專利名稱：內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法。
背景技術(shù)：
浮柵結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器件(以下簡(jiǎn)稱存儲(chǔ)器件)是目前被大量使用和普遍認(rèn)可的主流存儲(chǔ)器件類型，是一種十分重要的半導(dǎo)體元器件，被廣泛應(yīng)用于電子和計(jì)算機(jī)行業(yè)。公開(kāi)號(hào)為CNlO 1807576A的中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N浮柵結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器件及其形成方法。隨著半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)器件進(jìn)行更為廣泛的應(yīng)用，需要將所述存儲(chǔ)器件與其他器件區(qū)同時(shí)形成在一個(gè)芯片上，以形成內(nèi)嵌式半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。例如將所述存儲(chǔ)器件內(nèi)嵌置于中央處理器，則需要使得所述存儲(chǔ)器件與嵌入的中央處理器平臺(tái)進(jìn)行兼容，并且 保持原有的存儲(chǔ)器件的規(guī)格及對(duì)應(yīng)的電學(xué)性能。一般地，需要將所述存儲(chǔ)器件與嵌入的標(biāo)準(zhǔn)邏輯裝置進(jìn)行兼容。隨著集成電路的集成度日益提高，在同一芯片上將存儲(chǔ)區(qū)與邏輯區(qū)進(jìn)行混合設(shè)置，其兩者會(huì)因制程上和結(jié)構(gòu)上的不同產(chǎn)生一高度差值。尤其是將具有高壓柵極的存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行嵌入，所述高度差值更為明顯。所以解決所述存儲(chǔ)區(qū)和邏輯區(qū)之間的高度差對(duì)內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件工藝來(lái)說(shuō)十分關(guān)鍵。尤其地，實(shí)際工藝中，對(duì)應(yīng)于邏輯區(qū)上不同的工作電壓，一個(gè)所述邏輯區(qū)可能需要同時(shí)具有若干數(shù)目的厚度不相同的邏輯柵極，則將所述存儲(chǔ)區(qū)嵌入至所述邏輯區(qū)所在的平臺(tái)需要解決的高度差則更為復(fù)雜和困難，進(jìn)而限制了所述存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，可能進(jìn)一步限制了內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，降低存儲(chǔ)區(qū)嵌入至邏輯區(qū)所在平臺(tái)導(dǎo)致的高度差的工藝難度，提高所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步提高內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，包括提供基底，所述基底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，其中，所述邏輯區(qū)包含不少于兩個(gè)的子區(qū)域，按照后續(xù)待形成邏輯柵極的厚度從小到大排布，所述邏輯區(qū)域劃分為第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域，所述邏輯區(qū)的子區(qū)域數(shù)目為N ;首先，在所述基底表面形成第一柵極層，所述第一柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，在對(duì)應(yīng)于所述第一子區(qū)域的第一柵極層表面形成第一阻擋層；接著形成第二柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述第二子區(qū)域的第二柵極層表面形成第二阻擋層，所述第二柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)；直至依次形成第N柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述第N子區(qū)域的第N柵極層表面形成第N阻擋層，所述第N柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)；其中，按照阻擋層的厚度從大到小排布，依次為第一阻擋層、第二阻擋層、…及第N阻擋層；去除覆蓋上述各個(gè)阻擋層表面的柵極層，暴露出第一阻擋層、第二阻擋層、…第N阻擋層；去除所述第一阻擋層、第二阻擋層、…第N阻擋層，形成對(duì)應(yīng)的第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽；圖案化刻蝕所述第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽，形成分別位于所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)的第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極，按照邏輯柵極的厚度從小到大排布，依次為第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極?？蛇x的，形成對(duì)應(yīng)子區(qū)域的阻擋層的工藝為在柵極層表面沉積阻擋層材料，并對(duì)所述阻擋層材料進(jìn)行圖案化，形成僅位于對(duì)應(yīng)子區(qū)域的柵極層表面的阻擋層。 可選的，所述去除覆蓋上述各個(gè)阻擋層表面的柵極層的工藝為化學(xué)機(jī)械研磨?？蛇x的，去除所述阻擋層的方法為濕法刻蝕?？蛇x的，所述第一柵極層的厚度范圍為800 1200埃，所述第一阻擋層的厚度范圍為1200 1800埃?？蛇x的，所述第二柵極層的厚度范圍為600 1000埃，所述第一阻擋層的厚度范圍為400 800埃?？蛇x的，所述圖案化刻蝕所述第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽，形成分別位于所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)的第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極包括按照后續(xù)待形成邏輯柵極的厚度從大到小排布，首先刻蝕第N溝槽，形成第N邏輯柵極，最后刻蝕第一溝槽，形成第一邏輯柵極?？蛇x的，所述第一阻擋層、第二阻擋層、…及第N阻擋層的上表面齊高。 可選的，所述阻擋層的材料為氧化硅?？蛇x的，所述氧化硅的前驅(qū)物為正硅酸乙酯?？蛇x的，在形成第N阻擋層后，還包括形成覆蓋邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的第N+1的柵極層?？蛇x的，所述去除覆蓋上述各個(gè)阻擋層表面的柵極層，包括采用化學(xué)機(jī)械研磨去除所述第N+1的柵極層?？蛇x的，形成所述第一柵極層前，還包括在所述存儲(chǔ)區(qū)表面形成控制柵?？蛇x的，圖案化刻蝕所述凹槽時(shí)，還包括刻蝕位于存儲(chǔ)區(qū)的柵極層，形成存儲(chǔ)區(qū)的字線柵極，所述字線柵極位于所述控制柵的兩側(cè)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)在第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)形成不同厚度的阻擋層，可以調(diào)節(jié)形成阻擋層后的邏輯區(qū)高度，以解決存儲(chǔ)區(qū)嵌入至邏輯區(qū)所在平臺(tái)導(dǎo)致的高度差的工藝難度，提高所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步提高內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。進(jìn)一步地，可以通過(guò)調(diào)節(jié)阻擋層的厚度，使得形成阻擋層后的邏輯區(qū)高度與所述存儲(chǔ)區(qū)的柵極高度齊平或大致齊平，以解決存儲(chǔ)區(qū)嵌入至邏輯區(qū)所在平臺(tái)導(dǎo)致的高度差的工藝難度，消除所述高度差，提高所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步提高內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。


圖I 圖15是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)際工藝中，對(duì)應(yīng)于所述邏輯區(qū)上不同的工作電壓，一個(gè)所述邏輯區(qū)可能需要同時(shí)具有若干數(shù)目的厚度不相同的邏輯柵極，則上述形成工藝無(wú)法實(shí)現(xiàn)在一個(gè)邏輯區(qū)上形成厚度不同的邏輯柵極，降低所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步限制了內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，包括提供基底，所述基底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，其中，所述邏輯區(qū)包含不少于兩個(gè)的子區(qū)域，按照后續(xù)待形 成邏輯柵極的厚度從小到大排布，所述邏輯區(qū)域劃分為第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域，所述邏輯區(qū)的子區(qū)域數(shù)目為N ;首先，在所述基底表面形成第一柵極層，所述第一柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，在對(duì)應(yīng)于所述第一子區(qū)域的第一柵極層表面形成第一阻擋層；接著形成第二柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述第二子區(qū)域的第二柵極層表面形成第二阻擋層，所述第二柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)；直至依次形成第N柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述第N子區(qū)域的第N柵極層表面形成第N阻擋層，所述第N柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)；其中，按照阻擋層的厚度從大到小排布，依次為第一阻擋層、第二阻擋層、…及第N阻擋層；去除覆蓋上述各個(gè)阻擋層表面的柵極層，暴露出第一阻擋層、第二阻擋層、…第N阻擋層；去除所述第一阻擋層、第二阻擋層、…第N阻擋層，形成對(duì)應(yīng)的第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽；圖案化刻蝕所述第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽，形成分別位于所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)的第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極，按照邏輯柵極的厚度從小到大排布，依次為第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極。通過(guò)在第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)形成不同厚度的阻擋層，可以調(diào)節(jié)形成阻擋層后的邏輯區(qū)高度，以解決存儲(chǔ)區(qū)嵌入至邏輯區(qū)所在平臺(tái)導(dǎo)致的高度差的工藝難度，提高所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步提高內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的相變存儲(chǔ)器制造方法的形成方法。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明的技術(shù)方案。如圖I所示，提供基底，所述基底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)2，其中，所述邏輯區(qū)包含不少于兩個(gè)的子區(qū)域，按照后續(xù)待形成邏輯柵 極的厚度從小到大排布，所述邏輯區(qū)域劃分為第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域，所述子區(qū)域數(shù)目為N。本實(shí)施例以所述子區(qū)域?yàn)?個(gè)為例進(jìn)行說(shuō)明，分別為第一子區(qū)域11和第二子區(qū)域
12。作為其他實(shí)施例，還可以為其他數(shù)目的子區(qū)域。進(jìn)一步地，所述存儲(chǔ)區(qū)2的基底形成有浮柵結(jié)構(gòu)。繼續(xù)參考圖1，在所述存儲(chǔ)區(qū)形成控制柵101。后續(xù)地，兩個(gè)控制柵及位于其兩側(cè)的字線柵極、及位于控制柵下的浮柵結(jié)構(gòu)構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元。本實(shí)施例示出了 4個(gè)控制柵，后續(xù)將形成2個(gè)存儲(chǔ)單元。如圖2所示，在所述基底表面形成第一柵極層110，所述第一柵極層110覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)2。所述第一柵極層110及后續(xù)形成的柵極材料均為多晶硅。因?yàn)樗龃鎯?chǔ)區(qū)形成有控制柵101，所以位于控制柵101表面的第一柵極層110高于位于邏輯區(qū)的第一柵極層110。所述第一柵極層110的厚度范圍為800 1200埃。如圖3所不,在所述第一柵極層110表面沉積第一阻擋層材料120 ;如圖4所不，在所述第一阻擋層材料120表面形成第一光刻膠層210，所述第一光刻膠層210與后續(xù)形成的第一阻擋層圖案對(duì)應(yīng)；如圖5所示，對(duì)所述第一阻擋層材料120進(jìn)行圖案化，形成僅位于對(duì)應(yīng)第一子區(qū)域11的第一柵極層110表面的第一阻擋層121。其中，所述第一阻擋層材料120及后續(xù)形成的阻擋層材料均為氧化硅，所述氧化硅的前驅(qū)物為正硅酸乙酯。本實(shí)施例中，所述第一阻擋層121的高度低于存儲(chǔ)區(qū)的第一氧化層110的高度。所述第一阻擋層121的厚度范圍為1200 1800埃。如圖6所示，在所述第一柵極層110表面形成第二柵極層130，且所述第二柵極層130覆蓋所述第一阻擋層121。所述第二柵極層130的厚度范圍為600 1000埃。如圖7所示，在所述第二柵極層130表面沉積第二阻擋層材料140 ;如圖8所示，在所述第二阻擋層材料140表面形成第二光刻膠層220，所述第二光刻膠層220與后續(xù)形成的第二阻擋層圖案對(duì)應(yīng)；如圖9所示，對(duì)所述第二阻擋層材料140進(jìn)行圖案化，形成僅位于對(duì)應(yīng)第二子區(qū)域12的第二柵極層130表面的第二阻擋層141。其中，所述第二阻擋層材料140為氧化硅，所述氧化硅的前驅(qū)物為正硅酸乙酯。其中，所述第一阻擋層121和第二阻擋層141的上表面齊高或大致等高。所述第二阻擋層141的厚度范圍為400 800埃。作為其他實(shí)施例，若為N個(gè)阻擋層，且N大于2，則所述第一阻擋層、第二阻擋層、···及第N阻擋層的上表面齊高。本實(shí)施例中的子區(qū)域?yàn)?個(gè)，則對(duì)應(yīng)形成的阻擋層也為2個(gè)。作為其他實(shí)施例，若為N個(gè)阻擋層，且N大于2，則需要依次形成對(duì)應(yīng)的柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述子區(qū)域的柵極層表面形成阻擋層，所述柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)。其中，按照阻擋層的厚度從大到小排布，阻擋層依次為第一阻擋層、第二阻擋層、…及第N阻擋層。繼續(xù)參考圖9，在所述第二柵極層130表面形成第三柵極層150，且所述第三柵極層150覆蓋所述第二阻擋層141。
如圖10所示，以所述第二阻擋層141為研磨停止層，對(duì)所述第三柵極層150進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，暴露出所述第一阻擋層121和第二阻擋層141。若為其他實(shí)施例，如形成有2個(gè)以上N個(gè)阻擋層，則在形成第N阻擋層后，還包括形成覆蓋邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的第N+1的柵極層。且對(duì)應(yīng)地，采用化學(xué)機(jī)械研磨去除所述第N+1的柵極層。一并參考圖10和圖11所示，去除所述第一阻擋層121和第二阻擋層141，形成對(duì)應(yīng)的第一凹槽122和第二凹槽142。去除所述阻擋層的方法為濕法刻蝕。作為其他實(shí)施例，若為2個(gè)以上N個(gè)阻擋層，則去除所述第一阻擋層、第二阻擋層、…第N阻擋層，形成對(duì)應(yīng)的第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽。如圖12所示，在所述第二凹槽142內(nèi)形成第三光刻膠層231，所述第三光刻膠·層231與后續(xù)形成的第二邏輯柵極的圖形相對(duì)應(yīng)；同時(shí)，在所述存儲(chǔ)區(qū)形成第四光刻膠層233，所述第四光刻膠層233與后續(xù)待形成的字線柵極的圖形相對(duì)應(yīng)；進(jìn)一步地，在該步驟中，因?yàn)榈谝话疾?22下方的第一柵極層110厚度較小，所以并未對(duì)所述第一凹槽122進(jìn)行刻蝕，所以所述第一凹槽122內(nèi)填充第五光刻膠層232，以避免所述第一凹槽122被刻蝕。如圖13所示，以所述第三光刻膠層231、第四光刻膠層233及第五光刻膠層232為掩膜，對(duì)柵極層進(jìn)行刻蝕，形成分別位于第二子區(qū)域12的第二邏輯柵極310，位于所述第一子區(qū)域11的第一初始邏輯柵極320，及存儲(chǔ)區(qū)2的字線柵極330，所述字線柵極330位于所述控制柵101的兩側(cè)。如圖14所示，形成第六光刻膠層240，所述第六光刻膠層240與后續(xù)形成的第一柵極層的圖形相對(duì)應(yīng)，所述第六光刻膠層240覆蓋第二子區(qū)域12和存儲(chǔ)區(qū)2，及位于所述第一初始邏輯柵極320的表面。如圖15所示，以所述第六光刻膠層240為掩膜，刻蝕所述第一初始邏輯柵極320，形成第一邏輯柵極321。所述第一邏輯柵極321厚度小于所述第二邏輯柵極310。上述實(shí)施例中，形成有第一凹槽122和第二凹槽142。作為其他實(shí)施例，對(duì)應(yīng)2個(gè)以上N個(gè)子區(qū)域還可以形成有2個(gè)以上N個(gè)凹槽，則對(duì)應(yīng)地，則為圖案化刻蝕所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽…第N凹槽，形成分別位于所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、第三子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)的第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、第三邏輯柵極、…及第N邏輯柵極，且按照后續(xù)待形成邏輯柵極的厚度從大到小排布，首先刻蝕第N溝槽，形成第N邏輯柵極，最后刻蝕第一溝槽，形成第一邏輯柵極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)在第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)形成不同厚度的阻擋層，可以調(diào)節(jié)形成阻擋層后的邏輯區(qū)高度，以解決存儲(chǔ)區(qū)嵌入至邏輯區(qū)所在平臺(tái)導(dǎo)致的高度差的工藝難度，提高所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步提高內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。進(jìn)一步地，可以通過(guò)調(diào)節(jié)阻擋層的厚度，使得形成阻擋層后的邏輯區(qū)高度與所述存儲(chǔ)區(qū)的柵極高度齊平或大致齊平，以解決存儲(chǔ)區(qū)嵌入至邏輯區(qū)所在平臺(tái)導(dǎo)致的高度差的工藝難度，消除所述高度差，提高所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步提高內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明
的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，其中，所述邏輯區(qū)包含不少于兩個(gè)的子區(qū)域，按照后續(xù)待形成邏輯柵極的厚度從小到大排布，所述邏輯區(qū)域劃分為第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域，所述邏輯區(qū)的子區(qū)域數(shù)目為N; 首先，在所述基底表面形成第一柵極層，所述第一柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，在對(duì)應(yīng)于所述第一子區(qū)域的第一柵極層表面形成第一阻擋層； 接著形成第二柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述第二子區(qū)域的第二柵極層表面形成第二阻擋層，所述第二柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)； 直至依次形成第N柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述第N子區(qū)域的第N柵極層表面形成第N阻擋層，所述第N柵極層覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)； 其中，按照阻擋層的厚度從大到小排布，依次為第一阻擋層、第二阻擋層、…及第N阻擋層； 去除覆蓋上述各個(gè)阻擋層表面的柵極層，暴露出第一阻擋層、第二阻擋層…第N阻擋層；去除所述第一阻擋層、第二阻擋層…第N阻擋層，形成對(duì)應(yīng)的第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽； 圖案化刻蝕所述第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽，形成分別位于所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)的第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極，按照邏輯柵極的厚度從小到大排布，依次為第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極。
2.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，形成對(duì)應(yīng)子區(qū)域的阻擋層的工藝為在柵極層表面沉積阻擋層材料，并對(duì)所述阻擋層材料進(jìn)行圖案化，形成僅位于對(duì)應(yīng)子區(qū)域的柵極層表面的阻擋層。
3.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述去除覆蓋上述各個(gè)阻擋層表面的柵極層的工藝為化學(xué)機(jī)械研磨。
4.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，去除所述阻擋層的方法為濕法刻蝕。
5.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述第一柵極層的厚度范圍為800 1200埃，所述第一阻擋層的厚度范圍為1200 1800埃。
6.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述第二柵極層的厚度范圍為600 1000埃，所述第二阻擋層的厚度范圍為400 800埃。
7.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述圖案化刻蝕所述第一凹槽、第二凹槽、…第N凹槽，形成分別位于所述第一子區(qū)域、第二子區(qū)域、…及第N子區(qū)域?qū)?yīng)的第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極包括按照后續(xù)待形成邏輯柵極的厚度從大到小排布，首先刻蝕第N溝槽，形成第N邏輯柵極，最后刻蝕第一溝槽，形成第一邏輯柵極。
8.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述第一阻擋層、第二阻擋層、…及第N阻擋層的上表面齊高。
9.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化硅。
10.如權(quán)利要求9所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述氧化硅的前驅(qū)物為正硅酸乙酯。
11.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，在形成第N阻擋層后，還包括形成覆蓋邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的第N+1的柵極層。
12.如權(quán)利要求11所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，所述去除覆蓋上 述各個(gè)阻擋層表面的柵極層，包括采用化學(xué)機(jī)械研磨去除所述第N+1的柵極層。
13.如權(quán)利要求I所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一柵極層前，還包括在所述存儲(chǔ)區(qū)表面形成控制柵。
14.如權(quán)利要求13所述的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，其特征在于，圖案化刻蝕所述凹槽時(shí)，還包括刻蝕位于存儲(chǔ)區(qū)的柵極層，形成存儲(chǔ)區(qū)的字線柵極，所述字線柵極位于所述控制柵的兩側(cè)?！?br> 全文摘要
一種內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的形成方法，包括提供基底，所述基底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)；在所述基底表面形成第一柵極層，覆蓋所述邏輯區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，在對(duì)應(yīng)于所述第一子區(qū)域的第一柵極層表面形成第一阻擋層；直至依次形成第N柵極層，在對(duì)應(yīng)于所述第N子區(qū)域的第N柵極層表面形成第N阻擋層；暴露出阻擋層；去除所述阻擋層，形成對(duì)應(yīng)的第一凹槽、第二凹槽…第N凹槽；圖案化刻蝕形成第一邏輯柵極、第二邏輯柵極、…及第N邏輯柵極。本發(fā)明通過(guò)形成不同厚度的阻擋層，并在去除所述阻擋層后在所述不同子區(qū)域上形成不同深度的溝槽，進(jìn)而形成不同厚度的邏輯柵極，提高所述內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的制造工藝空間，進(jìn)一步提高內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器件的使用功能。
文檔編號(hào)H01L21/8247GK102956561SQ20111024051
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月19日
發(fā)明者姜立維, 周儒領(lǐng), 詹奕鵬 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司