專利名稱：集成薄膜光電元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成薄膜光電元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
光電元件是將太陽(yáng)能直接轉(zhuǎn)換成電能的裝置，根據(jù)所使用的材料大體分為硅類、化合物類、有機(jī)物類。根據(jù)半導(dǎo)體的相，硅類光電元件細(xì)分為單晶硅(single crystalline silicon ；c-Si)光電元件、多晶硅(polycrystalline silicon ；poly-Si)光電元件、非晶硅(amorphous silicon ;a_Si :H)光電兀件。另外，根據(jù)半導(dǎo)體的厚度，光電元件分為塊(bulk)型光電元件和薄膜(thinfilm)型光電元件，薄膜型光電元件包括厚度為數(shù)十ym 數(shù)μ m以下的光電轉(zhuǎn)換物質(zhì)層。在硅類光電元件中，單晶硅和多晶硅光電元件屬于塊型，非晶硅光電元件屬于薄膜型。另一方面，化合物類光電元件分為III-V族的砷化鎵(GaAs，Gallium Arsenide)和磷化銦αηΡ，Indium Phosphide)等塊型光電元件和II-VI族的碲化鎘(CdTe，CadmiumTelluride)以及 I-III-VI 族的銅銦硒(CuInSe2, CIS ；Copper Indium Diselenide)等薄膜型光電元件，有機(jī)物類光電元件大體上分為有機(jī)分子型和有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合型光電元件。除此之外，還有染料敏化型光電元件，這些都屬于薄膜型。上述的各種光電元件中，作為地面上的電力裝置，廣泛地應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換效率高、制造費(fèi)用相對(duì)低廉的塊型硅光電元件。但是，最近因隨著塊型硅光電元件的需求驟增引起的原料不足現(xiàn)象，價(jià)格處于上升趨勢(shì)。因此，迫切需要能夠容易且批量生產(chǎn)價(jià)格低廉的高能量轉(zhuǎn)換效率的光電元件的集成薄膜光電元件的制造方法。尤其是，塊型硅太陽(yáng)能電池制造費(fèi)用中基板所占的比重很大，因此積極進(jìn)行關(guān)于基板薄膜化的研究。另一方面，最近積極進(jìn)行關(guān)于干脆不使用硅基板本身、而在如玻璃或不銹鋼等價(jià)格低廉的基板上形成多晶硅或單晶硅薄膜以制造出高效率的集成多晶硅或晶硅薄膜光電元件的研究。另外，塊型III-V族光電元件的情況下，也在積極研究關(guān)于在價(jià)格低廉的基板上形成高效率的光電元件的研究。并且，CIGS集成薄膜光電元件的情況下，使用聚合物或不銹鋼、鉬等柔性基板制造光電元件，以努力降低價(jià)格。并且，為了應(yīng)用廣泛，還迫切需要柔性而且透射型集成薄膜光電元件的制造方法。透射型集成薄膜光電元件的情況下，要求與光入射一側(cè)相反的一側(cè)、即光電元件背面的色相多樣。另外，為了滿足廣泛的應(yīng)用，需要在有限面積的基板上能夠輸出任意電壓的集成或透射型集成薄膜光電元件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種價(jià)格低廉且能夠容易制造的集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明的目的在于提供一種減少單元電池的無(wú)效區(qū)域，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率的集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明的目的在于提供一種無(wú)需激光劃線工序或等離子體蝕刻工序的集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明的目的在于提供一種無(wú)需激光劃線工序或等離子體蝕刻工序的柔性集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明的目的在于提供一種無(wú)需激光劃線工序或等離子體蝕刻工序的柔性透射型集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明的目的在于提供一種具有任意背面色相的透射型集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明的目的在于提供一種在有限面積的基板上具有任意輸出電壓的集成或透射型集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)課題不局限于上述的技術(shù)課題，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)下面記載的內(nèi)容很容易而且清楚地理解其它技術(shù)課題。本發(fā)明的集成薄膜光電元件的制造方法包括以下步驟基板上形成多個(gè)槽的步驟；從所述各個(gè)槽內(nèi)部的一基線到所述各個(gè)槽的一側(cè)面和與所述一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上形成第一半導(dǎo)體物質(zhì)層的步驟；從所述各個(gè)槽內(nèi)部的所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上的一基線到所述各個(gè)槽的另一側(cè)面和與所述另一側(cè)面連接的所述基板(a resultantsubstrate)的突出面區(qū)域上形成第二半導(dǎo)體物質(zhì)層，在所述各個(gè)槽內(nèi)部按照所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的一部分重疊的方式形成所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的步馬聚ο本發(fā)明的集成薄膜光電元件包括基板，形成有多個(gè)槽；第一半導(dǎo)體物質(zhì)層，形成在從所述各個(gè)槽內(nèi)部的第一基線到所述各個(gè)槽的一側(cè)面和與所述一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上；第二半導(dǎo)體物質(zhì)層，形成在從所述各個(gè)槽內(nèi)部的所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上的第二基線到所述各個(gè)槽的另一側(cè)面和與所述另一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上，且在所述各個(gè)槽內(nèi)部中與第一半導(dǎo)體物質(zhì)層部分重疊。本發(fā)明提供一種價(jià)格低廉且能夠容易制造的集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明提供一種減少單元電池的無(wú)效區(qū)域，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率的集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明提供一種無(wú)需激光劃線工序或等離子體蝕刻工序的集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明提供一種無(wú)需激光劃線工序或等離子體蝕刻工序的柔性集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明提供一種無(wú)需激光劃線工序或等離子體蝕刻工序的柔性透射型集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明提供一種具有任意的背面色相的透射型集成薄膜光電元件及其制造方法。本發(fā)明提供一種在有限面積的基板上具有任意輸出電壓的集成或透射型集成薄膜光電元件及其制造方法。


圖1表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成薄膜光電元件的制造方法；圖加 圖2g表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的集成薄膜光電元件的制造方法；圖3a 圖3f表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的集成薄膜光電元件的制造方法；圖如 圖4g表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的集成薄膜光電元件的制造方法。附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明100、200 基板101、201、203、205 槽202、204 孔110,210 第一外因性多結(jié)晶半導(dǎo)體物質(zhì)層120a、220a 第一中間純多結(jié)晶半導(dǎo)體層120b,220b 第二中間純多結(jié)晶半導(dǎo)體層130,230 第二外因性多結(jié)晶半導(dǎo)體物質(zhì)層140、M0:輔助電極層
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合圖詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成薄膜光電元件及其制造方法。圖1表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成薄膜光電元件的制造方法。準(zhǔn)備形成有槽的基板(SllO)。從所述各個(gè)槽內(nèi)部的一基線到所述各個(gè)槽的一側(cè)面和與所述一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上形成第一半導(dǎo)體物質(zhì)層(S120)。所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)可以為添加雜質(zhì)的第一外因性(extrinsic)半導(dǎo)體物質(zhì)。從所述各個(gè)槽內(nèi)部的所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上的一基線到所述各個(gè)槽的另一側(cè)面和與所述另一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上形成第二半導(dǎo)體物質(zhì)層，在所述各個(gè)槽內(nèi)部按照所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的一部分重疊的方式形成所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層(S130)。所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)可以為添加雜質(zhì)的第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)。通常，摻雜(doping)雜質(zhì)的外因性半導(dǎo)體物質(zhì)的阻抗相比沒(méi)有添加雜質(zhì)的純(intrinsic)半導(dǎo)體物質(zhì)的阻抗小。另外，如果大幅增加摻雜量以增加活性，則阻抗會(huì)充分地變小，因此能夠執(zhí)行電極的作用。接著，結(jié)合圖詳細(xì)說(shuō)明半導(dǎo)體物質(zhì)為硅時(shí)的本發(fā)明的實(shí)施例。但是，在除了硅以外的半導(dǎo)體物質(zhì)的情況下，后述的實(shí)施例同樣適用。(第一實(shí)施例)圖加 圖2g表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的集成薄膜光電元件的制造方法。如圖加所示，準(zhǔn)備形成有槽101的基板100。基板100最好使用光透射率優(yōu)秀的透明絕緣性材質(zhì)或不透明絕緣性材質(zhì)或透明導(dǎo)電性材質(zhì)或不透明導(dǎo)電性材質(zhì)。例如，使用透明絕緣性材質(zhì)時(shí)，基板100可以是如鈉鈣玻璃或強(qiáng)化玻璃等玻璃基板、透明塑料基板或納米復(fù)合材料(nano composite)基板之一。納米復(fù)合材料是納米晶粒按照彌散相的方式彌散在彌散介質(zhì)(matrix，連續(xù)相)中的材料。彌散介質(zhì)可以是有機(jī)溶劑、塑料、金屬或陶瓷，納米晶?？梢允撬芰稀⒔饘倩蛱沾?。彌散介質(zhì)為有機(jī)溶劑時(shí)，通過(guò)熱處理有機(jī)溶劑消失，只留下納米晶粒。另外，使用不透明絕緣性材質(zhì)時(shí)，基板100可以是陶瓷、不透明塑料或不透明納米復(fù)合材料基板之一。而且，使用透明導(dǎo)電性材質(zhì)時(shí)，基板100可以是透明導(dǎo)電性聚合物。使用不透明導(dǎo)電性材質(zhì)時(shí)，基板100可以是不銹鋼、鋁、銅、鎢、鉬、鎳、鉻基板之一?；?00為透明或不透明導(dǎo)電性材質(zhì)時(shí)，基板100整個(gè)表面上涂覆絕緣膜。為了制造透射型集成薄膜光電元件，在基板上開穿通孔時(shí)，要在包括穿通孔壁面的全部表面上涂覆絕緣膜。此種情況下，在透射型集成薄膜光電元件的背面上用噴霧(spray)、印刷(printing)、噴漆(painting)等方法涂覆所需的顏色。在基板制造過(guò)程中，使用將透明導(dǎo)電性物質(zhì)或不透明導(dǎo)電性物質(zhì)或玻璃或塑料或納米復(fù)合材料或陶瓷等溶解后的物質(zhì)，在基板變得堅(jiān)硬之前用擠壓法(press)或壓花法(embossing)可以形成條紋(stripe)形狀的槽101。不僅如此，對(duì)由所述物質(zhì)構(gòu)成的基板，使用熱壓法或熱壓花法可以形成槽101?；?00可以包括涂覆在透明絕緣性物質(zhì)或不透明絕緣性物質(zhì)或透明導(dǎo)電性物質(zhì)或不透明導(dǎo)電性物質(zhì)上的陶瓷或塑料或納米復(fù)合材料薄膜，此時(shí)，使用熱壓法或熱壓花法，在陶瓷或塑料或納米復(fù)合材料薄膜上可以形成槽。并且，在透明絕緣性物質(zhì)或不透明絕緣性物質(zhì)或透明導(dǎo)電性物質(zhì)或不透明導(dǎo)電性物質(zhì)上涂覆陶瓷或塑料或納米復(fù)合材料薄膜的過(guò)程中，使用擠壓法或壓花法，在陶瓷或塑料或納米復(fù)合材料薄膜上可以形成槽。此時(shí)，塑料或納米復(fù)合材料可以包括熱固化性材質(zhì)或紫外線(UV)固化性材質(zhì)。由于在玻璃上被涂覆的塑料或納米復(fù)合材料薄膜上形成槽，因此相比于直接在玻璃上形成槽更容易形成槽。不僅通過(guò)擠壓法、壓花法、熱壓法或熱壓花法形成槽101，還可以通過(guò)如濕式蝕刻法、干式蝕刻法、研磨法或切割法等機(jī)械加工方法或者如激光劃線法等光學(xué)加工方法中的一種方法形成槽101。前面所述的基板的材質(zhì)和槽的形成方法同樣適用于后述的實(shí)施例。如圖2b所示，在槽101底面的一部分、一側(cè)面和與鄰接的槽101之間區(qū)域上形成第一外因性硅物質(zhì)層110。第一純硅物質(zhì)在第一雜質(zhì)氛圍氣中或者與第一雜質(zhì)一起從一側(cè)對(duì)于基板100形成θ 1角度傾斜地排出ODl或者第一外因性半導(dǎo)體物質(zhì)從一側(cè)對(duì)于基板100形成Θ1角度傾斜地排出0D1。而且，第一外因性半導(dǎo)體物質(zhì)在基板100上沉積過(guò)程或沉積之后，通過(guò)固相結(jié)晶(SPC，Solid Phase Crystalization)或金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC，Metal Induced Crystalization)、焦耳誘導(dǎo)結(jié)晶(JIC, Joule Induced Crystalization) >電子束(dlectron beam)、離子束(ion cluster beam ;ICB)、激光束(laser beam)、快速熱退火(rapid thermal annealing ；RTA)等方法結(jié)晶。由此，在基板100上形成第一外因性多晶硅層110。此時(shí)，根據(jù)基板溫度或生長(zhǎng)條件可能在基板100上第一外因性單晶硅層110外延生長(zhǎng)(印itaxial growth) 0下面包括外延生長(zhǎng)的單晶硅稱之為多晶硅。因此，在基板100上形成的槽101底面的一部分和槽101的另一側(cè)面上不會(huì)沉積第一外因性硅。為了形成第一外因性硅層110，可以使用具有直進(jìn)性的沉積方法，還可以使用將硅物質(zhì)作為源(source)或目標(biāo)(target)使用的電子束、熱沉積、噴霧或者濺射等具有直進(jìn)性的沉積方法，但是并不局限于此。上述的沉積方法同樣適用于之后形成的第一中間純硅層、第二中間純硅層和第二外因性硅層，也同樣適用于以后的實(shí)施例。第一外因性硅層110摻雜第一雜質(zhì)而具有第一極性。例如，第一雜質(zhì)為III族元素時(shí)，第一外因性硅層110是P型多晶硅層，第一雜質(zhì)為V族元素時(shí)，第一外因性硅層110是η型多晶硅層。第一外因性多晶硅層110形成之后，可以形成基于熱處理的缺陷退火(defectannealing)禾口S1I1IiU (passivation)。如圖2c所示，第一中間純硅物質(zhì)從一側(cè)或一側(cè)對(duì)面對(duì)于硅板形成θ 2角度傾斜地排出0D2，以在第一外因性多晶硅層110上沉積過(guò)程或沉積之后被結(jié)晶。由此在第一外因性多晶硅層110上形成第一中間純多晶硅層120a。此時(shí)，第一中間純多晶硅層120a通過(guò)純硅物質(zhì)形成，此時(shí)第一外因性多晶硅層110的雜質(zhì)能夠向第一中間純多晶硅120a擴(kuò)散。因此，第一中間純多晶硅層120a的第一雜質(zhì)濃度小于第一外因性多晶硅層110的第一雜質(zhì)濃度。第一雜質(zhì)為III族元素時(shí)，第一外因性多晶硅層Iio是P+型多晶硅層，第一中間純多晶硅層120a可以包括ρ型多晶硅層。另外，第一雜質(zhì)為V族元素時(shí)，第一外因性多晶硅層110是η+型多晶硅層，第一中間純多晶硅層120a可以包括η型多晶硅層。如圖2d所示，從第一中間純硅物質(zhì)排出一側(cè)的對(duì)面，第二中間純硅物質(zhì)對(duì)于基板形成θ 3角度傾斜地排出0D3，以在第一中間純多晶硅層120a上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在第一中間純多晶硅層120a上形成第二中間純多晶硅層120b。此時(shí)，第二中間純多晶硅層120b通過(guò)純硅物質(zhì)形成，關(guān)于第二中間純多晶硅層120b以后詳細(xì)說(shuō)明。如圖加所示，第二純硅物質(zhì)在第二雜質(zhì)氛圍氣中或與第二雜質(zhì)一起從一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板100形成θ 4角度傾斜地排出0D4，或者第二外因性硅物質(zhì)從一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板100形成θ 4角度傾斜地排出，以在第二中間多晶硅層120b上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此在第二中間純多晶硅層120b上形成第二外因性多晶硅層130。此時(shí)，各個(gè)槽101之間區(qū)域中，通過(guò)光產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的一個(gè)區(qū)域，即單元電池l(imit cell 1:UC1)的第2外因性多晶硅層130和通過(guò)光產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的鄰接的另一個(gè)區(qū)域，即位于置在單元電池2 (unitcell 2 :UC2)上的第一外因性多晶硅層110在槽101內(nèi)連接。因此，鄰接的單元電池(unitcell :UC)相互串聯(lián)。此時(shí)，通過(guò)光產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的區(qū)域是各個(gè)單元電池UC1、UC2的區(qū)域。通常，外因性多晶硅電阻抗比純多晶硅小，因此在本發(fā)明的第一實(shí)施例中第一外因性多晶硅層110和第二外因性多晶硅層130起到電極的作用。因此，由于在槽內(nèi)部101鄰接區(qū)域的第一外因性多晶硅層110和第二外因性多晶硅層130連接，因此鄰接的單元電池UC1、UC2相互串聯(lián)。根據(jù)需要，可以將透明導(dǎo)電膜(TCO)、金屬薄膜、金屬網(wǎng)格或透明導(dǎo)電膜/金屬網(wǎng)格插入到第一外因性多晶硅層110下部和/或第二外因性多晶硅層130上部。第一雜質(zhì)為III族元素時(shí)第二雜質(zhì)為V族元素，第一雜質(zhì)為V族元素時(shí)第二雜質(zhì)為III元素。因此，由于第二外因性多晶硅層130的第二雜質(zhì)能夠擴(kuò)散到第二中間多晶硅層120b，因此第二雜質(zhì)為V族元素時(shí)第二外因性多晶硅物質(zhì)層130為η+型多晶硅層，第二中間多晶硅層120b可以包括η型多晶硅層。另外，第二雜質(zhì)為III族元素時(shí)第二外因性多晶硅層130為ρ+型多晶硅層，第二中間多晶硅層120b可以包括ρ型多晶硅層。因此，第二中間多晶硅層120b的第二雜質(zhì)濃度小于第二外因性多晶硅物質(zhì)層130的第二雜質(zhì)濃度。在本發(fā)明的第一實(shí)施例中說(shuō)明了第一和第二中間純多晶硅層120a、120b的形成過(guò)程，但是如圖2g所示，沒(méi)有形成第一和第二中間純多晶硅層120a、120b的情況下第一外因性多晶硅層110和第二外因性多晶硅層130可以接觸。即，第一外因性多晶硅層110和第二外因性多晶硅層130即使在同一個(gè)單元電池中接觸，也可以形成pn接合。此時(shí)，第一純硅在第一雜質(zhì)氛圍氣中或與第一雜質(zhì)一起從一側(cè)對(duì)于基板100傾斜地排出或者第一外因性硅物質(zhì)從一側(cè)對(duì)于基板100傾斜地排出，以在基板100上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。因此，在基板100上形成第一外因性多晶硅層110。然后，第二純硅物質(zhì)在第二雜質(zhì)氛圍氣中或與第二雜質(zhì)一起從一側(cè)對(duì)面對(duì)于基板100傾斜地排出或者第二外因性硅物質(zhì)從所述對(duì)面對(duì)于基板100傾斜地排出，以在第一外因性多晶硅層110上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。因此，在第一外因性多晶硅層110上形成第二外因性多晶硅層 130。后述的第二實(shí)施例和第三實(shí)施例中，也在沒(méi)有形成第一和第二中間多晶硅層220a、220b、320a、320b的情況下，第一外因性多晶硅層210、310和第二外因性多晶硅層230、330可以接觸。第一中間純多晶硅層120a位于第一外因性多晶硅層110和第二外因性多晶硅層130之間時(shí)，第一中間純多晶硅層120a防止第一外因性多晶硅層130的末端和第二外因性多晶硅層Iio接觸而發(fā)生短路。另外，第一中間純多晶硅層120a防止在結(jié)晶化過(guò)程中第一外因性硅和第二外因性硅可能混合，有助于形成耗盡層。第二中間純多晶硅層120b防止第二外因性多晶硅層130的末端和第一外因性多晶硅層110接觸而發(fā)生短路。另外，第二中間純多晶硅層120b在結(jié)晶化過(guò)程中防止第一外因性硅和第二外因性硅可能混合，有助于形成耗盡層。第一和第二中間純硅分別結(jié)晶成為第一和第二中間純多晶硅層120a、120b、第二外因性硅結(jié)晶成為第二外因性多晶硅層130的方法，前面通過(guò)第一外因性多晶硅層110做了說(shuō)明，因此省略。另外，在第一實(shí)施例中，雖然依次形成第一外因性多晶硅層110、第一和第二中間純多晶硅層120a、120b和第二外因性多晶硅層130，但是也可以第一外因性硅、第一和第二中間純硅和第二外因性硅形成之后同時(shí)被結(jié)晶，以同時(shí)形成第一外因性多晶硅層110、第一和第二中間純多晶硅層120a、120b和第二外因性多晶硅層130。另外，缺陷退火和氫鈍化工序同樣可以在分別形成第一外因性多晶硅層110、第一和第二中間純多晶硅層120a、120b和第二外因性多晶硅層130時(shí)完成，也可以在第一外因性多晶硅層110、第一和第二中間純多晶硅層120a、120b和第二外因性多晶硅層130形成之后同時(shí)完成。這樣的特征不僅適用于第一實(shí)施例，還可以適用于下面說(shuō)明的第二和第三實(shí)施例。如上所述，第一和第二外因性多晶硅層110、130和第一和第二中間純多晶硅層120a、120b都可以通過(guò)傾斜沉積來(lái)形成。即，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成薄膜光電元件沒(méi)有劃線工序或其它的蝕刻工序的情況下單元電池UCl、UC2之間能夠串聯(lián)。另外，通過(guò)傾斜沉積形成單元電池UC1、UC2，因此第一和第二外因性多晶硅層110、130和第一和第二中間純多晶硅層120a、120b自排序，因此不需要其它掩模工序。由于如上所述地?zé)o掩模工序、劃線工序或蝕刻工序，通過(guò)傾斜沉積工序能夠形成單元電池而且單元電池之間串聯(lián)，因此能夠容易制造價(jià)格低廉的集成薄膜光電元件。另外，數(shù)ym 數(shù)十μ m狹窄的一個(gè)槽101內(nèi)相互鄰接的單元電池UC1、UC2之間能夠串聯(lián)，因此減少無(wú)法將光能轉(zhuǎn)換成電能的無(wú)效區(qū)域(non effectivearea ；ΝΕΑ)，提高集成薄膜光電元件的能量轉(zhuǎn)換效率。并且，第一外因性多晶硅層110和第二外因性多晶硅層130起到電極的作用，因此不用形成其它的電極層，因此制造工序簡(jiǎn)單而且降低制造費(fèi)用。
另外，如圖2f所示，在第二外因性多晶硅層130的一部分區(qū)域上形成電阻抗比第二外因性多晶硅層130小的輔助電極層140。第二外因性多晶硅層130的電阻抗可以相對(duì)大于金屬電極的電阻抗。因此，單元電池UC1、UC2各自的寬度越大第二外因性多晶硅層130的寬度也越大，第二外因性多晶硅層130的電阻抗越增加。如果第二外因性多晶硅層130的電阻抗增加，則光電元件的光電轉(zhuǎn)換效率下降。在此，單元電池UC1、UC2區(qū)域是通過(guò)光產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的一個(gè)獨(dú)立的區(qū)域。尤其是，光電元件的基板100面積是特定的，因此為了提高效率要降低在基板100整個(gè)面積中不產(chǎn)生電能的無(wú)效區(qū)域所占的比重，增加產(chǎn)生電流的有效區(qū)域的所占比重。為了增加基板100整個(gè)面積中有效區(qū)域所占的比重，應(yīng)該增加單元電池UC1、UC2區(qū)域的寬度。如果形成電阻抗小于第二外因性多晶硅層130的輔助電極層140，則可以抵消由第二外因性多晶硅層130的電阻抗引起的光電元件的效率下降。不僅如此，不降低單元電池效率的情況下可以增加單元電池UC1、UC2區(qū)域的寬度，因此能夠增加隨著集成光電元件，即模塊的有效區(qū)域的增加導(dǎo)致的模塊的輸出。如上所述，與有效區(qū)域的增加無(wú)關(guān)地可以保證光電元件的效率，因此容易變換基板100上形成的單元電池UC1、UC2的數(shù)量。例如，基板100寬度為80cm，考慮到第二外因性多晶硅層130的電阻抗，單元電池UC1、UC2，...的寬度最大設(shè)定為2mm時(shí)，在基板100上最少能形成400個(gè)單元電池UC1、UC2。而且，400個(gè)單元電池UC1、UC2相互串聯(lián)。另外，一個(gè)單元電池UC1、UC2...產(chǎn)生的電壓為0. 6V時(shí)，在寬度為80cm的基板100上形成的集成光電元件最少能提供MOV電壓。輔助電極層140按照與第二外因性多晶硅層130接觸的方式形成時(shí)，與單元電池UCl、UC2區(qū)域的寬度無(wú)關(guān)地可以保證光電元件的效率，因此可以容易變換基板100上能夠形成的單元電池的數(shù)量。即，輔助電極層140可以使光電元件的電壓供應(yīng)變得靈活。上面所述的輔助電極層140的功能不僅適用于第一實(shí)施例，也同樣適用于后述的實(shí)施例。在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，輔助電極層140可以包括鋁、銅、金、銀、鉛、鎢、鎳或鉻中的至少一個(gè)。另外，輔助電極層140可以通過(guò)利用金屬掩模(metal mask)的熱沉積法或噴墨法(ink jet)、噴霧法(jet spray)、絲網(wǎng)印刷法(screen printing)、納米壓印法(nanoimprint)或沖壓法(stamping)中的一種方法形成。另外，為了使單元電池在槽內(nèi)部電串聯(lián)，第一和第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)各自的雜質(zhì)濃度必須很高。此時(shí)，在槽內(nèi)部重疊的第一和第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)的pn接合通過(guò)隧道效應(yīng)(tunnel effect)產(chǎn)生電流。但是，即使第一和第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)的雜質(zhì)濃度不是很高，也可以使第一外因性半導(dǎo)體物質(zhì)和第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)頂部上形成的輔助電極層在槽內(nèi)部重疊，或者使第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)和第一外因性半導(dǎo)體物質(zhì)底部形成的輔助電極層在槽內(nèi)部重疊，或者使第一外因性半導(dǎo)體物質(zhì)底部和第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)頂部上形成的輔助電極層在槽內(nèi)部重疊的方式使電流通過(guò)電阻抗小的輔助電極層，以此能夠串聯(lián)。上面所述的輔助電極層140的材質(zhì)和形成方法不僅適用于第一實(shí)施例，也同樣適用于后述的實(shí)施例。(第二實(shí)施例)圖3a 圖3f表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的透射型(see-through type)集成薄膜光電元件的制造方法。如圖3a所示，準(zhǔn)備形成有槽201、203、205和孔(hole) 202、204的基板200?？?02、204位于鄰接的槽201、203、205之間。在槽201、203、205中鄰接的單元電池之間形成串聯(lián)，孔202,204是為了光的透射。槽201、203、205和孔202、204可以通過(guò)相同的方法形成，槽201、203、205和孔202、204的形成方法在第一實(shí)施例中已做了說(shuō)明因此省略。此時(shí)，槽201、203、205和孔202,204可以同時(shí)形成?？?02、204的深度dl對(duì)寬度wl或直徑wl之比可以大于槽201、203、205的深度d2對(duì)寬度w2之比。例如，如圖3a所示，可以形成為孔202、204的寬度wl小于槽201、203、205的寬度，深度相同?；蛘?，可以形成為未圖示的孔202、204的深度dl比槽201、203、205的深度深，寬度相同?；蛘撸m然未圖示，但孔202、204可以穿通基板200。如此形成的理由是為了不僅第一外因性硅形成過(guò)程，還有在之后的工序中形成的第一中間純硅、第二中間純硅和第二外因性硅傾斜沉積過(guò)程中，孔202、204的底面上不沉積第一外因性硅、第一中間純硅、第二中間純硅和第二外因性硅。由此，光透射孔202、204，形成透射型集成薄膜光電元件。如此的孔202、204形狀可以是圓形、多角形或橢圓形，可以在單元電池UC區(qū)域上均勻或不均勻地分布。但是，各個(gè)單元電池區(qū)域上形成的孔的截面積總和最好是相同。另一方面，如圖3a所示，第一純硅物質(zhì)在第一雜質(zhì)氛圍氣中或與第一雜質(zhì)一起從一側(cè)對(duì)于基板形成θ 1角度傾斜地排出ODl或第一外因性硅物質(zhì)從一側(cè)對(duì)于基板形成θ 1角度傾斜地排出0D1，以在沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶，由此第一外因性多晶硅層210在槽201、203、205底面的一部分和一側(cè)面、孔202、204的一側(cè)面和鄰接的槽201、203、205之間的區(qū)域上形成。關(guān)于第一雜質(zhì)和第一外因性多晶硅層230在第一實(shí)施例中已做了說(shuō)明，因此省略。如圖北所示，第一中間純硅從一側(cè)或一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板形成θ 2角度傾斜地排出0D2，以在第一外因性多晶硅層210上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，第一中間純多晶硅層220a在第一外因性多晶硅層210上形成。關(guān)于第一中間純多晶硅層220在第一實(shí)施例中做了說(shuō)明，因此省略。如圖3c所示，第二中間純硅從第一中間純硅排出一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板形成θ 3角度傾斜地排出0D3，以在第一中間純多晶硅層220a上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，第二中間純多晶硅層220b在第一中間純多晶硅層220a上形成。關(guān)于第二中間純多晶硅層220b在第一實(shí)施例中做了說(shuō)明，因此省略。如圖3d所示，第二純硅在第二雜質(zhì)氛圍氣中或與第二雜質(zhì)一起從一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板200形成θ 4角度傾斜地排出0D3或第二外因性硅物質(zhì)從一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板200形成θ 4角度傾斜地排出0D3，以在第二中間純多晶硅層220b上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，第二外因性多晶硅層230在第二中間純多晶硅層220b上形成。關(guān)于第二外因性多晶硅層230在第一實(shí)施例中已做了說(shuō)明，因此省略。由此，鄰接的單元電池UC1、UC2能夠串聯(lián)。如圖!Be所示，在第二外因性多晶硅層230的一部分區(qū)域上形成電阻抗小于第二外因性多晶硅層230的輔助電極層M0。關(guān)于輔助電極240前面做了說(shuō)明，因此省略。
另一方面，如圖3f所示，也可以未形成第一和第二中間純多晶硅層220a、220b的情況下第一外因性多晶硅物質(zhì)層210和第二外因性多晶硅層230接觸。此時(shí)，第一純硅在第一雜質(zhì)氛圍氣中或與第一雜質(zhì)一起從一側(cè)對(duì)于基板200傾斜地排出或第一外因性硅物質(zhì)從一側(cè)對(duì)于基板200傾斜地排出，以在基板200上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在基板200上形成第一外因性多晶硅層210。然后，第二純硅在第二雜質(zhì)氛圍氣中或與第二雜質(zhì)一起從一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板200傾斜地排出或第二外因性硅物質(zhì)從所述對(duì)面對(duì)于基板200傾斜地排出，以在第一外因性多晶硅層210上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在第一外因性多晶硅層210上形成第二外因性多晶硅層230。(第三實(shí)施例)圖如 圖如表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的集成薄膜光電元件的制造方法。如圖如所示，準(zhǔn)備按照以固定間隔隔開而且兩個(gè)側(cè)面以相同方向傾斜α角度的方式形成槽301的基板300。如圖4b所示，第一純硅在第一雜質(zhì)氛圍氣中或與第一雜質(zhì)一起對(duì)于基板形成垂直的方向排出或第一外因性硅物質(zhì)對(duì)于基板形成垂直的方向排出，以第一外因性硅在槽301底面的一部分和一側(cè)面且在鄰接的槽301之間的區(qū)域上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，形成第一外因性多晶硅層310。第三實(shí)施例中由于槽301傾斜，因此可以在無(wú)傾斜沉積工序或掩模工序的情況下形成第一外因性多晶硅層310。關(guān)于第一外因性多晶硅層310的形成方法在第一實(shí)施例中做了說(shuō)明，因此省略。如圖如所示，第一中間純硅從一側(cè)或一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板形成θ 2角度傾斜地排出0D2，以在第一外因性多晶硅層310上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在第一外因性多晶硅層310上形成第一中間純多晶硅320a。關(guān)于第一中間多結(jié)晶半導(dǎo)體層320a在第一實(shí)施例中做了說(shuō)明，因此省略。如圖4d所示，第二中間純硅從第一中間純硅排出一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板形成θ 3角度傾斜地排出0D3，以在第一中間多晶硅層320a上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在第一中間純多晶硅320a上形成第二中間純多晶硅層320b。關(guān)于第二中間純過(guò)程320b在第一實(shí)施例中做了說(shuō)明，因此省略。如圖如所示，第二純硅在第二雜質(zhì)氛圍氣中或與第二雜質(zhì)一起從一側(cè)的對(duì)面對(duì)于基板形成θ 4角度傾斜地排出0D4或第二外因性半導(dǎo)體物質(zhì)從對(duì)面對(duì)于基板形成Θ 4角度傾斜地排出0D4，以在第二中間純多晶硅層320b上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在第二中間純多晶硅層320b上形成第二外因性多晶硅層330。關(guān)于第二外因性多晶硅層330b在第一實(shí)施例中做了說(shuō)明，因此省略。由此鄰接的電池UCl、UC2相互串聯(lián)。如圖4f所示，第二外因性多晶硅層330的一部分區(qū)域上形成電阻抗小于第二外因性多晶硅層330的輔助電極層340。關(guān)于輔助電極340前面做了說(shuō)明，因此省略。另一方面，如圖4g所示，也可以沒(méi)有形成第一和第二中間純多晶硅層320a、320b的情況下第一外因性多晶硅層210和第二外因性多晶硅層230接觸。此時(shí)，第一純硅在第一雜質(zhì)氛圍氣中或與第一雜質(zhì)一起或第一外因性硅物質(zhì)在基板300上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在基板300上形成第一外因性多晶硅層310。如前面所述，在第三實(shí)施例中由于槽301傾斜，因此不進(jìn)行傾斜沉積。之后，第二純硅在第二雜質(zhì)氛圍氣中或與第二雜質(zhì)一起或第二外因性硅物質(zhì)對(duì)于基板300傾斜地排出，以在第一外因性多晶硅層310上沉積過(guò)程中或沉積之后被結(jié)晶。由此，在第一外因性多晶硅層310上形成第二外因性多晶硅層330。本發(fā)明中的第一至第三實(shí)施例的硅可以代替為太陽(yáng)光入射時(shí)生成載流子(carriers)的任意物質(zhì)。例如，半導(dǎo)體物質(zhì)至少可以是硅類、化合物類、有機(jī)物類和干式染料敏化類的物質(zhì)中的至少一種。因此，本發(fā)明適用于多種物質(zhì)的薄膜太陽(yáng)能電池。另一方面，多重接合電池的情況下，為了提高薄膜太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率，在構(gòu)成多重接合電池的每一個(gè)電池邊界可以形成中間層。此時(shí)，中間層由絕緣性物質(zhì)或?qū)щ娦晕镔|(zhì)構(gòu)成，可以使用透明物質(zhì)。例如，中間層可以包括氮化硅、硅氧化物、碳化硅或氧化金屬物質(zhì)中的至少一種。另外，中間層可以包括屬于金屬氧化物類的氧化鋅(Zinc Oxide ；ZnO)、氧化錫(Tin Oxide ； SnO2)或氧化銦錫(Indium Tin Oxide ； I TO)中的至少一種。以上結(jié)合圖說(shuō)明里本發(fā)明的實(shí)施例，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解為不變更本發(fā)明的技術(shù)思想或必要技術(shù)特征的情況下可以用其他實(shí)施方式實(shí)施。因此，可理解為以上所述的實(shí)施例，在所有方面都只是例示而已，并不局限于此。
權(quán)利要求
1.一種集成薄膜光電元件的制造方法，包括以下步驟在基板上形成多個(gè)槽的步驟；從各個(gè)槽內(nèi)部的一基線到所述各個(gè)槽的一側(cè)面和與所述一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上形成第一半導(dǎo)體物質(zhì)層的步驟；從所述各個(gè)槽內(nèi)部的所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上的一基線到所述各個(gè)槽的另一側(cè)面和與所述另一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上形成第二半導(dǎo)體物質(zhì)層，在所述各個(gè)槽內(nèi)部按照所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的一部分重疊的方式形成所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成薄膜光電元件的制造方法，其特征在于還包括在所述基板上形成所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層的步驟和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的步驟之間形成第一中間純半導(dǎo)體層和第二中間純半導(dǎo)體層的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成薄膜光電元件的制造方法，其特征在于還包括在所述槽之間的所述基板的突出面區(qū)域上形成光透射的孔的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成薄膜光電元件的制造方法，其特征在于形成第一半導(dǎo)體物質(zhì)層的步驟包括在第一雜質(zhì)氛圍氣中的第一純半導(dǎo)體物質(zhì)、第一雜質(zhì)和第一純半導(dǎo)體物質(zhì)或第一半導(dǎo)體物質(zhì)從一側(cè)傾斜地排出以在所述基板上沉積的步驟；形成所述第一中間純半導(dǎo)體層的步驟包括第一中間純半導(dǎo)體物質(zhì)從所述一側(cè)或所述一側(cè)的對(duì)面傾斜地排出以在所述基板上沉積的步驟；形成所述第二中間純半導(dǎo)體層的步驟包括第二中間純半導(dǎo)體物質(zhì)從所述第一中間純半導(dǎo)體物質(zhì)排出一側(cè)的對(duì)面傾斜地排出以在所述基板上沉積的步驟；形成所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的步驟包括在第二雜質(zhì)氛圍氣中的第二純半導(dǎo)體物質(zhì)、第二雜質(zhì)和第二純半導(dǎo)體物質(zhì)或第二半導(dǎo)體物質(zhì)從所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)排出一側(cè)的對(duì)面傾斜地排出以在所述基板上沉積的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成薄膜光電元件的制造方法，其特征在于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)、所述第一中間純半導(dǎo)體物質(zhì)、所述第二中間純半導(dǎo)體物質(zhì)和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)在所述各個(gè)沉積步驟中或所述一個(gè)以上的沉積步驟中或所述各個(gè)沉積步驟之后或所述一個(gè)以上的沉積步驟之后被結(jié)晶。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的集成薄膜光電元件的制造方法，其特征在于所述基板為導(dǎo)電性材質(zhì)時(shí)，還包括在所述基板的一部分表面或整個(gè)表面上涂覆絕緣膜的步馬聚ο
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6任一項(xiàng)所述的集成薄膜光電元件的制造方法，其特征在于在所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層的底部和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的頂部中至少其中之一形成電阻抗小于所述第一或第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的輔助電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成薄膜光電元件的制造方法，其特征在于沉積所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)、所述第一中間純半導(dǎo)體物質(zhì)、所述第二中間純半導(dǎo)體物質(zhì)和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)的各個(gè)步驟是通過(guò)具有直進(jìn)性的電子束沉積法、熱沉積法、噴霧沉積法或?yàn)R射沉積法中的至少一種方法進(jìn)行。
9.一種集成薄膜光電元件，包括基板，形成有多個(gè)槽；第一半導(dǎo)體物質(zhì)層，形成在從所述各個(gè)槽內(nèi)部的第一基線到所述各個(gè)槽的一側(cè)面和與所述一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上；第二半導(dǎo)體物質(zhì)層，形成在從所述各個(gè)槽內(nèi)部的所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上的第二基線到所述各個(gè)槽的另一側(cè)面和與所述另一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上，且在所述各個(gè)槽內(nèi)部與所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層部分重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成薄膜光電元件，其特征在于還包括第一中間純半導(dǎo)體層和第二中間純半導(dǎo)體層，在所述基板的突出面區(qū)域中位于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層之間，在所述槽內(nèi)部中，至少在所述第一基線和所述第二基線之間的部分區(qū)域，按照使所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層重疊的方式形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成薄膜光電元件，其特征在于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層、所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層、所述第一中間純半導(dǎo)體層和所述第二中間純半導(dǎo)體層中至少一個(gè)被結(jié)晶。
12.根據(jù)權(quán)利要求9 11任一項(xiàng)所述的集成薄膜光電元件，其特征在于所述多個(gè)槽之間的所述基板的突出面區(qū)域上位有光透射的孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成薄膜光電元件，其特征在于所述孔穿通所述基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成薄膜光電元件，其特征在于相對(duì)于所述孔的寬度或直徑的深度之比大于相對(duì)于所述槽的寬度的深度之比。
15.根據(jù)權(quán)利要求9 14任一項(xiàng)所述的集成薄膜光電元件，其特征在于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層包括第一雜質(zhì)，所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層包括所述第一雜質(zhì)和其它第二雜質(zhì)，所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層形成Pn接合。
16.根據(jù)權(quán)利要求9 15任一項(xiàng)所述的集成薄膜光電元件，其特征在于在所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層的底部和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的頂部中的至少一個(gè)中位有電阻抗小于所述第一或第二半導(dǎo)體物質(zhì)的輔助電極層。
17.根據(jù)權(quán)利要求9 15任一項(xiàng)所述的集成薄膜光電元件，其特征在于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層的底部和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層的頂部上分別位有電阻抗小于所述第一或第二半導(dǎo)體物質(zhì)的第一輔助電極層和第二輔助電極層，且在所述第一輔助電極層和所述第二輔助電極層中至少一個(gè)為透明導(dǎo)電膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成薄膜光電元件，其特征在于所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層頂部上形成的所述第二輔助電極層在槽內(nèi)重疊，或者所述第二半導(dǎo)體物質(zhì)層和所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層底部上形成的所述第一輔助電極層在槽內(nèi)重疊，或者所述第一輔助電極層和所述第二輔助電極層在槽內(nèi)重疊。
全文摘要
本發(fā)明中提供一種集成薄膜光電元件及其制造方法，該集成薄膜光電元件包括基板，形成有多個(gè)槽；第一半導(dǎo)體物質(zhì)層，從所述各個(gè)槽內(nèi)部的一基線在所述各個(gè)槽的一側(cè)面和與所述一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上形成；第二半導(dǎo)體物質(zhì)層，從所述各個(gè)槽內(nèi)部的所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層上的一基線于所述各個(gè)槽的另一側(cè)面和與所述另一側(cè)面連接的所述基板的突出面區(qū)域上形成，且在所述各個(gè)槽內(nèi)部中與所述第一半導(dǎo)體物質(zhì)層部分重疊。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102386273SQ20111024385
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月26日
發(fā)明者全振完, 林宏樹 申請(qǐng)人:韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院, 韓國(guó)鐵鋼株式會(huì)社