專利名稱：發(fā)光裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在導(dǎo)電構(gòu)件上設(shè)置發(fā)光元件而成的發(fā)光裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
在以發(fā)光元件作為光源的發(fā)光裝置中已進(jìn)行如下嘗試在發(fā)光元件的周圍設(shè)置包含銀等的反射膜而提高輸出，進(jìn)而利用濺鍍、CVD (Chemical Vapor D印osition，化學(xué)氣相沉積)等在反射膜上形成包含無機(jī)材料的保護(hù)膜而抑制反射膜的變色等(例如專利文獻(xiàn) 1)。[先行技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)]專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2009-2M538

發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所欲解決的問題]然而，在先前方法中，雖然可以利用反射膜暫時提高輸出，但是在使用時等，存在輸出下降的問題。即，在濺鍍、CVD等中，是通過材料成分以某種程度的直進(jìn)性觸碰至目的物而形成保護(hù)膜，所以例如在發(fā)光元件的附近，發(fā)光元件自身會成為障礙物而無法形成優(yōu)質(zhì)的保護(hù)膜。因此，存在隨著時間的經(jīng)過，從這些部分中反射膜優(yōu)先變差而變色等問題。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制反射膜的變色等而維持較高輸出的發(fā)光裝置及其制造方法。[解決問題的技術(shù)手段]本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法依序包括如下步驟導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備包含反射膜的導(dǎo)電構(gòu)件；發(fā)光元件配置步驟，在反射膜上配置發(fā)光元件；以及保護(hù)膜形成步驟， 利用原子層堆積法在反射膜上形成保護(hù)膜。本發(fā)明的發(fā)光裝置的其他制造方法依序包括如下步驟導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備導(dǎo)電構(gòu)件；發(fā)光元件配置步驟，在導(dǎo)電構(gòu)件上配置發(fā)光元件；引線連接步驟，利用引線將導(dǎo)電構(gòu)件與發(fā)光元件加以電性連接；反射膜形成步驟，在導(dǎo)電構(gòu)件及引線的表面上形成反射膜；以及保護(hù)膜形成步驟，利用原子層堆積法在反射膜的表面上形成保護(hù)膜。而且，本發(fā)明的發(fā)光裝置包含導(dǎo)電構(gòu)件，其包含反射膜；發(fā)光元件，其安裝在所述反射膜上；以及保護(hù)膜，其連續(xù)地覆蓋所述發(fā)光元件的表面與所述反射膜的表面；且所述經(jīng)安裝的發(fā)光元件附近的反射膜上所形成的保護(hù)膜的厚度與除所述發(fā)光元件附近以外的所述反射膜的表面上所形成的保護(hù)膜的厚度實質(zhì)上相等。[發(fā)明的效果]根據(jù)如上所述構(gòu)成的本發(fā)明，可提供一種能夠抑制反射膜的變色等而維持較高輸出的發(fā)光裝置及其制造方法。


圖I(A) (F)是用來說明一實施方式的發(fā)光裝置的制造方法的示意圖。圖2是圖I(F)的虛線框中的放大圖。圖3(A) (G)是用來說明其他實施方式的發(fā)光裝置的制造方法的示意圖。圖4A是利用藉由ALD而形成的保護(hù)膜所包覆的引線與反射膜的連接部附近的照片。圖4B是利用藉由濺鍍而形成的保護(hù)膜所包覆的引線與反射膜的連接部附近的照片。圖5A是放大表示一實施方式的發(fā)光裝置中的與反射膜連接的引線端部的截面圖。圖5B是對應(yīng)于圖5A的截面照片。[符號的說明]1導(dǎo)電構(gòu)件
Ia母材
Ib反射膜
2封裝體
2a基部
2b側(cè)壁
3發(fā)光元件
4引線
5保護(hù)膜
6密封構(gòu)件
具體實施例方式以下，一面參照附圖，一面說明用來實施本發(fā)明的方式。但是，以下所示的方式是例示用來使本發(fā)明的技術(shù)思想具體化的發(fā)光裝置的制造方法，而并非將本發(fā)明限定于以下內(nèi)容。而且，關(guān)于實施方式中所記載的構(gòu)成零件的尺寸、材質(zhì)、形狀、其相對的配置等，只要沒有特定的記載，便僅僅是例示，而并非將本發(fā)明的范圍僅限于此。再者，各附圖所示的構(gòu)件的大小或位置關(guān)系等存在為使說明明確而加以夸張的情況。[實施方式1]圖1 (A) (F)表示本實施方式的發(fā)光裝置的制造方法的各步驟。圖2是圖1 (F) 中的虛線框部的放大示意圖。(導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟)首先，如圖I(A)所示，準(zhǔn)備在母材Ia上設(shè)置反射膜Ib而成的導(dǎo)電構(gòu)件1 (導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟)。在這里，不但母材la，而且反射膜Ib也具有導(dǎo)電性。在本實施方式中，導(dǎo)電構(gòu)件是由母材和反射膜所構(gòu)成。母材Ia只要具備導(dǎo)電性即可，其材料并無限定。作為母材la，例如可以使用銅或銅合金。反射膜Ib只要能夠反射來自發(fā)光元件3的光即可，其材料并無限定。作為反射膜lb，例如可以使用銀、鋁，特別優(yōu)選的是設(shè)為含有高反射率的銀的材料。再者，關(guān)于圖1 (B) (F)，為便于說明，母材Ia和反射膜Ib并未個別地圖示，而是將它們一并表示為導(dǎo)電構(gòu)件1。而且，導(dǎo)電構(gòu)件既可以只包含反射膜，也可以使其他構(gòu)件介于母材Ia與反射膜Ib之間。此外，反射膜Ib無需形成于母材Ia的整個面上，例如只要形成在發(fā)光元件3附近的區(qū)域(區(qū)域A(圖幻)即可。(封裝體形成步驟)其次，如圖I(B)所示，例如可以在導(dǎo)電構(gòu)件1上形成包含基部加及側(cè)壁2b的封裝體2 (封裝體形成步驟)。關(guān)于封裝體的材料并無限定，例如可以利用樹脂、陶瓷來形成。當(dāng)封裝體是包含樹脂時，通過將導(dǎo)電構(gòu)件1配置在封裝體形成模具(未圖示)中，向其中灌入作為封裝體材料的樹脂并使其凝固，可以將封裝體2與導(dǎo)電構(gòu)件1形成為一體。在封裝體的凹部底面露出了導(dǎo)電構(gòu)件1的一部分。封裝體2是與導(dǎo)電構(gòu)件1形成為一體，只要具有絕緣性，其材料便無限定。作為封裝體2的材料，適合采用耐光性、耐熱性優(yōu)異的電氣絕緣性材料，例如可以使用聚鄰苯二甲酰胺等的熱塑性樹脂、環(huán)氧樹脂等的熱固性樹脂、玻璃環(huán)氧化物、陶瓷。而且，在本實施方式中，封裝體2是形成為具有側(cè)壁2b的構(gòu)成，但是不一定需要設(shè)置側(cè)壁。(發(fā)光元件配置步驟)其次，如圖1 (C)所示，在反射膜Ib上配置發(fā)光元件3 (發(fā)光元件配置步驟)。具體而言，可以通過粘接構(gòu)件(未圖示)，將發(fā)光元件3配置在反射膜Ib上。粘接構(gòu)件既可以具有導(dǎo)電性，也可以具有絕緣性。粘接構(gòu)件是用來將發(fā)光元件3配置并固定在導(dǎo)電構(gòu)件1上的構(gòu)件，其材料并無特別限定。例如，當(dāng)使粘接構(gòu)件3為絕緣性時，可以使用環(huán)氧樹脂、硅樹脂，當(dāng)使粘接構(gòu)件3為導(dǎo)電性時，可以使用Au-Sn合金、SnAgCu合金、SnPb合金、InSn合金、Ag、Sn、Ag。發(fā)光元件3可以使用公知的元件，例如可以設(shè)為包含能夠發(fā)藍(lán)色光或發(fā)綠色光的氮化物半導(dǎo)體(InxAlyCa1^yN,0 ( X、0 ( Y、X+Y ( 1)的 LED (light-emitting diode，發(fā)光二極管)。(引線連接步驟) 其次，如圖1⑶所示，還可以利用導(dǎo)電性引線4將發(fā)光元件3與反射膜Ib加以電性連接(引線連接步驟)。在這里，發(fā)光元件3與母材Ia通過導(dǎo)電性的反射膜Ib而電性連接。發(fā)光元件3在同一面?zhèn)染哂幸粚﹄姌O(未圖示)，當(dāng)使該側(cè)為上(發(fā)光觀測面?zhèn)? 配置發(fā)光元件3時，如該圖所示，還分別需要引線4。這時，如果發(fā)光元件3的導(dǎo)電構(gòu)件側(cè)具有絕緣性，那么粘接構(gòu)件不一定需要為絕緣性構(gòu)件，也可以考慮到導(dǎo)熱率而設(shè)為金屬等的導(dǎo)電性構(gòu)件。作為其他方式，當(dāng)發(fā)光元件在相反的兩面上分別具有電極時，其中一個電極會通過導(dǎo)電性的粘接構(gòu)件而通電，所以一根引線即可。另一方面，當(dāng)發(fā)光元件在同一面?zhèn)染哂幸粚﹄姌O并且使該側(cè)為下(與發(fā)光觀測面?zhèn)认喾粗畟?cè)(與導(dǎo)電構(gòu)件1相對向之側(cè)))配置發(fā)光元件時，兩個電極可以分別通過導(dǎo)電性的粘接構(gòu)件而通電，因此不需要引線。引線4是用來將發(fā)光元件3與母材Ia加以電性連接，其材料并無限定。作為引線 4的材料，例如可以使用包含金、銅、鉬、鋁、銀中的至少任一者的材料。
5
(保護(hù)膜形成步驟)其次，如圖1 (E)所示，利用原子層堆積法(以下，也會僅稱為「ALD」(Atomic Layer D印osition)))在反射膜Ib上形成保護(hù)膜5。即，從發(fā)光觀測面?zhèn)刃纬杀Ｗo(hù)膜5。與濺鍍等先前的方法不同，ALD是在每個原子層上形成反應(yīng)成分層的方法。以下，就使用TMA(三甲基鋁)及水(H2O)形成氧化鋁(Al2O3)的保護(hù)膜的情況進(jìn)行說明。首先，導(dǎo)入TMA氣體，使作為目的物的反射膜的表面的OH基與TMA發(fā)生反應(yīng)(第1 反應(yīng))。其次，排出剩余氣體。然后，導(dǎo)入H2O氣體，使經(jīng)第1反應(yīng)與OH基鍵合的TMA與H2O 發(fā)生反應(yīng)(第2反應(yīng))。其次，排出剩余氣體。接著，通過以第1反應(yīng)、排氣、第2反應(yīng)及排氣作為一個循環(huán)，重復(fù)該循環(huán)，可以形成特定膜厚的ai2O3。與濺鍍、CVD等不同，在ALD中，反應(yīng)成分的直進(jìn)性較低，因此即使在障礙物附近， 也會同等地供給反應(yīng)成分，從而在每個分子層上形成反應(yīng)成分。其結(jié)果使得障礙物附近的區(qū)域也與無障礙物的其他區(qū)域相同，能夠以更均勻的膜厚及膜質(zhì)形成更優(yōu)質(zhì)的保護(hù)膜。通過ALD而獲得的保護(hù)膜與通過先前方法所獲得的保護(hù)膜相比更優(yōu)質(zhì)，保護(hù)能力更優(yōu)異。因此，通過先前方法而獲得的保護(hù)膜即使為無障礙物的區(qū)域，也會以一定比例局部地發(fā)生變色等，但是通過ALD而獲得的保護(hù)膜無論有無障礙物，幾乎都未觀察到變色。此外，通過ALD而獲得的保護(hù)膜即使膜厚較薄，也可以充分保護(hù)反射膜，所以能夠形成比通過先前方法所獲得的保護(hù)膜更薄的保護(hù)膜。由此，可以抑制保護(hù)膜上的光的吸收，所以能夠形成為在初始特性中光輸出較高的發(fā)光裝置。當(dāng)在配置發(fā)光元件3之后形成保護(hù)膜5時，在先前方法中，存在發(fā)光元件3自身成為障礙物，保護(hù)膜5的材料成分未充分到達(dá)其周圍附近的問題。其結(jié)果導(dǎo)致保護(hù)膜5的質(zhì)量下降，或者膜厚變薄，發(fā)光元件3附近的區(qū)域(區(qū)域A(圖2))的反射膜變差而變色等。保護(hù)膜的質(zhì)量已下降等的部分與其他部分相比會產(chǎn)生更多針孔，可認(rèn)為由于這個原因，反射膜會經(jīng)硫化、溴化等而發(fā)生變色。發(fā)光元件的周圍附近的光輸出較強(qiáng)，所以由于發(fā)光元件周圍附近的反射膜的變色，發(fā)光裝置的光輸出會大幅下降。因此，通過采用ALD，即使在發(fā)光元件附近的區(qū)域(區(qū)域A(圖2))，也可以形成膜質(zhì)等優(yōu)異的保護(hù)膜5。由此，可以抑制區(qū)域A內(nèi)的反射膜Ib的變色等。而且，通過采用ALD，可以形成膜質(zhì)等優(yōu)異的保護(hù)膜5，此外還可以使所安裝的發(fā)光元件3附近的反射膜Ib上所形成的保護(hù)膜5的厚度與除發(fā)光元件3附近以外的反射膜 Ib的表面上所形成的保護(hù)膜5的厚度實質(zhì)上相等。由此，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，在形成保護(hù)膜5時可能成為障礙物的發(fā)光元件3的附近，也能夠?qū)⒛べ|(zhì)優(yōu)異的保護(hù)膜5形成至為防止反射膜Ib的變色所必需的厚度，從而可以有效地防止反射膜Ib變差。特別是當(dāng)剖視時，將發(fā)光元件3固定在反射膜Ib上的粘接構(gòu)件并未到達(dá)發(fā)光元件側(cè)面為止而只位于其內(nèi)側(cè)時，在發(fā)光元件底面的周緣部與反射膜之間會形成間隙。即使在這種情況下，通過ALD，也可以在該間隙中的反射膜上形成保護(hù)膜。當(dāng)在引線連接步驟之后利用先前方法形成保護(hù)膜時，由于存在引線4(引線4成為障礙物)，所以存在保護(hù)膜5的材料成分未充分到達(dá)引線4的下部的反射膜Ib的問題。其結(jié)果導(dǎo)致保護(hù)膜5的質(zhì)量下降或者膜厚變薄，該部分的反射膜Ib發(fā)生變色等。特別是在引線4的下部區(qū)域中引線4與反射膜Ib的連接部附近區(qū)域(區(qū)域B(圖2))內(nèi)，在先前方法中，不但會發(fā)生反射膜Ib的變色，而且會出現(xiàn)反射膜Ib被腐蝕而最終使引線4切斷的問
然而，如果是采用ALD，即使在引線4正下方的區(qū)域(特別是區(qū)域B (圖2))，也可以形成膜質(zhì)等優(yōu)異的保護(hù)膜5。由此，可以減輕區(qū)域B內(nèi)的保護(hù)膜變差，不但可以抑制變色等，而且可以抑制引線的切斷。此外，根據(jù)使用ALD形成保護(hù)膜5的本發(fā)明的制造方法，保護(hù)膜5如圖5A及圖5B 所示，是形成為填埋和反射膜Ib連接的引線4的端部與反射膜Ib之間所形成的間隙，所以可以防止該間隙周邊的反射膜Ib的變色或腐蝕。而且，根據(jù)本發(fā)明，無論引線的形態(tài)(引線4的端部(連接部)的形狀或從其端部起延伸的引線的方向)如何，均可以在引線4的端部周圍的反射膜Ib上形成厚度幾乎相同的保護(hù)膜5。例如，如圖5A及圖5B所示，在成為引線4的端部的背后的反射膜Ib上也形成了相同厚度的保護(hù)膜5。此外，根據(jù)本發(fā)明，在引線4端部附近所形成的保護(hù)膜5的厚度與除引線4端部附近以外的反射膜Ib的表面上所形成的保護(hù)膜5的厚度實質(zhì)上相等。由此，可以有效地防止引線4端部的周邊的反射膜Ib的變色或腐蝕。圖4A、圖4B表示保護(hù)膜形成步驟之后從發(fā)光觀測面?zhèn)扰臄z到的引線與反射膜的連接部附近的照片。圖4A是利用ALD形成了包含Al2O3的膜厚30nm的保護(hù)膜的圖，圖4B 是利用先前的濺鍍形成了包含Al2O3的膜厚30nm的保護(hù)膜的圖。這些照片是以使含有Ag 的反射膜容易硫化的方式，在硫成分過多的狀態(tài)下經(jīng)過一定時間后所拍攝的(兩者是在同一條件下的試驗)。如圖4A所示，通過ALD而形成的保護(hù)膜不管容易硫化的條件如何，不但在遠(yuǎn)離引線的無障礙物的區(qū)域，而且在引線正下方的區(qū)域(相當(dāng)于圖2的區(qū)域B)也未觀察到因硫化所引起的變色。另一方面，如圖4B所示，通過濺鍍而形成的保護(hù)膜即使在遠(yuǎn)離引線的無障礙物的區(qū)域內(nèi)也在多個部位發(fā)生點狀變色，在包含引線正下方的區(qū)域在內(nèi)的引線與反射膜的連接部的周邊，已連續(xù)地發(fā)生變色(在引線與反射膜的連接部存在引線的微細(xì)凹凸，可認(rèn)為由于其成為障礙物，所以不但引線正下方的區(qū)域，而且連接部的周邊整體都已經(jīng)發(fā)生變色)。根據(jù)這些實驗結(jié)果可知，通過利用ALD形成保護(hù)膜，可以形成優(yōu)質(zhì)的保護(hù)膜。為了提高作為發(fā)光裝置的光輸出，例如，還可以使用含有高反射率的銀的材料的引線，利用引線有效地進(jìn)行光反射。然而，與反射膜發(fā)生變色相同，含有包含銀的材料的引線的變色也會成為問題。在這種情況下，只要利用ALD，也可以由于上述理由而從引線的發(fā)光觀測面?zhèn)戎料喾磦?cè)(反射膜側(cè))在引線的整個表面形成保護(hù)膜，因此可以有效地抑制引線的變色等。在封裝體形成步驟之后利用先前方法形成保護(hù)膜時，存在因為封裝體2的側(cè)壁的存在(封裝體側(cè)壁成為障礙物)，保護(hù)膜5的材料成分未充分到達(dá)由側(cè)壁所構(gòu)成的凹部底面的側(cè)壁附近(區(qū)域C(圖幻)的問題。其結(jié)果導(dǎo)致保護(hù)膜5的質(zhì)量下降或者膜厚變薄，該部分的反射膜Ib發(fā)生變色等。在封裝體2的側(cè)壁附近的反射膜Ib的變色雖然與區(qū)域A內(nèi)的反射膜Ib的變色相比不會對輸出造成不良影響，但是絕非可以忽視的問題。因此，通過采用ALD，即使在側(cè)壁2b附近的區(qū)域(區(qū)域C (圖2))，也可以形成膜質(zhì)等優(yōu)異的保護(hù)膜5。由此，可以抑制區(qū)域C內(nèi)的反射膜Ib的變色，因此可以進(jìn)一步減輕作為發(fā)光裝置的光輸出的下降。
當(dāng)反射膜Ib包含銀時，雖然在反射率較高方面有利，但是在先前方法中，存在隨著時間經(jīng)過，反射膜發(fā)生變色而使輸出容易下降的問題。但是，只要利用ALD形成保護(hù)膜， 即使反射膜是含有銀的材料，也可以有效地防止變色等，因而較佳。作為保護(hù)膜5，例如可以采用氧化鋁(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氮化鋁(AlN)或氮化硅(Si3N4),優(yōu)選的可以設(shè)為氧化鋁或二氧化硅，更優(yōu)選的可以設(shè)為氧化鋁。由此，可以抑制來自發(fā)光元件的光的吸收，形成為保護(hù)能力優(yōu)異的保護(hù)膜。作為保護(hù)膜5的膜厚，可以設(shè)為Inm以上未滿50歷，優(yōu)選的是2nm以上未滿25歷， 更優(yōu)選的是3nm以上未滿lOnm。由此，可以一面保持作為保護(hù)膜的作用，一面抑制來自發(fā)光元件的光的吸收而形成為高輸出的發(fā)光元件。在圖I(E)等中，不但在封裝體2的凹部底面，而且在側(cè)壁2b的上表面及內(nèi)壁上也形成了保護(hù)膜5，但是也可以例如使側(cè)壁2b的上表面及內(nèi)壁上不形成保護(hù)膜5。在封裝體 2的凹部底面，也可以局部地設(shè)置未形成保護(hù)膜5的區(qū)域。(其他步驟)如圖I(F)所示，根據(jù)需要，可以在由封裝體的側(cè)壁2b所構(gòu)成的凹部的內(nèi)側(cè)形成密封構(gòu)件6 (密封構(gòu)件形成步驟)。接著，切斷導(dǎo)電構(gòu)件1以使各自分別發(fā)揮作為發(fā)光裝置的作用(導(dǎo)電構(gòu)件切斷步驟)之后，可以根據(jù)需要，將導(dǎo)電構(gòu)件1彎折到封裝體2的背面(導(dǎo)電構(gòu)件彎折步驟)而形成為各個發(fā)光裝置。密封構(gòu)件6是用來密封發(fā)光元件3的構(gòu)件，只要使來自發(fā)光元件3的光透射至外部，其材料便無限定。作為密封構(gòu)件6的材料，例如可以使用硅樹脂、環(huán)氧樹脂等。此外， 在密封構(gòu)件6中，也可以含有利用來自發(fā)光元件3的光進(jìn)行發(fā)光的熒光構(gòu)件。作為熒光構(gòu)件，可以使用公知的構(gòu)件，當(dāng)發(fā)光元件3發(fā)出藍(lán)色光時，通過設(shè)為發(fā)黃色光的YAG(yttriUm aluminum garnet, ·乙招石槽石)系焚光體、TAG (terbium aluminum garnet,鋮招石槽石) 系熒光體、硅酸鍶系熒光體等，可以作為整個發(fā)光裝置獲得白色光。[實施方式2]根據(jù)圖3，說明本實施方式。再者，對與實施方式1相同的構(gòu)件使用相同的編號，并且省略重復(fù)說明。(導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟)首先，如圖3 (A)所示，準(zhǔn)備導(dǎo)電構(gòu)件1 (導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟)。在本實施方式中，與實施方式1不同，只由母材形成導(dǎo)電構(gòu)件，在該階段并未設(shè)置反射膜lb。(封裝體形成步驟)其次，如圖3(B)所示，可以在導(dǎo)電構(gòu)件1上形成包含基部加及側(cè)壁2b的封裝體 2(封裝體形成步驟)。(發(fā)光元件配置步驟)其次，如圖3(C)所示，在導(dǎo)電構(gòu)件1上配置發(fā)光元件3 (發(fā)光元件配置步驟)。具體而言，可以通過粘接構(gòu)件(未圖示)將發(fā)光元件3配置在導(dǎo)電構(gòu)件1上。(引線連接步驟)其次，如圖3(D)所示，利用導(dǎo)電性的引線4將導(dǎo)電構(gòu)件1與發(fā)光元件3加以電性連接(引線連接步驟)。(反射膜形成步驟)
其次，在導(dǎo)電構(gòu)件1及引線4的表面上形成反射膜Ib (反射膜形成步驟)。為方便作圖，在圖3(E)中，在引線4的表面上并未圖示反射膜lb，但是在本實施方式中，實際上不但在導(dǎo)電構(gòu)件1的表面，而且在引線4的表面上也形成了反射膜lb。反射膜Ib也覆蓋了導(dǎo)電構(gòu)件1與引線4的接合部分。由此，可以抑制在引線4的表面上的光吸收，所以能夠形成為輸出更高的發(fā)光裝置。作為反射膜Ib的形成方法，可以采用已有的方法。特別是如果采用電鍍法，那么可以不在非導(dǎo)體的發(fā)光元件3的表面上形成反射膜(金屬膜)，而在導(dǎo)電構(gòu)件1及引線4等的表面上選擇性地形成反射膜lb。再者，關(guān)于反射膜Ib的材料，與實施方式1相同，可以設(shè)為銀等。(保護(hù)膜形成步驟)其次，如圖3(F)所示，利用ALD在反射膜Ib的表面上形成保護(hù)膜5。為方便作圖， 在圖3(F)中，在引線4的表面上并未圖示保護(hù)膜5，但是在本實施方式中，實際上隔著反射膜Ib，也在引線4的表面上形成了保護(hù)膜5。(其他步驟)如圖3(G)所示，可以根據(jù)需要，在由封裝體的側(cè)壁2b所構(gòu)成的的凹部的內(nèi)側(cè)形成密封構(gòu)件6 (密封構(gòu)件形成步驟)。此外，在切斷導(dǎo)電構(gòu)件1以使各自分別發(fā)揮作為發(fā)光裝置的作用(導(dǎo)電構(gòu)件切斷步驟)之后，可以根據(jù)需要將導(dǎo)電構(gòu)件1彎折至封裝體2的背面 (導(dǎo)電構(gòu)件彎折步驟)而形成為各個發(fā)光裝置。[工業(yè)上的可利用性]本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法可以用于照明用光源、各種指示器用光源、車載用光源、顯示器用光源、液晶的背光用光源、傳感器用光源、信號機(jī)等各種發(fā)光裝置的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于依序包括如下步驟 導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備包含反射膜的導(dǎo)電構(gòu)件；發(fā)光元件配置步驟，在所述反射膜上配置發(fā)光元件；以及保護(hù)膜形成步驟，利用原子層堆積法，在所述反射膜的表面上形成保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中在所述發(fā)光元件配置步驟與所述保護(hù)膜形成步驟之間，包含利用引線將所述反射膜與所述發(fā)光元件加以電性連接的引線連接步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中在所述導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟與所述發(fā)光元件配置步驟之間，包含在所述導(dǎo)電構(gòu)件上形成具有側(cè)壁的封裝體的封裝體形成步驟。
4.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于依序包括如下步驟 導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備導(dǎo)電構(gòu)件；發(fā)光元件配置步驟，在所述導(dǎo)電構(gòu)件上配置發(fā)光元件； 弓丨線連接步驟，利用弓丨線將所述導(dǎo)電構(gòu)件與所述發(fā)光元件加以電性連接； 反射膜形成步驟，在所述導(dǎo)電構(gòu)件及所述引線的表面上形成反射膜；以及保護(hù)膜形成步驟，利用原子層堆積法，在所述反射膜的表面上形成保護(hù)膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于所述反射膜包含銀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于所述保護(hù)膜為氧化鋁或二氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于在所述反射膜形成步驟中，利用電鍍法形成所述反射膜。
8.一種發(fā)光裝置，其包含 導(dǎo)電構(gòu)件，其包含反射膜； 發(fā)光元件，其安裝在所述反射膜上；保護(hù)膜，其連續(xù)地覆蓋所述發(fā)光元件的表面與所述反射膜的表面； 所述經(jīng)安裝的發(fā)光元件附近的反射膜上所形成的保護(hù)膜的厚度與除所述發(fā)光元件附近以外的所述反射膜的表面上所形成的保護(hù)膜的厚度實質(zhì)上相等。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件與所述反射膜為引線接合，所述保護(hù)膜是形成為填埋和所述反射膜連接的引線端部與所述反射膜之間所形成的間隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中所述引線端部周圍的反射膜上形成了厚度幾乎相同的所述保護(hù)膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中在所述引線端部附近所形成的保護(hù)膜的厚度與除所述引線端部附近以外的反射膜的表面上所形成的保護(hù)膜的厚度實質(zhì)上相等。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制反射膜的變色等而維持較高輸出的發(fā)光裝置及其制造方法。一實施方式的發(fā)光裝置的制造方法是依序包括如下步驟導(dǎo)電構(gòu)件準(zhǔn)備步驟，準(zhǔn)備包含反射膜的導(dǎo)電構(gòu)件；發(fā)光元件配置步驟，在反射膜上配置發(fā)光元件；以及保護(hù)膜形成步驟，利用原子層堆積法在反射膜上形成保護(hù)膜。
文檔編號H01L33/62GK102386288SQ201110251580
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月25日
發(fā)明者若木貴功 申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會社