(chǎn)生應(yīng)力作用，引入了應(yīng)力臨近技術(shù)(Stress proximityTechnology, SPT)，即通過縮小柵極兩側(cè)的柵極側(cè)墻的厚度，沉積應(yīng)力層，以縮小應(yīng)力層與半導(dǎo)體襯底和柵極之間的距離，進(jìn)而提高了應(yīng)力層對半導(dǎo)體襯底及柵極的應(yīng)力作用，進(jìn)一步提聞半導(dǎo)體器件性能。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，去除氮化層通常采用氟離子的干法刻蝕或磷酸濕法刻蝕去除，然而氟離子及磷酸均會侵蝕半導(dǎo)體襯底的源區(qū)、漏區(qū)以及柵極上形成的金屬硅化物層，導(dǎo)致該金屬硅化物層減薄，導(dǎo)致電連引出能力下降，使半導(dǎo)體器件的電阻升高，電流降低，致使半導(dǎo)體器件的性能下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，保護(hù)半導(dǎo)體器件中的金屬硅化物層，以提高半導(dǎo)體器件的性能。為解決上述問題，本發(fā)明一種應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極；在所述柵極側(cè)壁上形成柵極側(cè)墻，所述柵極側(cè)墻包括氧化層和位于氧化層側(cè)壁的氮化層，所述氮化層的材質(zhì)為摻硼氮化硅或摻磷氮化硅；在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)；在所述柵極、所述源極區(qū)及漏極區(qū)上形成金屬硅化物層；
利用等離子體刻蝕去除全部或部分所述氮化層；在所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋應(yīng)力層。進(jìn)一步的，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述氮化層進(jìn)一步的，當(dāng)所述氮化層的材質(zhì)為摻硼氮化硅時，所述化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)氣體包括甲烷、乙硼烷、氨氣和氮?dú)?。進(jìn)一步的，當(dāng)所述氮化層的材質(zhì)為摻磷氮化硅時，所述化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)氣體包括甲燒、磷化氫、氨氣和氮?dú)?。進(jìn)一步的，所述化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)溫度為400°C 600°C。進(jìn)一步的，所述氮化層的厚度為100埃 500埃。 進(jìn)一步的，所述等離子體刻蝕工藝的刻蝕氣體包括合成氣體和氧氣，所述氧氣與所述合成氣體的體積比為O. I : I 2 : I。進(jìn)一步的，所述合成氣體包括氮?dú)夂蜌錃猓鰵錃庹妓龊铣蓺怏w的體積比例為4% 20%。 進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層的材質(zhì)為鎳硅化物。進(jìn)一步的，所述應(yīng)力層的材質(zhì)為氮化層，厚度為200埃 600埃。相比于現(xiàn)有技術(shù)，在利用應(yīng)力臨近技術(shù)制造半導(dǎo)體器件的過程中，形成柵極側(cè)墻的材質(zhì)是摻磷氮化硅或摻硼氮化硅，并采用合成氣體和氧氣形成的等離子體去除全部或部分氮化硅層，該等離子體不會損傷位于源極區(qū)、漏極區(qū)和柵極上的金屬硅化物層，從而維持金屬硅化物層的厚度，進(jìn)而在應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的基礎(chǔ)上保護(hù)金屬硅化物層的厚度，提高了半導(dǎo)體器件的整體性能。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例一中半導(dǎo)體器件制造方法的流程示意圖。圖2 圖7為本發(fā)明實(shí)施例一中半導(dǎo)體器件制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8 圖10為本發(fā)明實(shí)施例二中半導(dǎo)體器件制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。圖11為本發(fā)明實(shí)施例二中氧氣與合成氣體的體積比例與柵極側(cè)墻的氮化層去除厚度的關(guān)系不意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述，在詳述本發(fā)明實(shí)例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。本發(fā)明的核心思想在于在利用應(yīng)力臨近技術(shù)制造半導(dǎo)體器件的過程中，形成柵極側(cè)墻的氮化硅層的材質(zhì)為摻磷氮化硅或摻硼氮化硅，在去除全部或部分氮化硅層時，采用合成氣體和氧氣形成的等離子體去除，該等離子體不會損傷位于源極區(qū)、漏極區(qū)和柵極上的金屬硅化物層，從而應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的基礎(chǔ)上保護(hù)金屬硅化物層的厚度，進(jìn)一步保護(hù)了半導(dǎo)體器件的器件性能。
實(shí)施例一圖1為本發(fā)明實(shí)施例一中半導(dǎo)體器件制造方法的流程示意圖，圖2 圖7為本發(fā)明實(shí)施例一中半導(dǎo)體器件制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖，請結(jié)合圖I 圖4所示，本發(fā)明提供一種應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括以下步驟步驟SOl :如圖2所示，提供一半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極102 ；所述半導(dǎo)體襯底100可以為單晶硅、多晶硅或者鍺硅化合物等半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體襯底100中還形成有各種隔離元件以及各種摻雜區(qū)等用以形成半導(dǎo)體器件的必要結(jié)構(gòu)，所述隔離元件例如是淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI) 102，所述摻雜區(qū)(圖I中未標(biāo)示)例如是N阱、P阱以及輕摻雜源漏區(qū)(LDD)，上述結(jié)構(gòu)根據(jù)實(shí)際半導(dǎo)體器件制作工藝過程確定，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知技術(shù)內(nèi)容，在此不再贅述。所述柵極102包括柵極介質(zhì)層102a和形成于所述柵極介質(zhì)層102a上的柵極導(dǎo)電層102b，所述柵極介質(zhì)層102a可以采用常見的介電材料，例如氧化物、氮化物、氮氧化物中的一種或其組合，所述柵極介質(zhì)層102a可以采用熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成。所述柵極導(dǎo)電層102b的材質(zhì)可以為多晶硅，可采用化學(xué)氣相沉積法形成，所述柵極導(dǎo)電層102b的厚度例如為500埃 3000埃。步驟S02 :如圖3所示，在所述柵極102側(cè)壁上形成柵極側(cè)墻104，所述柵極側(cè)墻104包括氧化層104a和位于氧化層104a外的氮化層104b，所述氮化層104b的材質(zhì)為摻硼
氮化硅或摻磷氮化硅。在本實(shí)施例中，所述柵極側(cè)墻104為氧化層-氮化層結(jié)構(gòu)(0N結(jié)構(gòu))，所述氧化層104a的材質(zhì)為氧化硅，所述氮化層104b的材質(zhì)為摻硼氮化硅或摻磷氮化硅，可采用采用化學(xué)氣相沉積法形成所述摻硼氮化硅或摻磷氮化硅，較佳的反應(yīng)溫度為400°C 600°C，所述氮化層104的厚度為100埃 500埃，氮化層104b的較佳的厚度為300埃，該厚度能夠產(chǎn)生良好的應(yīng)力。其中所述摻硼氮化硅的反應(yīng)氣體包括甲烷、乙硼烷、氨氣和氮?dú)?，所述摻硼氮化硅的反?yīng)氣體包括甲烷、磷化氫、氨氣和氮?dú)?。所述氮化?04b在后續(xù)的步驟中可以采用等離子體刻蝕去除，以縮小后續(xù)形成的應(yīng)力層與半導(dǎo)體襯底和柵極之間的距離，使應(yīng)力層的應(yīng)力能夠更好地作用于半導(dǎo)體襯底和柵極中，提高半導(dǎo)體器件的性能。步驟S03 :如圖4所示，在所述柵極104兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中形成源極區(qū)106和漏極區(qū)107 ；在本實(shí)施例中，在所述柵極104兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中進(jìn)行摻雜離子的源漏注入，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)，對于NMOS器件則進(jìn)行N型摻雜離子的源漏注入，對于PMOS器件則進(jìn)行P型摻雜離子的源漏注入。步驟S04 :如圖5所示,在所述柵極104、所述源極區(qū)106及漏極區(qū)107上形成金屬硅化物層 108a、108b、108c ；在所述柵極104、所述源極區(qū)106及漏極區(qū)107上形成金屬硅化物層108a、108b、108c，其形成過程如下，首先，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)的方式將金屬沉積于柵極104、所述源極區(qū)106及漏極區(qū)107的表面，金屬在高溫退火過程中與硅反應(yīng)形成金屬娃化物。所述金屬娃化物層108a、108b、108c的材質(zhì)可以為鎳娃化物、鈷娃化物、鎢硅化物、鈦硅化物以及鉭硅化物中的一種或其組合。在本實(shí)施例中金屬硅化物層108a、108b、108c為鎳硅化合物，利用鎳等離子束濺射至所述半導(dǎo)體襯底100中，在后續(xù)高溫退火過程中與所述半導(dǎo)體襯底100中的硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成鎳硅化合物。所述金屬硅化物層108a、108b、108c用于改善半導(dǎo)體襯底100中源極區(qū)106、漏極區(qū)107及柵極102與后續(xù)形成的金屬互連線之間界面的電阻特性，有助于源極區(qū)106、漏極區(qū)107和柵極102的電性引出。步驟S05 :如圖6所示，利用等離子體刻蝕去除全部或部分所述氮化層104b ；在本實(shí)施例中，可以根據(jù)實(shí)際尺寸要求，選擇去除全部或部分氮化層104b，其中所述等離子氣體包括合成氣體(Forming Gas)和氧氣,所述氧氣與所述合成氣體的體積比為O. I I 2 1，其中，所述合成氣體包括氮?dú)夂蜌錃猓鰵錃庹妓龊铣蓺怏w的體積比例為4% 20%。合成氣體為半導(dǎo)體工藝中常用的氣體，在所述氫氣占所述合成氣體的體積比例時能夠產(chǎn)生良好的刻蝕去除能力。所述合成氣體中的含有氫，氫能夠滲透到氮化層104b中破壞硅-氮鍵，形成氮-氫鍵和硅-氫鍵，摻雜磷或硼后，其價鍵與硅相結(jié)合，多余的價鍵更容易吸附氫離子，使氫離子與硅結(jié)合，更快地破壞硅-氮鍵，使氮化 層104b去除的速度更快，同時，氫離子并不能與鎳硅化合物等材質(zhì)的金屬硅化物層108a、108b、108c發(fā)生反應(yīng)，從而達(dá)到去除氮化硅層104b且不損傷金屬硅化物層108a、108b、108c的目的。步驟S06 :如圖7所示，在所述半導(dǎo)體襯底100上覆蓋應(yīng)力層110。所述應(yīng)力層110覆蓋所述柵極102、柵極側(cè)墻以及半導(dǎo)體襯底100，其中，所述應(yīng)力層106的材質(zhì)為氮化硅，其厚度范圍為200埃 600埃。氮化硅作為應(yīng)力層110，其應(yīng)力記憶性好，且氮化硅為半導(dǎo)體工藝中常見材質(zhì)，制造成本相對較低。應(yīng)力層110的可以采用等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、快速熱化化學(xué)氣相沉積(RTCVD)或高密度等離子體沉積(HDP)等方法形成，采用的反應(yīng)氣體可以包括SiH4、SiH2Cl2, SiH2F2和NH3，所述應(yīng)力層110較佳的厚度為200 1000埃，在后續(xù)高溫退火工藝中能夠達(dá)到較佳的應(yīng)力記憶效果。此后，本發(fā)明所述半導(dǎo)體器件的制造工藝還可以包括其他工藝步驟，進(jìn)行高溫退火工藝，所述高溫退火工藝的退火溫度為900°C 1300°C，在此步驟中，應(yīng)力層110對半導(dǎo)體襯底100及柵極102產(chǎn)生應(yīng)力作用；接著，在所述半導(dǎo)體襯底100上覆蓋形成第一介質(zhì)層；然后，進(jìn)行接觸孔、金屬弓I線等工藝步驟等，為本領(lǐng)域技術(shù)人員常見技術(shù)手段，在此不做贅述。實(shí)施例二圖8 圖10為本發(fā)明實(shí)施例二中半導(dǎo)體器件制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示,在本實(shí)施例中,所述半導(dǎo)體器件為CMOS晶體管,所述CMOS晶體管包括NMOS晶體管20和PMOS晶體管。所述CMOS晶體管的制造過程，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，包括如下步驟首先，如圖8所示，遵循實(shí)施例一所述步驟SOl的工藝方法，在所述半導(dǎo)體襯底100分別形成NMOS柵極202和PMOS柵極302，所述NMOS柵極202包括NMOS柵極介質(zhì)層202a和NMOS柵極導(dǎo)電層202b，所述PMOS柵極302包括PMOS柵極介質(zhì)層302a和PMOS柵極導(dǎo)電層302b ;遵循實(shí)施例一所述步驟S02的工藝方法，在所述NMOS柵極202兩側(cè)形成NMOS柵極側(cè)墻204，所述NMOS柵極側(cè)墻204包括第一氧化層204a和第一氮化層204b，在所述PMOS柵極302兩側(cè)形成PMOS側(cè)墻304，所述PMOS側(cè)墻304包括第一氧化層304a和第一氮化層304b，形成NMOS柵極側(cè)墻204和PMOS側(cè)墻304的工藝均遵循實(shí)施例一的步驟S02。
接著，如圖9所示，遵循實(shí)施例一所述步驟S03的工藝方法，對NMOS柵極202兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中進(jìn)行N型摻雜離子的源漏注入，形成NMOS源極區(qū)206和NMOS漏極區(qū)207，對PMOS柵極302兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中進(jìn)行P型摻雜離子的源漏注入，形成PMOS源極區(qū)306和PMOS漏極區(qū)307，遵循實(shí)施例一所述步驟S04的工藝方法，在所述NMOS晶體管20的柵極202、源極區(qū)206、漏極區(qū)207上形成金屬硅化物層208a、208b、208c，和所述PMOS晶體管30的柵極302、源極區(qū)306及漏極區(qū)307上形成金屬硅化物層308a、308b、308c。最后，如圖10所示，遵循實(shí)施例一所述步驟S05的工藝方法，利用等離子體刻蝕去除NMOS柵極側(cè)墻202的全部或部分氮化層202b，去除PMOS柵極側(cè)墻302的全部或部分氮化層302b，遵循實(shí)施例一所述步驟S06的工藝方法，在所述半導(dǎo)體襯底100上覆蓋應(yīng)力層110，在后續(xù)高溫退火工藝中，所述應(yīng)力層110對NMOS晶體管20和PMOS晶體管30起到應(yīng)力記憶作用，提高NMOS晶體管20和PMOS晶體管30的器件性能。此后，本發(fā)明所述半導(dǎo)體器件的制造工藝還包括其他工藝步驟，進(jìn)行高溫退火工藝，所述高溫退火工藝的退火溫度為900°C 1300°C，在此步驟中，應(yīng)力層110對半導(dǎo)體襯底100產(chǎn)生應(yīng)力作用；接著，在所述半導(dǎo)體襯底100上覆蓋形成第一介質(zhì)層；然后，進(jìn)行接 觸孔、金屬引線等工藝步驟等，為本領(lǐng)域技術(shù)人員常見技術(shù)手段，在此不做贅述。圖11為本發(fā)明實(shí)施例二中單位時間里氧氣與合成氣體的體積比例與柵極側(cè)墻的氮化層去除厚度的關(guān)系示意圖。如圖11所示，氧氣與合成氣體的體積比范圍為0. I 2，對于PMOS晶體管，當(dāng)所述體積比為0.1 I時，柵極側(cè)墻氮化層的去除速率最佳，對于NMOS晶體管，當(dāng)所述體積比為0. I 2 : I時，柵極側(cè)墻氮化層去除速率基本不變，故，等離子體中氧氣與合成氣體較佳的體積比為0.1 1，能夠達(dá)到最佳的去除速率，降低工藝時間，提高工藝速率。綜上所述，相比于現(xiàn)有技術(shù)，在利用應(yīng)力臨近技術(shù)制造半導(dǎo)體器件的過程中，形成柵極側(cè)墻的氮化硅層的材質(zhì)采用摻磷氮化硅或摻硼氮化硅，并在去除全部或部分氮化硅層時，采用合成氣體和氧氣形成的等離子體去除，該等離子體不會損傷位于源極區(qū)、漏極區(qū)和柵極上的金屬硅化物層，從而維持金屬硅化物層的厚度，進(jìn)而在應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的基礎(chǔ)上保護(hù)金屬硅化物層的厚度，提高了半導(dǎo)體器件的整體性能。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括 提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極； 在所述柵極側(cè)壁上形成柵極側(cè)墻，所述柵極側(cè)墻包括氧化層和位于氧化層側(cè)壁的氮化層，所述氮化層的材質(zhì)為摻硼氮化硅或摻磷氮化硅； 在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)； 在所述柵極、所述源極區(qū)及漏極區(qū)上形成金屬硅化物層； 利用等離子體刻蝕去除全部或部分所述氮化層； 在所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋應(yīng)力層。
2.如權(quán)利要求I所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述氮化層。
3.如權(quán)利要求2所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，當(dāng)所述氮化層的材質(zhì)為摻硼氮化硅時，所述化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)氣體包括甲烷、乙硼烷、氨氣和氮?dú)狻?br> 4.如權(quán)利要求2所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，當(dāng)所述氮化層的材質(zhì)為摻磷氮化硅時，所述化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)氣體包括甲烷、磷化氫、氨氣和氮?dú)狻?br> 5.如權(quán)利要求2或3或4所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)溫度為400°C 600°C。
6.如權(quán)利要求I所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述氮化層的厚度為100埃 500埃。
7.如權(quán)利要求I所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕工藝的刻蝕氣體包括合成氣體和氧氣，所述氧氣與所述合成氣體的體積比為 O. I I 2 I。
8.如權(quán)利要求7所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述合成氣體包括氮?dú)夂蜌錃?，所述氫氣占所述合成氣體的體積比例為4% 20%。
9.如權(quán)利要求I所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬娃化物層的材質(zhì)為鎳娃化合物。
10.如權(quán)利要求I所述的應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述應(yīng)力層的材質(zhì)為氮化層，厚度為200埃 600埃。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種應(yīng)用應(yīng)力臨近技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極；在所述柵極側(cè)壁上形成柵極側(cè)墻，所述柵極側(cè)墻包括氧化層和位于氧化層外的氮化層，所述氮化層的材質(zhì)為摻硼氮化硅或摻磷氮化硅；在所述柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源極區(qū)和漏極區(qū)；在所述柵極、所述源極區(qū)及漏極區(qū)上形成金屬硅化物層；利用等離子體刻蝕去除全部或部分所述氮化層；在所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋應(yīng)力層。本發(fā)明所述半導(dǎo)體器件的制造方法，利用應(yīng)力臨近技術(shù)的基礎(chǔ)上，保護(hù)金屬硅化物層不被刻蝕損傷，進(jìn)而提高了半導(dǎo)體器件的性能。
文檔編號H01L21/336GK102983075SQ20111026436
公開日2013年3月20日 申請日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月7日
發(fā)明者孟曉瑩, 韓秋華 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司