專利名稱：具有柔性的連接裝置的功率組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種功率組件，如同從功率半導(dǎo)體模塊中所公知的那樣并在那里形成例如半橋電路的功能單元。這種功率組件由具有功率半導(dǎo)體構(gòu)件和必要的連接元件的襯底構(gòu)成?；旧线@些連接元件被公知為打線接合連接件。
背景技術(shù)：
作為這種打線接合連接件的至少部分、但是優(yōu)選全部的替代品，例如由DE 102007 006 706A1公開(kāi)了機(jī)械的柔性的連接裝置，該連接裝置由導(dǎo)電的膜和絕緣的膜所制成的膜復(fù)合物組成。這里優(yōu)選，導(dǎo)電的膜本身是結(jié)構(gòu)化的并由此構(gòu)成分膜，由此為所要實(shí)現(xiàn)的連接拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了必要的靈活性。但這種設(shè)計(jì)方案的缺點(diǎn)是，例如DE 10 2007044 620A1中所公開(kāi)的那樣，連接裝置與襯底之間部分必需有電絕緣的填料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)在于，提供一種被公知的功率組件，其中連接裝置如下地改進(jìn)，從而使得連接裝置與襯底之間的電絕緣填料的局部的設(shè)計(jì)，特別在功率半導(dǎo)體構(gòu)件的邊緣區(qū)域內(nèi)可以被取消。該任務(wù)依據(jù)本發(fā)明通過(guò)依據(jù)權(quán)利要求1的功率組件得以實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選的實(shí)施方式在從屬權(quán)利要求中予以說(shuō)明。本發(fā)明的出發(fā)點(diǎn)是一種功率半導(dǎo)體模塊，其由殼體、外部的接線元件和至少一個(gè)功能功率組件組成。該功率組件具有襯底、至少一個(gè)第一和第二功率半導(dǎo)體構(gòu)件和至少一個(gè)機(jī)械柔性的連接裝置。襯底在它那方面具有第一主面，該第一主面包括多個(gè)彼此電絕緣的第一和第二導(dǎo)體軌跡用于依據(jù)電路布置功率半導(dǎo)體構(gòu)件。這些功率半導(dǎo)體構(gòu)件優(yōu)選與在朝向襯底的主面上的第二接觸面導(dǎo)電地并且機(jī)械地與那里的在第一接觸面上的被配屬的導(dǎo)體軌跡連接。在各個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的背離襯底的主面上分別布置至少一個(gè)第一接觸功率組件的柔性的連接裝置由導(dǎo)電膜和至少一個(gè)電絕緣膜的交替的層序制成，由此基本上產(chǎn)生了由至少三個(gè)膜組成的堆疊。至少一個(gè)導(dǎo)電膜本身是結(jié)構(gòu)化的以便構(gòu)成分膜，由此，由在堆疊內(nèi)獲得從該膜留空的區(qū)域。依據(jù)本發(fā)明，第一導(dǎo)電膜具有包括所配屬的第一接觸面的至少一個(gè)第一分膜，該第一接觸面機(jī)械直接地并且導(dǎo)電地與在所配屬的功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一主面上的所配屬的第一接觸面連接。在這里，第一導(dǎo)電膜的該第一分膜與第二導(dǎo)電膜的第二分膜借助至少一個(gè)第一鍍通孔穿過(guò)在其間所布置的絕緣膜導(dǎo)電地連接。該第一鍍通孔優(yōu)選布置在絕緣膜的與功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一主面鄰近的那些第一區(qū)段內(nèi)，由此獲得某種程度上由功率半導(dǎo)體構(gòu)件的接觸面、第一分膜的接觸面、該第一分膜本身、鍍通孔和第二分膜的一部分所組成的垂直層序。此外優(yōu)選的是，絕緣膜的第一區(qū)段在其水平擴(kuò)展中在所有側(cè)向上足夠?qū)挼丿B蓋各個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件并由此相對(duì)于第二膜或至少一個(gè)第二分膜電絕緣。與此相反優(yōu)選的是，第一導(dǎo)電膜的第一分膜水平地?cái)U(kuò)展直至最大到所配屬的功率半導(dǎo)體構(gòu)件的邊緣并由此水平地不疊蓋功率半導(dǎo)體構(gòu)件。在這種情況下，該第一分膜僅用作第二導(dǎo)電膜的連接輔助件，該第二導(dǎo)電膜然后在它那方面形成功率半導(dǎo)體構(gòu)件的其它內(nèi)部、或者還有外部的導(dǎo)電連接。此外，在該設(shè)計(jì)方案中有意義的是第一導(dǎo)電膜盡可能薄地構(gòu)造，因?yàn)榈谝粚?dǎo)電膜的載流能力在截面上相對(duì)于第二導(dǎo)電膜很少會(huì)發(fā)生故障。此外，第二功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一接觸面同樣借助第一分膜和第一鍍通孔與第二分膜并由此與第一功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一接觸面導(dǎo)電地連接，由此兩個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一主面、或在那里布置的接觸面借助第二分膜產(chǎn)生導(dǎo)電連接。作為對(duì)此的替代或補(bǔ)充，襯底的與第一導(dǎo)體軌跡電絕緣的第二導(dǎo)體軌跡的第二接觸面間接地或直接地與第二分膜機(jī)械地連接，由此獲得該第二接觸面與功率半導(dǎo)體構(gòu)件或功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一接觸面的導(dǎo)電的連接。在這里，直接的機(jī)械連接優(yōu)選通過(guò)襯底的第二導(dǎo)體軌跡的第二接觸面與第二導(dǎo)電膜的第二分膜的接觸面的材料鎖合的或力鎖合的連接構(gòu)成。替代的間接機(jī)械連接在這里優(yōu)選通過(guò)第一導(dǎo)電膜的第三分膜GOOc)的材料鎖合的或力鎖合的連接構(gòu)成，該第一導(dǎo)電膜借助第二鍍通孔穿過(guò)絕緣膜與第二導(dǎo)電膜連接。直接的機(jī)械連接因此被理解為兩個(gè)連接伙伴的連接，這兩個(gè)連接伙伴最大僅通過(guò)連接材料例如粘合材料彼此間隔。與此相反，間接的機(jī)械連接具有其它的布置在連接伙伴之間的部件。


現(xiàn)借助依據(jù)圖1-4的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的解決方案做進(jìn)一步闡述。圖1示出半橋電路布置方案的電路圖；圖2示出依據(jù)本發(fā)明的功率組件的第一設(shè)計(jì)方案的截面圖；圖3示出該功率組件的俯視圖；圖4示出依據(jù)本發(fā)明的功率組件第二設(shè)計(jì)方案的截面圖。
具體實(shí)施例方式圖1示出了半橋電路布置方案的電路圖。該半橋電路由串聯(lián)電路中的第一和第二功率開(kāi)關(guān)組成，包括該串聯(lián)電路的直流電壓輸入端和在該串聯(lián)電路的中間接頭上的交流電壓輸出端。典型的是，每個(gè)這種功率開(kāi)關(guān)通過(guò)作為功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的多個(gè)包括反并聯(lián)地連接的功率二極管的功率晶體管構(gòu)成。這種半橋電路布置方案形成了功率電子電路的具有重要意義的基本類型，實(shí)現(xiàn)了大量不同的功率半導(dǎo)體模塊。依據(jù)本發(fā)明的功率組件包括例如剛好這種的、作為功率半導(dǎo)體模塊的功能單元的半橋電路布置方案。不言而喻，依據(jù)本發(fā)明的功率組件并不局限于這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖2示出了依據(jù)本發(fā)明的功率組件第一設(shè)計(jì)方案的截面圖。所示為具有第一 22和第二 M彼此電絕緣的導(dǎo)體軌跡的襯底2。在這種設(shè)計(jì)方案中，襯底2為了構(gòu)成這種絕緣功能具有由絕緣材料例如絕緣陶瓷制成的基體20。此外，所示出功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a，在這里為具有兩個(gè)主面30a、32以及布置在這些主面上的接觸面310a、320的功率二極管。第二接觸面320在這里與襯底2的第一導(dǎo)體軌跡22導(dǎo)電地并且機(jī)械地固定連接。為了將布置在功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的背離襯底2的第一側(cè)面上的第一接觸面310a與第二導(dǎo)體軌跡M導(dǎo)電地連接，設(shè)置了連接裝置4。該連接裝置4在這里是具有第一 40和第二 44導(dǎo)電膜以及在其間布置的絕緣膜42的膜復(fù)合物。優(yōu)選的是，為了獲得該膜復(fù)合物4的機(jī)械的柔性，導(dǎo)電膜40、44具有的厚度在50 μ m和500 μ m之間并且絕緣膜42具有的厚度在10 μ m禾口 100 μ m之間。此外，在這里該膜復(fù)合物4的兩個(gè)導(dǎo)電膜40、44本身是結(jié)構(gòu)化的，以便將配屬于這些導(dǎo)電膜的單個(gè)的分膜400a、440構(gòu)造為這些導(dǎo)電膜的一部分。同樣的，絕緣膜42可以是結(jié)構(gòu)化的。由此，三個(gè)膜的復(fù)合體4僅是區(qū)段方式地完整地構(gòu)成。例如，朝向襯底2的第一導(dǎo)電膜40構(gòu)成了第一主面30a上方的，也就是與第一主面30a直接鄰近并僅限于功率半導(dǎo)體構(gòu)件3那里的第一接觸面310a區(qū)域上的第一分膜400a。作為用于導(dǎo)電連接的連接技術(shù)，適用例如所有公知的材料鎖合的連接，特別是也適用燒結(jié)連接?；旧贤瑯涌梢詰?yīng)用力鎖合的連接。在該區(qū)域內(nèi)，還設(shè)置有由膜復(fù)合物4的多個(gè)缺口組成的第一鍍通孔48a，以便將第一導(dǎo)電膜40的第一分膜400a與第二導(dǎo)電膜44的第二分膜440導(dǎo)電連接。該第二分膜440直接通過(guò)本身所配屬的接觸面444與第二導(dǎo)體軌跡M的接觸面244導(dǎo)電地并且直接機(jī)械地連接。為了構(gòu)成這種連接，材料鎖合的或力鎖合的連接技術(shù)同樣適用。作為用于直接的機(jī)械連接的替代方案，此外，顯示了第二分膜440與襯底2的第二導(dǎo)體軌跡M的間接的機(jī)械連接。為此，連接裝置4具有第一導(dǎo)電膜40的第三分膜400c，該第三分膜借助優(yōu)選相同于第一鍍通孔構(gòu)成的第二鍍通孔48b。該第三分膜400c不僅是出于經(jīng)濟(jì)制造的原因優(yōu)選以相同的連接技術(shù)與第二導(dǎo)體軌跡M或第二導(dǎo)體軌跡的接觸面244連接，正如第一分膜400a與功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的接觸面310a連接那樣?；旧显诠β式M件的內(nèi)部可行的是，第二分膜440與第二導(dǎo)體軌跡對(duì)既可以直接地，也可以間接地機(jī)械連接，這一點(diǎn)取決于位置要求和周圍的組件可以任意地選取。例如，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電膜44由于高載流能力必須特別厚地選擇，因?yàn)橛纱诉B接裝置4的機(jī)械柔性較小，在功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的接觸位置與第二導(dǎo)體軌跡的距離非常小的情況下，可以優(yōu)選間接連接。通過(guò)連接裝置4引導(dǎo)的其它電位的類型和數(shù)量在特殊的應(yīng)用情況下同樣影響這種選取。在兩個(gè)導(dǎo)電膜40、44之間布置的絕緣膜42為此在第二分膜440與第二導(dǎo)體軌跡24的第二接觸面244直接連接的區(qū)域內(nèi)被留空。在功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的第一主面310a與第二導(dǎo)體軌跡M連接的區(qū)域內(nèi)，絕緣層42由此在功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的邊緣區(qū)域上，直至第二導(dǎo)體軌跡244與第二分膜440連接的邊緣妨4疊蓋功率半導(dǎo)體構(gòu)件3。優(yōu)選功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的這種疊蓋通過(guò)絕緣膜42在邊緣區(qū)域在所有側(cè)向上進(jìn)行。這種設(shè)計(jì)方案的重要的優(yōu)點(diǎn)基于，在這里，絕緣膜42用作第二分膜440與第一導(dǎo)體軌跡22的電絕緣部分并且由此可以取消使用用于構(gòu)成這種絕緣部分的額外的裝置。圖3以俯視圖差異地示出剛才所描述的功率組件，在這里，功率晶體管被設(shè)置為功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a。該功率晶體管3a在其第一主面30a上具有兩個(gè)第一接觸面310a、312，其中，較大的第一接觸面310a用于負(fù)載連接以及較小的第一接觸面312用于控制連接。所示的襯底2具有三個(gè)導(dǎo)體軌跡22、24、沈，其中，第一導(dǎo)體軌跡22和第二導(dǎo)體軌跡M用于負(fù)載電流引導(dǎo)以及另外的第二導(dǎo)體軌跡26用于引導(dǎo)控制電流。第二導(dǎo)體軌跡MJ6分別具有接觸面對(duì)4、對(duì)6，用于與第二導(dǎo)電膜44的各個(gè)第二、但彼此電絕緣的分膜440、442直接機(jī)械地并且導(dǎo)電地連接。第二分膜440亦如圖2中所示那樣，將功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的負(fù)載接觸面310a與第二導(dǎo)體軌跡M連接，而另外的第二分膜442則將功率半導(dǎo)體構(gòu)件3的控制接觸面312與另外的第二導(dǎo)體軌跡沈連接。第一導(dǎo)電膜40的各個(gè)第一分膜400a進(jìn)而第一分膜所配屬的接觸面410a的在俯視圖中的、與圖2中的水平擴(kuò)展對(duì)應(yīng)的側(cè)面擴(kuò)展，在這里，分別小于功率半導(dǎo)體構(gòu)件的所配屬的接觸面310a的側(cè)面擴(kuò)展。但這里未示出的絕緣膜的在俯視圖中與圖2中的水平擴(kuò)展對(duì)應(yīng)的側(cè)面擴(kuò)展，在這種設(shè)計(jì)方案中，在所有側(cè)向上在功率半導(dǎo)體構(gòu)件3上一直達(dá)到第二導(dǎo)體軌跡M、26與第二分膜440、442之間的接觸面M4、444、M6、446的各個(gè)邊緣454、456。圖4以截面圖示出依據(jù)本發(fā)明的功率組件的第二設(shè)計(jì)方案。在這里示出了兩個(gè)相同的被并聯(lián)連接的功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a/3b的導(dǎo)電連接，正如技術(shù)上實(shí)現(xiàn)半橋電路經(jīng)常需要的那樣。以相同的方式構(gòu)成了功率晶體管和功率二極管的反并聯(lián)電路。在基本上與那些依據(jù)圖2相同地構(gòu)成的襯底2的共用第一導(dǎo)體軌跡22上，在這里，兩個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a/;3b利用它們的第二接觸面320進(jìn)行布置并導(dǎo)電地連接。在第一主面30a/30b上的第一接觸面310a/310b分別與第一導(dǎo)電膜40的第一分膜400a/400b連接，其中，依據(jù)本發(fā)明該第一導(dǎo)電膜40不構(gòu)成在各個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a/;3b之間的導(dǎo)電連接。因此，用于構(gòu)成這種連接足夠的是，第一分膜400a/400b的水平擴(kuò)展小于功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a/3b的水平擴(kuò)展。此外，甚至優(yōu)選第一分膜400a/400b的水平擴(kuò)展小于各個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a/3b的所配屬的接觸面310a/310b的水平擴(kuò)展。為了連接兩個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a/3b，每個(gè)第一分膜400a/400b借助第一鍍通孔48a與第二導(dǎo)電膜44的共用第二分膜440導(dǎo)電地連接，由此，該第二分膜440也構(gòu)成了功率半導(dǎo)體構(gòu)件3a/;3b之間的導(dǎo)電連接。在這種設(shè)計(jì)方案中，與第二導(dǎo)電膜44相比，第一導(dǎo)電膜40也可以特別薄地構(gòu)成，因?yàn)榈谝粚?dǎo)電膜40在截面上無(wú)需具有高載流能力。因?yàn)榻^緣膜42在適當(dāng)選擇的情況下典型的也可以非常薄地構(gòu)成并且由此僅第二導(dǎo)電膜44是重要的，所以整個(gè)連接裝置4具有高的機(jī)械的柔性。這種柔性在這里與已經(jīng)提到的優(yōu)點(diǎn)相配合，從而可以取消功率組件內(nèi)部的額外的絕緣裝置。此外，詳細(xì)地示出了第一鍍通孔48a的構(gòu)成，其中，有利的是依據(jù)圖2的第二鍍通孔48b以正是這樣的方式構(gòu)成。鍍通孔48a由多個(gè)、優(yōu)選大量的、對(duì)齊地穿過(guò)連接裝置4的所有膜40、42、44的圓形缺口 480組成。這些缺口 480和導(dǎo)電膜40、44的整個(gè)暴露的表面由理想的統(tǒng)一厚度的金屬化部482覆蓋。該金屬化部482的厚度有利地處于1 μ m的數(shù)量級(jí)。
權(quán)利要求
1.功率組件(1)，具有襯底O)、至少一個(gè)第一功率半導(dǎo)體構(gòu)件和至少一個(gè)第二功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/:3b)以及至少一個(gè)機(jī)械柔性的連接裝置G)，其中，所述襯底( 具有第一主面，所述第一主面具有多個(gè)彼此絕緣的導(dǎo)體軌跡02、24,26)用于依據(jù)電路布置所述功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/;3b)，其中，各個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/3b)的分別背離所述襯底的第一主面(30)分別具有至少一個(gè)第一接觸面(310a/310b、312)，柔性的所述連接裝置由導(dǎo)電膜(40、44)和至少一個(gè)電絕緣膜0 的交替層序制成并且在這里至少一個(gè)導(dǎo)電膜(40、44)本身是結(jié)構(gòu)化的以便構(gòu)成分膜G00a/400b/400c、402,440,442)，其中，第一導(dǎo)電膜GO)具有至少一個(gè)包括第一接觸面Gl0a/410b、412)的第一分膜(400a/400b/400c,402)并且所述第一接觸面導(dǎo)電地并且直接機(jī)械地與各個(gè)所述功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3)的第一主面(30a/30b)的所配屬的第一接觸面(310a/310b、312)連接，其中，所述第一導(dǎo)電膜GO)的至少一個(gè)所述第一分膜G00a/400b、402)與第二導(dǎo)電膜04)的第二分膜(440)借助至少一個(gè)第一鍍通孔(48a)穿過(guò)在其間所布置的所述絕緣膜02)導(dǎo)電地連接，以及第二功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3b)的第一接觸面(310b)同樣與所述第二分膜G40)導(dǎo)電地連接并通過(guò)所述第二分膜與所述第一功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a)的第一接觸面(310a)導(dǎo)電地連接，和/或所述襯底O)的與第一導(dǎo)體軌跡0 電絕緣的第二導(dǎo)體軌跡0446)的第二接觸面(244,246)機(jī)械地間接或直接與所述第二分膜導(dǎo)電地連接并通過(guò)所述第二分膜與所述第一功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a)的第一接觸面(310a)導(dǎo)電地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率組件，其中，第一膜GO)的第一分膜(400a/400b、402)的接觸面Gl0a/410b、412)與各個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/;3b)的第一接觸面(310a/310b、312)的直接機(jī)械的連接被構(gòu)成為材料鎖合的或力鎖合的連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率組件，其中，第二分膜(440、44幻的接觸面(444、446)與所述襯底⑵的第二導(dǎo)體軌跡04 J6)的接觸面(M4J46)的直接機(jī)械的連接被構(gòu)成為材料鎖合的或力鎖合的連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率組件，其中，第二分膜(440、44幻與所述襯底(2)的第二導(dǎo)體軌跡(M、26)的接觸面(M4J46)的間接機(jī)械的連接借助第二鍍通孔(48b)穿過(guò)所述絕緣膜0 到所述第一導(dǎo)電膜GO)的第三分膜GOOc)構(gòu)成，所述第三分膜GOOc)與第二導(dǎo)體軌跡04J6)的接觸面(M4J46)材料鎖合地或力鎖合地連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率組件，其中，至少一個(gè)所述第一鍍通孔(48a)布置在所述絕緣膜0 的鄰近于功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/:3b)的第一主面(30a/30b)的第一區(qū)段(420a/420b)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率組件，其中，所述絕緣膜0 的第一區(qū)段(420a/420b)在所述第一區(qū)段的水平擴(kuò)展中在所有側(cè)向上疊蓋各個(gè)功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/3b)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率組件，其中，所述絕緣膜0 的第一區(qū)段(420a/420b)一直達(dá)到所述第二導(dǎo)體軌跡G4)的接觸面044、446)的朝向所配屬的所述功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/3b)的邊緣(454,456)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率組件，其中，第一導(dǎo)電膜GO)的各個(gè)第一分膜(400a/400b、402)水平擴(kuò)展最大至所配屬的所述功率半導(dǎo)體構(gòu)件的邊緣并且由此水平地不疊蓋所述功率半導(dǎo)體構(gòu)件(3a/3b)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率組件，其中，所述導(dǎo)電膜(40、44)具有的厚度在50μπι和500 μ m之間并且至少一個(gè)所述絕緣膜02)具有的厚度在10 μ m和100 μ m之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率組件，其中，所述第一導(dǎo)電膜00)比所述第二導(dǎo)電膜(44)構(gòu)造地更薄。
全文摘要
一種具有柔性的連接裝置的功率組件，具有襯底、至少一個(gè)第一和第二功率半導(dǎo)體構(gòu)件和連接裝置，襯底具有用于布置功率半導(dǎo)體構(gòu)件的導(dǎo)體軌跡。功率半導(dǎo)體構(gòu)件具有第一接觸面，而連接裝置由導(dǎo)電膜和絕緣膜的層序組成，這些膜本身結(jié)構(gòu)化以便構(gòu)成分膜。第一導(dǎo)電膜的第一分膜具有第一接觸面，第一接觸面與功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一主面所配屬的第一接觸面直接機(jī)械連接。分膜與第二導(dǎo)電膜的第二分膜借助鍍通孔穿過(guò)在其間布置的絕緣膜導(dǎo)電連接。第二功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一接觸面與第二分膜導(dǎo)電連接，和/或襯底的與第一導(dǎo)體軌跡電絕緣的第二導(dǎo)體軌跡的第二接觸面機(jī)械間接或直接與第二分膜導(dǎo)電地連接并通過(guò)該第二分膜與第一功率半導(dǎo)體構(gòu)件的第一接觸面導(dǎo)電連接。
文檔編號(hào)H01L23/485GK102386159SQ20111025141
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月26日
發(fā)明者湯姆斯·施托克邁爾 申請(qǐng)人:賽米控電子股份有限公司