專利名稱：一種晶圓測試方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其是涉及一種晶圓測試方法。
背景技術：
在個人移動信息、電子商務、全球通訊以及數(shù)字家庭等電子化概念逐漸應用在現(xiàn)代生活的情況下，半導體生產(chǎn)制造工業(yè)同時因各種應用端的需求而迅速地成長。相對的，半導體制程中產(chǎn)能的提高，良率的提高亦是提升半導體工業(yè)的發(fā)展。一般來說，為了在半導體基板上實現(xiàn)電路功能，該半導體基板必須經(jīng)過以下步驟，例如金屬層的沉積、利用光刻工藝在每一層材料上制作圖樣、離子植入等相關制程。而為了確保每一制程的結(jié)果均能符合當初設計上的要求，則必須進行電路功能或物理結(jié)構上的檢測。例如在沉積金屬層的步驟之后，必須針對金屬層的厚度、結(jié)晶情況等進行測試的動作。 通常一片晶圓上會形成多片具有半導體電路功能的芯片，如果對每片芯片都進行單獨的測試，這在時間和成本上顯然是不允許的，因此測試前，需要先將晶圓劃分成一個個重復排列的測試單元，一個測試單元定義為一個晶格(die)，利用軟件將die在晶圓上的分布情況畫成晶格分布圖(diemap),然后確定一個測試單元中測試點的坐標,最后根據(jù)die的分布確定整個晶圓上的測試點。由于一個die里往往具有多塊芯片，因此大大減少了測試時間。在上述過程中，一個die的大小需要通過三個點來確定(比如左下點、左上點和右上點)，這三點可以利用晶圓上特定的標記來定義。一種簡單的方法是利用晶圓制作過程中生成的對位標記，比如制作在芯片與芯片之間的切割道上的十字標記來作為這三點的選擇。然而這種方法會存在以下三個問題第一，定義完一個die后，對晶圓畫出所有die的分布，此時，往往在晶圓邊緣的地方，會出現(xiàn)不完整的die。這種不完整的die會使光學檢測系統(tǒng)無法檢測到用于確定一個die的所有三個點，因而使得檢測程序出現(xiàn)卡機的現(xiàn)象。第二，在半導體制作過程中，比如在研磨工藝中，會對一些對位標記造成損害，尤其在晶圓的邊緣區(qū)域，會有比較多的對位標記出現(xiàn)損害。這部分損害的對位標記也會增加光學檢測系統(tǒng)的識別難度，因而造成卡機現(xiàn)象。第三，受環(huán)境光的影響，晶圓上往往會出現(xiàn)一些比較暗的區(qū)域，光學檢測系統(tǒng)在檢測這部分區(qū)域時，為了能正確識別對位標記，會命令機臺做一些晶圓面角度的調(diào)整，使得光線能夠照射到這部分區(qū)域。但是這樣一來，整個晶圓的水平度發(fā)生了變化，使得軟件畫出來的diemap與實際晶圓的尺寸有誤差，導致測試沒有在正確的測試點上進行，產(chǎn)生測試誤差。因此，為了會提高測試效率和準確率義，如何改善畫diemap工藝已經(jīng)成了業(yè)內(nèi)普遍關注的問題
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提出一種晶圓的測試方法，該測試方法可以避免在畫diamap的過程中，由于對位標記選擇不當，而導致晶圓邊緣處出現(xiàn)不完整die或者出現(xiàn)無法識別的對位標記，從而致使測試過程被中斷的問題。根據(jù)本發(fā)明的目的提出的一種晶圓測試方法，包括步驟I)將晶圓轉(zhuǎn)載到測試機臺上，在晶圓表面建立坐標系統(tǒng)；2)確認第一對位標記；3)利用該第一對位標記建立第一個晶格；4)計算上述第一個晶格的坐標，畫出晶格分布圖；
5)檢測晶圓邊緣是否有晶格的第一對位標記無法識別，如果檢測結(jié)果為晶圓邊緣所有晶格的第一對位標記都能識別，則完成在晶圓上畫晶格分布圖的工藝，進行下一步工藝；如果檢測結(jié)果為晶圓邊緣的晶格無法識別所有第一對位標記的，則更換第一對位標記，以第二對位標記重復步驟3)至步驟5)；6)直至晶圓上畫晶格分布圖的工藝完成后，確定需要測試的晶格的測試點，并利用這些測試點對晶格進行測試?？蛇x的，所述步驟2)中，第一晶格的建立通過如下步驟完成2. I)選定第一對位標記的形態(tài)，利用光學檢測系統(tǒng)在坐標原點附近區(qū)域搜尋所述第一對位標記；2. 2)找到第一對位標記后，點選該對位標記，并由后臺軟件計算第一對位標記與背景之間的明暗對比度數(shù)值；2. 3)當上述明暗對比度數(shù)值大于一預設參考數(shù)值時，則將該第一對位標記設定為第一個晶格的左下點；2. 4)移動光學檢測系統(tǒng)，重復上述步驟2. 2至2. 3，在所述晶格左下點的上方設定左上點；2. 5)移動光學檢測系統(tǒng)，重復上述步驟2. 2至2. 3，在所述晶格左上點的右方設定右上點；2. 6)根據(jù)上述左下點、左上點及右上點確定第一個晶格的大小及坐標?？蛇x的，在所述步驟2. 3)中，如果計算出來的明暗對比度數(shù)值小于一預設參考值，則旋轉(zhuǎn)晶圓平面，改變光線強弱，以使光學檢測系統(tǒng)識別該對位標記?？蛇x的，在所述步驟5)中，當在晶圓的單側(cè)邊或相交的雙側(cè)邊出現(xiàn)第一對位標記無法識別的晶格時，則在所述第一對位標記無法識別的晶格位于晶圓位位置的反方向上進行搜尋所述的第二對位標記；當在晶圓的四個側(cè)邊同時出現(xiàn)第一對位標記無法識別的晶格時，則將用來確定新的晶格的三個第二對位標記之間的距離拉大。可選的，在所述步驟5)中，第一對位標記無法識別的情況包括晶圓邊緣的晶格不完整導致該晶格中的一個或多個第一對位標記無法識別、晶圓邊緣的晶格上有一個或多個第一對位標記中，因出現(xiàn)損害而無法識別，或者是晶圓邊緣的晶格上有一個或多個第一對位標記中，因環(huán)境光線較弱而無法識別中的任意一種情況可選的，在所述步驟6)中，對晶格進行的測試為對半導體器件的各層材質(zhì)的物理結(jié)構的測試，或者為對半導體器件的整體電路功能的測試。本發(fā)明通過在畫diemap后增加一道檢測程序，獲取在晶圓邊緣處的die分布情況，并判斷建立的diemap是否合理，如果檢測出來在晶圓邊緣有die無法識別其對位標記的情況，則重新選擇對位標記畫diemap，直至所有die的對位標記都可以被正確的識別為止，從而避免了測試過程中的卡機現(xiàn)象。另一方面，本發(fā)明的測試方法還能防止晶圓在選取對位標記的過程中出現(xiàn)晶圓平面旋轉(zhuǎn)而導致的水平度不一致的情況，可以提高測試的準確性。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本發(fā)明的第一實施方式的晶圓對位方法的流程示意圖。圖2是晶圓表面的坐標軸示意圖。圖3是本發(fā)明第一實施方式中的第一對位標記示意圖。圖4是本發(fā)明的晶格分布圖。圖5A是在晶圓最上方出現(xiàn)不完整die的情況。圖5B是在晶圓左側(cè)和上方同事出現(xiàn)不完整die的情況。圖5C是在晶圓的上下左右4個側(cè)邊上同時出現(xiàn)不完整die的情況。圖6是本發(fā)明的第二實施方式的晶圓測試方法流程圖。
具體實施例方式正如背景技術部分所述，現(xiàn)有的測試過程中的畫diemap工藝，往往因為下述幾個原因使得檢測設備沒有辦法正確識別出對位標記第一晶圓邊緣出現(xiàn)不完整的die，使得光學系統(tǒng)沒有辦法找到用于確定一個die的所有三個點；第二，在半導體器件的生產(chǎn)過程中，晶圓上的對位標記被破壞；第三，受環(huán)境光線的影響，光學系統(tǒng)在一些光線較弱的區(qū)域沒有辦法正確識別對位標記。這些原因都會導致檢測過程的中斷，從而影響測試的效率和準確性。因此，本發(fā)明在現(xiàn)有技術的基礎上，提出了一種晶圓測試方法，該晶圓測試方法改良了畫diemap工藝。當遇到上述三個原因致使晶圓的測試工藝中斷時，本發(fā)明測試方法將調(diào)整光學檢測裝置，使它尋找能夠用于識別的第二對位標記，并根據(jù)第二對位標記重新畫diemap，直至把出現(xiàn)的不良問題解決為止，使得測試過程可以正常的繼續(xù)下去。該第二對位標記的要求之一是具有明顯的明暗對比度，使得光學檢測裝置能夠很容易的識別，第二是該第二對位標記的位置根據(jù)不完整die或者無法識別的對位標記在晶圓邊緣出現(xiàn)的位置而設定，使得該第二對位標記能夠確保在邊緣處出現(xiàn)，從而被光學系統(tǒng)識別。下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
做進一步說明。
請參見圖1，圖I是本發(fā)明的第一實施方式的晶圓對位方法的流程示意圖。該第一實施方式是針對邊緣出現(xiàn)不完整die的情況提出的一種解決方案。如圖所示，第一實施方式的晶圓測試方法包括如下步驟SllO :將晶圓轉(zhuǎn)載到測試機臺上，在晶圓表面建立坐標系統(tǒng)。具體為晶圓通過自動裝置或人工手動的方式，裝在到用于測試的測試機臺上。自動裝置可以為機械手臂或者傳送履帶裝置等，測試機臺可以是對半導體器件的各層材質(zhì)的厚度測試、光學性質(zhì)測試等物理結(jié)構的測試，也可以是對半導體器件的整體電路功能的測試。裝載完成后，利用機臺上的光學檢測系統(tǒng)，將晶圓表面影像顯示在測試裝置的顯示器上，并利用軟件，在晶圓表面以晶圓圓心為原點建立XY坐標軸。如圖2所示，圖2是晶圓表面的坐標軸示意圖。晶圓100的圓心101為坐標軸的原點(0，0)，X軸和Y軸的長度視 晶圓的具體尺寸而定。S120 :確認第一對位標記。S130 :利用該第一對位標記建立第一個晶格(die)。具體為在芯片電路中選定一具體特殊形態(tài)的器件作為第一對位標記，比如設置在切割道上的十字標記，或者位于電路中的某個具體元器件，甚至是某段連接兩個半導體元件間的導線。在距離圓心101比較近的區(qū)域，開始尋找第一對位標記。比如在XY坐標軸上，如果所需建立的第一個晶格位于第一象限，則在原點(0，0)附近搜尋第一對位標記；如果所需建立的第一個晶格位于第二象限，則在(-10，0)處開始搜尋第一對位標記；如果所需建立的第一個晶格位于第三象限，則在(-10，-10)處開始搜尋第一對位標記；如果所需建立的第一個晶格位于第四象限，則在(0，-10)處開始搜尋第一對位標記。因為通常建立第一晶格的次序是先確定左下點，再確定左上點，最后確定右上點，所以采用上述的搜尋方式，可以保證建立的第一個晶格位于圓心附近。當然本領域技術人員可以自由選擇建立第一晶格的順序，以及第一晶格的大小，來確定第一對位標記的搜尋方式。上述的第一定位標記，一般都與周圍的背景具有明顯的明暗差異，這樣可以有利于光學檢測系統(tǒng)在搜尋時更好的識別該第一對位標記。請參考圖3，圖3是本發(fā)明第一實施方式中的第一對位標記示意圖。在該實施方式中，以現(xiàn)有的做在晶圓的切割道上的十字標記作為第一定位標記。此時，在開始搜尋時，利用光學檢測系統(tǒng)將放大后的晶圓影像顯示在顯示器上，人員可以通過點擊需要搜尋的區(qū)域或者操作移動按鈕，將顯示畫面切換能具有十字標記102的地方，使十字標記102出現(xiàn)在顯示畫面中。此時操作點選裝置，選定十字標記102，后臺軟件開始計算分析該十字標記102與背景之間的明暗對比度，得出一個數(shù)值，當該數(shù)值超過一參考值時，說明此處的明暗對比度能夠用于識別，則該第一對位標記有效。如果該數(shù)值小于參考值，則說明此處的明暗對比度不夠，系統(tǒng)無法識別，此時，可以旋轉(zhuǎn)晶圓平面，使此時的光線強弱發(fā)生變化，如果旋轉(zhuǎn)后，系統(tǒng)可以識別該第一對位標記的，則繼續(xù)下面的流程，如果通過旋轉(zhuǎn)還是沒有辦法識別的，則需要重新定義第一對位標記，更換具有明顯明暗對比度的標記作為第一對位標記。值得注意的是，在找第一個第一對位標記的時候，如果進行晶圓平面的旋轉(zhuǎn)，則后續(xù)的所有操作都以旋轉(zhuǎn)后的晶圓平面作為測量依據(jù)，且不會再對該平面角度做任何變化，以確保所有的測量都是基于同一平面角度的情況下進行，提高測量的準確性。通常情況下，在制作切割道上的十字標記102時，會將該十字標記102設計成與周圍背景的明暗差異較大，因此在該步驟中，選取十字標記102作為第一對位標記具有更高的操作效率。當?shù)谝粚ξ粯擞洿_認完之后，將找到的第一個第一對位標記做為第一個晶格的左下點。然后開始搜尋第 二個第一對位標記，并將第二個對位標記作為的一個晶格的左上點。具體為，沿著第一個十字標記102往上找，移動一定的距離，這個距離視具體的晶格大小而定。一般來說，因為設定的die包含一個以上的芯片，因此這個距離大于一塊芯片的大小。找到第二個十字標記102后，重復上述的判斷過程，直至通過后，將該第二個十字標記102作為第一個晶格的左上點。接著再找第三個第一對位標記。并將第三個第一對位標記作為第一晶格的右上點，其具體步驟與上述第一、第二點相同，此處不再贅述。S140 :畫出晶格分布圖。當左下點、左上點、右上點依次找齊后，第一晶格的大小以及在晶圓中的位置便確定下來，然后根據(jù)第一晶格的坐標，計算出整個晶圓上所有的晶格坐標，畫出晶格分布圖(diemap)。請參見圖4,圖4是本發(fā)明的晶格分布圖。如圖所不，第一個晶格103就是以二個第一對位標記確定其大小和坐標。S150 :畫出diemap后，對晶圓上、下、左、右四個邊緣做檢查，看是否有不完整die的出現(xiàn)。具體為移動光學檢測系統(tǒng)，先到晶圓的上邊緣，通過搜尋對位標記，檢測最上邊的一個die是否完整。檢測該die的方法與建立第一個die的相同，也是通過搜尋左下點、左上點以及右上點的方法，看是否能夠找全該三點處的第一對位標記，如果能找全的，則說明最上方的die是完整的die,如果找不全,則說明最上方的die是不完整的die。利用這種方法，依次確定晶圓其它二個邊緣的die是否完整。如果晶圓邊緣所有的die都是完整的，則在晶圓上畫diemap的工藝完成，可以進行下一流程的操作，即步驟S160 :確定需要測試的die的測試點，并利用這些測試點檢測die的各個性質(zhì)。如果檢測出晶圓邊緣出現(xiàn)不完整die的現(xiàn)象的，則需要重新進行畫diemap工藝。具體為根據(jù)不完整die出現(xiàn)的方位，重新選取對位標記確定第一個die，并畫出新的 diemap。如果不完整die出現(xiàn)在單側(cè)的晶圓邊緣上，即上、下、左、右中的一側(cè)，比如只出現(xiàn)在最上方，則說明晶圓在這個位置處有部分區(qū)域是上是沒有芯片結(jié)構的，請參見圖5A，圖5A是在晶圓最上方出現(xiàn)不完整die的情況。其中實線I表示的是在晶圓上方出現(xiàn)的不完整die的diemap。此時，以第一對位標記為參考點，在該第一對位標記的下方尋找第二地位標記，所述第二標記必須滿足具有一定的明暗對比度，即該第二對位標記的明暗對比度數(shù)值必須大于預設參考值，使得光學檢測系統(tǒng)可以識別該第二對位標記。該第二對位標記的具體形態(tài)可以為芯片中某個功能性的半導體器件，或者某條連接線路等等。該第二對位標記的具體位置視不完整die出現(xiàn)的位置而定，不完整die出現(xiàn)在越上方，則第二對位標記需要越往下移，以確保重新設定的die能夠在晶圓上方得到完整的體現(xiàn)，見圖5A中的虛線2表示的是重新將對位標記下移之后的diemap，此時可以看到晶圓上方不完整die被克服，所有的die都可以完整的被測試到。如果不完整die同時出現(xiàn)在晶圓的兩個側(cè)邊，比如左側(cè)和上方，請參見圖5B，圖5B是在晶圓左側(cè)和上方同事出現(xiàn)不完整die的情況。其中實線I表示的是在晶圓左側(cè)和上方出現(xiàn)的不完整die的diemap，則在找第二對位標記的時候，就要盡量往第一對位標記的右下方找，第二對位標記的位置視不完整die出現(xiàn)的位置而定，不完整die出現(xiàn)在越是左上方，則第二對位標記越是往右下方移，以確保重新設定的die能夠在晶圓上方得到完整的體現(xiàn)，見圖5B中的虛線2表示的是重新將對位標記下移之后的diemap，此時可以看到晶圓上方不完整die被克服，所有的die都可以完整的被測試到。如果不完整die同時出現(xiàn)在晶圓的4個側(cè)邊上，即上下左右都有不完整的die出現(xiàn)，請參見圖5C，圖5C是在晶圓的上下左右4個側(cè)邊上同時出現(xiàn)不完整die的情況。其中實線I表示在晶圓上下左右同時出現(xiàn)不完整die的diemap，則在找第二對位標記的時候，將左下點和左上點，以及左上點和右上點之間的距離拉大，使得一個die的尺寸變大，以確保 重新設定的die能夠在晶圓上方得到完整的體現(xiàn)，如圖5C中虛線2所示。當經(jīng)過重新定義后的die，在整個晶圓上分布時，沒有在邊緣處出現(xiàn)不完整die的情況，則可以進行下一流程的操作，即確定需要測試的die的測試點，并利用這些測試點檢測die的各個性質(zhì)。請再參見圖6，圖6是本發(fā)明的第二實施方式的晶圓測試方法流程圖。該第二實施方式再該第二實施方式中，主要針對的是邊緣出現(xiàn)不清楚的對位標記時的情況，不清楚的對位標記可以為第一對位標記被損害，因而無法識別，或者第一對位標記處的光線較暗，使得光學檢測系統(tǒng)讀取明暗對比度時，數(shù)值低于預設的參考值而無法識別。當出現(xiàn)上述的問題時，其解決方法與第一實施方式中的相同。即在畫完第一個diemap之后，出現(xiàn)邊緣無法識別的對位標記時，定義一個第二對位標記，該第二對位標記的要求與實施方式中的相同，該第二對位標記的具體位置也是由出無法識別的第一對位標記的位置決定。具體決定方法跟第一實施方式中的也相同，此處不再贅述。值得一提的是，由于光線問題而出現(xiàn)無法識別的情況，現(xiàn)有的解決方法是通過不停的調(diào)整晶圓所在的平面，以找到一個具有適合光線的角度，這樣一來，原先定義的幾處定位標記勢必與調(diào)整后的平面有位置上的誤差，使得系統(tǒng)進入測試階段時，測試探針無法準確的接觸到測試點。而本發(fā)明的測試方法中，只在定義第一個晶格的時候才會轉(zhuǎn)動晶圓平面，而之后所有的對位步驟都是以該平面為基礎，不再做任何轉(zhuǎn)動，因此可以保證所有的測試點均在同一平面內(nèi)，從而可以使測試得到?jīng)]有誤差的結(jié)果。綜上所述，本發(fā)明的晶圓測試方法，當出現(xiàn)邊緣有不完整的die或者無法識別的對位標記時，可以定義第二對位標記，并根據(jù)該第二對位標記重新畫diemap，使得新的diemap中所有的die都能被正確的識別。即避免了測試過程被中斷，又可以保證所有測試點都能正確的被測試到，大大提高了測試效率和測試準確性。對所公開的實施例的上述說明，使本領域?qū)I(yè)技術人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的 范圍。
權利要求
1.一種晶圓測試方法，其特征在于包括步驟 1)將晶圓轉(zhuǎn)載到測試機臺上，在晶圓表面建立坐標系統(tǒng)； 2)確認第一對位標記； 3)利用該第一對位標記建立第一個晶格； 4)計算上述第一個晶格的坐標，畫出晶格分布圖； 5)檢測晶圓邊緣是否有晶格的第一對位標記無法識別，如果檢測結(jié)果為晶圓邊緣所有晶格的第一對位標記都能識別，則完成在晶圓上畫晶格分布圖的工藝，進行下一步工藝；如果檢測結(jié)果為晶圓邊緣的晶格無法識別所有第一對位標記的，則更換第一對位標記，以第二對位標記重復步驟3)至步驟5)； 6)直至晶圓上畫晶格分布圖的工藝完成后，確定需要測試的晶格的測試點，并利用這些測試點對晶格進行測試。
2.如權利要求I所述的晶圓測試方法，其特征在于所述步驟2)和步驟3)通過如下步驟完成 2. I)選定第一對位標記的形態(tài)，利用光學檢測系統(tǒng)在坐標原點附近區(qū)域搜尋所述第一對位標記； 2. 2)找到第一對位標記后，點選該對位標記，并由后臺軟件計算第一對位標記與背景之間的明暗對比度數(shù)值； 2. 3)當上述明暗對比度數(shù)值大于一預設參考數(shù)值時，則將該第一對位標記設定為第一個晶格的左下點； 2. 4)移動光學檢測系統(tǒng)，重復上述步驟2. 2至2. 3，在所述晶格左下點的上方設定左上占. 2. 5)移動光學檢測系統(tǒng)，重復上述步驟2. 2至2. 3，在所述晶格左上點的右方設定右上占. 2.6)根據(jù)上述左下點、左上點及右上點確定第一個晶格的大小及坐標。
3.如權利要求2所述的晶圓測試方法，其特征在于在所述步驟2.3)中，如果計算出來的明暗對比度數(shù)值小于一預設參考值，則旋轉(zhuǎn)晶圓平面，改變光線強弱，以使光學檢測系統(tǒng)識別該對位標記。
4.如權利要求I所述的晶圓測試方法，其特征在于在所述步驟5)中， 當在晶圓的單側(cè)邊或相交的雙側(cè)邊出現(xiàn)第一對位標記無法識別的晶格時，則在所述第一對位標記無法識別的晶格位于晶圓位位置的反方向上進行搜尋所述的第二對位標記；當在晶圓的四個側(cè)邊同時出現(xiàn)第一對位標記無法識別的晶格時，則將用來確定新的晶格的三個第二對位標記之間的距離拉大。
5.如權利要求I所述的晶圓測試方法，其特征在于在所述步驟5)中，第一對位標記無法識別的情況包括 晶圓邊緣的晶格不完整導致該晶格中的一個或多個第一對位標記無法識別、 晶圓邊緣的晶格上有一個或多個第一對位標記中，因出現(xiàn)損害而無法識別，或者是晶圓邊緣的晶格上有一個或多個第一對位標記中，因環(huán)境光線較弱而無法識別中的任意一種情況
6.如權利要求I所述的晶圓測試方法，其特征在于在所述步驟6)中，對晶格進行的測試為對半導體器件的各層材質(zhì)的物理結(jié)構的測試，或者為對半導體器件的整體電路功能 的測試。
全文摘要
一種晶圓測試方法，該方法在進行測試前，通過選擇合適的對位標記，在晶圓上建立用于測試的die，并畫出diemap，然后對diemap做檢測，查看在晶圓邊緣時候有無法識別的對位標記，如果有，則更改對位標記，并重新畫diemap，使所有的die都能被正確的識別。由此可以減少晶圓測試過程中的卡機現(xiàn)象和測試對位不精確的現(xiàn)象，提高測試效率和測試準確率。
文檔編號H01L21/66GK102931114SQ20111022984
公開日2013年2月13日 申請日期2011年8月11日 優(yōu)先權日2011年8月11日
發(fā)明者張禮麗 申請人:無錫華潤上華科技有限公司