專利名稱：在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，更具體的，本發(fā)明涉及ー種在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法。
背景技術(shù)：
磁隨機存取存儲器(Magnetic Random Access Memory,MRAM)是一種固體存儲器，包括多個作為信息記錄載體的磁性隧道結(jié)(MTJ)或磁性隧道結(jié)(MTJ)陣列，所述磁性隧道結(jié)兩端形成有電流驅(qū)動線的字線和位線，所述字線和位線通常位于相鄰的兩層互連金屬層中。所述磁性隧道結(jié)包括栓固磁層、自由磁層、及位于所述栓固磁層與自由磁層之間的隧穿阻擋層，所述栓固磁層具有固定的磁性方向。當(dāng)所述字線和位線中流過電流產(chǎn)生電流磁場， 將磁化所述自由磁層，改變所述自由磁層的磁化方向。當(dāng)所述自由磁層的磁化方向與所述栓固磁層的固定的磁性方向相同時，所述磁性隧道結(jié)處于平行狀態(tài)，所述磁性隧道結(jié)具有低阻值，這種狀態(tài)視為“0”狀態(tài)；當(dāng)所述自由磁層的磁化方向與所述栓固磁層的固定的磁性方向相同相反時，則所述磁性隧道結(jié)處于反平行狀態(tài)，所述磁性隧道結(jié)具有高阻值，這種狀態(tài)視為“I”狀態(tài)。更多的可以參考公開號為US2005/0254294A1的美國專利文獻中提供的ー種磁隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)。由于所述磁性隧道結(jié)(MTJ)通常設(shè)置在位于半導(dǎo)體襯底器件區(qū)上方的互連結(jié)構(gòu)區(qū)內(nèi)，且通常位于第一層金屬層和第二金屬層之間，或者第二金屬層和第三金屬層之間的位置，不占用半導(dǎo)體襯底的面積，且所述磁性隧道結(jié)(MTJ)的尺寸可以制作的非常小，因此，磁隨機存取存儲器的記錄密度是其他現(xiàn)有存儲器(如動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM)的成百上千倍。通常所述磁性隧道結(jié)與字線、位線之間通過導(dǎo)電插塞電連接，但是形成導(dǎo)電插塞的通孔的大小受限于光刻、刻蝕エ藝的最小尺寸，而所述磁性隧道結(jié)尺寸可以制作的很小，所述通孔的尺寸大于所述磁性隧道結(jié)的尺寸，使得刻蝕所述通孔時容易過刻蝕，將所述磁性隧道結(jié)周圍的介質(zhì)層也刻蝕掉，導(dǎo)致最終形成的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下表面的導(dǎo)電層的間距變小，兩者容易造成擊穿或短路，嚴重的會導(dǎo)致器件報廢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供ー種在磁性隧道結(jié)表面形成較小的導(dǎo)電插塞的方法，使得所述導(dǎo)電插塞完全位于所述磁性隧道結(jié)表面，避免了位于所述磁性隧道結(jié)表面的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下表面的導(dǎo)電材料發(fā)生擊穿或短路。為解決上述問題，本發(fā)明提供了ー種在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，包括提供基底，在所述基底內(nèi)形成互連金屬層，在所述互連金屬層表面形成磁性隧道結(jié)；在所述基底和磁性隧道結(jié)表面形成阻擋層；
在所述阻擋層表面形成介質(zhì)層，對所述介質(zhì)層進行圖形化的刻蝕，形成貫穿所述介質(zhì)層的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述阻擋層表面，位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于所述第一通孔的尺寸；在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物，以所述聚合物為掩膜，對所述第一阻擋層進行刻蝕，形成第二通孔，所述第二通孔暴露出所述磁性隧道結(jié)表面； 除去所述聚合物，在除去所述聚合物的第二通孔內(nèi)形成導(dǎo)電插塞。
可選的，通過調(diào)整所述阻擋層的厚度，使得位于所述第一阻擋層的表面尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸?？蛇x的，所述阻擋層為氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層或上述材料的疊層結(jié)構(gòu)?？蛇x的，形成所述介質(zhì)層的溫度范圍為150°C 350°C?？蛇x的，所述介質(zhì)層的材料為低K介質(zhì)?？蛇x的，所述介質(zhì)層的材料為低溫氧化物、碳氧化硅、摻氮的碳化硅其中的ー種?？蛇x的，形成所述聚合物的エ藝為利用碳氫氣體或含氟的碳氫氣體等反應(yīng)氣體，通過化學(xué)氣相沉積形成，所述聚合物為至少包含碳、氫、氧的化合物?？蛇x的，形成所述聚合物的具體步驟包括利用化學(xué)氣相沉積，在所述介質(zhì)層表面、所述第一通孔側(cè)壁和底部形成聚合物層；對所述聚合物層進行無掩膜刻蝕，直到暴露出所述介質(zhì)層，在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物。可選的，通過控制所述聚合物層的厚度、致密度，對所述第二通孔的尺寸進行控制?？蛇x的，所述第二通孔底部的尺寸小于所述磁性隧道結(jié)的尺寸?？蛇x的，所述磁性隧道結(jié)包括栓固磁層、自由磁層、及位于所述栓固磁層與自由磁層之間的隧穿阻擋層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點由于位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸，使得所述第一通孔不會形成于所述磁性隧道結(jié)側(cè)壁表面，最終形成的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下方的第一互連金屬層的間距不會變小，且在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物，使得形成的第二通孔的底部的橫截面尺寸較小，最終形成的導(dǎo)電插塞完全位于所述磁性隧道結(jié)表面，避免了上下兩層金屬層之間產(chǎn)生擊穿或短路，影響器件的穩(wěn)定性。


圖I為本發(fā)明實施例的在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法的流程示意圖；圖2至圖7為本發(fā)明實施例的在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式由于所述形成導(dǎo)電插塞的通孔的尺寸大于所述磁性隧道結(jié)的尺寸，使得刻蝕所述通孔時容易過刻蝕，將所述磁性隧道結(jié)周圍的介質(zhì)層也刻蝕掉，導(dǎo)致最終形成的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下方的導(dǎo)電材料的間距變小，容易造成擊穿或短路，嚴重的會導(dǎo)致器件報廢。其中，本發(fā)明實施例中提到的尺寸是指半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的橫向尺寸，即為所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的大小。發(fā)明人經(jīng)過研究提出了ー種在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，所述方法的流程示意圖請參考圖I，具體包括S101，提供基底，在所述基底內(nèi)形成互連金屬層，在所述互連金屬層表面形成磁性隧道結(jié)；S102，在所述基底和磁性隧道結(jié)表面形成阻擋層；S103，在所述阻擋層表面形成介質(zhì)層，對所述介質(zhì)層進行圖形化的刻蝕，形成貫穿所述介質(zhì)層的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述阻擋層表面，位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于所述第一通孔的尺寸； S104，在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物，以所述聚合物為掩膜，對所述第一阻擋層進行刻蝕，形成第二通孔，所述第二通孔暴露出所述磁性隧道結(jié)表面；S105,除去所述聚合物，在除去所述聚合物的第二通孔內(nèi)形成導(dǎo)電插塞。由于位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸，使得所述第一通孔不會形成于所述磁性隧道結(jié)側(cè)壁表面，最終形成的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下表面的導(dǎo)電材料的間距不會變小，且在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物，使得形成的第二通孔的底部的橫截面尺寸較小，最終形成的導(dǎo)電插塞可完全位于所述磁性隧道結(jié)表面，降低了導(dǎo)電插塞的接觸電阻。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。圖2至圖7為本發(fā)明實施例在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖2，提供基底100，在所述基底100內(nèi)形成互連金屬層110，在所述互連金屬層110表面形成磁性隧道結(jié)120。所述基底100為單層基底，或為包括半導(dǎo)體器件區(qū)、互連結(jié)構(gòu)區(qū)的多層基底。在本實施例中，所述基底為多層基底，包括單晶娃襯底(未圖不)、位于所述單晶娃襯底表面的半導(dǎo)體器件(未圖示)和位于所述半導(dǎo)體襯底、半導(dǎo)體器件表面的絕緣介質(zhì)層(未圖示)。在所述基底100內(nèi)形成有互連金屬層110，所述互連金屬層110可以為互連結(jié)構(gòu)區(qū)中的第一金屬層，也可以為第二金屬層、第三金屬層等，所述互連金屬層110的具體形成エ藝包括在所述基底100內(nèi)形成溝槽(未圖示)，在所述溝槽和基底100表面利用電鍍或物理氣相沉積形成金屬層，通過化學(xué)機械研磨除去所述基底100表面的金屬層，在所述基底100內(nèi)形成互連金屬層110。由于采用化學(xué)機械研磨，所述互連金屬層110和基底100表面平坦且等高，使得后續(xù)形成的磁性隧道結(jié)120的位置和尺寸容易控制，提高了最終形成的MRAM的可靠性。在其他實施例中，所述互連金屬層110為導(dǎo)電插塞，所述磁性隧道結(jié)120形成在所述導(dǎo)電插塞表面。在所述互連金屬層110表面形成磁性隧道結(jié)120。所述磁性隧道結(jié)包括栓固磁層、自由磁層、及位于所述栓固磁層與自由磁層之間的隧穿阻擋層。形成所述磁性隧道結(jié)120的具體エ藝包括在所述互連金屬層110和基底100表面形成磁性隧道結(jié)層(未圖示)，所述磁性隧道結(jié)層包括栓固磁層、位于所述栓固磁層表面的隧穿阻擋層、位于所述隧穿阻擋層表面的自由磁層，在所述磁性隧道結(jié)層表面形成圖形化的硬掩膜層，所述硬掩膜層的圖形與磁性隧道結(jié)的形狀相對應(yīng)，以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜，利用干法刻蝕所述磁性隧道結(jié)層，形成所述磁性隧道結(jié)120。由于所述磁性隧道結(jié)120的厚度較小，干法刻蝕的時間較短，所述干法刻蝕エ藝不會對所述刻蝕邊緣造成大大的損傷，不會使得所述磁性隧道結(jié)120邊緣的粗糙度變得過大，因此經(jīng)過光刻和刻蝕エ藝形成的磁性隧道結(jié)120的尺寸可以較小，利用所述較小的磁性隧道結(jié)可使得所述磁隨機存取存儲器的記錄密度變得更大。請參考圖3，在所述基底100和磁性隧道結(jié)120表面形成阻擋層130。所述阻擋層130為氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層或上述材料的疊層結(jié)構(gòu)，其中，位于所述磁性隧道結(jié)120表面的阻擋層為第一阻擋層131，所述阻擋層130的形成エ藝為化學(xué)氣相沉積。由于形成所述氧化硅層或氮化硅層或氮氧化硅的エ藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不再贅述。 所述阻擋層130的厚度與后續(xù)形成的第一通孔的尺寸、磁性隧道結(jié)的尺寸有夫，當(dāng)所述第一通孔的尺寸和磁性隧道結(jié)的尺寸之間相差較大時，所述阻擋層的厚度較大；當(dāng)所述第一通孔的尺寸和磁性隧道結(jié)的尺寸之間相差較小時，所述阻擋層的厚度可以較小。通過調(diào)整所述阻擋層130的厚度，使得位于所述磁性隧道結(jié)120表面的第一阻擋層131表面的尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸。在后續(xù)形成第一通孔時，由于位于所述磁性隧道結(jié)120表面的第一阻擋層131的表面尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸，所述形成的第一通孔的底部停止在所述第一阻擋層131的表面。而現(xiàn)有技術(shù)中，由于刻蝕出的通孔的尺寸大于所述磁性隧道結(jié)的尺寸，使得刻蝕所述通孔時容易過刻蝕，且由于存在較大的刻蝕選擇比，所述過刻蝕對磁性隧道結(jié)的刻蝕有限，但容易將所述磁性隧道結(jié)周圍的介質(zhì)層刻蝕掉，導(dǎo)致最終形成的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下方的導(dǎo)電材料的間距變小，容易造成擊穿或短路，而本發(fā)明實施例中所述第一阻擋層131的表面尺寸大于第一通孔的尺寸，使得所述磁性隧道結(jié)周圍的介質(zhì)層不會被刻蝕掉，不會造成所述磁性隧道結(jié)上下兩層導(dǎo)電材料的短路或擊穿。請參考圖4，在所述阻擋層表面形成介質(zhì)層140。由于所述磁性隧道結(jié)抗高溫能力差，在溫度高于350°C時容易造成器件受損，而常規(guī)的介質(zhì)層(如氧化硅層)形成エ藝為常壓化學(xué)氣相沉積或低壓化學(xué)氣相沉積，利用所述常壓化學(xué)氣相沉積或低壓化學(xué)氣相沉積エ藝形成所述氧化硅層時的溫度通常高于350°C，因此，在本實施例中，形成所述介質(zhì)層的エ藝為低溫氧化工藝，所述介質(zhì)層在形成過程中的溫度范圍為150°C 350°C。所述介質(zhì)層的材料為低K介質(zhì),如低溫氧化物(Low temperature Oxide, LTO)、碳氧化娃、摻氮的碳化娃其中的ー種。請參考圖5，對所述介質(zhì)層140進行圖形化的刻蝕，形成貫穿所述介質(zhì)層140的第一通孔141，所述第一通孔141暴露出第一阻擋層131的表面。形成所述第一通孔141的具體エ藝包括在所述介質(zhì)層140表面形成底部抗反射層(未圖示)，在所述底部抗反射層表面形成光刻膠層(未圖示)，對所述光刻膠層進行曝光顯影形成圖形化的光刻膠，所述圖形化的光刻膠與第一通孔的形狀、位置相對應(yīng)；以所述圖形化的光刻膠為掩膜，對所述底部抗反射層、介質(zhì)層140進行刻蝕，直到暴露出所述第一阻擋層131的表面，形成貫穿所述介質(zhì)層140的第一通孔141。其中，所述第一通孔的尺寸大于所述磁性隧道結(jié)的尺寸。由于所述介質(zhì)層的厚度較大，通常為所述磁性隧道結(jié)的厚度的兩倍至五倍，干法刻蝕形成第一通孔的時間較長，使得所述第一通孔邊緣的粗糙度變大，且當(dāng)?shù)谝煌椎某叽巛^小時，所述通孔的粗糙度更大，會造成器件性能的不穩(wěn)定，因此所述第一通孔的最小尺寸大于所述磁性隧道結(jié)的最小尺寸。為了防止所述第一通孔141過刻蝕，將所述磁性隧道結(jié)周圍的介質(zhì)層也刻蝕掉，導(dǎo)致最終形成的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下方的導(dǎo)電材料的間距變小，造成擊穿或短路，位于所述磁性隧道結(jié)120表面的第一阻擋層131的表面尺寸大于所述第一通孔141的尺寸，使得所述第一通孔141只能形成在所述第一阻擋層131的表面，避免了上下兩層導(dǎo)電材料被擊穿或短路。在本實施例中，所述第一阻擋層131的表面尺寸等于所述第一通孔141的尺寸。請ー并參考圖5和圖6，在所述第一通孔141的側(cè)壁表面形成聚合物145，以所述聚合物145為掩膜，對所述第一阻擋層131進行刻蝕，形成第二通孔142。 形成所述聚合物145的具體エ藝包括在所述介質(zhì)層140表面、在所述第一通孔141側(cè)壁和底部利用化學(xué)氣相沉積形成聚合物層；對所述聚合物層進行無掩膜刻蝕，直到暴露出所述介質(zhì)層140,在所述第一通孔141的側(cè)壁表面形成聚合物145。所述聚合物的材料為利用碳氫氣體(如C4H8)或含氟的碳氫氣體(如CH3F)等反應(yīng)氣體，通過化學(xué)氣相沉積形成的至少包含碳、氫、氧的化合物。所述聚合物的材料與介質(zhì)層140和阻擋層130的材料相關(guān)。在形成所述聚合物層的過程中，對通過控制化學(xué)氣相沉積的エ藝，可靈活控制所述聚合物層的性質(zhì)，如厚度、致密度等，可以實現(xiàn)對后續(xù)形成的通孔尺寸的精確控制；同時通過對所述無掩膜刻蝕的エ藝進行控制，如進行多步刻蝕、優(yōu)化刻蝕速率等，使得所述刻蝕エ藝對所述第一通孔141側(cè)壁表面的聚合物層中靠近所述介質(zhì)層140表面的聚合物的刻蝕速率較快，對所述第一通孔141側(cè)壁表面的聚合物層中靠近所述第一通孔141底部的聚合物刻蝕速率較慢，使得最終形成的聚合物145靠近所述介質(zhì)層140表面的部分較薄，靠近所述第一通孔141底部的部分較厚，使得所述第二通孔142的尺寸比第一通孔141的尺寸要小，所述第二通孔142底部的尺寸還小于所述磁性隧道結(jié)120的尺寸，后續(xù)形成的導(dǎo)電插塞完全位于所述磁性隧道結(jié)表面，降低了兩者的接觸電阻。請ー并參考圖6和圖7，除去所述聚合物145，在除去所述聚合物145的第二通孔142內(nèi)形成導(dǎo)電插塞150。除去所述聚合物的エ藝包括干法刻蝕或濕法刻蝕。本實施例中，除去所述聚合物的エ藝為灰化工藝。在所述第二通孔內(nèi)形成導(dǎo)電插塞的方法包括在所述通孔中利用物理氣相沉積或電化學(xué)沉積填充導(dǎo)電材料，如銅、鎢、鉭、氮化鉭等，然后利用化學(xué)機械掩膜平坦化介質(zhì)層，形成導(dǎo)電插塞。由于位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸，使得所述第一通孔不會形成于所述磁性隧道結(jié)側(cè)壁表面，最終形成的導(dǎo)電插塞與位于所述磁性隧道結(jié)下方的第一互連金屬層的間距不會變小，且在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物，使得形成的第二通孔的底部的橫截面尺寸較小，最終形成的導(dǎo)電插塞完全位于所述磁性隧道結(jié)表面，避免了上下兩層金屬層之間產(chǎn)生擊穿或短路，影響器件的穩(wěn)定性。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述掲示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.ー種在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，包括 提供基底，在所述基底內(nèi)形成互連金屬層，在所述互連金屬層表面形成磁性隧道結(jié)； 在所述基底和磁性隧道結(jié)表面形成阻擋層； 在所述阻擋層表面形成介質(zhì)層，對所述介質(zhì)層進行圖形化的刻蝕，形成貫穿所述介質(zhì)層的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述阻擋層表面，位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于所述第一通孔的尺寸； 在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物，以所述聚合物為掩膜，對所述第一阻擋層進行刻蝕，形成第二通孔，所述第二通孔暴露出所述磁性隧道結(jié)表面； 除去所述聚合物，在除去所述聚合物的第二通孔內(nèi)形成導(dǎo)電插塞。
2.如權(quán)利要求I所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，通過調(diào)整 所述阻擋層的厚度，使得位于所述第一阻擋層的尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸。
3.如權(quán)利要求I所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，所述阻擋層為氧化娃層、氮化娃層、氮氧化娃層或上述材料的疊層結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求I所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，形成所述介質(zhì)層的溫度范圍為150°C 350°C。
5.如權(quán)利要求4所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為低K介質(zhì)。
6.如權(quán)利要求5所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法,其特征在于,所述介質(zhì)層的材料為低溫氧化物、碳氧化娃、摻氮的碳化娃其中的ー種。
7.如權(quán)利要求I所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，形成所述聚合物的エ藝為利用碳氫氣體或含氟的碳氫氣體等反應(yīng)氣體，通過化學(xué)氣相沉積形成，所述聚合物為至少包含碳、氫、氧的化合物。
8.如權(quán)利要求I所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，形成所述聚合物的具體步驟包括利用化學(xué)氣相沉積，在所述介質(zhì)層表面、所述第一通孔側(cè)壁和底部形成聚合物層；對所述聚合物層進行無掩膜刻蝕，直到暴露出所述介質(zhì)層，在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物。
9.如權(quán)利要求8所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在干，通過控制所述聚合物層的厚度、致密度，對所述第二通孔的尺寸進行控制。
10.如權(quán)利要求9所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，所述第二通孔底部的尺寸小于所述磁性隧道結(jié)的尺寸。
11.如權(quán)利要求I所述在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，其特征在于，所述磁性隧道結(jié)包括栓固磁層、自由磁層、及位于所述栓固磁層與自由磁層之間的隧穿阻擋層。
全文摘要
一種在磁性隧道結(jié)表面形成導(dǎo)電插塞的方法，具體包括提供基底，在所述基底內(nèi)形成互連金屬層，在所述互連金屬層表面形成磁性隧道結(jié)；在所述基底和磁性隧道結(jié)表面形成阻擋層；在所述阻擋層表面形成介質(zhì)層，對所述介質(zhì)層進行圖形化的刻蝕，形成貫穿所述介質(zhì)層的第一通孔，位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于所述第一通孔的尺寸；在所述第一通孔的側(cè)壁表面形成聚合物，以所述聚合物為掩膜進行刻蝕，形成第二通孔；除去所述聚合物，在除去所述聚合物的第二通孔內(nèi)形成導(dǎo)電插塞。由于位于所述磁性隧道結(jié)表面的第一阻擋層的表面尺寸大于后續(xù)形成的第一通孔的尺寸，使得所述導(dǎo)電插塞不會與磁性隧道結(jié)下方的導(dǎo)電材料發(fā)生短路或擊穿。
文檔編號H01L43/12GK102969447SQ20111025598
公開日2013年3月13日 申請日期2011年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月31日
發(fā)明者曾賢成 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司